JPS6266692A - Manufacture of semiconductor laser - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To form a semiconductor laser of long life by laminating a clad layer and an active layer on a substrate to form an oscillation layer, lapping the front surface and the back surface of the substrate, and forming the first electrode on the back surface of the substrate and the second electrode on the front surface of the oscillator from which a damage layer is removed. CONSTITUTION:A clad layer, an active layer and a clad layer are sequentially laminated on a substrate 1 having a V-shaped groove on the front surface to form an oscillation layer 10. Then, the layer 10 is lapped to form a damage layer 21. The back surface of the substrate 1 is lapped to form a damage layer 22. Then, gold is deposited on the back surface of the substrate to form the first electrode 7, and the electrode 7 and the substrate 1 are heat treat at the prescribed temperature to be ohmically formed. Thereafter, the layer 21 is removed, heat treated at the prescribed temperature to form the second electrode 8 on the layer 10. Tensile strength generated at the electrode 8 is cancelled by compressive and tensile stresses generated at the electrode 7, the layer 22 and the layer 10, the internal stresses become zero as a whole, and the internal stresses generated in the manufacturing steps can be suppressed to low values. Thus, a semiconductor layer of long life can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体レーザの製造方法に関する。[Detailed description of the invention] (b) Industrial application fields The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser.

（ロ）従来の技術 第３図は従来の半導体レーザを示し、（１）はｐ型Ｇａ
Ａｓからなる層厚１００μｍの基板、（２）はｎ型Ｇａ
Ａｓからなる層厚１．２μｍの電流狭窄層であり、該狭
窄層にはその表面より基板（１）に達するＶ字型の溝が
形成きれる。（３）〜（６）は上記電流狭窄層（２）上
に順次積層されたｐ型Ｇ　ａ　ｏ、　５Ａｕｏ、ｓＡｓ
からなる第１クラッド層、ノンドープＧ　ａ　ｏ、　ｓ
　Ａ　Ｑ　０．２　Ａ　ｓからなる活性層、Ｇ　ａ　ｏ
、　５Ａｌｉｏ、ｓＡｓからなる第２クラッド層及びｎ
型ＧａＡｓからなるキャップ層であり、上記各層は夫々
０．２μｍ、０．１．ａｍ、１．５μｍ及び２μｍの層
厚を有する。（７）（８）は夫々基板（１）裏面及びキ
ャップ層（６）表面に形成された第１、第２％を極であ
る。(b) Conventional technology Figure 3 shows a conventional semiconductor laser, and (1) shows a p-type Ga laser.
A substrate with a layer thickness of 100 μm made of As, (2) is an n-type Ga
The current confinement layer is made of As and has a thickness of 1.2 μm, and a V-shaped groove reaching the substrate (1) from the surface of the constriction layer is completely formed. (3) to (6) are p-type Gao, 5Auo, and sAs sequentially laminated on the current confinement layer (2).
A first cladding layer consisting of non-doped G ao,s
Active layer consisting of A Q 0.2 A s, G a o
, 5Alio, a second cladding layer made of sAs and n
The cap layer is made of type GaAs, and each layer has a thickness of 0.2 μm and 0.1 μm, respectively. am, with layer thicknesses of 1.5 μm and 2 μm. (7) and (8) are the first and second percent poles formed on the back surface of the substrate (1) and the surface of the cap layer (6), respectively.

然るに、このような半導体レーザではアイイーイーイー
、ジャーナル・才ブ・カンタム・エレクトロニクス（Ｉ
ＥＥＥ、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑｕｍｔｕｍ　Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ）　、　Ｖｏｌ、ＱＥ−１７、Ｎｏ、
　５　、　ＰＰ７６３（１９８１）に報告されているよ
うに各層の組成の違いにより内部応力が発生し、劣化の
原因となる。具体的には、上記活性Ｎｊ（４）等の積層
層、第１を極（７）及び第２１を極（８）には夫々、５
．ＯＸ　１０’ｄｙｎｅ／ｃｍ２（７）、圧縮応力、１
、５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　ＣｌＴ１２の圧縮応力及び
３．ＯＸ　１０’ｄｙｎｅ／ｃＩＴ１２の引張応力が発
生し、全体として図中矢印でしめずような応力が生じる
こととなるため、活性Ｊｉ（４）が湾曲して歪を発生す
ることとなる。However, in this type of semiconductor laser,
EEE, Journal of Qumtum Ele
ctronics), Vol, QE-17, No.
5, PP763 (1981), internal stress is generated due to the difference in the composition of each layer, which causes deterioration. Specifically, in the laminated layer such as the active Nj (4), the first pole (7) and the twenty-first pole (8) each have 5 layers.
．． OX 10'dyne/cm2 (7), compressive stress, 1
, 5X 10'dyne/ClT12 compressive stress and 3. Tensile stress of OX 10'dyne/cIT12 is generated, resulting in a stress as indicated by the arrow in the figure as a whole, which causes active Ji(4) to curve and generate strain.

