JPS60256205A - 表面波フイルタ製造方法 - Google Patents
表面波フイルタ製造方法Info
- Publication number
- JPS60256205A JPS60256205A JP11339784A JP11339784A JPS60256205A JP S60256205 A JPS60256205 A JP S60256205A JP 11339784 A JP11339784 A JP 11339784A JP 11339784 A JP11339784 A JP 11339784A JP S60256205 A JPS60256205 A JP S60256205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- comb
- wafer
- shaped
- check
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は映像機器のＶＩＰ回路、ＳＴＦ回路等に使用さ
れる表面波フィルタの製造方法に関する。
れる表面波フィルタの製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、表面波フィルタは第１図■〜■の工程で製造され
ている。つまり、工程Ｉではガラス基板（１）上にアル
ミニウム（２）を全面に蒸着し、工程ＩＩではアルミニ
ウム（２）登エツチングしてくし形電極（３）に形成し
、工程■ではその上に圧電体（４）髪スパッタリングに
よって付着（結晶成長）させ、工程■ではその上にアル
ミニウム（５）を全面に蒸着し、工程■ではアルミニウ
ム（５）をエツチングして対向電極（６）を形成し、更
に、工程■ではくし形電極（３）のパッド電極（７）上
にある圧電体（４）だけをエツチングにより除去して作
成していた。
ている。つまり、工程Ｉではガラス基板（１）上にアル
ミニウム（２）を全面に蒸着し、工程ＩＩではアルミニ
ウム（２）登エツチングしてくし形電極（３）に形成し
、工程■ではその上に圧電体（４）髪スパッタリングに
よって付着（結晶成長）させ、工程■ではその上にアル
ミニウム（５）を全面に蒸着し、工程■ではアルミニウ
ム（５）をエツチングして対向電極（６）を形成し、更
に、工程■ではくし形電極（３）のパッド電極（７）上
にある圧電体（４）だけをエツチングにより除去して作
成していた。
従来ではこのような■〜■のプロセスを全て通って初め
て周波数特性を観察することができ、仮に中心周波数が
合っていなければ、再度その」−すらスパッタリング、
及びパッド部の再エツチングを行なわねばならないもの
であって、プロセスが増えるばかりかそれに比例して品
質の劣化もあった。
て周波数特性を観察することができ、仮に中心周波数が
合っていなければ、再度その」−すらスパッタリング、
及びパッド部の再エツチングを行なわねばならないもの
であって、プロセスが増えるばかりかそれに比例して品
質の劣化もあった。
発明の目的
本発明はプロセスの増加、品質の劣化と云う従来の欠点
を解消して、より高精度なフィルタを作ることかできる
表面波フィルタの製造方法を提供することを目的とする
。
を解消して、より高精度なフィルタを作ることかできる
表面波フィルタの製造方法を提供することを目的とする
。
発明の構成
本発明の表面波フィルタの製造方法は、くし形電極と対
向電極を備えた表面波フィルタの製造に際し、くし形電
極作成時にウェハ上に検査用に少なくとも１ケ所の対向
電極を同時に作成し、圧電体のスパッタリング後の対向
電極作成時にはウェハ１−にすでに形成された前記検査
用の対向電極位置にだけは検査用くし形電極を同時に作
成し、この検査用くし形電極によって周波数特性を測定
して検査用くし形電極の他のくし形電極の特性を推定す
ることを特徴とする。
向電極を備えた表面波フィルタの製造に際し、くし形電
極作成時にウェハ上に検査用に少なくとも１ケ所の対向
電極を同時に作成し、圧電体のスパッタリング後の対向
電極作成時にはウェハ１−にすでに形成された前記検査
用の対向電極位置にだけは検査用くし形電極を同時に作
成し、この検査用くし形電極によって周波数特性を測定
して検査用くし形電極の他のくし形電極の特性を推定す
ることを特徴とする。
実施例の説明
以下、本発明の表面波フィルタの製造方法を具体的な一
実施例に基づいて説明する。
実施例に基づいて説明する。
まず、本発明の概略を第４図と第５図に基づいて説明す
る。つまり、１枚のウェハの中で、第４図の様にくし形
電極（３）を作成する時には、１ケ所だけ検査用に対向
電極（６）を作成し、第５図の如く対向電極を作成する
ときには先に検査用対向［極（１０）を作成した１ケ所
については検査用くし形電極（３）を作成する。では、
詳しく第２図に基づいて説明する。
る。つまり、１枚のウェハの中で、第４図の様にくし形
電極（３）を作成する時には、１ケ所だけ検査用に対向
電極（６）を作成し、第５図の如く対向電極を作成する
ときには先に検査用対向［極（１０）を作成した１ケ所
については検査用くし形電極（３）を作成する。では、
詳しく第２図に基づいて説明する。
工程■ではガラス基板（１）」―にアルミニラｌい（２
）を全面に蒸着する。この時はウェハ全面同−状態であ
る。次に、工程１１ではウェハの大部分は（ａ）のよう
