JPS6242350A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS6242350A JPS6242350A JP60181351A JP18135185A JPS6242350A JP S6242350 A JPS6242350 A JP S6242350A JP 60181351 A JP60181351 A JP 60181351A JP 18135185 A JP18135185 A JP 18135185A JP S6242350 A JPS6242350 A JP S6242350A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体に関する。
本発明は、記録、再生あるいは消去可能な光記録媒体に
おいて、透明基板上に形成した誘電体膜に発生するクラ
ックの方向が少なくとも径方向に存在するもの全誘電体
類Ａ、クラックの発生する方向が少なくとも周方向に存
在するものを誘電体類Ｂとし比とき、透明基板と光記録
層の間に誘電体ＭＡＫ属する誘電体膜と誘電体類ＢＫ属
する誘電体膜を少なくとも２Ｗｉ以上積層するか、もし
くは誘電体頌ＡＫ嘱する誘電体と誘電体類ＢＫ属する誘
電体とを少なくとも２成分以上混合し九複汗誘電体膜を
設けることに１夛耐候性の向上をはかったものである。
おいて、透明基板上に形成した誘電体膜に発生するクラ
ックの方向が少なくとも径方向に存在するもの全誘電体
類Ａ、クラックの発生する方向が少なくとも周方向に存
在するものを誘電体類Ｂとし比とき、透明基板と光記録
層の間に誘電体ＭＡＫ属する誘電体膜と誘電体類ＢＫ属
する誘電体膜を少なくとも２Ｗｉ以上積層するか、もし
くは誘電体頌ＡＫ嘱する誘電体と誘電体類ＢＫ属する誘
電体とを少なくとも２成分以上混合し九複汗誘電体膜を
設けることに１夛耐候性の向上をはかったものである。
従来の光記録媒体は、山気記録７１に集光し念レーザ光
を照射することにニジ磁化反＠をおこさせ情報を記録す
る方法、あるいは記録Ｊ＠にレーザ光を照射し、記録層
の結晶構造ケ変化させる（結晶から非晶質又はその逆、
あるいは大方晶から立方晶又はその逆等）つまり相変態
により情報を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光
を照射することにエリ穴を開けるっまたはバブルを形成
するなどの記録部分の形状全変化させ情報を記録する方
法がある。
を照射することにニジ磁化反＠をおこさせ情報を記録す
る方法、あるいは記録Ｊ＠にレーザ光を照射し、記録層
の結晶構造ケ変化させる（結晶から非晶質又はその逆、
あるいは大方晶から立方晶又はその逆等）つまり相変態
により情報を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光
を照射することにエリ穴を開けるっまたはバブルを形成
するなどの記録部分の形状全変化させ情報を記録する方
法がある。
特に従来の光磁気記録媒体は箒３図に示すように、案内
溝がついたプラスチック基板（ＰＭＭＡ、ｐｃ、エポキ
シ樹脂等）５１上に、ＴｂＦｅ。
溝がついたプラスチック基板（ＰＭＭＡ、ｐｃ、エポキ
シ樹脂等）５１上に、ＴｂＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ 、 Ｃ）ｄＴｂＦ’ｅｃｏ 、 ＴｂＦ
ｅＣｏ等の光磁気記録層５２が成膜されておｐ、さらに
その上に保穫膜として８１０２等の誘電体膜３３が成膜
されている。ま友、プラスチック基板以外にガラスを用
い友ものもあり、第４図に示すような構造になっている
。４１［ガラス基板で、４２はガラス基板上に案内溝を
形成するｔめに設けられた紫外線硬化樹脂層である。、
４３ 、４４は：Ｘ３図と同様の光磁気記録層、誘電体
層でちる。しかし、プラスチック基板、紫外線硬化樹脂
層は吸湿性およびガス透過度が高く、模側に８１０２等
の保護膜はあっても光磁気記録層は非常に酸化しやすい
ため基板側から酸化され、磁気特性の劣化、膜／％ゲ等
問題が太きかつ几。そこで基板側にも誘電体膜を形成し
、光磁気記録層をサンドイッチした構造が第５図で、５
１は第３図と同様のプラスチック基板２は第４図と同様
の紫外線硬化樹脂付きガラス基板であシ、その基板上に
５２として８１０２等の誘電体膜が成膜されてシシ、５
３．５４は第３図、第４図と同様の光磁気記録層、Ｓ
ｉ ０２等誘電体層である。
ｅＣｏ等の光磁気記録層５２が成膜されておｐ、さらに
その上に保穫膜として８１０２等の誘電体膜３３が成膜
されている。ま友、プラスチック基板以外にガラスを用
い友ものもあり、第４図に示すような構造になっている
。４１［ガラス基板で、４２はガラス基板上に案内溝を
形成するｔめに設けられた紫外線硬化樹脂層である。、
４３ 、４４は：Ｘ３図と同様の光磁気記録層、誘電体
層でちる。しかし、プラスチック基板、紫外線硬化樹脂
層は吸湿性およびガス透過度が高く、模側に８１０２等
の保護膜はあっても光磁気記録層は非常に酸化しやすい
ため基板側から酸化され、磁気特性の劣化、膜／％ゲ等
問題が太きかつ几。そこで基板側にも誘電体膜を形成し
、光磁気記録層をサンドイッチした構造が第５図で、５
１は第３図と同様のプラスチック基板２は第４図と同様
の紫外線硬化樹脂付きガラス基板であシ、その基板上に
５２として８１０２等の誘電体膜が成膜されてシシ、５
３．５４は第３図、第４図と同様の光磁気記録層、Ｓ
ｉ ０２等誘電体層である。
さらには第５図の構造に反射膜を設は次構造も見られる
