JPS61284985A - 半導体レ−ザ装置の作製方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の作製方法Info
- Publication number
- JPS61284985A JPS61284985A JP12603385A JP12603385A JPS61284985A JP S61284985 A JPS61284985 A JP S61284985A JP 12603385 A JP12603385 A JP 12603385A JP 12603385 A JP12603385 A JP 12603385A JP S61284985 A JPS61284985 A JP S61284985A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、横モード安定な発振を行うことのできる半導
体レーザの製造方法に係り、特に半導体Ｖ−ザの発光領
域以外でのもれ電流が少なく、且つ発光領域内に結晶欠
陥が導入されにくくすることによシ信頼性も向上した半
導体Ｖ−ザの製造方法に関する。
体レーザの製造方法に係り、特に半導体Ｖ−ザの発光領
域以外でのもれ電流が少なく、且つ発光領域内に結晶欠
陥が導入されにくくすることによシ信頼性も向上した半
導体Ｖ−ザの製造方法に関する。
従来の自己至合構造半導体ンーザは、第１図に示すよう
にｎｆｆ１ＧａＡｓ４板（１）上にｎ−（ＧａＡｌ）Ａ
ｓクラッド層（２）、アンドープ（ＧａＡＩ）Ａｓ活性
層（３）、ｐ−（ＧａＡＩ）ｘｓクラッド層（４）、ｎ
−Ｇａｌｌ光吸収＋ｍ（ｓ）を形成し、光吸収ノーの
一部のエツチングによシストライプ状に取シ除きｐ−（
ＧａＡｌ）Ａ Ｓ （６）で埋−込んだ麦、屯傷形成の
為のｐ−ＧａＡ３層（７）を結晶成長したもので、（レ
ター・コールマン他、アップライド フィジックス レ
ター 第３７巻 第２６２頁、１９８０年（Ｊ、 Ｊ、
ｃｏｌｅｍａｎｅ ｔ ａ １ 、 Ａｐｐｔ、ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３７（３）２６２．１９８０）参照
）光吸収層によシ電流狭搾と導波路の形成を同時に行っ
たものであるが、この構造をＭＯＣＶＤやＭＢＥなどの
熱非平衡状態での結晶成長を用いて形成する場合、段差
上への結晶成長に伴う結晶欠陥や、二回成長の成長界面
が電気的、光学的に活性な頭載に有するため素子の信頼
性を低下させていた。
にｎｆｆ１ＧａＡｓ４板（１）上にｎ−（ＧａＡｌ）Ａ
ｓクラッド層（２）、アンドープ（ＧａＡＩ）Ａｓ活性
層（３）、ｐ−（ＧａＡＩ）ｘｓクラッド層（４）、ｎ
−Ｇａｌｌ光吸収＋ｍ（ｓ）を形成し、光吸収ノーの
一部のエツチングによシストライプ状に取シ除きｐ−（
ＧａＡｌ）Ａ Ｓ （６）で埋−込んだ麦、屯傷形成の
為のｐ−ＧａＡ３層（７）を結晶成長したもので、（レ
ター・コールマン他、アップライド フィジックス レ
ター 第３７巻 第２６２頁、１９８０年（Ｊ、 Ｊ、
ｃｏｌｅｍａｎｅ ｔ ａ １ 、 Ａｐｐｔ、ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３７（３）２６２．１９８０）参照
）光吸収層によシ電流狭搾と導波路の形成を同時に行っ
たものであるが、この構造をＭＯＣＶＤやＭＢＥなどの
熱非平衡状態での結晶成長を用いて形成する場合、段差
上への結晶成長に伴う結晶欠陥や、二回成長の成長界面
が電気的、光学的に活性な頭載に有するため素子の信頼
性を低下させていた。
本発明は、従来構造の自己整合型半導体レーザにおいて
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、２回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止する半導体レーザの作製方法を提供すること
にある。
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、２回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止する半導体レーザの作製方法を提供すること
にある。
従来構造の自己陸合型牛導本ノーザに訃いて問題でめっ
た、段差のある基板上への結晶成長に伴う結晶欠陥と、
２回成長の成長界１１］ｉの欠陥による素子寿命の低下
を防止するため岨流と光のＶｆｊ度が大きいストライプ
の内ｋ （Ｇａｘｌ）ＡｓでＪｄめるかわりに、ストラ
イプ外部のｐ！クラッド層の上にストライプ状に設けた
Ｓ！０２又は５ｊｓＮ４ ＺどのｆＰ３縁物才物マスク
いてｐ型りラッド層をエツチングし、絶縁物の上には結
晶成長せず、ストライプ外部にのみ結晶成長が行われる
ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＡＳ又は屈折率がｐ型りラッ
ド層よりも小さい（ＧａＡｌ）ｘｓで埋め込むことによ
り導波路を形成する半導体レーザの作製方法。
た、段差のある基板上への結晶成長に伴う結晶欠陥と、
２回成長の成長界１１］ｉの欠陥による素子寿命の低下
を防止するため岨流と光のＶｆｊ度が大きいストライプ
の内ｋ （Ｇａｘｌ）ＡｓでＪｄめるかわりに、ストラ
イプ外部のｐ！クラッド層の上にストライプ状に設けた
Ｓ！０２又は５ｊｓＮ４ ＺどのｆＰ３縁物才物マスク
いてｐ型りラッド層をエツチングし、絶縁物の上には結
