JPS6266442A - 光メモリ素子用フオトマスク - Google Patents

光メモリ素子用フオトマスク

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JPS6266442A
JPS6266442A JP20786485A JP20786485A JPS6266442A JP S6266442 A JPS6266442 A JP S6266442A JP 20786485 A JP20786485 A JP 20786485A JP 20786485 A JP20786485 A JP 20786485A JP S6266442 A JPS6266442 A JP S6266442A
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photomask
resist
optical memory
memory element
groove
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JP20786485A
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Kenji Oota
賢司 太田
Junji Hirokane
順司 広兼
Akira Takahashi
明 高橋
Tetsuya Inui
哲也 乾
Toshihisa Deguchi
出口　敏久
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は光により情報の記録、再生、消去の少くとも１
つの動作を行なう光メモリ素子に関するものであり、更
に詳細には光メモリ素子の基板にガイドトラック或いは
トラック番地等のパターンを転写する際に使用するフォ
トマスクに関するものである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉 近年、光メモリ素子は高密度・大容量のメモリ素子とし
て年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子は
その使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能メ
モリ及び書き換え可能メモリの３種に分けることができ
る。
このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可能メモリ
として使用する光メモリ素子は、情報の記録、再生を行
う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するため
に、通常光メモリ素子の基板にガイドトラックをそなえ
ている。またこのガイドトラックが何番目のトラックか
を識別するために、ガイドトラックの一部にトラック番
地を示す情報が書き込まれていることが多い。
このガイドトラックを光メモリ素子の基板に形成するた
めの製法の１つに特開昭５９−２１０５４７に示す方法
がある。これを第５図を用いて略説する。まず第５図（
ａ）に示すようにガラスディスク１にスピンナー等で塗
布したレジスト膜２を形成し、次に同図（ｂ）のごとく
、あらかじめガイドトラックやガイド番地を形成したフ
ォトマスク３を用い、該フォトマスク３を介してガラス
ディスク１に柴外線４を照射してフォトマスク３のガイ
ドトラッりやトラック番地（図中５で示した）のパター
ンをレジスト２に転写し、次に同図（ｃ）のごとくレジ
スト２を現像した後、同図（ｄ）のごとくＣＦ４やＣＨ
Ｆ３ガス中でのりアクチイプイオンエッチングでガラス
ディスク１にガイドトラックやトラック番地をきざみ、
最後に同図（ｄ）の工程で残ったレジスト２を除去し、
同図（ｅ）の如く基板を形成する。
この従来方法において技術的に困難なのは、同図（ｂ）
のガイドトラックやトラック番地のパターンの転゛写工
程である。すなわち、フォトマスク３とレジスト２とは
密着していることが望ましいが、従来では第６図のごと
くレジスト塗布時にレジスト膜２がガラスディスク１の
端面で一部もり上る現象６があり、そのだめレジスト膜
２とフォトマスク３との密着不良になる事が多かった。
この密着不良部分の巾は１〜２ｆｉ程度である。同図の
フォトマスク３ではガイドトラック等のパターンは省略
している。
く目　的〉 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、ガラスディ
スク端面のレジストのもり上りによるレジストとフォト
マスクの密着不良を防ぐフォトマスクを提供することを
目的とする。
〈実施例〉 以下本発明に係る光メモリ素子用のフォトマスクの実施
例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの一
実施例の一部拡大断面図である。同図に示す如く、フォ
トマスク７のガラスディスク１の端部に対向する場所に
レジスト６のもり上り部を吸収する溝８を形成すること
で、密着不良を除去する。
卆 この溝８は例えばガラスディスク１がσ１３０ｍ±０．
１ｍの場合ならば、第２図に示すように直径１２７■の
ところから幅４ｍを持ち、その深さは０．２露〜０．５
■程度であることが望ましい。もちろんこの溝の断面形
状は第２図のごとく角型である必要は々く、第３図（ａ
）に示すごとく断面形状は三角形でもよいし、第３図（
ｂ）に示すごとく半円形状でも良い。要するに、ガラス
ディスク１端部におけるレジスト６のもり上り部を吸収
する部分をフォトマスクに設ければよい。よってフォト
マスク７の端部を第４図に示すようにマスク中央部の厚
さよりも薄くして、その薄い部分でレジスト６のもり上
り部６を吸収することも可能である。
〈効　果〉 本発明によれば光メモリ素子のガイドトラックやトラッ
ク番地のパターンをフォトマスクを用いて光メモリ素子
用基板に塗布されたレジスト膜に良好に転写ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの一
実施例の一部拡大断面図、第２図はその全体の断面図、
第３図、第４図は他の実施例の一部拡大断面図、第５図
は従来のガイドトラック形成手順の説明図、第６図は従
来のフォトマスクの一部拡大断面図を示す。 図中、１ニガラスデイスク　２ニレジスト啜 ３：フォトマスク　　４：柴外線 ５：パターン　　　　６：レジスト ７二フオトマスク　　８：溝 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）第１図 第２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基板に塗布されたレジスト膜に対してパターンを転
    写する為のフォトマスクであって、 前記レジスト膜の凸部に対応する位置に予め切り欠きが
    形成されてなることを特徴とする光メモリ素子用フォト
    マスク。
JP60207864A 1985-08-30 1985-09-19 光メモリ素子用フオトマスク Expired - Fee Related JP2534226B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5532250A (en) * 1978-08-25 1980-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Duplicating method for fine pattern
JPS59102235A (ja) * 1982-12-03 1984-06-13 Sumitomo Electric Ind Ltd ホトマスク
JPS59210547A (ja) * 1983-05-13 1984-11-29 Sharp Corp 光メモリ素子の製造方法

Patent Citations (3)

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