JPS6266424A - 光量制御装置 - Google Patents
光量制御装置Info
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- JPS6266424A JPS6266424A JP60207987A JP20798785A JPS6266424A JP S6266424 A JPS6266424 A JP S6266424A JP 60207987 A JP60207987 A JP 60207987A JP 20798785 A JP20798785 A JP 20798785A JP S6266424 A JPS6266424 A JP S6266424A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザから出た光を光記録媒体に照射す
ることで情報の記録・再生・消去等を実行する光学的記
録再生装置において利用される半導体レーザの光量制御
装置に関する。
ることで情報の記録・再生・消去等を実行する光学的記
録再生装置において利用される半導体レーザの光量制御
装置に関する。
〈従来技術〉
従来の光学的記録再生装置において利用される半導体レ
ーザの光量制御装置を、光学的記録再生装置として光磁
気ディスクシステムを例に挙げて説明する。
ーザの光量制御装置を、光学的記録再生装置として光磁
気ディスクシステムを例に挙げて説明する。
光磁気ディスクの既に公知な構造は、ガラス基板等の基
体上に希土類−鉄合金の非晶質薄膜をスパッタリングに
て成膜して膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性
膜を被覆して構成されるものであり、この光磁気ディス
クに対面させて半導体レーザビームを照射する光学ヘッ
ドを配置することで情報の記録・再生・消去を行なう光
磁気ディスクシステムが構成される。
体上に希土類−鉄合金の非晶質薄膜をスパッタリングに
て成膜して膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性
膜を被覆して構成されるものであり、この光磁気ディス
クに対面させて半導体レーザビームを照射する光学ヘッ
ドを配置することで情報の記録・再生・消去を行なう光
磁気ディスクシステムが構成される。
この光磁気ディスクシステムにおいて情報の記録はレー
ザビームを約1μmφ程度に集光したものを上記磁性膜
面に照射して該磁性膜の温度を局所的に上昇させてその
温度上昇部分の保持力を減少させ同時に外部より補助磁
場を印加することで磁化の向きを反転させて行なう(消
去も同様の方法で可能である。)。又、記録された情報
の再生は記録された磁性膜面に記録時より弱い光量の半
導体レーザによる直線偏光を照射してその反射した光の
磁場の影響による偏光面の傾きを利用して光の強弱に変
え、それを光検出器で検出して行なう0 以上の構造から、半導体レーザには記録時に高出力のレ
ーザ光を、再生時に低出力のレーザ光を射出する構成が
必要となり、これらの2つのレベルの出力を速やかなる
手段により切換えることが、その駆動装置に要求される
。
ザビームを約1μmφ程度に集光したものを上記磁性膜
面に照射して該磁性膜の温度を局所的に上昇させてその
温度上昇部分の保持力を減少させ同時に外部より補助磁
場を印加することで磁化の向きを反転させて行なう(消
去も同様の方法で可能である。)。又、記録された情報
の再生は記録された磁性膜面に記録時より弱い光量の半
導体レーザによる直線偏光を照射してその反射した光の
磁場の影響による偏光面の傾きを利用して光の強弱に変
え、それを光検出器で検出して行なう0 以上の構造から、半導体レーザには記録時に高出力のレ
ーザ光を、再生時に低出力のレーザ光を射出する構成が
必要となり、これらの2つのレベルの出力を速やかなる
手段により切換えることが、その駆動装置に要求される
。
まだ半導体レーザの光出力は温度特性を有し、周囲温度
によりそのしきい値電流値及びしきい値以上の線型部分
における傾きが変動するため、温度により駆動電流値に
対するレーザ発振の出力強度が変化する。その為記録時
のレーザの高出力発振時に出力光強度が変動し、記録媒
体に対して情報の書き込み不足や過多を生じさせ、シス
テム全体の情報処理の誤り率が劣化した。この事は再生
時のレーザの低出力発振時(情報の再生時)においても
同様で、出力光強度が変動すればそれは再生信号のS/
N比の劣化として現われてくる。
によりそのしきい値電流値及びしきい値以上の線型部分