そこで、第４図に示す如く基板（１）裏面側にラッピ〉
グにより緩和Ｊｉ＜９　＞を形成することにより内部応
力を相殺し、活性層（４）での歪発生を抑止する構成が
実願昭５０−１００７３６号で提案されている。尚、第
４図中、第３図と同一箇所には同一符号をつけ説明を省
略する。Therefore, as shown in FIG.
Japanese Utility Model Application No. 50-100736 proposes a configuration in which the internal stress is canceled out by forming a relaxed Ji<9> by bending, thereby suppressing the occurrence of strain in the active layer (4). In FIG. 4, the same parts as in FIG. 3 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

（ハ〉　発明が解決しようとする問題点熱るに、実願昭
６０−１００７３１号で提案された構成においても、そ
の製造過程で内部応力が発生し活性Ｊ！ｌ（４）に歪が
発生する。(C) Problems that the invention seeks to solve: Even in the configuration proposed in Utility Application No. 100731/1980, internal stress occurs during the manufacturing process and distortion occurs in the active J!l(4). do.

第５図に上記第４図に示した半導体レーザの一般的な製
造方法を示すが、斯る方法としては第５図（ａ）（ｂ）
（ｃ）（ｄ）（ｅ）の各工程を順次処理するｖＪｌの製
造方法と、同図（ａ）（ｆ’）（ｇ）（ｈ）（ｅ）の各
工程を順次処理する第２の製造方法とがある。Figure 5 shows a general method for manufacturing the semiconductor laser shown in Figure 4 above.
(c), (d), and (e) in sequence, and a second method in which each of the steps in (a), (f', There is a manufacturing method.

以下、上記各工程の処理及びそのとき発生する内部応力
について説明する。Hereinafter, the processing in each of the above steps and the internal stress generated at that time will be explained.

まず、第５図（ａ）に示した工程では厚さ３００μｍ以
上の基板（１）表面に第１クラッド層（３）、活性層（
４）、第２クラッド層（５）及びキャップ層（６）から
なる発振層（１０）を形成する。このときの発振層（１
０）に生じる応力は上記基板（１）が厚いため略０であ
る。First, in the step shown in FIG. 5(a), a first cladding layer (3) and an active layer (
4) Form an oscillation layer (10) consisting of a second cladding layer (5) and a cap layer (6). The oscillation layer at this time (1
The stress generated at 0) is approximately 0 because the substrate (1) is thick.

同図（ｂ）に示した工程では発′＠層＜１０〉表面に第
２電極（８）となる金属を積層する。このときもまた基
板（１）が３００μｍ以上と厚いため、発振層（１０）
及び第２電極（８）にはほとんど応力は発生しない。In the step shown in FIG. 3(b), a metal that will become the second electrode (8) is laminated on the surface of the emitting layer <10>. Also at this time, since the substrate (1) is thick at 300 μm or more, the oscillation layer (10)
And almost no stress is generated in the second electrode (8).

同図（Ｃ）に示した工程では、基板（１）裏面を゛ラッ
ピングすること番こより基板（１）の厚みを約１００μ
ｍとする。このように基板（１）を薄くすると発振Ｊｉ
１ｑｌ（１０）及び第２電極（８）には夫々乳０ＸＩＯ
’ｄｙｎｃ／ｃｌＴ１２の圧縮応力及び３．０Ｘ　１０
’ｄｙｎｅ／　Ｃｍ２の引張応力が発生する。また、上
記ラッピングにより基板（１）裏面に緩和Ｊ！！（ダメ
ージ層）（９）が発生し、断る緩和層（９）にも２．　
ＯＸ　）Ｏ＠ｄｙｎｅ／　ｃｍ　’の引張応力が生じる
。従って、全体として１．８Ｘ１０日ｄＶｎｅ／　ｃＩ
Ｔ＋　２の引張応力が発生することとなる。In the process shown in the same figure (C), the thickness of the substrate (1) is reduced to approximately 100 μm by lapping the back surface of the substrate (1).
Let it be m. When the substrate (1) is made thinner in this way, the oscillation Ji
1ql (10) and the second electrode (8) each contain milk 0XIO.
'dync/clT12 compressive stress and 3.0X 10
A tensile stress of 'dyne/Cm2 is generated. In addition, the above wrapping causes relaxation of J! on the back surface of the substrate (1). ! (Damage layer) (9) occurs, and 2.
A tensile stress of OX)O@dyne/cm' is generated. Therefore, overall 1.8X10 days dVne/cI
A tensile stress of T+2 will occur.

