JPS6252845B2 - - Google Patents

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JPS6252845B2
JPS6252845B2 JP55082109A JP8210980A JPS6252845B2 JP S6252845 B2 JPS6252845 B2 JP S6252845B2 JP 55082109 A JP55082109 A JP 55082109A JP 8210980 A JP8210980 A JP 8210980A JP S6252845 B2 JPS6252845 B2 JP S6252845B2
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JP
Japan
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thin film
redox
voltage
electrode
redox reaction
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Application number
JP55082109A
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English (en)
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Yosuke Takahashi
Hideki Akasaka
Toshikatsu Komizu
Tatsuo Niwa
Tsuneo Sukegawa
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Nikon Corp
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Original Assignee
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Nippon Kogaku KK
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Publication date
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Priority to US06/268,683 priority patent/US4433901A/en
Priority to DE19813123697 priority patent/DE3123697A1/de
Publication of JPS578524A publication Critical patent/JPS578524A/ja
Publication of JPS6252845B2 publication Critical patent/JPS6252845B2/ja
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、党固䜓゚レクトロクロミツク衚瀺玠
子及びその䜿甚方法に関する。 電圧印加により、酞化還元反応が起き、その物
質が可逆的に発色又は消色する珟象を、゚レクト
ロクロミズムず蚀う。このような珟象を瀺す材料
即ち゚レクトロクロミツク材料を甚いお、電圧加
陀操䜜により発色・消色を繰り返す衚瀺玠子を䜜
り、この衚瀺玠子により時蚈の数字や電子蚈算機
の数字を衚瀺しようずの詊みは、15幎以䞊前から
行なわれおいる。䟋えば、ガラス基板の䞊に透明
電極膜陰極、䞉酞化タングステン薄膜、二酞
化ケむ玠のような絶瞁膜、電極膜陜極を順次
積局しおなる党固䜓型゚レクトロクロミツク衚瀺
玠子が既に知られおいる。この衚瀺玠子に電圧を
印加するず䞉酞化タングステンWO3薄膜が青
色に着色する。その埌、この衚瀺玠子に逆の電圧
を印加するず、WO3薄膜の青色が消えお無色に
なる。この着色・消色する機構は詳しくは解明さ
れおいないがWO3薄膜及び絶瞁膜䞭に含たれる
埮量の氎分が、WO3の着色・消色を支配しおい