における傾きが変動するため、温度により駆動電流値に
対するレーザ発振の出力強度が変化する。その為記録時
のレーザの高出力発振時に出力光強度が変動し、記録媒
体に対して情報の書き込み不足や過多を生じさせ、シス
テム全体の情報処理の誤り率が劣化した。この事は再生
時のレーザの低出力発振時(情報の再生時)においても
同様で、出力光強度が変動すればそれは再生信号のS/
N比の劣化として現われてくる。
以上の理由で高・低の両出力レベルにおいてレーザ光を
安定発振させることが必要不可欠であることが明白であ
る。
安定発振させることが必要不可欠であることが明白であ
る。
以上の点に鑑みて、半導体レーザの光量制御装置として
、第4図に示す如き構成のものが既に提案された。同図
の装置は半導体レーザに駆動電流を供給する2つの電流
源が設けられ、記録媒体から情報を再生する場合は低出
力分電流源lによる駆動電流I、のみにより半導体レー
ザ4を駆動するものである。また記録媒体に情報を記録
する際には、もう1つの電流源である高出力分電流源2
からの駆動電流I2を駆動電流1.に付加することによ
り高出力のレーザ光を得るものである。
、第4図に示す如き構成のものが既に提案された。同図
の装置は半導体レーザに駆動電流を供給する2つの電流
源が設けられ、記録媒体から情報を再生する場合は低出
力分電流源lによる駆動電流I、のみにより半導体レー
ザ4を駆動するものである。また記録媒体に情報を記録
する際には、もう1つの電流源である高出力分電流源2
からの駆動電流I2を駆動電流1.に付加することによ
り高出力のレーザ光を得るものである。
ここで低出力分電流源1に対しては半導体レーザ4の出
力光の強度を光検知器5により検出し、プリアンプ6を
通してサンプルホールド回路7に導入する。サンプルホ
ールド回路7はホールドタイミング信号S4がハイレベ
ルの時はデータを保持し、ローレベルではデータをその
まま通過させる。このデータを基準電圧源9と比較器8
において比較し、ローパスフィルタ10を通過後の低域
周波数成分をパワーアンプ11に入力し、低出力分電流
源1の出力電流11を制御する。ホールドタイミング信
号S4が常時ローレベルであれば、この制御により低出
力光強度は半導体レーザの温度特性に関係なく常に一定
に保持されることになる。尚、この様な一定強度の出力
光を得るだめの自動光出力制御をAPCと呼ぶ。
力光の強度を光検知器5により検出し、プリアンプ6を
通してサンプルホールド回路7に導入する。サンプルホ
ールド回路7はホールドタイミング信号S4がハイレベ
ルの時はデータを保持し、ローレベルではデータをその
まま通過させる。このデータを基準電圧源9と比較器8
において比較し、ローパスフィルタ10を通過後の低域
周波数成分をパワーアンプ11に入力し、低出力分電流
源1の出力電流11を制御する。ホールドタイミング信
号S4が常時ローレベルであれば、この制御により低出
力光強度は半導体レーザの温度特性に関係なく常に一定
に保持されることになる。尚、この様な一定強度の出力
光を得るだめの自動光出力制御をAPCと呼ぶ。
次に高出力発振時(情報記録時)にはまずホールドタイ
ミング信号S4をノ・イレベルにして、データを保持す
る。即ちAPCを凍結させる。アンドゲート20におい
てホールドタイミング信号S4を利用して、記録時のみ
記録データ信号sDをスイッチング回路19に送る。記
録データ信号sDに従って、高出力分電流(記録電流)
12が低出力分電流I、に付加され、媒体への記録が行
なわれる。APCを凍結させるのは高出力発振に応答し
て出力強度を下げてしまうのを避けるためである。凍結
時間を半導体レーザの温度特性の変化の時間と比べて十
分小さくすることによってAPCと実用上差し仕えなく
作動する。
ミング信号S4をノ・イレベルにして、データを保持す
る。即ちAPCを凍結させる。アンドゲート20におい
てホールドタイミング信号S4を利用して、記録時のみ
記録データ信号sDをスイッチング回路19に送る。記
録データ信号sDに従って、高出力分電流(記録電流)
12が低出力分電流I、に付加され、媒体への記録が行
なわれる。APCを凍結させるのは高出力発振に応答し
て出力強度を下げてしまうのを避けるためである。凍結
時間を半導体レーザの温度特性の変化の時間と比べて十
分小さくすることによってAPCと実用上差し仕えなく
作動する。
さて以上の光量制御装置における情報記録時の発振動作
制御の特徴は、半導体レーザの温度特性において発振し
きい値のみが変動し、半導体レーザの駆動電流−光出力
カーブにおけるしきい値以上の線型部分の傾きは変化し