。その構造を示したのが第６図であるが、この反射膜は
耐候性向上の目的よりも、むしろ磁気光学効果のエンハ
ンス効果を計ったものである。
。その構造を示したのが第６図であるが、この反射膜は
耐候性向上の目的よりも、むしろ磁気光学効果のエンハ
ンス効果を計ったものである。
６１が反射膜としてのアルミニウム、銅などである。し
かしこのサンドイッチ構造ＫＬす、第３図。
かしこのサンドイッチ構造ＫＬす、第３図。
第４図に示す構造よりは耐候性は向上したが、実用的に
はまだまだ不十分である。これは５ｉ０２等の誘電体膜
自身が酸化物であるため、遊離酸素が６光磁気記録層を
酸化してしまう九めである。そこで、遊離酸素の発生し
ない非酸化物系誘電体を用いれば良いが、プラスチック
基板（ＰＭＭＡ。
はまだまだ不十分である。これは５ｉ０２等の誘電体膜
自身が酸化物であるため、遊離酸素が６光磁気記録層を
酸化してしまう九めである。そこで、遊離酸素の発生し
ない非酸化物系誘電体を用いれば良いが、プラスチック
基板（ＰＭＭＡ。
ＰＣ，エポキシ樹脂等）又は紫外線硬化樹脂付きガラス
基板Ｋｉｄｓｉｏｚ、ＴｉＯ３、Ａｚ２ｏ３ 等酸化物
系誘電体膜しか付着せず、窒化シリコン、窒ｆヒアルミ
ニウム、硫ｆヒ亜鉛等の非酸化物系誘電体膜は、放膜中
にクラックが発生するか、もしくは耐候性試験中にクラ
ックが発生するかのどちらかでいずれにしても実用化で
きなかつ念。その九め実用化に向けて耐候性の向上を計
るため光磁気記録層そのものに耐候性をもたせる（日本
応用磁気学会誌、ＶＯＬ８．４２．１９８４、Ｐ２Ｏ３
、第８回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１２５等）
、あるいは保護膜全Ａｔ、Ｔｉ 等の金属にして耐候
性をもたせる（第８回日本応用磁気学会学術講演概要集
ｐ１４Ｂ）などがある。しかし、これらの改良も基板側
からの酸１ヒを防止することは不可能であシ、それ故、
基板そのもの全ガラスだけにすることも試みられており
、案内溝自身もガラスで作られている（第７回日本応用
磁気学会学術講演概要集Ｐ１５５、第８回日本応用磁気
学会学術構演概要集Ｐ１４８）などがある。しかしこれ
らの改良も基板側からの酸化全防止することは不可能で
あり、それ故基板そのもの全ガラスだけにすることも試
みられており、案内溝自身もガラスで作られている（第
７回日本応用暑気学会学術講演概要集Ｐ１５５、第８回
日本応用怒気学会学術講演概要集Ｐ２３９ ）。しかし
、これは耐候性も十分実用に耐えつるものの、ガラスに
案内ａＪヲ作製することが量産的でなく、コストが非常
に高くつき実用ｆヒできる手法でない。
基板Ｋｉｄｓｉｏｚ、ＴｉＯ３、Ａｚ２ｏ３ 等酸化物
系誘電体膜しか付着せず、窒化シリコン、窒ｆヒアルミ
ニウム、硫ｆヒ亜鉛等の非酸化物系誘電体膜は、放膜中
にクラックが発生するか、もしくは耐候性試験中にクラ
ックが発生するかのどちらかでいずれにしても実用化で
きなかつ念。その九め実用化に向けて耐候性の向上を計
るため光磁気記録層そのものに耐候性をもたせる（日本
応用磁気学会誌、ＶＯＬ８．４２．１９８４、Ｐ２Ｏ３
、第８回日本応用磁気学会学術講演概要集Ｐ１２５等）
、あるいは保護膜全Ａｔ、Ｔｉ 等の金属にして耐候
性をもたせる（第８回日本応用磁気学会学術講演概要集
ｐ１４Ｂ）などがある。しかし、これらの改良も基板側
からの酸１ヒを防止することは不可能であシ、それ故、
基板そのもの全ガラスだけにすることも試みられており
、案内溝自身もガラスで作られている（第７回日本応用
磁気学会学術講演概要集Ｐ１５５、第８回日本応用磁気
学会学術構演概要集Ｐ１４８）などがある。しかしこれ
らの改良も基板側からの酸化全防止することは不可能で
あり、それ故基板そのもの全ガラスだけにすることも試
みられており、案内溝自身もガラスで作られている（第
７回日本応用暑気学会学術講演概要集Ｐ１５５、第８回
日本応用怒気学会学術講演概要集Ｐ２３９ ）。しかし
、これは耐候性も十分実用に耐えつるものの、ガラスに
案内ａＪヲ作製することが量産的でなく、コストが非常
に高くつき実用ｆヒできる手法でない。
〔発明が解決しょうとする間１砒点及び目的〕そこで本
発明はこのエラな上述してき九問題点全解決するもので
、その目的とするところは、プラスチック基板（Ｐ ）
、ｌ Ｍ Ａ、 、 Ｐ Ｃ、エポキシ樹脂等）又は紫
外線硬ｆＩＩＳ樹脂付きガラス基板に非酸化物系誘電体
膜をクランクの発生なく付着せしめ、安価で耐候性に優
れｔ光記録媒体を提供することＶＣある。
発明はこのエラな上述してき九問題点全解決するもので
、その目的とするところは、プラスチック基板（Ｐ ）
、ｌ Ｍ Ａ、 、 Ｐ Ｃ、エポキシ樹脂等）又は紫
外線硬ｆＩＩＳ樹脂付きガラス基板に非酸化物系誘電体
膜をクランクの発生なく付着せしめ、安価で耐候性に優
れｔ光記録媒体を提供することＶＣある。
本発明の光記録媒体は、透明基板上に形成し友誘電体膜
に発生するクラックの方向が少なくとも径方向に存在す
るものｔＵ電体類Ａ、クラックの発生する方向が少なく
とも周方向に存在するものを誘′１体類Ｂとし定とき、
透明基板と光記録層の間に誘電体項人に属する誘電体膜
と誘電体類Ｂに属する誘電体膜會少なくとも２１以上積
層するか、もしくは誘電体類ＡＫ属する誘電体と誘電体
類Ｂに属する誘電体とを少なくとも２戊分以上混合し北
複合誘電体膜を設は次ことを特徴とする。
に発生するクラックの方向が少なくとも径方向に存在す
るものｔＵ電体類Ａ、クラックの発生する方向が少なく