るこずが知られおいる。着色の反応匏は䞋蚘のよ
うに掚定されおいる。
【衚】 埓぀お、このような衚瀺玠子の欠点は、 着色反応の際、酞玠ガス発生ずいう奜たしく
ない副反応により含有氎分が消費されるこず、及
び逆の消色反応によ぀お氎が生成されないの
で、着色の繰り返しには倧気䞭からの氎の補絊が
必芁なこずである。特に埌者の理由により、こ
のタむプの衚瀺玠子には、着色の再珟性が倧気䞭
の氎分の圱響を受ける欠点がある。 最近、着色反応により消費される氎の量ず同じ
量の氎が消色反応により生成され、埓぀お倖界か
らの氎分の補絊を必芁ずせずに着色・消色を繰り
返すこずができ、しかも繰り返される着色濃床が
倖界の圱響を受けない党固䜓型゚レクトロクロミ
ツク衚瀺玠子が提案された特開昭52−73749号
公報参照。この衚瀺玠子は、基本的には透明電
極・電解還元発色性薄膜䟋えばWO3、電解酞化
性薄膜䟋えばCr2O3及び察向電極を順次積局しお
なるものである。たた、前蚘公報の開瀺によれ
ば、電圧印加による着色埌、電圧を解陀した堎
合、着色が自然攟電により次第に消色する珟象が
芋られ、電圧解陀埌も着色が保存される性質こ
れをメモリヌ性ず蚀うをこの衚瀺玠子に䞎える
ためには、透明電極ず察向電極ずの間の任意の䜍
眮に絶瞁膜䟋えば二酞化ケむ玠、フツ化マグネシ
りムなどの薄膜を蚭けるこずが必芁であるず蚀
う。なお、この絶瞁膜は本発明者らの掚察によれ
ば、電子の良導䜓ではないが、プロトンH+及
びヒドロキシむオンOH-の移動は自由にでき
る物質である。 本発明者らは、今ここに、特開昭52−73749号
公報に開瀺された党固䜓型゚レクトロクロミツク
衚瀺玠子に斌いお、絶瞁膜は電解還元発色性薄膜
ず電解酞化発色性薄膜ずの間に存圚させるこずが
最も望たしいこず、䞊びに電解還元発色性薄膜ず
電解酞化発色性薄膜ずは、䞡者ずも発色性である
必芁はなく、いずれか䞀方が倖郚より倉化が識別
できるような倉色をすれば足りるこずを芋い出し
た。 曎に本発明者らは、前蚘公報に開瀺された透明
電極、電解還元発色性薄膜、プロトン良導䜓であ
る絶瞁膜、酞化発色性薄膜、及び察向電極の局
からなる党固䜓型゚レクトロクロミツク衚瀺玠子
の構造を䞀郚倉曎するこずにより新しい珟象を芋
い出した。 たず、本発明者らは、局からなる前蚘党固䜓
型゚レクトロクロミツク衚瀺玠子に斌いお、電解
還元発色性薄膜又は電解酞化発色性薄膜の䞀郚を
切陀するこずにより、䞀郚局からなる衚瀺玠子
を䜜぀た。第図は、埓来の局からなる衚瀺玠
子の断面を瀺し、第図は䞀郚局か
らなる衚瀺玠子の断面を瀺す。この䞀郚局から
なり、残り局からなる衚瀺玠子に電圧を印加
し、この電圧を埐々に高めお行くず、たず局の
郚分が発色し、その埌局の郚分が倉色する珟象
を芋い出した。埓぀お、本発明者らは、適圓な高
さの䞀定電圧を、この䞀郚局からなる衚瀺玠子
に印加するず、局郚分だけが発色し、局郚分
は未発色のたたで残るこずを芋い出した。このよ
うな衚瀺玠子では、䟋えば、衚瀺玠子の垂盎方向
から芋たずき、ABCずいう文字の圢状に局郚
分を圢成すれば、そのABC郚分だけを発色さ
せ、衚瀺するこずができる。 埓぀お、本発明の目的は、第電極、可逆的に
酞化還元反応する第酞化還元反応薄膜、プロト
ン良導䜓の絶瞁性薄膜、可逆的に酞化還元反応す
る第酞化還元反応薄膜、第電極が順次積局さ
れおなり、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方が、電
圧印加により酞化されるずき他方は還元される
か、還元されるずき他方は酞化され、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の少なくずも
䞀方が電圧印加により倉色する゚レクトロクロミ
ツク材料であり、第、第電極のうち少なくず
も倉色する薄膜に接する電極は透明である党固䜓
型゚レクトロクロミツク衚瀺玠子に斌いお、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方のみが
パタヌニングされおいる こずを特城ずする衚瀺玠子を提䟛するにある。 たた、本発明の目的は、第電極、可逆的に酞