ない、という前提条件の下で制御している点である。
制御の特徴は、半導体レーザの温度特性において発振し
きい値のみが変動し、半導体レーザの駆動電流−光出力
カーブにおけるしきい値以上の線型部分の傾きは変化し
ない、という前提条件の下で制御している点である。
このことを第5図を用いて以下に説明する。同図で周囲
温度の違いにより、状態AとBの2つの光出力カーブが
存在するものと考える。まず状態Aでは低出力光強度P
、に対して低出力分電流源よシ駆動電流I+ (A)が
出力される。周囲温度が変化してしきい値のみが変化し
状態Aから状態Bへ移ったとする。するとAPCにより
低出力光強度Pi を一定に保とうとする制御が働き、
低出力分電流源からの駆動電流はI 1(A)からI
s (B)に変化する。そこで記録時に高出力分電流源
より定電流源I2を付加すれば、しきい値以上の線型部
分の傾きが一定であるから状態Aにおいても状態Bにお
いても一定の高出力光強度P1+P2が得られる。即ち
低出力光強度のAPCを行えば、高出力光強度に対する
APCも同時に疑似的に実現されるはずである。
温度の違いにより、状態AとBの2つの光出力カーブが
存在するものと考える。まず状態Aでは低出力光強度P
、に対して低出力分電流源よシ駆動電流I+ (A)が
出力される。周囲温度が変化してしきい値のみが変化し
状態Aから状態Bへ移ったとする。するとAPCにより
低出力光強度Pi を一定に保とうとする制御が働き、
低出力分電流源からの駆動電流はI 1(A)からI
s (B)に変化する。そこで記録時に高出力分電流源
より定電流源I2を付加すれば、しきい値以上の線型部
分の傾きが一定であるから状態Aにおいても状態Bにお
いても一定の高出力光強度P1+P2が得られる。即ち
低出力光強度のAPCを行えば、高出力光強度に対する
APCも同時に疑似的に実現されるはずである。
しかし上記の従来の光量制御装置では高出力強度を一定
に保つことができない。なぜならば半導体レーザの駆動
電流−光出力におけるしきい値以上の線型部分における
傾きはレーザの経時変化及び周囲温度によって変化して
しまうからである。
に保つことができない。なぜならば半導体レーザの駆動
電流−光出力におけるしきい値以上の線型部分における
傾きはレーザの経時変化及び周囲温度によって変化して
しまうからである。
即ち高出力分の第2の電流源2による一定電流I2のみ
の付加では、上記の理由により高出力光強度P2は変化
してしまい、結果的に良好な記録(消去)特性を得るこ
とはできない。
の付加では、上記の理由により高出力光強度P2は変化
してしまい、結果的に良好な記録(消去)特性を得るこ
とはできない。
従って所定の高出力光強度を得るために高出力分電流源
2の出力電流値I2を、低出力分電流源とは別個に制御
する必要がある。またこの制御の方法も低出力光強度の
APCと同様、半導体レーザの温度特性変化よりも十分
小さい時間間隔で常時制御すれば、高出力発振から次の
高出力発振までの時間間隔が温度特性変化を招くぐらい
長くとも、瞬時に安定した高出力発振が得られることに
なシ好ましい。
2の出力電流値I2を、低出力分電流源とは別個に制御
する必要がある。またこの制御の方法も低出力光強度の
APCと同様、半導体レーザの温度特性変化よりも十分
小さい時間間隔で常時制御すれば、高出力発振から次の
高出力発振までの時間間隔が温度特性変化を招くぐらい
長くとも、瞬時に安定した高出力発振が得られることに
なシ好ましい。
〈発明の目的〉
本発明の目的は上述の従来技術における問題点に鑑み、
安定した低出力光及び高出力光の夫々を必要に応じて瞬
時に得ることが可能な半導体レーザの光量制御装置を提
供することにある0〈実施例〉 以下、本発明に係る半導体レーザの光量制御装置を光磁
気ディスク装置に適用した場合を例に挙げて詳細に説明
する。
安定した低出力光及び高出力光の夫々を必要に応じて瞬
時に得ることが可能な半導体レーザの光量制御装置を提
供することにある0〈実施例〉 以下、本発明に係る半導体レーザの光量制御装置を光磁
気ディスク装置に適用した場合を例に挙げて詳細に説明
する。
第1図は本発明の一実施例による光量制御装置を示すブ
ロック図である。第2図は第1図の装置の動作のだめの
駆動電流−光出力カーブ及び波形図である。第3図は第
1図の装置に必要なタイミング波形を示している。
ロック図である。第2図は第1図の装置の動作のだめの
駆動電流−光出力カーブ及び波形図である。第3図は第
1図の装置に必要なタイミング波形を示している。
第1図において半導体レーザ4は記録(消去)。