にエツチングしてくし形電極（３）を作成するが、 ウ
ェハの中で１ケ所のみ（ｂ）のようにエツチングして対
向電極（６）を作成する。 に稈ＩＩＩではその」−よ
り圧電体（４）をスパッタリングにより全面に付け、工
程ＩＶではその」；にアルミニウム（５）を全面に蒸着
等の方法でつける。工程■では、ウェハの大部分は（ｃ
）のようにエツチングしてｚ１向電極（６）を作成し、
ウェハの中で前記の１′、稈■で１ケ所だけ先に対向
電極（６）を作成した所にだけエツチングで（ｄ）のよ
うにくし形電極（３）を作成する。
）を全面に蒸着する。この時はウェハ全面同−状態であ
る。次に、工程１１ではウェハの大部分は（ａ）のよう
にエツチングしてくし形電極（３）を作成するが、 ウ
ェハの中で１ケ所のみ（ｂ）のようにエツチングして対
向電極（６）を作成する。 に稈ＩＩＩではその」−よ
り圧電体（４）をスパッタリングにより全面に付け、工
程ＩＶではその」；にアルミニウム（５）を全面に蒸着
等の方法でつける。工程■では、ウェハの大部分は（ｃ
）のようにエツチングしてｚ１向電極（６）を作成し、
ウェハの中で前記の１′、稈■で１ケ所だけ先に対向
電極（６）を作成した所にだけエツチングで（ｄ）のよ
うにくし形電極（３）を作成する。
この時点でウェハの中で１ケ所だけ、従来のようなパッ
ド用のエツチングをしなくてもバンド電３− １４ｉが表面に出ている箇所があることになる。つまり
、検査用に工程■でくし彫型１１ｉ（３）を形成した部
分が、これで、第３図に示すようにバット電極（７）が
露出している。 そこでこの露出しているパッド電極（
７）を使用して１ケ所だけの周波数特性をチェックして
、全ウェハのうちの他の部分の周波数特性を推定、して
必要であわば工程Ｖから直ちに再スパツタリングにまね
す。再スパツタリングの後、あるいは前記再スパツタリ
ングの必要のないと思われる場合にはパッド電極（７）
を露出させるためのパッドエツチングを従来と同じよう
に実行して全ウェハの全チップの周波数特性をチェック
する。
ド用のエツチングをしなくてもバンド電３− １４ｉが表面に出ている箇所があることになる。つまり
、検査用に工程■でくし彫型１１ｉ（３）を形成した部
分が、これで、第３図に示すようにバット電極（７）が
露出している。 そこでこの露出しているパッド電極（
７）を使用して１ケ所だけの周波数特性をチェックして
、全ウェハのうちの他の部分の周波数特性を推定、して
必要であわば工程Ｖから直ちに再スパツタリングにまね
す。再スパツタリングの後、あるいは前記再スパツタリ
ングの必要のないと思われる場合にはパッド電極（７）
を露出させるためのパッドエツチングを従来と同じよう
に実行して全ウェハの全チップの周波数特性をチェック
する。
では、ここで従来のプロセスと本発明のプロセスとを比
較する。
較する。
■ 従来例
くし形電極→スパッタ→対向電極→パッドエツチング→
ウェハ選別→再スパッタ→パッドエツチング→ウェハチ
ェック （計８プロセス） ４− ■ 本発明での方法 くし形電極（対向電極１ケ所）→スパッタ→対向電Ｆｉ
（＜ Ｌ形電極１ケ所）→ウェハ選別→再スパッタ→パ
ッドエツチング→ウェハチェック （計７プロセス） 尚、本発明を実施するためには第４図、第５図の如きフ
ォトマスクを作成して１ケ所のみくし形電極と対向電極
とを逆に作成できる様にした。
ウェハ選別→再スパッタ→パッドエツチング→ウェハチ
ェック （計８プロセス） ４− ■ 本発明での方法 くし形電極（対向電極１ケ所）→スパッタ→対向電Ｆｉ
（＜ Ｌ形電極１ケ所）→ウェハ選別→再スパッタ→パ
ッドエツチング→ウェハチェック （計７プロセス） 尚、本発明を実施するためには第４図、第５図の如きフ
ォトマスクを作成して１ケ所のみくし形電極と対向電極
とを逆に作成できる様にした。
上記実施例では全ウェハに対して１ケ所にだけ検査用チ
ップを形成したが、これは１ケ所に限定されるものでな
い。
ップを形成したが、これは１ケ所に限定されるものでな
い。
発明の詳細
な説明のように本発明の表面波フィルタの製造方法によ
ると、くし形電極のパッド電極のエツチングを実行せず
ども周波数特性を推定できるため、次のような効果が得
られた。
ると、くし形電極のパッド電極のエツチングを実行せず
ども周波数特性を推定できるため、次のような効果が得
られた。
■ プロセスを短縮でき、不良発生率の低減できた。
■ 製品の流れが早くなった。
■ 品質が安定する。特にパッドエツチングによる圧電
体のピンホール発生が半減した。
体のピンホール発生が半減した。
第１図のｉ〜■と■は従来の製造方法のプロセスを説明
する断面図と平面図、第２図の■〜■は本発明の製造方
法のプロセスを説明する断面図、第３図は第２図■の検
査用チップの平面図、第４図と第５図はそれぞれくし形
電極作成工程のウェハの平面図と対向電極作成工程のウ
ェハの平面図を示す。 （１）・・ガラス基板、（３）・くし形電極、（４）・
・圧電体、（６）・対向電極、（７）・・・パッド電極
代理人 森 本 義 弘 ７− 勺 ＼ リ レ − 第２図 第３図 ／７ 第４図
する断面図と平面図、第２図の■〜■は本発明の製造方
法のプロセスを説明する断面図、第３図は第２図■の検
査用チップの平面図、第４図と第５図はそれぞれくし形
電極作成工程のウェハの平面図と対向電極作成工程のウ
ェハの平面図を示す。 （１）・・ガラス基板、（３）・くし形電極、（４）・
・圧電体、（６）・対向電極、（７）・・・パッド電極
代理人 森 本 義 弘 ７− 勺 ＼ リ レ − 第２図 第３図 ／７ 第４図
Claims (1)
- １、くし形電極と対向電極を備えた表面波フィルタの製
造に際し、くし形電極作成時にウェハ上に検査用に少な
くとも１ケ所の対向電極を同時に作成し、圧電体のスパ
ッタリング後の対向電極作成時にはウェハ上にすでに形
成された前記検査用の対向電極位置にだけは検査用くし
形電極を同時に作成し、この検査用くし形電極によって
周波数特性を測定して検査用くし形電極の他のくし形電
極の特性を推定する表面波フィルタ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11339784A JPS60256205A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 表面波フイルタ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11339784A JPS60256205A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 表面波フイルタ製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60256205A true JPS60256205A (ja) | 1985-12-17 |
Family
ID=14611262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11339784A Pending JPS60256205A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 表面波フイルタ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60256205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023090460A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11339784A patent/JPS60256205A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023090460A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60256205A (ja) | 表面波フイルタ製造方法 | |
| JP2615608B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3140767B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JPS59213145A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06232671A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JPS626510A (ja) | 表面弾性波デバイスの製造方法 | |
| JPH09153763A (ja) | 水晶振動子とその製造方法 | |
| JPH05251976A (ja) | 弾性表面波素子の電極製造方法 | |
| JPS61236207A (ja) | 弾性表面波共振子の製造方法 | |
| JPH0145246B2 (ja) | ||
| JPS59177376A (ja) | イオンエツチング方法 | |
| JPS6142943A (ja) | 複合半導体装置の製造方法 | |
| JPS5952702A (ja) | 誘電体膜厚センサ− | |
| JPS62104139A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02102525A (ja) | 金属薄膜の付着方法 | |
| JPH0775124B2 (ja) | 薄膜の堆積方法 | |
| JPH08250448A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPS6116527A (ja) | 金属電極の製造方法 | |
| JPS6249735B2 (ja) | ||
| JPS60130910A (ja) | 弾性表面波共振子の周波数調整方法 | |
| JPS62154911A (ja) | 弾性表面波デバイス製造方法 | |
| JPH01286330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61240661A (ja) | 厚膜金属パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0529867A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
| JPS5827655B2 (ja) | アパ−チャ絞りの製造方法 |