化還元反応する第酞化還元反応薄膜、プロトン
良導䜓の絶瞁性薄膜、可逆的に酞化還元反応する
第酞化還元反応薄膜、第電極が順次積局され
おなり、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方が、電
圧印加により酞化されるずき他方は還元される
か、還元されるずき他方は酞化され、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の少なくずも
䞀方が電圧印加により倉色する゚レクトロクロミ
ツク材料であり、第、第電極のうち少なくず
も倉色する薄膜に接する電極は透明である党固䜓
型゚レクトロクロミツク衚瀺玠子に斌いお、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方のみが
パタヌニングされおいる こずを特城ずする衚瀺玠子に、そのパタヌニング
郚分のみを発色させるのに必芁な最䜎電圧ず同等
又はそれより高く、しかも非パタヌニング郚分を
発色させるのに必芁な最䜎電圧よりも䜎い電圧を
印加するこずを特城ずする前蚘衚瀺玠子の䜿甚方
法を提䟛するにある。 次に図面を匕甚しお本発明を具䜓的に説明す
る。 第図は、第酞化還元反応薄膜がパタヌニン
グされおいる本発明の衚瀺玠子の断面を暡匏的に
瀺す。 第電極は、膜厚が通垞0.01〜0.5Όの薄
膜であり、䟋えばネサNESASnO2、酞化むン
ゞりム、ペり化銅、金、導電性暹脂などで圢成さ
れる。 第電極自䜓は、匷床が小さいので、通垞は
基䜓䟋えばガラス板、プラスチツク板、セラミツ
ク板たたはこれらの衚面に金属反射膜ずその䞊に
透明な絶瞁膜を積局したものの䞊に圢成させる。
基䜓は第図に図瀺しおいない。基䜓の䞊に第
電極を圢成させる方法ずしおは、真空蒞着、ス
パツタリング、むオンプレヌテむング、CVD法
等があげられる。 次に第電極の䞊に、公知のドラむ゚ツチン
グ法やリフトオフ法などによ぀お、第酞化還元
反応薄膜をパタヌン圢状に圢成する。
この第薄膜の膜厚は通垞0.001〜数Όの範囲
である。 第酞化還元反応薄膜の物質ず埌述する第酞
化還元反応薄膜の物質ずは、䞀方を酞化状態にあ
るもの即ち、電圧印加により還元可胜である
を遞択したずきには、他方を還元状態にあるもの
即ち、電圧印加により酞化可胜であるを遞択
し、䞀方を還元状態にあるものを遞択したずきに
は他方を酞化状態にあるものを遞択しなければな
らない。 ただ定垞状態が酞化状態即ち、電圧印加によ
り還元可胜であるにあるか、還元状態即ち、
電圧印加により酞化可胜にあり、埓぀お安定で
ある物質を遞択するこずが奜たしい。そしお定垞
状態が癜色、淡色又は無色透明である物質を䜿甚
するこずが、芖芚䞊、奜たしい。 仮に第酞化還元反応薄膜の物質ずしお、電圧
印加により酞化発色するものを遞択すれば、その
䟋ずしおは、氎酞化むリゞりム、氎酞化ルテニり
ム、氎酞化ロゞりム、氎酞化ニツケル、氎酞化ク
ロムがあげられる。その䞭でも氎酞化むリゞりム
が特に奜たしい。 次にパタヌニングされた第薄膜を
プロトン良導䜓の絶瞁性薄膜で党面に䞀様に䞊
述の薄膜圢成技術によ぀お被芆する。 この絶瞁性薄膜の物質は、䟋えば酞化タンタ
ルTa2O5、酞化ニオブNb2O5、酞化ゞルコ
ニりムZrO2、酞化チタンTiO2、酞化ハフ
ニりムHfO2、酞化むツトリりムY2O3、酞
化ランタンLa2O3、酞化珪玠SiO2、フツ化
マグネシりム、リン酞ゞルコニりムあるいはこれ
らの混合物質であるがその䞭で酞化タンタルが奜
たしい。これらの物質は、電子に察しお絶瞁䜓で
あるが、プロトンH+及びヒドロキシむオン
OH-に察しおは良導䜓である。絶瞁性薄膜
の膜厚は衚瀺のメモリヌ時間を考慮しお、0.001
〜10Όから遞択される。 次に絶瞁性薄膜䞊の党面に䞀様に䞊述の薄膜
圢成技術によ぀お第酞化還元反応性薄膜を被
芆する。この第薄膜を圢成する物質の遞択は、
第薄膜の物質に䟝存する。仮に第薄膜の物質
ずしお電圧印加により還元反応するものを遞択す
れば、第薄膜の物質の䟋は酞化タングステン
WO3、酞化モリブデンMoO3たはこれらの
混合物である。その䞭で特に酞化タングステンが
奜たしい。第薄膜の膜厚は、通垞0.001〜数
Όの範囲である。 最埌に、この第薄膜䞊の党面に䞀様に䞊述
の薄膜圢成技術によ぀お第電極を圢成する。
第電極の膜厚は通垞0.05〜Όである。 こうしお衚瀺郚には、第電極、第酞化
還元反応薄膜、絶瞁性薄膜、第酞化還元反
応薄膜、第電極が順次積局され、非衚瀺郚
には第電極、絶瞁性薄膜、第酞化還元
反応薄膜、第電極が順次積局され、その結
果、本発明の衚瀺玠子が䜜成される。 なお、第電極及び第電極のうち、少なくず
も、電圧印加により倉色する酞化還元反応薄膜に
接しおいる偎の電極は、衚瀺玠子の性栌䞊、透明
でなければならない。 そのほか、第電極、第薄膜、絶瞁性薄
膜、第薄膜、第電極のいずれを透明に
すべきかの基準は、所望する衚瀺玠子のタむプに
よる。䟋えば、透過型の衚瀺玠子の堎合には、電
圧印加前、印加埌又は逆電圧の印加埌のいずれか
に斌いお各局〜党郚が透明でなければならな
い。たた、反射型の衚瀺玠子の堎合には、衚瀺偎
の電極を仮に第電極ずしたずき、第薄膜
が倉色するか、あるいは第薄膜が透明で
か぀第薄膜が倉色するように蚭蚈しなければな
らない。 第電極、第電極のいずれに倖郚電源の陜
極、陰極を接続すべきかは、電圧印加により還元
反応する薄膜に接しおいる電極を倖郚電源の陰極
に接続する。 本発明の衚瀺玠子に電圧を印加するず、衚瀺郚
に斌いおは第酞化還元反応薄膜が
反応し、同時に第酞化還元反応薄膜のうち第
酞化還元反応薄膜に察向した領域の
みが反応する。本発明の衚瀺玠子では、第薄
膜、第薄膜のいずれか䞀方が電気化孊的に倉色
する物質で圢成されおいるので、電圧印加により
所望のパタヌンが衚瀺される。 垞識的に考えれば、非衚瀺郚に斌いおも、第
電極ず第電極ずの間に絶瞁性薄膜ず第
酞化還元反応薄膜が存圚するので電圧印加に
より反応し、倉色するはずであるが、衚瀺郚に
おける倉色電圧よりも非衚瀺郚における倉色電
圧の方がかなり高いので、電源電圧を衚瀺郚だ
けが倉色する電圧に蚭定するこずにより非衚瀺郚
の第薄膜は反応せず倉色しない。 次にここで電源をきるず倉色状態は長時間メモ
リされる。この倉色状態をもずに戻すには、第
電極ず第電極ずを短絡するか又は第電極
ず第電極ずに䞊蚘ずは逆極性の電圧を印加
すればよい。 これたで、第酞化還元反応薄膜がパタヌニン
グされおいる衚瀺玠子に぀いお説明しおきたが、
第酞化還元反応薄膜がパタヌニングされおいる
衚瀺玠子の構成も本質的には䜕ら盞違がない。 第酞化還元反応薄膜ず第酞化還元反応薄膜
のどちらをパタヌニングすべきかの基準は、所望
する衚瀺玠子のタむプにより異なるが、電圧を印
加しない状態で、パタヌニングが衚瀺玠子の倖郚
から認識されないようにするこずが奜たしい。 特開昭52−73749号公報には、第図に瀺す衚
瀺玠子の電極のいずれか䞀方をパタヌニングすれ
ば、パタヌン衚瀺のできる衚瀺玠子が埗られる
旚、蚘茉されおいる。しかし、電極をパタヌニン
グするず、個々のセグメント電極にそれぞれリヌ
ド線を連結するかあるいは各セグメント電極間を
リヌド線で連結しなければならず、そのため補造
工皋が耇雑になり補造コストが高くなる欠点、あ
るいはリヌド線郚分も電極ずしお働くのでリヌド
線に盞圓する圢状郚分も衚瀺郚ず䞀緒に衚瀺され
おしたうずいう欠点がある。 それに察しお、本発明の衚瀺玠子は、電極をパ
タヌニングしなくずも、単に第又は第酞化還
元反応薄膜のいずれか䞀方のみをパタヌニングす
るこずにより、パタヌン画像を衚瀺するこずがで
き、セグメント電極を甚いる欠点が解消される。 本発明の衚瀺玠子は、電気信号によりパタヌン
画像の衚瀺、消去を自由に操䜜できるので、カメ
ラのフアむンダヌ内の譊告マヌク、自動車のむン
スツルメント・パネルに組蟌たれる譊告マヌク、
広告甚デむスプレむなどに䜿甚される。 次に本発明の実斜䟋を瀺す。 実斜䟋  ガラス板に担持された厚さ0.15Όの透明電極
膜ITO埮量の酞化スズの混入した酞化むンゞ
りムで圢成されおいるの䞊に、真空蒞着法真
空床〜×10-5Torr.蒞着速床0.001Ό
secにより厚さ0.01Όのむリゞりム金属の薄
膜を圢成させた。次いでホトレゞストを塗垃し、
所望の衚瀺パタヌン郚のみにレゞストが残るよう
に、パタヌンの焌付け・珟像を行な぀た。非衚瀺
郚にはレゞスト膜が残぀おおらず、露出したむリ
ゞりム金属薄膜をドラむ゚ツチング法により陀去
した。残぀た衚瀺郚パタヌン郚䞊のレゞスト
を酞玠ガス䞭でアツシングにより陀去した埌、む
リゞりム金属薄膜衚瀺郚を硫酞氎溶液䞭で電
解酞化するこずにより、透明な氎酞化むリゞりム
薄膜に倉えた。 曎にこのガラス板のパタヌンが圢成された偎の
衚面党䜓に真空蒞着法真空床〜×
10-4Torr.蒞着速床〜×10-4Όsecによ
り厚さ0.25Όの五酞化タンタルの透明な薄膜を
圢成させた。五酞化タンタル薄膜の䞊に真空蒞着
法真空床〜×10-4Torr.蒞着速床〜10×
10-4Όsecにより厚さ0.25Όの䞉酞化タ
ングステンの透明な薄膜を圢成させた。 最埌に察向電極ずしお透明な酞化むンゞりムを
0.12Όの厚さに蒞着した。 埗られた本発明の党固䜓゚レクトロクロミツク
衚瀺玠子の぀の電極のうち、䞉酞化タングステ
ンに接しおいる電極を倖郚電源の陰極に、氎酞化
むリゞりムに接しおいる電極を倖郚電極の陜極に
接続し、1.4ボルトの電圧を印加するず、衚瀺郚
氎酞化むリゞりムのパタヌンに盞圓するが100
sec.で青色に発色した。発色前埌の衚瀺郚のコ
ントラスト比はであ぀た。この衚瀺玠子に
1.4ボルトの逆電圧を印加するず、青色のパタヌ
ンは50sec.で消えお、玠子は透明に戻぀た。 たた、この衚瀺玠子に1.6ボルトの電圧を印加
するず、衚瀺郚パタヌン郚及び非衚瀺郚の双
方が青色に倉わり、䞡者のコントラスト比は僅か
であ぀た。 実斜䟋  ガラス板に担持された厚さ1500Åの透明電極膜
ITOの䞊に、真空蒞着法真空床〜×
10-5Torr.蒞着速床10×10-4Όsecにより厚
さ0.01Όのむリゞりム金属薄膜を圢成させた。
このむリゞりム金属薄膜を1N硫酞氎溶液䞭で電
解酞化し、透明な氎酞化むリゞりムに倉えた。 次いで氎酞化むリゞりム薄膜の䞊に真空蒞着法
真空床〜×10-4Torr.蒞着速床〜×10-4
Όsecにより厚さ0.25Όの五酞化タンタ
ル膜を圢成させ、その䞊に真空蒞着法真空床
〜×10-4Torr.蒞着速床〜10×10-4Ό
secにより厚さ0.25Όの透明な䞉酞化タング
ステン膜を圢成させた。 圢成された䞉酞化タングステン膜を写真蝕刻法
により所望のパタヌンにパタヌニングした。 最埌に察向電極ずしお透明な酞化むンゞりムを
党䜓に0.12Όの厚さに蒞着した。 埗られた本発明の党固䜓゚レクトロクロミツク
衚瀺玠子に実斜䟋ず同様に電圧を印加するず、
実斜䟋ず同じ結果が埗られた。 実斜䟋  実斜䟋に斌いお、むリゞりムの代りにルテニ
りムを䜿甚したが、ほが同様の衚瀺玠子が埗られ
た。 実斜䟋  実斜䟋に斌いお、むリゞりムの代りにロゞり
ムを䜿甚し、か぀1Nの硫酞氎溶液の代りに1Nの
氎酞化ナトリりム氎溶液を䜿甚したが、ほが同様
の衚瀺玠子が埗られた。 実斜䟋  ガラス板に担持された厚さ1500Åの透明電極膜
ITOの䞊に真空蒞着法真空床〜×
10-4Torr.蒞着速床〜×10-4Όsecによ
り氎酞化ニツケルの薄膜厚さ0.12Όを圢成
させた。この酞化ニツケル薄膜を写真蝕刻法によ
り所定の圢状にパタヌニングした。その埌、実斜
䟋ず同様に五酞化タンタル薄膜、䞉酞化タング
ステン薄膜、察向電極膜酞化むンゞりムを順
次に積局し、本発明の党固䜓型゚レクトロクロミ
ツク衚瀺玠子を埗た。 この衚瀺玠子の䞡電極間に玄1.3ボルトの電圧
を印加するず、氎酞化ニツケルのパタヌンに盞圓
する衚瀺郚が150sec.で黒぀ぜい灰色に倉぀
た。着色前埌のコントラスト比は玄であ぀
た。この衚瀺玠子に逆電圧玄1.3ボルトを印
加するず、黒぀ぜい灰色が透明に倉わり、倖郚か
らパタヌンを認識するこずはできなか぀た。 実斜䟋  実斜䟋に斌いお、䞉酞化タングステンの代り
に䞉酞化モリブデンを䜿甚したが、ほが同性胜の
衚瀺玠子が埗られた。
【図面の簡単な説明】
第図は、公知の党固䜓゚レクトロクロミツク
衚瀺玠子の断面図である。第図は第酞化還元
反応薄膜がパタヌニングされおいる本発明にかか
る党固䜓゚レクトロクロミツク衚瀺玠子の断面図
である。 〔䞻芁郚分の笊号の説明〕   第電極、
  第酞化還元反応薄膜、  プ
ロトン良導䜓の絶瞁膜、  第酞化還元反応
薄膜、  第電極。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  第電極、可逆的に酞化還元反応する第酞
    化還元反応薄膜、プロトン良導䜓の絶瞁性薄膜、
    可逆的に酞化還元反応する第酞化還元反応薄
    膜、第電極が順次積局されおなり、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方が、電
    圧印加により酞化されるずき他方は還元される
    か、還元されるずき他方は酞化され、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の少なくずも
    䞀方が電圧印加により倉色する゚レクトロクロミ
    ツク材料であり、第、第電極のうち少なくず
    も倉色する薄膜に接する電極は透明である党固䜓
    型゚レクトロクロミツク衚瀺玠子に斌いお、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方のみが
    パタヌニングされおいる こずを特城ずする衚瀺玠子。  前蚘第、第酞化還元反応薄膜が䞡方ずも
    無色ないしは癜色であり、電圧印加により少なく
    ずも䞀方が発色するものであるこずを特城ずする
    特蚱請求の範囲第項蚘茉の衚瀺玠子。  前蚘第酞化還元反応薄膜が電圧印加により
    還元発色し、前蚘第酞化還元反応薄膜が電圧印
    加により酞化発色し、該第酞化還元反応薄膜が
    パタヌニングされおいるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項に蚘茉の゚レクトロクロミツク衚
    瀺玠子。  前蚘第酞化還元反応薄膜が、酞化タングス
    テンWO3及び酞化モリブデンMoO3からな
    る矀から遞ばれる少なくずも皮であり、前蚘第
    酞化還元反応薄膜が、氎酞化むリゞりム、氎酞
    化ルテニりム、氎酞化ロゞりム、氎酞化ニツケル
    及び氎酞化クロムからなる矀から遞ばれる少なく
    ずも皮であり、しかも前蚘絶瞁性薄膜が酞化タ
    ンタルTa2O5、酞化ニオブNb2O5、酞化ゞ
    ルコニりムZrO2、酞化チタンTiO2、酞化
    ハフニりムHfO2、酞化むツトリりム
    Y2O3、酞化ランタンLa2O3、酞化ケむ玠
    SiO2、フツ化マグネシりムMgF2及びリン
    酞ゞルコニりムZrOH2PO42・H2Oからな
    る矀から遞ばれる少なくずも皮であるこずを特
    城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の衚瀺玠子。  第電極、可逆的に酞化還元反応する第酞
    化還元反応薄膜、プロトン良導䜓の絶瞁性薄膜、
    可逆的に酞化還元反応する第酞化還元反応薄
    膜、第電極が順次積局されおなり、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方が、電
    圧印加により酞化されるずき他方は還元される
    か、還元されるずき他方は酞化され、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の少なくずも
    䞀方が電圧印加により倉色する゚レクトロクロミ
    ツク材料であり、第、第電極のうち少なくず
    も倉色する薄膜に接する電極は透明である党固䜓
    型゚レクトロクロミツク衚瀺玠子においお、 前蚘第、第酞化還元反応薄膜の䞀方のみが
    パタヌニングされおいる こずを特城ずする衚瀺玠子の第、第電極間
    に、そのパタヌニング郚分のみを倉色するのに必
    芁な最䜎電圧ず同等又はそれより高く、か぀非パ
    タヌニング郚分を倉色するのに必芁な最䜎電圧よ
    りも䜎い電圧を印加するこずを特城ずする前蚘衚
    瀺玠子の䜿甚方法。
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