JPS626510A - 表面弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
表面弾性波デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPS626510A JPS626510A JP14559985A JP14559985A JPS626510A JP S626510 A JPS626510 A JP S626510A JP 14559985 A JP14559985 A JP 14559985A JP 14559985 A JP14559985 A JP 14559985A JP S626510 A JPS626510 A JP S626510A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electrode
- probing
- etching
- measuring
- Prior art date
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- Pending
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は映像機器、通信機器等に用いられる表面弾性波
デバイスの製造方法に関するものである。
デバイスの製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、機器の高周波化に伴い表面弾性波デバイスが使用
されることが多くなってきているが、表面弾性波デバイ
スの中でも、従来のＶＩＰ回路の６０ ＭＨｚ帯から１
ｏ ｏ ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯の高周波へと応用分野が拡
大されてきている。
されることが多くなってきているが、表面弾性波デバイ
スの中でも、従来のＶＩＰ回路の６０ ＭＨｚ帯から１
ｏ ｏ ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯の高周波へと応用分野が拡
大されてきている。
従来のＶＩＰ回路に用いられる６０ ＭＨｚ帯の表面弾
性波フィルタでは、櫛形電極の線幅に対する電極膜厚の
割合が約１．６％と小さいためエツチング時間が多少変
化してもサイドエッチが少なく、エツチングによる周波
数バラツキが生じることは少なかった。
性波フィルタでは、櫛形電極の線幅に対する電極膜厚の
割合が約１．６％と小さいためエツチング時間が多少変
化してもサイドエッチが少なく、エツチングによる周波
数バラツキが生じることは少なかった。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらＩ ＧＨｚ近い高周波デバイスや、共振器
型のデバイスでは、線幅に対する電極膜厚の割合が１０
％以上になるために、サイドエッチによって線幅が変化
したり、電極膜厚が変化することによって、中心周波数
にバラツキが生じやすい。
型のデバイスでは、線幅に対する電極膜厚の割合が１０
％以上になるために、サイドエッチによって線幅が変化
したり、電極膜厚が変化することによって、中心周波数
にバラツキが生じやすい。
さらに高周波になっても、周波数バラツキの許容範囲は
ＶＩＰ回路用表面弾性波フィルタと比較して、同等かそ
れ以上の高精度を要求されるため、中心周波数をエツチ
ング時に制御する必要がある。
ＶＩＰ回路用表面弾性波フィルタと比較して、同等かそ
れ以上の高精度を要求されるため、中心周波数をエツチ
ング時に制御する必要がある。
本発明は中心周波数にバラツキの少ない表面弾性波デバ
イスの製造方法を提供しようとするものである。
イスの製造方法を提供しようとするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題を解決するために本発明の表面弾性波デバイス
の製造方法は、フォトマスクに所定のチップパターンと
、スクライブレーン上にチップパターン内の櫛形電極の
線幅と同程度の線幅のセンシングパターンと、センシン
グパターンとつながったプロービングパターンを設け、
電極金属を蒸着したウェハ上に転輸し、プロービングパ
ターン間の電気抵抗を測定しながらエツチングするとい
う方法をとる。
の製造方法は、フォトマスクに所定のチップパターンと
、スクライブレーン上にチップパターン内の櫛形電極の
線幅と同程度の線幅のセンシングパターンと、センシン
グパターンとつながったプロービングパターンを設け、
電極金属を蒸着したウェハ上に転輸し、プロービングパ
ターン間の電気抵抗を測定しながらエツチングするとい
う方法をとる。
作用
通常表面弾性波デバイスの中心周波数は、表面弾性波の
伝播速度をＶＳ 、電極周期をＬとして、ｆｏ ＝ Ｖ
ｓ／Ｌ と表わされるが、伝播速度Ｖｓは、櫛形電極
の膜厚と線幅によって変化する。櫛形電極の膜厚が厚く
なれば質量負荷が大きくなるために伝播速度Ｖｓは小さ
くなる。また櫛形電極の線幅が太くなれば、質量負荷効