同図（ｄ）に示した工程では基板（１）裏面に第１電極
（７）となる金属を蒸着等により積着する。このとき、
発振Ｊｉｆ！　（１０）、第２１Ｌ極（８）及び緩和層
く９）の応力は変化せず、夫々５．　ＯＸ　１０’ｄｙ
ｎｅ／　ａｍ　２の圧縮応力、３．　ＯＸ　１０’ｄｙ
ｎｅ／　ｃｍ　２ｔｙ）引張応力及び２、　ＯＸ　１０
Ｌｌｄｙｎｅ／　ａＴｌ’（７）引張応力であり、マタ
新りに形成された第２電極（８）にも１．５Ｘ　１０’
ｄｙｎｅ／ｃｍ’の圧縮応力が発生する。従って、全体
として１．６Ｘ　１０”ｄｙｎｅ／ｃｍ２（７）引張応
力カ生ジルコトドする。In the step shown in FIG. 4(d), metal that will become the first electrode (7) is deposited on the back surface of the substrate (1) by vapor deposition or the like. At this time,
Oscillation Jif! (10), the stress of the 21st L pole (8) and the relaxation layer 9) do not change, and the stress of 5. OX 10'day
Compressive stress of ne/am 2, 3. OX 10'day
ne/cm 2ty) tensile stress and 2, OX 10
Lldyne/ aTl' (7) tensile stress, and the newly formed second electrode (8) also has 1.5X 10'
A compressive stress of dyne/cm' is generated. Therefore, the total tensile stress is 1.6 x 10" dyne/cm2 (7).

同図（ｅ）に示した工程では基板全体を４００℃１０分
の条件で熱処理を行なう、斯る熱処理により第１電極（
７）及び第２電極（８）が合金化すると共に緩和層（９
）の結晶性が回復され、斯る緩和層〈９）の応力が３．
５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　’に減少する。尚、第
１、第２電極（７）（８）及び発振層（１０）の応力は
変化しないので、全体としての応力は略０となる。In the step shown in FIG. 2(e), the entire substrate is heat treated at 400°C for 10 minutes.
7) and the second electrode (8) are alloyed and the relaxation layer (9
) is restored, and the stress in the relaxed layer <9) is reduced to 3.
Reduce to 5X 10'dyne/cm'. Note that since the stress of the first and second electrodes (7) and (8) and the oscillation layer (10) do not change, the stress as a whole becomes approximately 0.

同図（ｆ’）に示した工程では、同図（Ｃ）の工程と同
様に基板（１）裏面をラッピングすることにより基板（
１）の厚みを約１００μｍとする。このように基板（１
）を薄くすると発振Ｊｌ（１０）に５．　ＯＸ　１０’
ｄｙｎｅ／ｃＩＴ１２の圧縮応力が生じ、また上記ラッ
ピングにより生じた緩和層（９）に２．０Ｘ　１０”ｄ
ｙｎｅ／　ｃｍ　’の引張応力が発生ずる。従って、全
体として１．５Ｘ１０Ｌｌｄｙｎｅ／　ＣＩＩ＋　２（
７）引張応力力発生スル。In the step shown in FIG.
The thickness of 1) is approximately 100 μm. In this way, the board (1
) becomes thinner, the oscillation Jl(10) becomes 5. OX 10'
A compressive stress of dyne/cIT12 is generated, and a 2.0X 10"d
A tensile stress of yne/cm' is generated. Therefore, overall 1.5X10Lldyne/CII+ 2(
7) Generation of tensile stress.