とも周方向に存在するものを誘′１体類Ｂとし定とき、
透明基板と光記録層の間に誘電体項人に属する誘電体膜
と誘電体類Ｂに属する誘電体膜會少なくとも２１以上積
層するか、もしくは誘電体類ＡＫ属する誘電体と誘電体
類Ｂに属する誘電体とを少なくとも２戊分以上混合し北
複合誘電体膜を設は次ことを特徴とする。
従来、透明ディスク基板（特にプラスチック基板）上に
非酸化物系誘電体膜を成膜すれば、底膜中にクラックが
発生するか、もしくは耐候性試験中にクラックが発生し
てしまうｔめに実用化できなかつ之。しかし、膜厚が薄
ければ成膜中にはクラックは発生せず、しかもクランク
が発生した場合のクラックの発生方向が、誘電体膜の、
成分にＬり、周方向の場合と径方向の場合があることが
判明した。
非酸化物系誘電体膜を成膜すれば、底膜中にクラックが
発生するか、もしくは耐候性試験中にクラックが発生し
てしまうｔめに実用化できなかつ之。しかし、膜厚が薄
ければ成膜中にはクラックは発生せず、しかもクランク
が発生した場合のクラックの発生方向が、誘電体膜の、
成分にＬり、周方向の場合と径方向の場合があることが
判明した。
そこで、本発明の上記構成によれば、クラックの発生す
る方向が、少なくとも周方向に存在する場合の誘′４体
膜と少なくとも径方向に存在する場合の誘電体膜を積層
するか、あるいはクラックの発生する方向が、周方向に
なる場合の誘電体の成分と径方向になる場合のａ電体の
成分を少なくとも２底分以上混合し之複合誘電体膜を設
けることにニジ、クラックの発生しない耐候性に優：ｈ
ｙｃ光記録媒体ができる。
る方向が、少なくとも周方向に存在する場合の誘′４体
膜と少なくとも径方向に存在する場合の誘電体膜を積層
するか、あるいはクラックの発生する方向が、周方向に
なる場合の誘電体の成分と径方向になる場合のａ電体の
成分を少なくとも２底分以上混合し之複合誘電体膜を設
けることにニジ、クラックの発生しない耐候性に優：ｈ
ｙｃ光記録媒体ができる。
〔実し＠例１〕
第１図は、本発明の誘電重膜を３層に積、層した光磁気
記録媒体の構造図であって、１は溝付きＰＭＭＡ基板で
溝ピッチ１．６μｍ、溝幅０．８μお、溝深さ７００人
のものである。このＰＭＭＡ基板の溝側に誘電体膜を形
成し文のが２・６・４で、本発明によるものである。２
は窒化アルミニウム渓２５ＬＩＡ１５θ呈１こンソコノ
咲口ｕｕへ、→Ｆ、Ｑ窒化アルミニウム膜２ｓ ｏ Ｘ
である。さらにその上に５として光迅気記録ｆ憎ｏｄＴ
ｂＦｅ膜６００大を成膜し、６は非晶質シリコン膜１５
０λで光磁気記録１４ｉｆ５を通ってきｔレーザ光の偏
光面全エンハンスさせている。そして反射膜としてアル
ミニウム膜７を３ｔＪＯ＾形成した。
記録媒体の構造図であって、１は溝付きＰＭＭＡ基板で
溝ピッチ１．６μｍ、溝幅０．８μお、溝深さ７００人
のものである。このＰＭＭＡ基板の溝側に誘電体膜を形
成し文のが２・６・４で、本発明によるものである。２
は窒化アルミニウム渓２５ＬＩＡ１５θ呈１こンソコノ
咲口ｕｕへ、→Ｆ、Ｑ窒化アルミニウム膜２ｓ ｏ Ｘ
である。さらにその上に５として光迅気記録ｆ憎ｏｄＴ
ｂＦｅ膜６００大を成膜し、６は非晶質シリコン膜１５
０λで光磁気記録１４ｉｆ５を通ってきｔレーザ光の偏
光面全エンハンスさせている。そして反射膜としてアル
ミニウム膜７を３ｔＪＯ＾形成した。
この本発明による構造の光磁気記録媒体と従来の構造つ
まり、第１図における２・３・４の誘電体がＳビ２１０
０ロ太で置き漠っ之ものや、てらには窒化シリコン１０
０Ｌ１大で置き換っ几ものを作放し、６０℃９０４ＲＨ
の恒温槽中での加速試験結果を第７１２に示す。縦軸は
反射率の平方根とカー回転角の積で一般に性能指数と呼
ばれ、媒体のＣ／Ｎにほぼ比例するものであり、高いほ
ど良い。横＠は加速試＠を行なった時間である。８゜は
本発明の光磁気記録媒体、８１は誘電体に窒化シリコン
のみを用いｔもの、８２は誘′成体に窒化アルミニウム
のみを用いｔもの、８５は誘電体に５ｉ０２のみと用い
ｔものである。この図から解る様に本発明ＫＬる光磁気
記録媒体は、性能が全く劣化せず実用に耐えつるもので
ある。一方誘電体がｓ ｉ Ｏ２はすぐに酸化されてし
まい、実用できない。そして誘電体に窒化物を用い７’
ｊ８１・８２の媒体でも性能の劣ｆヒがかなｐあり実用
には間Ｌ１があり、さらに今までにも述べたように窒化
物はプラスチック基板には付着しにぐぐクラックが発生
しやすく、この耐候性の実ｊ険においても１０時間はど
経過してからクラックが発生し始め、性能指数は８１０
２はど悪くならないもののすぐクラックが発生する定め
実用できない。一方、当然のことながら本発明の媒体８
０はｔｏｏｏ時間を超えてもクラックの発生はない。
まり、第１図における２・３・４の誘電体がＳビ２１０
０ロ太で置き漠っ之ものや、てらには窒化シリコン１０
０Ｌ１大で置き換っ几ものを作放し、６０℃９０４ＲＨ
の恒温槽中での加速試験結果を第７１２に示す。縦軸は
反射率の平方根とカー回転角の積で一般に性能指数と呼
ばれ、媒体のＣ／Ｎにほぼ比例するものであり、高いほ
ど良い。横＠は加速試＠を行なった時間である。８゜は
本発明の光磁気記録媒体、８１は誘電体に窒化シリコン
のみを用いｔもの、８２は誘′成体に窒化アルミニウム
のみを用いｔもの、８５は誘電体に５ｉ０２のみと用い
ｔものである。この図から解る様に本発明ＫＬる光磁気
記録媒体は、性能が全く劣化せず実用に耐えつるもので
ある。一方誘電体がｓ ｉ Ｏ２はすぐに酸化されてし
まい、実用できない。そして誘電体に窒化物を用い７’