再生の動作に関して低出力分電流源lと高出力分電流源
2により駆動されるが、高出力光強度の制御のだめに、
試射を行なう試射分電流源3が新たに設けられる。つま
り記録媒体から情報を再生する場合は低出力分電流源1
の出力電流IIのみを流し、情報を記録する場合は高出
力分電流源2の出力電流I2を、試射を行なう場合は試
射分電流源3の出力電流I3を、それぞれ低出力分電流
11に付加して半導体レーザを駆動する。尚、第4図に
示しだ従来の光量制御装置と比較すると、高出力分電流
源2の出力電流■2を制御するループが新たに加えられ
ている。
2により駆動されるが、高出力光強度の制御のだめに、
試射を行なう試射分電流源3が新たに設けられる。つま
り記録媒体から情報を再生する場合は低出力分電流源1
の出力電流IIのみを流し、情報を記録する場合は高出
力分電流源2の出力電流I2を、試射を行なう場合は試
射分電流源3の出力電流I3を、それぞれ低出力分電流
11に付加して半導体レーザを駆動する。尚、第4図に
示しだ従来の光量制御装置と比較すると、高出力分電流
源2の出力電流■2を制御するループが新たに加えられ
ている。
第1図の光量制御装置において低出力発振時の低出力分
電流源1に対するAPCは以下のようにして実現される
。まず半導体レーザ4の出力光の強度は光検知器5によ
り検出され、この検出出力はプリアンプ6を通してサン
プルホールド回路7に導入される。ここでサンプルホー
ルド回路7及び13はホールドタイミング信号s1.s
4及びS8がハイレベルの時データを保持し、ローレベ
ルの時はデータをそのまま通過させる。次にサンプルホ
ールド回路7の出力は基準電圧源9の基準電圧vlと比
較器8において比較され、ローパスフィルタ10を通過
して直接パワーアンプ11に導入され、この出力によっ
て低出力分電流源1の出力電流11は制御される。この
制御により低出力光強度は半導体レーザの温度特性に関
係なく一定に保持される。
電流源1に対するAPCは以下のようにして実現される
。まず半導体レーザ4の出力光の強度は光検知器5によ
り検出され、この検出出力はプリアンプ6を通してサン
プルホールド回路7に導入される。ここでサンプルホー
ルド回路7及び13はホールドタイミング信号s1.s
4及びS8がハイレベルの時データを保持し、ローレベ
ルの時はデータをそのまま通過させる。次にサンプルホ
ールド回路7の出力は基準電圧源9の基準電圧vlと比
較器8において比較され、ローパスフィルタ10を通過
して直接パワーアンプ11に導入され、この出力によっ
て低出力分電流源1の出力電流11は制御される。この
制御により低出力光強度は半導体レーザの温度特性に関
係なく一定に保持される。
一方高出力発振時の高出力電流源2に対するAPCは以
下の様にして実現される。まずホールドタイミング信号
S1をハイレベルにして低出力発振時のAPC(サンプ
ルホールド回路7)を凍結させる。次に試射分電流源3
の出力電流I3がスイッチング回路12に加わる試射信
号S2のタイミングで低出力分電流11に付加され、こ
の付加後の電流によって駆動され、半導体レーザ4の試
射が行なわれる。そしてこの試射出力の光強度を光検知
器5で検知しプリアンプ6を通してサンプルホールド回
路13に入力する。ここでホールドタイミング信号S8
によってデータが保持され、この出力V3と試射分電流
I3から割算器14によって、半導体レーザのしきい値
からの駆動電流−光出力カーブの傾きと等価なVg/I
aが出力される。次に割算器15においてこの値と基準
電圧源16の出力v2を用いて駆動電流と等価なV2/
(Va/Ia)が算出されローパスフィルタ17を通し
てパワーアンプ18に入力され、このパワーアンプ18
の出力を用いて高出力分電流源2の出力電流値■2を制
御する。
下の様にして実現される。まずホールドタイミング信号
S1をハイレベルにして低出力発振時のAPC(サンプ
ルホールド回路7)を凍結させる。次に試射分電流源3
の出力電流I3がスイッチング回路12に加わる試射信
号S2のタイミングで低出力分電流11に付加され、こ
の付加後の電流によって駆動され、半導体レーザ4の試
射が行なわれる。そしてこの試射出力の光強度を光検知
器5で検知しプリアンプ6を通してサンプルホールド回
路13に入力する。ここでホールドタイミング信号S8
によってデータが保持され、この出力V3と試射分電流
I3から割算器14によって、半導体レーザのしきい値
からの駆動電流−光出力カーブの傾きと等価なVg/I
aが出力される。次に割算器15においてこの値と基準
電圧源16の出力v2を用いて駆動電流と等価なV2/