同図（ｇ）に示した工程では、基板裏面に第１電極（７
）となる金属を蒸着等により積層する。このとき、断る
第１を極く７）、発振層（１０）及び緩和層（９）に夫
々１．５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　’の引張応力、
５．０Ｘ１０’ｄｙｎｅ／、ｃｍ　’の圧縮応力及び２
．　ＯＸ　１０”ｄｙｎｅ／　Ｃｍ　’の引張応力が発
生する。従って、全体として１．２Ｘ　１０”ｄｙｎｅ
／　ｃｍ　２（７）引張応力が発生ｔ　６　コトトする
。In the step shown in FIG. 2(g), the first electrode (7
) is laminated by vapor deposition or the like. At this time, the first thing to be said is 7), the oscillation layer (10) and the relaxation layer (9) each have a tensile stress of 1.5X 10'dyne/cm',
Compressive stress of 5.0X10'dyne/, cm' and 2
．． A tensile stress of OX 10"dyne/Cm' is generated. Therefore, the total is 1.2X 10"dyne
/ cm 2 (7) Tensile stress occurs t 6 .

同図（ｈ）に示した工程では発振Ｊｌ１５（１０）表面
に第２Ｍ、極（８）となる金属を蒸着等により形成する
。In the step shown in FIG. 6(h), a metal to be the second M, the pole (8), is formed on the surface of the oscillation J15 (10) by vapor deposition or the like.

このとき、第１、第２電極（７）（ｓ）、発振ＪＷ　（
１０）及び緩和層（９）には夫々１．５　Ｘ　ｌＯ’ｄ
ｙｎｅ／　Ｌｍ　’の圧縮応力、３．　ＯＸ　１０７ｄ
ｙｎｅ／　ｃｍ　２の引張応力、５．０×１０’ｄｙｎ
ｅ／　ｃｍ　２の圧縮応力及び２．　ＯＸ　１０”ｄｙ
ｎｅ／　ｃｍ　’の引張応力が発生する。従って全体と
して１．２×１０８ｄｙｎｅ／　ｃｍ　’の引張応力が
発生することとなる。At this time, the first and second electrodes (7) (s), the oscillation JW (
10) and relaxation layer (9) each have a thickness of 1.5
Compressive stress of yne/Lm', 3. OX107d
Tensile stress in yne/cm2, 5.0 x 10'dyn
compressive stress of e/cm2 and 2. OX 10”dy
A tensile stress of ne/cm' is generated. Therefore, a tensile stress of 1.2 x 108 dyne/cm' is generated as a whole.

このように、第１図（ａ）（ｆ’）（ｇ）（ｈ）（ｅ）
の各工程からなる第２の製造方法においても、その製造
工程中に１ｔ）８ｄｙｎｅ／　ｃｍ　’以上の内部応力
が発生していた。In this way, Figure 1 (a) (f') (g) (h) (e)
Even in the second manufacturing method consisting of each step, an internal stress of 1t)8 dyne/cm' or more was generated during the manufacturing process.

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は斯る点に鑑みてなきれたもので、その構成的特
徴は基板表面に少なくとも第１クラ′ツド層、活性層及
び第２クラッド層を順次積層して発振層を形成する第１
工程、上記発振層をラッピングする第２工程、上記基板
裏面゛をラッピングする第３工程、上記基板裏面に第１
電極を形成する箭４工程、上記第２工程におけるラッピ
ングにより生じた上記発振層表面のダメージ層を除去す
る第５工程、上記発振層表面に第２電極を形成する第６
工程からなり上記第１乃至第６工程を順次に処理するこ
とにある。(d) Means for Solving the Problems The present invention was developed in view of the above points, and its structural feature is that at least a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer are formed on the surface of the substrate. The first layer is sequentially laminated to form an oscillation layer.
a second step of lapping the oscillation layer; a third step of lapping the back surface of the substrate; a first step of lapping the back surface of the substrate;
A fourth step of forming an electrode, a fifth step of removing a damaged layer on the surface of the oscillation layer caused by the lapping in the second step, and a sixth step of forming a second electrode on the surface of the oscillation layer.
The process consists of steps, and the first to sixth steps described above are sequentially processed.

（ホ）作用 断る方法により半導体レーザを作成すると、工程中に発
生する内部応力を極力抑止できる。(e) If a semiconductor laser is manufactured using a method that eliminates the effects, internal stress generated during the process can be suppressed as much as possible.

（へ）　実施例 第１図は本発明の実施例を示す工程図である。(f) Examples FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of the present invention.