ｊ８１・８２の媒体でも性能の劣ｆヒがかなｐあり実用
には間Ｌ１があり、さらに今までにも述べたように窒化
物はプラスチック基板には付着しにぐぐクラックが発生
しやすく、この耐候性の実ｊ険においても１０時間はど
経過してからクラックが発生し始め、性能指数は８１０
２はど悪くならないもののすぐクラックが発生する定め
実用できない。一方、当然のことながら本発明の媒体８
０はｔｏｏｏ時間を超えてもクラックの発生はない。
ここで、８１．８２の媒体の窒化シリコン、窒化アルミ
ニウム’１１ＵＯＯＡ厚としたのは、本発明媒体８０の
誘′心体層の総厚と同じとする目的以外に、窒化シリコ
ン、窒化アルミニウムともプラスチック基板（ＰＭＭＡ
、ＰＣ，エポキシ樹脂等）及び紫外線硬化樹脂付きガラ
ス基板には膜厚が２０１ＪＯＡ’ｉ超えると、その時点
でクラックが発生する之めである。
ニウム’１１ＵＯＯＡ厚としたのは、本発明媒体８０の
誘′心体層の総厚と同じとする目的以外に、窒化シリコ
ン、窒化アルミニウムともプラスチック基板（ＰＭＭＡ
、ＰＣ，エポキシ樹脂等）及び紫外線硬化樹脂付きガラ
ス基板には膜厚が２０１ＪＯＡ’ｉ超えると、その時点
でクラックが発生する之めである。
尚、本実験以外に８１．８２の媒体で窒化シリコン、窒
化アルミニウムの膜厚を１５ＬＩＯＡ。
化アルミニウムの膜厚を１５ＬＩＯＡ。
２０００Ａとしたものも６０℃９０チＲＨの恒温恒湿槽
中の加速試験で第７図と同様すぐクランクが発生し、実
用できるものではなかつｔ。
中の加速試験で第７図と同様すぐクランクが発生し、実
用できるものではなかつｔ。
１８図（ａｌ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） Ｋ 、第７
図で示した加速試験後の媒体８０’ 、 ８１’ 、
８２’の様子を模式的に示す。
図で示した加速試験後の媒体８０’ 、 ８１’ 、
８２’の様子を模式的に示す。
８０’、 ８１／、 ８２’はそれぞれ８０，８１．８
２に対応する。８［Ｊ′は本発明ＫＬる誘電体に窒化ア
ルミニウムと窒化シリコンの積層膜を用い友媒体で、ク
ランクは全く発生していない（ａ）。８１′は誘電体に
窒化シリコンのみを用いた媒体で、周方向にクラックが
発生している（ｂ）。８２′は誘電体に窒化アルミニウ
ムのみを用いｔ媒体で、径方向にクラックが発生してい
る（ｃ）う尚、本実験の基板は、直径１２αサイズのも
のであシ、見にカットし７１のを用いｆｃ６さらに耐候
性試験（６０℃９０チＲＨ）によりＴ３ｉｔ Ｅｒｒ、
コＲａｔｅ がどのように増加するのか全２Ａべ、を晧
来が第９１４であり、８０”、８１“。
２に対応する。８［Ｊ′は本発明ＫＬる誘電体に窒化ア
ルミニウムと窒化シリコンの積層膜を用い友媒体で、ク
ランクは全く発生していない（ａ）。８１′は誘電体に
窒化シリコンのみを用いた媒体で、周方向にクラックが
発生している（ｂ）。８２′は誘電体に窒化アルミニウ
ムのみを用いｔ媒体で、径方向にクラックが発生してい
る（ｃ）う尚、本実験の基板は、直径１２αサイズのも
のであシ、見にカットし７１のを用いｆｃ６さらに耐候
性試験（６０℃９０チＲＨ）によりＴ３ｉｔ Ｅｒｒ、
コＲａｔｅ がどのように増加するのか全２Ａべ、を晧
来が第９１４であり、８０”、８１“。
８２“、８３ｇは８０．８１’、８２ 、８３ に対
応する構造で８０“は本発明による苓１図に示す構造の
媒体で、８１“は誘電体に窒化シリコンを用いｔもの、
８２“は誘電体に窒化アルミニウムを用いｔもの、８３
″は誘電体に５ｉ０２全用いｔものである。Ｑ軸はＢｉ
ｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ、横薗は耐侯性試験経過時
間である。この図から明らかなように本発明による媒体
８０″には、ＢＥＲの増加は見られないが、他の構造に
よる媒体ではＢＥＲの増加が激しく、特に８６′に示す
媒体の劣化が激しく、破線で示している所は、測定不可
能なほどＢＥＲが増加したごとを示している。この加速
試験結果による本発明媒体は、１０年以上のイぎ頼性を
保障できるものである。
応する構造で８０“は本発明による苓１図に示す構造の
媒体で、８１“は誘電体に窒化シリコンを用いｔもの、
８２“は誘電体に窒化アルミニウムを用いｔもの、８３
″は誘電体に５ｉ０２全用いｔものである。Ｑ軸はＢｉ
ｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ、横薗は耐侯性試験経過時
間である。この図から明らかなように本発明による媒体
８０″には、ＢＥＲの増加は見られないが、他の構造に
よる媒体ではＢＥＲの増加が激しく、特に８６′に示す
媒体の劣化が激しく、破線で示している所は、測定不可
能なほどＢＥＲが増加したごとを示している。この加速
試験結果による本発明媒体は、１０年以上のイぎ頼性を
保障できるものである。
〔実施例２〕
次に、種々の誘′こ体膜７ｚＰＭＭＡ基板に１１１１０
０Ａ成漢し、耐候性試１倹をおこなつ几結果のクラック
の発生方向を調ベアｃｏその結果が表１である。
０Ａ成漢し、耐候性試１倹をおこなつ几結果のクラック
の発生方向を調ベアｃｏその結果が表１である。
表 １
そこで径方向をでクラックの発生する誘電体と、周方向
にクラックの発生する誘電体を、Ｐ Ｍ Ｍ Ａ上に５
００Ａずつ積層し、６０℃９０チＲＨ１００（１時間の
加速試験でクラックが発生するかどうか調べた。その結
果が表２である５ 表 ２ 以上の結果から、径方向にクツツクの発生する誘′シ体