果をエバネセントバルク波によるエネルギー蓄積効果に
よって伝播速度ｖｓは小さくなる。一方同じウェハ内に
作られた細いパターンの電気抵抗を測定すれば、膜厚が
厚くなれば電気抵抗が小さくなり、また線幅が太くなれ
ば電気抵抗が小さくなる。従って伝播速度ｖｓ が低下
するときは電気抵抗も小さくなるために、電気抵抗を測
定しながらエツチングを行い、一定の電気抵抗値になっ
たところでエツチングを終了させることによって、中心
周波数のバラツキを少なくすることができる。
伝播速度をＶＳ 、電極周期をＬとして、ｆｏ ＝ Ｖ
ｓ／Ｌ と表わされるが、伝播速度Ｖｓは、櫛形電極
の膜厚と線幅によって変化する。櫛形電極の膜厚が厚く
なれば質量負荷が大きくなるために伝播速度Ｖｓは小さ
くなる。また櫛形電極の線幅が太くなれば、質量負荷効
果をエバネセントバルク波によるエネルギー蓄積効果に
よって伝播速度ｖｓは小さくなる。一方同じウェハ内に
作られた細いパターンの電気抵抗を測定すれば、膜厚が
厚くなれば電気抵抗が小さくなり、また線幅が太くなれ
ば電気抵抗が小さくなる。従って伝播速度ｖｓ が低下
するときは電気抵抗も小さくなるために、電気抵抗を測
定しながらエツチングを行い、一定の電気抵抗値になっ
たところでエツチングを終了させることによって、中心
周波数のバラツキを少なくすることができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における表面弾性波テハイス
の製造方法のウェハのパターン図ヲ示スものである。第
１図において、１はウェハ、２はチップパターン、３は
スクライブレーン、４はこのスクライブレーン３上に設
けたチップパターン２内の櫛形電極の線幅と同程度の線
幅をもつセンシングパターン、６は上記センシングパタ
ーン人トツナカったプロービングパターン、６は櫛形電
極である。
の製造方法のウェハのパターン図ヲ示スものである。第
１図において、１はウェハ、２はチップパターン、３は
スクライブレーン、４はこのスクライブレーン３上に設
けたチップパターン２内の櫛形電極の線幅と同程度の線
幅をもつセンシングパターン、６は上記センシングパタ
ーン人トツナカったプロービングパターン、６は櫛形電
極である。
フォトマスクにチップパターン２、センシングパターン
４、プロービングパターン５を設け、ウェハ１に転写し
たものが第１図のパターン図である０このウェハ１のプ
ロービングパターン６に測定端子を当てて、電気抵抗を
測定しながらエツチングを行う。
４、プロービングパターン５を設け、ウェハ１に転写し
たものが第１図のパターン図である０このウェハ１のプ
ロービングパターン６に測定端子を当てて、電気抵抗を
測定しながらエツチングを行う。
櫛形電極６の膜厚りと表面弾性波の伝播速度Ｖｓの関係
を第２図に、櫛形電極８の電極幅Ｗとｖｓの関係を第３
図に示す。第２図、第３図に示すように電極膜厚ｈ、電
極幅Ｗが大きくなるほどｖｓは小すくなる。一方センシ
ングパターン４の電気抵抗Ｒは、比抵抗率をρ、センシ
ングパターン４のρ Ｉは一定であるので、ＲはＷとｈに比例する。センシン
グパターン４の線幅は櫛形電極６の線幅とほぼ同一に作
られているので、エツチング時には線幅が同じようにな
ると考えられ、電極の蒸着時に決まる膜厚とエツチング
時に決まる線幅によって生じる中心周波数のバラツキを
、センシングパターン４間の電気抵抗を測定しながらエ
ツチングすることによって小さくすることができる。
を第２図に、櫛形電極８の電極幅Ｗとｖｓの関係を第３
図に示す。第２図、第３図に示すように電極膜厚ｈ、電
極幅Ｗが大きくなるほどｖｓは小すくなる。一方センシ
ングパターン４の電気抵抗Ｒは、比抵抗率をρ、センシ
ングパターン４のρ Ｉは一定であるので、ＲはＷとｈに比例する。センシン
グパターン４の線幅は櫛形電極６の線幅とほぼ同一に作
られているので、エツチング時には線幅が同じようにな
ると考えられ、電極の蒸着時に決まる膜厚とエツチング
時に決まる線幅によって生じる中心周波数のバラツキを
、センシングパターン４間の電気抵抗を測定しながらエ
ツチングすることによって小さくすることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、フォトマスクにチップパ
ターンとセンシングパターンとプロービングパターンを
設け、電極金属を蒸着したウェハ上に転写し、プロービ
ングパターン間の電気抵抗を測定しながら、一定の電気
抵抗値になるまでエツチングを行うことにより、電極膜
厚、線幅のバラツキによる中心周波数のバラツキを小さ
くすることができ、その実用的効果は大なるものがある
。
ターンとセンシングパターンとプロービングパターンを
設け、電極金属を蒸着したウェハ上に転写し、プロービ
ングパターン間の電気抵抗を測定しながら、一定の電気
抵抗値になるまでエツチングを行うことにより、電極膜
厚、線幅のバラツキによる中心周波数のバラツキを小さ
くすることができ、その実用的効果は大なるものがある
。
一方センシングパターンはスクライブレーン上にあるた
め、ダイシング時にはセンシングパターンを目標にして
位置合わせができ、ダイシングによってセンシングパタ
ーンはなくなってしまうので、チップの特性に悪影響を
与えることはない。
め、ダイシング時にはセンシングパターンを目標にして
位置合わせができ、ダイシングによってセンシングパタ
ーンはなくなってしまうので、チップの特性に悪影響を
与えることはない。
第１図は本発明の表面弾性波デバイスの製造方法の一実
施例におけるウェハのパターン図、第２図は櫛形電極の
膜厚りと表面弾性波の伝播速度ｖｓの関係を示すグラフ
、第３図は櫛形電極の電極幅Ｗと伝播速度ｖｓの関係を
示すグラフである。 １・・・・・・ウェハ、２・・・・・・チップパターン
、３・・・・・・スクライブレーン、４・・・・・・セ
ンシングパターン、５・・・・・・ブロービング用パタ
ーン、６・・・・・・櫛形電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １２ ｒｌｌｉ第３ 図 Ｓ形を橿ΦＷＪＩ−ｈ ネ市形
電符の電、掻幅田。
施例におけるウェハのパターン図、第２図は櫛形電極の
膜厚りと表面弾性波の伝播速度ｖｓの関係を示すグラフ
、第３図は櫛形電極の電極幅Ｗと伝播速度ｖｓの関係を
示すグラフである。 １・・・・・・ウェハ、２・・・・・・チップパターン
、３・・・・・・スクライブレーン、４・・・・・・セ
ンシングパターン、５・・・・・・ブロービング用パタ
ーン、６・・・・・・櫛形電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １２ ｒｌｌｉ第３ 図 Ｓ形を橿ΦＷＪＩ−ｈ ネ市形
電符の電、掻幅田。
Claims (1)
- フォトマスクに所定の表面弾性波デバイスのチップパ
ターンと、スクライブレーン上にチップパターン内の櫛
形電極の線幅と同程度の線幅のセンシングパターンと、
上記センシングパターンとつながったプロービングパタ
ーンを設け、電極金属を蒸着したウェハにフォトレジス
トを塗布し、上記フォトマスクのパターンを転写した後
、プロービングパターン間の電気抵抗を測定しながら、
一定の電気抵抗値になるようにエッチングすることを特
徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14559985A JPS626510A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14559985A JPS626510A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS626510A true JPS626510A (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=15388784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14559985A Pending JPS626510A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS626510A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174338A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Nec Corp | １チツプｓａｗデバイスの製造方法 |
| JPH0276664A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-16 | Yamazaki Mazak Corp | 主軸駆動モータのｃ軸制御装置及び製御方法 |
| JPH0538173A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Juki Corp | モータ制御装置 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP14559985A patent/JPS626510A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174338A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Nec Corp | １チツプｓａｗデバイスの製造方法 |
| JPH0276664A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-16 | Yamazaki Mazak Corp | 主軸駆動モータのｃ軸制御装置及び製御方法 |
| JPH0538173A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Juki Corp | モータ制御装置 |
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