(Va/Ia)が算出されローパスフィルタ17を通し
てパワーアンプ18に入力され、このパワーアンプ18
の出力を用いて高出力分電流源2の出力電流値■2を制
御する。
以上の様に高出力発振のだめのAPCが実現された後、
アンドゲート20において、ホールドタイミング信号S
4を記録可能信号として併用し、記録データ信号SDと
を用いてスイッチング回路19を動作させ高出力分電流
I2を低出力分電流I、に付加する。
アンドゲート20において、ホールドタイミング信号S
4を記録可能信号として併用し、記録データ信号SDと
を用いてスイッチング回路19を動作させ高出力分電流
I2を低出力分電流I、に付加する。
ここで以上の光量制御装置の駆動電流の制御について第
2図を用いて説明する。
2図を用いて説明する。
第2図において曲線A、Bで示すように半導体レーザの
しきい値及びしきい値からの駆動電流−光出力カーブの
傾きは半導体レーザの温度特性及び経時変化によって変
化する。低出力発振時にはAPCの作用で出力光強度P
、を常に保持しようとするので、状態Aでの駆動電流は
I 1(A)であり、状態BではI+CB)となる。ま
た高出力発振時には低出力光強度P、へ付加される高出
力光強度P2を一定に保持すればよい。即ち高出力光強
度P2を実現するために高出力分電流源2の出力電流値
は状態Aでは12(A)であるが、状態Bではl2(B
)となる。
しきい値及びしきい値からの駆動電流−光出力カーブの
傾きは半導体レーザの温度特性及び経時変化によって変
化する。低出力発振時にはAPCの作用で出力光強度P
、を常に保持しようとするので、状態Aでの駆動電流は
I 1(A)であり、状態BではI+CB)となる。ま
た高出力発振時には低出力光強度P、へ付加される高出
力光強度P2を一定に保持すればよい。即ち高出力光強
度P2を実現するために高出力分電流源2の出力電流値
は状態Aでは12(A)であるが、状態Bではl2(B
)となる。
このように低出力発振時及び高出力発振時の光強度を一
定に保つためには、低出力電流源の出力電流11(A)
CIICB))及び高出力電流源の出力電流I 2 (
A) CI 2 (B) )をそれぞれ制御する必要が
ある。
定に保つためには、低出力電流源の出力電流11(A)
CIICB))及び高出力電流源の出力電流I 2 (
A) CI 2 (B) )をそれぞれ制御する必要が
ある。
次に高出力電流源2の出力電流の制御について状態Aの
みについて以下に説明する。状態Bでも同様である。ま
ず試射分電流源3の出力電流l5(A)を低出力分電流
I+(A)に付加することによって試射分の出力光強度
Pa(A)が光検知器5で検知される。これによりしき
い値からの駆動電流−光出力カーブの傾きPa (A)
/I s (A)が判明する。
みについて以下に説明する。状態Bでも同様である。ま
ず試射分電流源3の出力電流l5(A)を低出力分電流
I+(A)に付加することによって試射分の出力光強度
Pa(A)が光検知器5で検知される。これによりしき
い値からの駆動電流−光出力カーブの傾きPa (A)
/I s (A)が判明する。
高出力光強度P2を得るためには次の条件を満足する高
出力分電流l2(A)を低出力分電流It(A)に付加
すればよい。
出力分電流l2(A)を低出力分電流It(A)に付加
すればよい。
高出力分光強度P2と試射出力分光強度Pg(A)に対
する光検知器5の出力をそれぞれV21 V s (A
)とすると、(+i式は次のように書き換えられる。
する光検知器5の出力をそれぞれV21 V s (A
)とすると、(+i式は次のように書き換えられる。
従って高出力分電流源2の出力電流値l2(A)は(2
)式より Ia(A) 同様に状態Bでは、 I5(A) (3)式、(4)式で示されたように基準電圧V2と駆
動電流−光出力カーブの傾きva(A)/Ia(A)(
Va(B)/I a (B) )のみによって高出力発
振時の駆動電流・I2(A)(I2(B))を制御する
ことができる。
)式より Ia(A) 同様に状態Bでは、 I5(A) (3)式、(4)式で示されたように基準電圧V2と駆
動電流−光出力カーブの傾きva(A)/Ia(A)(
Va(B)/I a (B) )のみによって高出力発
振時の駆動電流・I2(A)(I2(B))を制御する
ことができる。
このように構成された本発明による半導体レーザの光量
制御装置の動作タイミングについて以下に説明する。第
3図(a)において光磁気ディスク円板22上の1トラ
ツク当りに複数のヘッダ一部23が存在する。ヘッダ一
部23へは情報の記録は行なわれない。試射はデータ部