と周方向にクラックの発生する誘電体を積層することに
ｊ、！７、クラックの発生しｉい誘電体が出来ることが
わかった。そして、表２に示す積層誘電体膜音用い几光
愚気記録媒体は、性能指数、ＢＥＲとも加速試験で劣化
がなく１０年以上の僧頼性を保障できるものであつ九。
にクラックの発生する誘電体を、Ｐ Ｍ Ｍ Ａ上に５
００Ａずつ積層し、６０℃９０チＲＨ１００（１時間の
加速試験でクラックが発生するかどうか調べた。その結
果が表２である５ 表 ２ 以上の結果から、径方向にクツツクの発生する誘′シ体
と周方向にクラックの発生する誘電体を積層することに
ｊ、！７、クラックの発生しｉい誘電体が出来ることが
わかった。そして、表２に示す積層誘電体膜音用い几光
愚気記録媒体は、性能指数、ＢＥＲとも加速試験で劣化
がなく１０年以上の僧頼性を保障できるものであつ九。
又、当然のことながら３層、４＠と多劇化しても何ら問
題なく、さらにこの実権例２では最初にクラックの発生
する方向が径方向の＠電体膜を成、模しているが、これ
を周方向にクラックの発生する誘電体模にしても何らさ
しつかえない。又、本発明ｉｊＰＭＭＡ基板以外に、Ｐ
Ｃ基板、エポキシ樹脂塞板、紫外、蕨硬化樹脂付きガラ
ス基板でも有効である。
題なく、さらにこの実権例２では最初にクラックの発生
する方向が径方向の＠電体膜を成、模しているが、これ
を周方向にクラックの発生する誘電体模にしても何らさ
しつかえない。又、本発明ｉｊＰＭＭＡ基板以外に、Ｐ
Ｃ基板、エポキシ樹脂塞板、紫外、蕨硬化樹脂付きガラ
ス基板でも有効である。
〔実施例５〕
次に示す第２図は、本発明における光磁気記録層と透明
基板の間に複合誘電体膜を設は几光磁気記録媒体の断面
図である。８は溝付きＰＣ基板で溝ピッチ１．６μｍ、
冑１＠α８μｍ、溝深さ７００Ａのものである。このＰ
ＣＣ根板溝側に複合誘電体膜そ１０００′Ａ形成し九の
が９で、窒ｒヒアルミニウムと硫化亜鉛の複合である。
基板の間に複合誘電体膜を設は几光磁気記録媒体の断面
図である。８は溝付きＰＣ基板で溝ピッチ１．６μｍ、
冑１＠α８μｍ、溝深さ７００Ａのものである。このＰ
ＣＣ根板溝側に複合誘電体膜そ１０００′Ａ形成し九の
が９で、窒ｒヒアルミニウムと硫化亜鉛の複合である。
その上に１０として光磁気記録層Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ
ｅ ＣＯ膜３００λ？成膜し、１１は非晶質シリコン１
５０′にで、１２は反射膜としてアルミニウムｌｉ５［
ＪＯＡｉ作成した。この媒体で６０℃９０％ＲＨの加速
試”＝ＵＴｈおこなつ九結果、多層誘電体１摸を用い之
媒体と同様に１０００時間経過後もクラックの発生もな
く、性能指数、ＥＥＲとも変化がなかった。
ｅ ＣＯ膜３００λ？成膜し、１１は非晶質シリコン１
５０′にで、１２は反射膜としてアルミニウムｌｉ５［
ＪＯＡｉ作成した。この媒体で６０℃９０％ＲＨの加速
試”＝ＵＴｈおこなつ九結果、多層誘電体１摸を用い之
媒体と同様に１０００時間経過後もクラックの発生もな
く、性能指数、ＥＥＲとも変化がなかった。
このことより複合誘電体膜を用いても媒体の信頼性を１
０年保障できることがわかった。さらに、その他の複合
誘電体膜２ｐｃ基板上Ｋ １０００ Ａ底膜し、加庫試
′＊１０００時間後のクラック発生の有無音調べた。
０年保障できることがわかった。さらに、その他の複合
誘電体膜２ｐｃ基板上Ｋ １０００ Ａ底膜し、加庫試
′＊１０００時間後のクラック発生の有無音調べた。
その結果が表３である。
表５
以上の結果から、径方向にクラックの発生ずる誘電体と
周方向にクラックの発生する誘電体を複合ｆヒさせるこ
とに工り、クラックの発生しない誘電体が出来ることが
わかつ之。これらの複合１透′洸体膜の作成は、同時ス
パッタリング、もしくは共蒸着、もしくは複合誘電体を
ターゲットとしたスパッタあるいは反応性スパッタのい
ずれでもさしつかえない。さらに、基板もｐｃ基板以外
に、ＰＭＭＡ基板、エポキシ樹脂基板を用いてもよく、
紫外線硬化樹脂付きガラス基板を用いても何らさしつか
えない。そして、表３に示す複合誘電体膜を用い之光磁
気記鎌媒体は、性能指数、ＢＥＲとも加速試験で劣化が
なく、１０年以上の信頼性を保障できるものであつ念１
、 尚、本発明による積層誘電体膜及び複合誘電体膜音用い
友実施例は、光＄気記録層にＧｄＴｂＦｅＣ。
周方向にクラックの発生する誘電体を複合ｆヒさせるこ
とに工り、クラックの発生しない誘電体が出来ることが
わかつ之。これらの複合１透′洸体膜の作成は、同時ス
パッタリング、もしくは共蒸着、もしくは複合誘電体を
ターゲットとしたスパッタあるいは反応性スパッタのい
ずれでもさしつかえない。さらに、基板もｐｃ基板以外
に、ＰＭＭＡ基板、エポキシ樹脂基板を用いてもよく、
紫外線硬化樹脂付きガラス基板を用いても何らさしつか
えない。そして、表３に示す複合誘電体膜を用い之光磁
気記鎌媒体は、性能指数、ＢＥＲとも加速試験で劣化が
なく、１０年以上の信頼性を保障できるものであつ念１
、 尚、本発明による積層誘電体膜及び複合誘電体膜音用い
友実施例は、光＄気記録層にＧｄＴｂＦｅＣ。
を用い九が、ＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ 、 ＧｄＦ
ｅ 、 ＧｄＣｏ。
ｅ 、 ＧｄＣｏ。
ＴｂＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の重希土類遷移金属
型光磁気記録層を用いても何ら本発明をそこなわせるも