晶成長せず、ストライプ外部にのみ結晶成長が行われる
ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＡＳ又は屈折率がｐ型りラッ
ド層よりも小さい（ＧａＡｌ）ｘｓで埋め込むことによ
り導波路を形成する半導体レーザの作製方法。
以下本発明の実施例を図に従い説明する。
実施例１
第２図に、本実施列による半導体フープの断面構造を示
す。この構造は作製工程は以下のとおシである。
す。この構造は作製工程は以下のとおシである。
ｎ−ＧａＡＳ基板（１）上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇ
ａｐ、５５ ＡＩｏ、４５ Ａｓ クラッド層（２）、
７７ドープＧａ６．ｇ ｓ ＡＩＯ，１４Ａｓ活性層（
３）、ｐ −ＧａＯ，５ｓ ｌＯ，，５Ａｓクラッド層
（４）、ｐ−ＧａＡＳキャップ！４（８）を順次結晶成
長した後、通なのフォトリングラフ技術を用いて８ｉ０
ｚマスクを設はリン酸系のエツチング液を用いて、スト
ライプ外部をｐ型りラッド層を０．１〜０．３μｍ浅し
てエツチングした。第三図は、この段階での素子の断面
構造を示す。このようにして作製した構造を、褥びＭＯ
ＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡＳ（９）によシ埋込んだ。こ
のときＳ ｉ（ｈ膜の上に結晶成長がおこらないＭＯＣ
ＶＤ法の特性のため３ｉ（ｈ膜は露出したままとなシ、
埋込成長後にフッ酸系のエツチング液により取り除くこ
とが出来た。この構造にｐ成極としてＣｒ／λｕｕＯを
ｎ成極としてＡｕＱｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ （１１）を蒸
着し３００μｍ角にへきかいしてレーザチップとした。
ａｐ、５５ ＡＩｏ、４５ Ａｓ クラッド層（２）、
７７ドープＧａ６．ｇ ｓ ＡＩＯ，１４Ａｓ活性層（
３）、ｐ −ＧａＯ，５ｓ ｌＯ，，５Ａｓクラッド層
（４）、ｐ−ＧａＡＳキャップ！４（８）を順次結晶成
長した後、通なのフォトリングラフ技術を用いて８ｉ０
ｚマスクを設はリン酸系のエツチング液を用いて、スト
ライプ外部をｐ型りラッド層を０．１〜０．３μｍ浅し
てエツチングした。第三図は、この段階での素子の断面
構造を示す。このようにして作製した構造を、褥びＭＯ
ＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡＳ（９）によシ埋込んだ。こ
のときＳ ｉ（ｈ膜の上に結晶成長がおこらないＭＯＣ
ＶＤ法の特性のため３ｉ（ｈ膜は露出したままとなシ、
埋込成長後にフッ酸系のエツチング液により取り除くこ
とが出来た。この構造にｐ成極としてＣｒ／λｕｕＯを
ｎ成極としてＡｕＱｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ （１１）を蒸
着し３００μｍ角にへきかいしてレーザチップとした。
実施例２
第２の実施例として、ｐ型りラッド層をｐ −Ｇａｏ
、 ｓ ｓ Ａ Ｉｏ 、４Ｓ Ａｓ層４一層とするか
わりにｐ−Ｇａｏ 、 ｔ Ａ Ｉｏ、ｓ Ａｓ層（４
）とｐＧａｏ、ｓ Ａｌｏ、ｓ Ａ＄層ｕりの２層構造
とした第４図のような構造の素子を試作したＯここでＸ
ｐ−Ｇａｏ、ｙＡＩｏ、３Ａｓｍ（４）の厚みを０．１
〜０．３μｍとした。この構造では、沃素系のエツチン
グ液を用いる事によ、Ｌｐ−Ｇａｏ、ｓＡ’０．５ ”
層重をｐ−Ｇａｏ、ｔｋＩ６．ｓｋｓ層（４）に対して
選択的に取り除く事が出来る。第５図は、この段階での
素子の１ｇ′ｒｌｆｉ４１１ａを示す。以下、実施例１
と同様なプロセスによシ半導体レーザテップを作製した
。
、 ｓ ｓ Ａ Ｉｏ 、４Ｓ Ａｓ層４一層とするか
わりにｐ−Ｇａｏ 、 ｔ Ａ Ｉｏ、ｓ Ａｓ層（４
）とｐＧａｏ、ｓ Ａｌｏ、ｓ Ａ＄層ｕりの２層構造
とした第４図のような構造の素子を試作したＯここでＸ
ｐ−Ｇａｏ、ｙＡＩｏ、３Ａｓｍ（４）の厚みを０．１
〜０．３μｍとした。この構造では、沃素系のエツチン
グ液を用いる事によ、Ｌｐ−Ｇａｏ、ｓＡ’０．５ ”
層重をｐ−Ｇａｏ、ｔｋＩ６．ｓｋｓ層（４）に対して
選択的に取り除く事が出来る。第５図は、この段階での
素子の１ｇ′ｒｌｆｉ４１１ａを示す。以下、実施例１
と同様なプロセスによシ半導体レーザテップを作製した
。
第１図は、従来の自己整合形半導体レーザの断面構造図
、第２図は実施例１の半導体Ｖ−ザの断面構造図、第３
図は埋込成長前の実施例１の半導体レーザの断面構造図
、第４図は、実施例２０半導体レーザの断面構造図、第
５図は埋込成長前の実施例１０半導体Ｖ−ザの断面構造
を示した図である。 ｆｚ）−−・ｎ−Ｇａ、ｔｓ基板、（２１・・ｎ −Ｇ
ａｏ 、５ｇ ＡＩｏ、４５ＡＳクラッド層、（３）−
７ｙドープＧａｏ、ｓａ入１Ｇ、Ｉ４Ａ＄活性層、（４
）・−ｐＧａＧ、５５ＡＩ０．４５ＡＳクラッド層、（
５）・・・ｐ−（）ａ７１ｓ光吸収層、（６）−ｐ −
（ＧａＡＩ ）Ａｓ層、（７）−ｐ ＧａＡｓ層、（
８）・” ｐ−ＧａＡｓキャップ層、（９） ・・・ｎ
−Ｇ ａ Ａ Ｓ ｌ−１１１０−Ｃｒ ／ Ａ ｕ
電極、αυ−ＡｕＧｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ を極、１１３
−Ｑａｏ、ｓ Ａｌｏ 、５ Ａｓ層。 ！４１目 第２図
、第２図は実施例１の半導体Ｖ−ザの断面構造図、第３
図は埋込成長前の実施例１の半導体レーザの断面構造図
、第４図は、実施例２０半導体レーザの断面構造図、第
５図は埋込成長前の実施例１０半導体Ｖ−ザの断面構造
を示した図である。 ｆｚ）−−・ｎ−Ｇａ、ｔｓ基板、（２１・・ｎ −Ｇ
ａｏ 、５ｇ ＡＩｏ、４５ＡＳクラッド層、（３）−
７ｙドープＧａｏ、ｓａ入１Ｇ、Ｉ４Ａ＄活性層、（４
）・−ｐＧａＧ、５５ＡＩ０．４５ＡＳクラッド層、（
５）・・・ｐ−（）ａ７１ｓ光吸収層、（６）−ｐ −
（ＧａＡＩ ）Ａｓ層、（７）−ｐ ＧａＡｓ層、（
８）・” ｐ−ＧａＡｓキャップ層、（９） ・・・ｎ
−Ｇ ａ Ａ Ｓ ｌ−１１１０−Ｃｒ ／ Ａ ｕ
電極、αυ−ＡｕＧｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ を極、１１３
−Ｑａｏ、ｓ Ａｌｏ 、５ Ａｓ層。 ！４１目 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも第一の半導体層と、該第一の半導体層を
はさむように設けた、該半導体層より広い禁制帯幅で導
電型の互いに異なる第二、及び第三の半導体層を有し、
第三の半導体層のストライプ状の部分を除いて第三の半
導体層を、活性層で発生した光がしみだすに十分な深さ
まで光吸収のある第四の半導体又は第三の半導体層より
も屈折率の小さな第五の半導体層により置きかえた半導
体レーザ構造を、該第三の半導体層を第三の半導体層の
上にストライプ状に設けたＳｉＯ＿２又はＳｉ＿３Ｎ＿
４などの絶縁物マスクを用いてエッチングし、絶縁物の
上には結晶成長せず、ストライプ外部にのみ結晶成長が
行われる ＭＯＣＶＤ法により第四又は第五の半導体を形成するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置の作製方法。 ２、上記第三の半導体層を活性層の光がしみだすに十分
な薄さとし、該第三の半導体層の上に第三の半導体層と
同一の導電型で、第三の半導体層に対して選択的に化学
エッチングすることが可能な第六の半導体層を設け、第
六の半導体層を選択的にエッチングすることによつて構
成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体レーザ装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12603385A JPS61284985A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12603385A JPS61284985A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284985A true JPS61284985A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14925020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12603385A Pending JPS61284985A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284985A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63196088A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| US4959839A (en) * | 1988-07-25 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rib waveguide type semiconductor laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51118395A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor emitting unit and manufacturing process |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12603385A patent/JPS61284985A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51118395A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor emitting unit and manufacturing process |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63196088A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| US4959839A (en) * | 1988-07-25 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rib waveguide type semiconductor laser |
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