24とデータ部24にはさまれたこのヘッダ一部23ご
とに行なわれる。まず試射によって低出力分電流源のA
PCが応答しないように、ヘッダ一部23では第3図(
b)に示すようにホールド信号s1の発生により低出力
分電流源1のAPCを凍結させる。この凍結の間に試射
信号S2により試射を行ない、この時の出力光強度のデ
ータをホールドタイミング信号S8で保持する。以上の
タイミングによって常時高出力分電流源2の出力電流を
制御することができる。
制御装置の動作タイミングについて以下に説明する。第
3図(a)において光磁気ディスク円板22上の1トラ
ツク当りに複数のヘッダ一部23が存在する。ヘッダ一
部23へは情報の記録は行なわれない。試射はデータ部
24とデータ部24にはさまれたこのヘッダ一部23ご
とに行なわれる。まず試射によって低出力分電流源のA
PCが応答しないように、ヘッダ一部23では第3図(
b)に示すようにホールド信号s1の発生により低出力
分電流源1のAPCを凍結させる。この凍結の間に試射
信号S2により試射を行ない、この時の出力光強度のデ
ータをホールドタイミング信号S8で保持する。以上の
タイミングによって常時高出力分電流源2の出力電流を
制御することができる。
情報記録時は高出力発振が低出力分電流源のAPCに応
答しないように、記録可能信号S4がホールドタイミン
グ信号S1と共にサンプルホールド回路7に加えられる
。そして記録データ信号sDによって情報が書き込まれ
る。
答しないように、記録可能信号S4がホールドタイミン
グ信号S1と共にサンプルホールド回路7に加えられる
。そして記録データ信号sDによって情報が書き込まれ
る。
以上の構成の半導体レーザの光量制御装置では、試射に
よる高出力分電流源のAPCがヘッダ一部28ごとに行
なわれるので、高出力発振(情報記録)時には瞬時にし
て安定した光出力光強度の制御が行なわれる。
よる高出力分電流源のAPCがヘッダ一部28ごとに行
なわれるので、高出力発振(情報記録)時には瞬時にし
て安定した光出力光強度の制御が行なわれる。
以上の構成において試射分電流源3を半導体レーザ4に
対する第3の電流源として設けたが、この試射分電流源
3を別個に設けず、高出力分電流源2を一時的に試射分
電流源として用いることで部品点数の減少化を計ること
も可能である。
対する第3の電流源として設けたが、この試射分電流源
3を別個に設けず、高出力分電流源2を一時的に試射分
電流源として用いることで部品点数の減少化を計ること
も可能である。
〈発明の効果〉
以上の本発明においては、試射によって絶えず高出力発
振時のAPCが実現でき、加えて高出力発振時には低出
力発振のAPCを凍結することによって高出力のレーザ
光強度を安定化することができる。従って光磁気ディス
ク等を記録媒体として使用した情報記録再生装置に良好
な特性の半導体レーザ光量制御装置を得ることができる
。
振時のAPCが実現でき、加えて高出力発振時には低出
力発振のAPCを凍結することによって高出力のレーザ
光強度を安定化することができる。従って光磁気ディス
ク等を記録媒体として使用した情報記録再生装置に良好
な特性の半導体レーザ光量制御装置を得ることができる
。
第1図は本発明の一実施例による光量制御装置を示すブ
ロック図、第2図は第1図の装置の動作を説明するため
の駆動電流−光出力カーブ及び波形図、第3図(a)は
ディスク構成図、第3図(b)は第1図の装置の動作に
必要カタイミング波形図、第4図は従来の半導体レーザ
の光量制御装置のブロック図、第5図は第4図の装置の
動作を説明するための駆動電流−光出力カーブ及び波形
図である。 図中、1・・・低出力分電流源、2・・・高出力分電流
源、3・・・試射分電流源、4・・・半導体レーザ、5
・・・光検知器、6・・・プリアンプ、7・・・サンプ
ルホールイツチング回路、18・・・サンプルホールド
回路、14.15・・・割算器、16・・・基準電圧源
、17・・・ローパスフィルタ、18・・・パワーアン
プ、19・・・スイッチング回路、20・・・アンドゲ
ート、21・・・オアゲート、22・・・ディスク、2
3・・・ヘッダ一部、24・・・データ部。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)珀 た工t1(mW) (a) 第3図 第4図 ・
ロック図、第2図は第1図の装置の動作を説明するため
の駆動電流−光出力カーブ及び波形図、第3図(a)は
ディスク構成図、第3図(b)は第1図の装置の動作に
必要カタイミング波形図、第4図は従来の半導体レーザ
の光量制御装置のブロック図、第5図は第4図の装置の
動作を説明するための駆動電流−光出力カーブ及び波形
図である。 図中、1・・・低出力分電流源、2・・・高出力分電流
源、3・・・試射分電流源、4・・・半導体レーザ、5
・・・光検知器、6・・・プリアンプ、7・・・サンプ
ルホールイツチング回路、18・・・サンプルホールド
回路、14.15・・・割算器、16・・・基準電圧源
、17・・・ローパスフィルタ、18・・・パワーアン
プ、19・・・スイッチング回路、20・・・アンドゲ
ート、21・・・オアゲート、22・・・ディスク、2
3・・・ヘッダ一部、24・・・データ部。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)珀 た工t1(mW) (a) 第3図 第4図 ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光学的記録再生装置に組み込まれる半導体レーザの
光量制御装置であつて、 記録媒体から情報を再生するのに必要なレベルまで半導
体レーザを発振するための第1の電流源と、 上記第1の電流源に対する電流付加によって記録媒体に
情報を記録(消去)するのに必要なレベルまで半導体レ
ーザを発振するための第2の電流源と、 上記第1の電流源に対する電流付加によって上記第2の
電流源を制御するための試射に必要なレベルまで半導体
レーザを発振さしめる第3の電流源と、 再生時の半導体レーザの出力光強度を検出し、該検出に
応じて上記第1の電流源の出力電流値を制御する制御回
路と、 記録媒体への情報記録(消去)時及び試射時に上記第1
の電流源の駆動による半導体レーザの出力光強度に基く
データを保持する保持回路と、 上記第3の電流源による試射時の半導体レーザの出力光
強度を検出し、該検出データの内容に応じて記録(消去
)用の上記第2の電流源の出力電流値を制御する制御回
路とを具備したことを特徴とする光量制御装置。 2、特許請求の範囲第1項において、 第3の電流源を第2の電流源にて兼用したことを特徴と
する光量制御装置。 3、特許請求の範囲第1項において、 第2の電流源の出力電流値の制御回路として、第3の電
流源による試射時の半導体レーザの出力光強度に基くデ
ータを保持する保持回路と、上記データから付加電流に
対する半導体レーザの出力光強度の比を算出する割算回
路とを具備し、上記の比の値を用いて記録(消去)時の
第2の電流源の出力電流を制御したことを特徴とした光
量制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207987A JPS6266424A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 光量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207987A JPS6266424A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 光量制御装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6057155A Division JP2524479B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6266424A true JPS6266424A (ja) | 1987-03-25 |
JPH0518185B2 JPH0518185B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=16548804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60207987A Granted JPS6266424A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 光量制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6266424A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01143030A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Olympus Optical Co Ltd | 光学式情報記録再生装置 |