のでなく、さらｉ／ｉ：Ｓｍ、Ｎｄ等の軽希土類を添加
してもさしつかえない。又、本実権例では光磁気記録媒
体金述べたが、記録層の結晶構造を変化させ（結晶から
非晶質、又はその逆、あるいは大方晶から立方晶又はそ
の逆など）つまジ相変態全おこさせて反射率差を信号と
する畜き換え可能型光記録媒体あるいは記録７層に穴全
開ける、バブル全形成する、相変態ｔおこさせるなどに
よる追記型光記公媒体にも本発明は有効である。
型光磁気記録層を用いても何ら本発明をそこなわせるも
のでなく、さらｉ／ｉ：Ｓｍ、Ｎｄ等の軽希土類を添加
してもさしつかえない。又、本実権例では光磁気記録媒
体金述べたが、記録層の結晶構造を変化させ（結晶から
非晶質、又はその逆、あるいは大方晶から立方晶又はそ
の逆など）つまジ相変態全おこさせて反射率差を信号と
する畜き換え可能型光記録媒体あるいは記録７層に穴全
開ける、バブル全形成する、相変態ｔおこさせるなどに
よる追記型光記公媒体にも本発明は有効である。
以上述べ几如く、本発明にＬる光記録媒体においては、
長期間Ｃ／Ｎ、ＢＥＲが劣化せずクランクも生じない。
長期間Ｃ／Ｎ、ＢＥＲが劣化せずクランクも生じない。
本発明に：り光記録媒体の長期何頼注が飛躍的に向上し
、さらにガラスに直接溝全形成する必要もなく、プラス
チック基板が使用できることがら犬１＠なコストダウン
が計れるものである。又、り２ツクも発生せずに誘電体
全形底できることからカー回転角のエンノ・ンス効果も
■効に利用でき、Ｃ／Ｈの向上につながるものである。
、さらにガラスに直接溝全形成する必要もなく、プラス
チック基板が使用できることがら犬１＠なコストダウン
が計れるものである。又、り２ツクも発生せずに誘電体
全形底できることからカー回転角のエンノ・ンス効果も
■効に利用でき、Ｃ／Ｈの向上につながるものである。
第１図は多層誘電体膜を用い几光磁気記録媒体の断面図
である。第２１図は複合誘電体膜を用いた光磁気記録媒
体の断面図である。第３図は従来の光磁気記録媒体の断
面図である。第４図はガラス基板を用いた従来の光磁気
記録ノーの断面図である。第５図は光磁気記録ノーを誘
電体膜でサンドインチした従来の光磁気記録媒体の断面
図である。 第６図は反射膜を設は之従来の光磁気記録媒体の断面図
である。第７図は６０℃９０チＲＨの恒温恒湿槽中での
加速試験図である。第８図（ａ）は誘電体に窒化アルミ
ニウムと窒化シリコンの積層膜を用い定加速試験後の媒
体の模式図で、第８図（ｂ）は誘電体に窒化シリコンを
用い定加速試験後の媒体の模式図、そして第８図（ｃ）
は誘電体に窒化アルミニウムを用いた加速試験後の媒体
の模式筒である。 第９図は６０℃９０チＲＨ（７）耐候性試験によるＢ１
１ｅＲの経時変化図である。 １・・・・・・溝付きＰＭＭＡ基板 ２・・・・・・窒化アルミニウム膜２５０Ａ３・・・・
・・窒化シリコン膜５０１ＪＡイ・・・・・・窒化アル
ミニウム膜２５０Ａ５・・・・・・光磁気記録層ＧａＴ
ｂＦｅ膜３００Ａ６・・・・・・非晶質シリコン膜１５
０Ａ７・・・・・・反射膜アルミニウムＢ３ｏｏＡ８・
・・・・・溝付きＰＣ基板 ９・・・・・・窒化アルミニウムと硫化亜鉛の複合誘電
体膜 １０−・・−光磁気ｖ碌ｉ ＧｄＴｂＦｅＣｏ ［％
５００ Ａ１１・・・・・・非晶質シリコン１５０Ａ１
２・・・・・・反射膜アルミニウム膜３００Ａ３１・・
・・・・案内溝付きプラスチック基板（ＰＭＭＡ。 ｐｃ、エポキシ樹脂等） ５２・・・・・・光迅気記録層 ３３・・・・・・Ｓ ｉ ０２等誘′１体膜４１・・・
・・ガラス基板 ４２・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ４３・・・・・・光磁気記録■ ４４・・・・・・誘電体層 ５１・・・・・・プラスチック基板又は紫外線硬化樹脂
付きガラス基板 ５２・・・・・・５１０２等透’、Ｗ体膜５３・・・・
・・光小気記録層 ５４・・・・・・ｓ ｉ ｏ２等Ｌｆｇ ’Ｍ体層６１
・・・・・・反射膜アルミニウム、銅など８０・・・・
・・本発明の光磁気記録媒体８１・・・・・・誘電体に
窒化アルミニウムのみを用いたもの ８２・・・・・・誘電体に窒化アルミニウムのみを用い
たもの ８３・・・・・・誘電体にＳ ｉ ｏ、、の＋金円いた
もの８０′・・・・・・８０に対応 ８１′・・・・・・８１に対応 ８２′・・・・・・８２に対応 ８ Ｕ’・・・・・・８０に対応 ８１“・・・・・・８１に対応 ８２″・・・・・・８２に対応 ８３″・・・・・８３に対応 以 上 第７１］ 笛２）１ □ ４１ ガ゛ラズ導し版ｒ肩ν・久 嬶の 光区在へわ録媒体の断面図 葛４図 ハノ！；１ 」５糟婆（歯シ季球ン曽（交１９１Ｃイ咋→用喀マ゛丈
ンＦ′イ・ンフ１７ノミ７従来の上図式わ考３（体Ｑ耐
面図 葛５図 ８０ヴ１も羽の是彦昨馬ｊｂ夛す轢イト６０６０ヲＯ％
ＰＩ−１の・を亘温寸亘湿糟中７゛め刀口進［ｇ六へ拐
（四〇 身＜ ７ ｗ １つ ８ 図 （Ｌ） 肴う ８１玉コ （Ｃ） Ｇｏ’（、ヲ０％Ｒ）−１／）耐候性ｔ＜ｔｃ 膚ＩＢ
ＥＲ’の釉−変イと３図 名 ７図
である。第２１図は複合誘電体膜を用いた光磁気記録媒
体の断面図である。第３図は従来の光磁気記録媒体の断
面図である。第４図はガラス基板を用いた従来の光磁気
記録ノーの断面図である。第５図は光磁気記録ノーを誘
電体膜でサンドインチした従来の光磁気記録媒体の断面
図である。 第６図は反射膜を設は之従来の光磁気記録媒体の断面図
である。第７図は６０℃９０チＲＨの恒温恒湿槽中での
加速試験図である。第８図（ａ）は誘電体に窒化アルミ