尚、第１図中第３図乃至第５図と同一箇所には同一番号
を付して説明を省略する。Note that the same parts in FIG. 1 as those in FIGS. 3 to 5 are given the same numbers, and explanations thereof will be omitted.

第１図（ａ）は第１工程を示し、表面に７字溝を有する
厚さ３００℃４ｍの基板（１）上に第１クランド層（３
）、活性層（４）、第２クラッド層（５）及びキャップ
層（６）を順次積層し発振層（１０）を形成する。Figure 1 (a) shows the first step, in which a first crand layer (3
), an active layer (4), a second cladding layer (5) and a cap layer (6) are sequentially laminated to form an oscillation layer (10).

第１図（ｂ）は第２工程を示し、発振層（１０）表面を
１〜２ａｍ程度ラッピングすることにより第１のダメー
ジ層（２１）を形成する。斯るラッピングは例えば回動
するアルミナ板上にラッピング材として粒径１０μｍの
ガーネットが溶解された水溶液たらした状態で上記発振
層（１０）表面を荷！！５．５８１（ｊ”ｋｇ／ａｍ２
の力で上記アルミナ板に押し当てることにより行なう。FIG. 1(b) shows the second step, in which a first damaged layer (21) is formed by lapping the surface of the oscillation layer (10) by about 1 to 2 am. In such wrapping, for example, the surface of the oscillation layer (10) is loaded with an aqueous solution in which garnet with a particle size of 10 μm is dissolved as a lapping material on a rotating alumina plate. ! 5.581 (j”kg/am2
This is done by pressing it against the alumina plate with a force of .

斯る処理が終了した時点では第１のダメージ層（２１）
にＩ　Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　”の圧縮応力が発
生する。At the end of such processing, the first damage layer (21)
A compressive stress of I x 10'dyne/cm'' is generated.

またこのとき上記基板（１）が３００μｍと厚いため発
振Ｊｉ（ｔｏ）には応力がほとんど発生しない、従って
、全体としてはＩ　Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃＩｆｌ”
の圧縮応力が発生することとなる。Also, at this time, since the substrate (1) is as thick as 300 μm, almost no stress is generated in the oscillation Ji(to), so the overall value is I x 10'dyne/cIfl''
This results in the generation of compressive stress.

第１図（ｃ）は第３工程を示し、基板（１）裏面をう／
ピングにより基板（１）の厚みを約１００μｍとする。FIG. 1(c) shows the third step, in which the back surface of the substrate (1) is coated/
The thickness of the substrate (1) is made approximately 100 μm by pinning.

尚、上記ラッピングは、第２工程と同様な方法により行
なえる。Note that the above-mentioned wrapping can be performed by the same method as the second step.

斯るラッピングにより基板（１）裏面には第２のダメー
ジ！（２２）が形成きれ、斯るダメージ層（２２）には
２　Ｘ　１０８ｄｙｎｅ／　ｃＴ１１２の引張応力が発
生する。また、基板（１）を１００μｍと薄くしたこと
により発振層（１０）には５．　ＯＸ　１０’ｄｙｎｅ
／　Ｃｍ　’という圧縮応力が発生し、かつ第１のダメ
ージ層（２１）の圧縮応力は２．　ＯＸ　１０８ｄｙｎ
ｅ／　ｃｍ　２に変化する。従ッテ、全体としては５．
　ＯＸ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　２の圧縮応力が発生
することとなる。This wrapping causes second damage to the back side of the board (1)! (22) is completely formed, and a tensile stress of 2×108 dyne/cT112 is generated in the damaged layer (22). Also, by making the substrate (1) as thin as 100 μm, the oscillation layer (10) has a thickness of 5.5 μm. OX 10'dyne
/ Cm' is generated, and the compressive stress of the first damaged layer (21) is 2. OX 108dyn
e/cm2. Overall, 5.
A compressive stress of OX 10'dyne/cm2 will be generated.

第１図（ｄ）は第４工程を示し、基板（内裏面に第１１
極（７）となる金（Ａｕ）等を蒸着等により形成する。FIG. 1(d) shows the fourth step, in which the substrate (with 11
Gold (Au) or the like, which will become the pole (7), is formed by vapor deposition or the like.

斯る第１電極（７）には１．５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／■
２の圧縮応力が発生し、また第１、第２ダメージｆｆＩ
（２１）（２２）及０発ｍＪｉ（ｔＯ）ｆ：　ｉｔ夫々
２．ＯＸ　１０”ｄｙｎｅ／　ｃ７＋１２の圧縮応力、
２．　ＯＸ　１０”ｄｙｎｅ／　Ｃｍ　’の引張応力及
び５．　ｓＸ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃｌｌｌ　２（７）
圧縮応力が発生するので、全体としては６．５Ｘ　１０
’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　’の圧縮応力がかかることとなる
。The first electrode (7) has 1.5X 10'dyne/■
2 compressive stress is generated, and the first and second damage ffI
(21) (22) and 0 shots mJi(tO)f: it 2. Compressive stress of OX 10”dyne/c7+12,
2. Tensile stress of OX 10"dyne/Cm' and 5.sX 10'dyne/clll 2(7)
Since compressive stress is generated, the total is 6.5X 10
A compressive stress of 'dyne/cm' will be applied.

第１図（ｅ）は第５工程を示し、４００℃、１０分の条
件で熱処理し第１１Ｅ極（７）と基板（１）とのオーミ
ンク化を行なう、斯る熱処理により第１、第２ダメージ
層（２１）（２２）の結晶性が回復されるため、斯る両
層の応力は夫々３．５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　２
の圧縮応力及び３．５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　’
の引張応力となる。FIG. 1(e) shows the fifth step, in which heat treatment is performed at 400° C. for 10 minutes to form an ohmink between the 11E electrode (7) and the substrate (1). Since the crystallinity of the damaged layers (21) and (22) is restored, the stress in both layers is 3.5X 10'dyne/cm2, respectively.
Compressive stress of 3.5X 10'dyne/cm'
The tensile stress will be .

尚、発振層（１０）及び第１１！極（７〉の応力は変化
しないので、全体としては６．５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／
　ｃＩｆｌ　’（７）圧縮応力が生じることとなる。In addition, the oscillation layer (10) and the 11th! Since the stress at the pole (7) does not change, the overall value is 6.5X 10'dyne/
cIfl' (7) Compressive stress will occur.

第１図（ｆ’）は第６工程を示し、第１ダメージ肩（２
１）を除去する。斯る除去は例えばＨ２Ｓ０４　：Ｈ２
０２：Ｈ２０−３：　１　：　１（７’）Ｌッｆｗ’ｙ
トを用いて行なう、これにより全体にかゆ）る応力は第
２ダメージ層（２２）、発振層（１０）及び第１Ｍ、極
（７）の夫々で発生する応力の総和である３、ＯＸ　１
０’ｄｙｎｅ／　ｃｍ　”となる。Figure 1 (f') shows the sixth step, where the first damage shoulder (2
1) Remove. Such removal can be done, for example, by H2S04:H2
02:H20-3: 1: 1(7')Lfw'y
The stress generated in the whole is the sum of the stress generated in the second damage layer (22), the oscillation layer (10), and the first M pole (7), respectively.
0'dyne/cm''.

第１図（ｇ）は最終工程を示し、発振層（１０）表面に
第２電極（８）を形成する。斯る形成は金（Ａｕ）等を
発振層（１０）上に蒸着した後、４００℃、１０分の条
件で熱処理することにより形成できる。断る第２電極（
８）には３．　ＯＸ　１０’ｄｙｎｅ／　ｃ＋ｎ　’の
引張応力が発生し、また第１電極（７）、第２ダメージ
層＜２２）及び発振層（１０）には夫々１．５Ｘ　１０
’ｄｙｎｅ／　ａｍ　’の′圧縮応力、３．５Ｘ　１０
’ｄｙｎｅ／　ｃｒｎ　２の引張応力及び５．０×１０
’ｄｙｎｅ／ｃｍ’の圧縮応力が発生するので、上記各
応力は完全に相殺きれ、全体としての内部応力は′Ｏ″
となる。　　　　′ このように本実施例によれば、その工程中に発生する内
部応力は最大６．５Ｘ　１０’ｄｙｎｅ／　３　’であ
り、従来に較べて１桁小さくなる。FIG. 1(g) shows the final step, in which a second electrode (8) is formed on the surface of the oscillation layer (10). This can be formed by depositing gold (Au) or the like on the oscillation layer (10) and then heat-treating it at 400° C. for 10 minutes. The second electrode that refuses (
8) has 3. A tensile stress of OX 10'dyne/c+n' is generated, and a tensile stress of 1.5X 10
'Compressive stress in 'dyne/am', 3.5X 10
'dyne/crn 2 tensile stress and 5.0×10
Since a compressive stress of 'dyne/cm' is generated, each of the above stresses can be completely canceled out, and the overall internal stress is 'O''
becomes. ' Thus, according to this embodiment, the internal stress generated during the process is at most 6.5×10'dyne/3', which is one order of magnitude smaller than that of the conventional method.

第２図は本実施例の方法により製造された半導・体レー
ザ（図中Ｏ印）と第５図の従来方法により得られた半導
体レーザ（図中△印）との寿命試験結果の比較を示す、
斯る試験は７０℃の高温雰囲気沖で５ｍＷで連続発振し
た際の駆動電流を調べたものである。Figure 2 shows a comparison of the life test results between the semiconductor laser manufactured by the method of this example (marked O in the figure) and the semiconductor laser manufactured by the conventional method in Figure 5 (marked △ in the figure). showing,
In this test, the drive current was investigated when continuous oscillation was performed at 5 mW in a high temperature atmosphere of 70°C offshore.

第２１１より明らかな如く、従来方法で製造された半導
体レーザでは２０００時間以Ｐの速読発振を行なうと駆
動電流が急激に上昇するのに対して、本実施例方法で製
造きれた半導体レーザでは４０００時間以上の連続発振
を行なった際にもその駆動電流はほとんど変化しなかっ
た。As is clear from No. 211, in the semiconductor laser manufactured by the conventional method, the driving current increases rapidly when fast reading oscillation is performed for more than 2000 hours, whereas in the semiconductor laser manufactured by the method of this embodiment, the drive current increases rapidly. Even when continuous oscillation was performed for more than 4000 hours, the drive current hardly changed.

尚、本実施例において発振層（１０）を第１クラッド層
（３）、活性層（４）、第２クラッド層（５）及びキャ
ップ層（６）で構成したが、キャップ層（６）を除いた
としても同様の結果は得られる。In this example, the oscillation layer (10) was composed of the first cladding layer (3), the active layer (4), the second cladding layer (5), and the cap layer (6), but the cap layer (6) Similar results can be obtained even if it is removed.

（ト）　発明の効果 このように、本発明を用いるとその製造過程で生じる半
導体レーザの内部応力を低く抑えることが可能であり、
従って高寿命の半導体レーザが得られる。(g) Effects of the invention As described above, by using the present invention, it is possible to suppress the internal stress of the semiconductor laser generated during the manufacturing process,
Therefore, a semiconductor laser with a long life can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の実施例を示す工程別断面図、第２図は
寿命試験結果を示す特性図、第３図及び第４図は半導体
レーザの構造を示す斜視図及び断面図、第５図は従来の
製造工程を示す工程別断面図である。 （１）・・・基板、（３）・・・第１クラッド層、（４
）・・・活性層、（５）・・・第２クラブト層、（７）
（８）・・・第１、第２電極、（１０）・・・発振層、
（２１）（２２）・・・第１、第２のダメージ層。FIG. 1 is a cross-sectional view of each process showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the life test results, FIGS. 3 and 4 are perspective views and cross-sectional views showing the structure of a semiconductor laser, and FIG. The figure is a cross-sectional view of each step showing a conventional manufacturing process. (1)...Substrate, (3)...First cladding layer, (4
)...Active layer, (5)...Second Crabstone layer, (7)
(8)...first and second electrodes, (10)...oscillation layer,
(21) (22)...First and second damaged layers.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）基板表面に少なくとも第１クラッド層、活性層及
び第２クラッド層を順次積層して発振層を形成する第１
工程、上記発振層をラッピングする第２工程、上記基板
裏面をラッピングする第３工程、上記基板裏面に第１電
極を形成する第４工程、上記第２工程におけるラッピン
グにより生じた上記発振層表面のダメージ層を除去する
第５工程、上記発振層表面に第２電極を形成する第６工
程からなり上記第１乃至第６工程を順次に処理すること
を特徴とする半導体レーザの製造方法。(1) A first layer that forms an oscillation layer by sequentially laminating at least a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer on the surface of the substrate.
a second step of lapping the oscillation layer; a third step of lapping the back surface of the substrate; a fourth step of forming a first electrode on the back surface of the substrate; A method for manufacturing a semiconductor laser, comprising a fifth step of removing a damaged layer, and a sixth step of forming a second electrode on the surface of the oscillation layer, and the first to sixth steps are sequentially performed.