JPH0218722A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-23 | Sony Corp | レーザ発光強度制御回路 |
US5034334A (en) * | 1989-10-13 | 1991-07-23 | At&T Bell Laboratories | Method of producing a semiconductor laser adapted for use in an analog optical communications system |
US5197059A (en) * | 1990-08-02 | 1993-03-23 | Fujitsu Limited | Laser diode current supply including a threshold current component subject to automatic power control |
US5365507A (en) * | 1992-08-10 | 1994-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-amount control device for an optical-disk recording-reproduction apparatus |
WO2002033793A1 (fr) * | 2000-10-13 | 2002-04-25 | Sony Corporation | Circuit et procede de generation de courant |
US8514679B2 (en) | 2010-12-15 | 2013-08-20 | Panasonic Corporation | Optical information record/playback device |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60207987A patent/JPS6266424A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01143030A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Olympus Optical Co Ltd | 光学式情報記録再生装置 |
JPH0218722A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-23 | Sony Corp | レーザ発光強度制御回路 |
US5034334A (en) * | 1989-10-13 | 1991-07-23 | At&T Bell Laboratories | Method of producing a semiconductor laser adapted for use in an analog optical communications system |
US5197059A (en) * | 1990-08-02 | 1993-03-23 | Fujitsu Limited | Laser diode current supply including a threshold current component subject to automatic power control |
US5365507A (en) * | 1992-08-10 | 1994-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-amount control device for an optical-disk recording-reproduction apparatus |
WO2002033793A1 (fr) * | 2000-10-13 | 2002-04-25 | Sony Corporation | Circuit et procede de generation de courant |
US8514679B2 (en) | 2010-12-15 | 2013-08-20 | Panasonic Corporation | Optical information record/playback device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0518185B2 (ja) | 1993-03-11 |
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