ニウムと窒化シリコンの積層膜を用い定加速試験後の媒
体の模式図で、第８図（ｂ）は誘電体に窒化シリコンを
用い定加速試験後の媒体の模式図、そして第８図（ｃ）
は誘電体に窒化アルミニウムを用いた加速試験後の媒体
の模式筒である。 第９図は６０℃９０チＲＨ（７）耐候性試験によるＢ１
１ｅＲの経時変化図である。 １・・・・・・溝付きＰＭＭＡ基板 ２・・・・・・窒化アルミニウム膜２５０Ａ３・・・・
・・窒化シリコン膜５０１ＪＡイ・・・・・・窒化アル
ミニウム膜２５０Ａ５・・・・・・光磁気記録層ＧａＴ
ｂＦｅ膜３００Ａ６・・・・・・非晶質シリコン膜１５
０Ａ７・・・・・・反射膜アルミニウムＢ３ｏｏＡ８・
・・・・・溝付きＰＣ基板 ９・・・・・・窒化アルミニウムと硫化亜鉛の複合誘電
体膜 １０−・・−光磁気ｖ碌ｉ ＧｄＴｂＦｅＣｏ ［％
５００ Ａ１１・・・・・・非晶質シリコン１５０Ａ１
２・・・・・・反射膜アルミニウム膜３００Ａ３１・・
・・・・案内溝付きプラスチック基板（ＰＭＭＡ。 ｐｃ、エポキシ樹脂等） ５２・・・・・・光迅気記録層 ３３・・・・・・Ｓ ｉ ０２等誘′１体膜４１・・・
・・ガラス基板 ４２・・・・・・紫外線硬化樹脂層 ４３・・・・・・光磁気記録■ ４４・・・・・・誘電体層 ５１・・・・・・プラスチック基板又は紫外線硬化樹脂
付きガラス基板 ５２・・・・・・５１０２等透’、Ｗ体膜５３・・・・
・・光小気記録層 ５４・・・・・・ｓ ｉ ｏ２等Ｌｆｇ ’Ｍ体層６１
・・・・・・反射膜アルミニウム、銅など８０・・・・
・・本発明の光磁気記録媒体８１・・・・・・誘電体に
窒化アルミニウムのみを用いたもの ８２・・・・・・誘電体に窒化アルミニウムのみを用い
たもの ８３・・・・・・誘電体にＳ ｉ ｏ、、の＋金円いた
もの８０′・・・・・・８０に対応 ８１′・・・・・・８１に対応 ８２′・・・・・・８２に対応 ８ Ｕ’・・・・・・８０に対応 ８１“・・・・・・８１に対応 ８２″・・・・・・８２に対応 ８３″・・・・・８３に対応 以 上 第７１］ 笛２）１ □ ４１ ガ゛ラズ導し版ｒ肩ν・久 嬶の 光区在へわ録媒体の断面図 葛４図 ハノ！；１ 」５糟婆（歯シ季球ン曽（交１９１Ｃイ咋→用喀マ゛丈
ンＦ′イ・ンフ１７ノミ７従来の上図式わ考３（体Ｑ耐
面図 葛５図 ８０ヴ１も羽の是彦昨馬ｊｂ夛す轢イト６０６０ヲＯ％
ＰＩ−１の・を亘温寸亘湿糟中７゛め刀口進［ｇ六へ拐
（四〇 身＜ ７ ｗ １つ ８ 図 （Ｌ） 肴う ８１玉コ （Ｃ） Ｇｏ’（、ヲ０％Ｒ）−１／）耐候性ｔ＜ｔｃ 膚ＩＢ
ＥＲ’の釉−変イと３図 名 ７図
Claims (5)
- （１）透明基板の片面に光記録層を形成し、前記光記録
層に集光したレーザ光を照射することにより、情報を記
録、再生あるいは消去する光記録媒体において、前記透
明基板上に形成した誘電体膜に発生するクラックの方向
が少なくとも径方向に存在するものを誘電体類Ａ、クラ
ックの発生する方向が少なくとも周方向に存在するもの
を誘電体類Ｂとしたとき、前記透明基板と前記光記録層
の間に前記誘電体類Ａに属する誘電体膜と前記誘電体類
Ｂに属する誘電体膜を少なくとも２層以上積層するか、
もしくは前記誘電体類Ａに属する誘電体と前記誘電体類
Ｂに属する誘電体とを少なくとも２成分以上混合した複
合誘電体膜を設けたことを特徴とする光記録媒体。 - （２）前記光記録層が光磁気記録層であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （３）前記光記録層が相変態を利用した記録層であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
。 - （４）前記複合誘電体膜が同時スパッタ、もしくは共蒸
着、もしくは複合誘電体をターゲットとしたスパッタあ
るいは反応性スパッタのいずれかにより成膜されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - （５）前記誘電体類Ａに属する誘電体が、窒化アルミニ
ウム、炭化シリコンであり、前記誘電体類Ｂに属する誘
電体が、窒化シリコン、硫化亜鉛、窒化チタン、窒化ジ
ルコニウム、窒化ハフニウム、炭化チタン、炭化ジルコ
ニウムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181351A JPH0831220B2 (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光記録媒体 |
| US06/819,659 US4801499A (en) | 1985-01-24 | 1986-01-17 | Optical recording medium |
| US07/855,442 US6077585A (en) | 1985-01-24 | 1992-03-19 | Optical recording medium and method of preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181351A JPH0831220B2 (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 光記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2387395A Division JPH07254181A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242350A true JPS6242350A (ja) | 1987-02-24 |
| JPH0831220B2 JPH0831220B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16099189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181351A Expired - Lifetime JPH0831220B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-08-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831220B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07254181A (ja) * | 1995-02-13 | 1995-10-03 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| US5477453A (en) * | 1992-08-06 | 1995-12-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Virtual elastic component simulator |
| US5572440A (en) * | 1991-02-06 | 1996-11-05 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Motor vehicle vibrating system and method of controlling same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011355A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-21 | 日東電工株式会社 | オ−バ−レイ合板の製造方法 |
| JPS6122458A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6174797A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Nippon Steel Corp | サブマ−ジア−ク溶接用焼成型フラックス |
| JPS6180640A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6192459A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6192456A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60181351A patent/JPH0831220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011355A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-21 | 日東電工株式会社 | オ−バ−レイ合板の製造方法 |
| JPS6122458A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6174797A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Nippon Steel Corp | サブマ−ジア−ク溶接用焼成型フラックス |
| JPS6180640A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6192459A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6192456A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5572440A (en) * | 1991-02-06 | 1996-11-05 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Motor vehicle vibrating system and method of controlling same |
| US5602759A (en) * | 1991-02-06 | 1997-02-11 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Motor vehicle vibrating system |
| US5477453A (en) * | 1992-08-06 | 1995-12-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Virtual elastic component simulator |
| JPH07254181A (ja) * | 1995-02-13 | 1995-10-03 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831220B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |