JPH03122845A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH03122845A JPH03122845A JP1258883A JP25888389A JPH03122845A JP H03122845 A JPH03122845 A JP H03122845A JP 1258883 A JP1258883 A JP 1258883A JP 25888389 A JP25888389 A JP 25888389A JP H03122845 A JPH03122845 A JP H03122845A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く利用分野〉
本発明はレーザー等の光により、情報の記録、再生、消
去等を行なう光記録媒体に関する。更に詳細には、金属
反射層を有する光記録媒体に関する。
去等を行なう光記録媒体に関する。更に詳細には、金属
反射層を有する光記録媒体に関する。
〈従来技術〉
光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種々
の研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されており、その実用化が待望されている。
の研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されており、その実用化が待望されている。
上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭52−
31703号公報記載のFeTb、特開昭56−126
907号公報記載のFeTbGd、特開昭58−737
46号公報記載のFeTbCo、FeCoDy、特開昭
61−165846号公報記載のFeNd等既に多くの
提案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁気
記録媒体の実用化には、記録、再生特性のより一層の向
上が必要である。
31703号公報記載のFeTb、特開昭56−126
907号公報記載のFeTbGd、特開昭58−737
46号公報記載のFeTbCo、FeCoDy、特開昭
61−165846号公報記載のFeNd等既に多くの
提案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁気
記録媒体の実用化には、記録、再生特性のより一層の向
上が必要である。
これに対し、光磁気記録層上、もしくはその上に誘電体
層を介して金属反射層を設ける方法が提案されている。
層を介して金属反射層を設ける方法が提案されている。
この方式はカー効果とファラデー効果の併用により高い
C/N比を得る点で優れている。従来この金属反射層と
して、A1を用いたもの(特開昭58−83346号公
報、特開昭59−132434号公報、) 、Cuを用
いたもの(特開昭59−8150号公報)、A1系合金
を用いたもの(特開昭62−137743号公報、特開
昭64−4938号公報)、ステンレスを用いたもの(
特開昭59−171054号公報) 、Teを用いたも
の(特開昭62−52744号公報)、非晶質金属膜を
用いたらのく特開昭61−57053号公報)等が提案
されている。しかしながら、高反射率のAg、A1゜C
u等を用いた場合にはその熱伝導性のため記録感度が大
幅に低下し、一方比較的熱伝導性の低いステンレス、T
eを用いた場合には記録感度は向上するが反射率が低い
ため、十分なC/N比が得られないという問題を有する
。
C/N比を得る点で優れている。従来この金属反射層と
して、A1を用いたもの(特開昭58−83346号公
報、特開昭59−132434号公報、) 、Cuを用
いたもの(特開昭59−8150号公報)、A1系合金
を用いたもの(特開昭62−137743号公報、特開
昭64−4938号公報)、ステンレスを用いたもの(
特開昭59−171054号公報) 、Teを用いたも
の(特開昭62−52744号公報)、非晶質金属膜を
用いたらのく特開昭61−57053号公報)等が提案
されている。しかしながら、高反射率のAg、A1゜C
u等を用いた場合にはその熱伝導性のため記録感度が大
幅に低下し、一方比較的熱伝導性の低いステンレス、T
eを用いた場合には記録感度は向上するが反射率が低い
ため、十分なC/N比が得られないという問題を有する
。
また高温多湿化での記録層の劣化があり、これら金属層
で記録層を保護する問題がある。
で記録層を保護する問題がある。
これらの問題に対し、AIへのTa添加(特開昭64−
4938号公報)、Au、八g、 AI、 CIJへの
Ti、 Hg、希土類の添加(特開昭59−38781
号公報) 、AIへのCu−Hg合金、Hg−3i合金
、Cr、 Sn、 Hgの添加(特開昭82−2393
49号公報)、A1へのTi添加(特開昭62−137
743号公報、特開昭64−66847号公報)等の各
種合金膜が提案されている。しかし、これらの従来の合
金膜により、高反射率を保持したままで熱伝導率を改善
することは可能であるが、高温多湿化での耐久性を改善
するには、添加元素をかなりの量添加する必要があり、
これに必要な量添加すると反射層として必要な高反射率
を保持することはできず、反射層及び保護層の両機能を
満足するものが得られない。
4938号公報)、Au、八g、 AI、 CIJへの
Ti、 Hg、希土類の添加(特開昭59−38781
号公報) 、AIへのCu−Hg合金、Hg−3i合金
、Cr、 Sn、 Hgの添加(特開昭82−2393
49号公報)、A1へのTi添加(特開昭62−137
743号公報、特開昭64−66847号公報)等の各
種合金膜が提案されている。しかし、これらの従来の合
金膜により、高反射率を保持したままで熱伝導率を改善
することは可能であるが、高温多湿化での耐久性を改善
するには、添加元素をかなりの量添加する必要があり、
これに必要な量添加すると反射層として必要な高反射率
を保持することはできず、反射層及び保護層の両機能を
満足するものが得られない。
〈発明の目的〉
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、金属反射層
の改良により高感度で高C/N比の特性を有し、かつ耐
久性に優れた光記録媒体を提供することを目的としたも
のである。
の改良により高感度で高C/N比の特性を有し、かつ耐
久性に優れた光記録媒体を提供することを目的としたも
のである。
〈発明の構成及び作用効果〉
上述の目的は以下の本発明により達成される。
すなわち、本発明は、金属反射層を有する光記録媒体に
おいて、該金属反射層がAgにY(イツトリウム)、R
e(レニウム)、Sn(すず)の少なくとも一種を含有
せしめたAQ合金からなることを特徴とする光記録媒体
である。
おいて、該金属反射層がAgにY(イツトリウム)、R
e(レニウム)、Sn(すず)の少なくとも一種を含有
せしめたAQ合金からなることを特徴とする光記録媒体
である。
上述の本発明は以下のようにしてなされたものである。
すなわち、本発明者らは上述の欠点を克服すべく鋭意検
討した結果、該金属反射層をAUにY、 Re、 Sn
を含有せしめた八〇合金とすることにより、従来例の酊
反射膜に比較して記録感度、C/Nが高く、更に経時安
定性に優れた光磁気記録媒体が得られることを見出し、
上述の本発明に想到した。
討した結果、該金属反射層をAUにY、 Re、 Sn
を含有せしめた八〇合金とすることにより、従来例の酊
反射膜に比較して記録感度、C/Nが高く、更に経時安
定性に優れた光磁気記録媒体が得られることを見出し、
上述の本発明に想到した。
上記の通り本発明の金属反射層を形成する合金は、Y、
Re、 Snの少なくとも1種を含有するAΩ合金で
ある。 Y、 Re、 Snの含有量は充分微量でも
効果があり、実用上から0,1〜30at%(原子%)
の範囲が好ましい、 01at%より少ないと記録感度
向上効果が低下するとともに経時安定性の向上効果も低
下する。一方30at%より多くなると反射率が低下し
、C/Hの低下が大きくなる。なお、Y。
Re、 Snの少なくとも1種を含有するAΩ合金で
ある。 Y、 Re、 Snの含有量は充分微量でも
効果があり、実用上から0,1〜30at%(原子%)
の範囲が好ましい、 01at%より少ないと記録感度
向上効果が低下するとともに経時安定性の向上効果も低
下する。一方30at%より多くなると反射率が低下し
、C/Hの低下が大きくなる。なお、Y。
Re、 Snの含有量は、感度向上効果が大きく、且つ
C/Nも高くてその低下が比較的小さい点で2〜15a
t%がより好ましい。
C/Nも高くてその低下が比較的小さい点で2〜15a
t%がより好ましい。
この金属反射層の膜厚は100〜1000人が好ましく
、200〜700人が更に好ましい、厚すぎる場合には
感度が低下し、薄すぎる場合には反射率が低下する。こ
れら金属反射層の形成方法としては、公知の真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、
CVD法などが考えられるが、下地層との接着性、合金
組成の制御性、組成分布などの点でスパッタリング法が
好ましい。
、200〜700人が更に好ましい、厚すぎる場合には
感度が低下し、薄すぎる場合には反射率が低下する。こ
れら金属反射層の形成方法としては、公知の真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、
CVD法などが考えられるが、下地層との接着性、合金
組成の制御性、組成分布などの点でスパッタリング法が
好ましい。
また膜の堆積速度、ガス圧などは、生産性、膜応力を考
慮し、適宜選択される。
慮し、適宜選択される。
本発明の光記録媒体としては、前述の光磁気記録媒体の
他、周知のコンパクトディスク、ビデオディスク等反射
膜を用いるものであれば特に限定されないことは本発明
の趣旨から明らかである。
他、周知のコンパクトディスク、ビデオディスク等反射
膜を用いるものであれば特に限定されないことは本発明
の趣旨から明らかである。
中でも光磁気記録媒体に特に好ましく適用できる。
ところで、この光磁気記録媒体は、記録層としては、光
熱磁気効果により記録できるものであればよく、公知の
、膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、磁気光学効
果の大きい磁性金属薄膜、例えば前述のFeTb合金、
FeTbCo合金、FeTbGd合金及びNdDyFe
Co合金、等の希土類元素−遷移金属元素の非晶質合金
が代表例として挙げられる。光磁気記録層の膜厚は15
0〜1000A 、好ましくは200〜500 Aであ
る。
熱磁気効果により記録できるものであればよく、公知の
、膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、磁気光学効
果の大きい磁性金属薄膜、例えば前述のFeTb合金、
FeTbCo合金、FeTbGd合金及びNdDyFe
Co合金、等の希土類元素−遷移金属元素の非晶質合金
が代表例として挙げられる。光磁気記録層の膜厚は15
0〜1000A 、好ましくは200〜500 Aであ
る。
またその積層構成は、その金属反射層が光磁気記録層の
光入射面と反対側に形成される点を除いてその構成は特
に限定されない、なお、金属反射層は光磁気記録層上に
直接設けても、またその上に感度、C/N向上の目的で
透明誘電体層を介して設けてもよい、しかし本発明の特
定のA(1合金からなる金属反射膜は光磁気記録層に接
して直接設けた構成で、その記録感度とC/Nにおいて
実用上充分といわれる性能を示し、上記透明誘電体層が
不要となるので、この構成は生産性と媒体コストの観点
より好ましい。
光入射面と反対側に形成される点を除いてその構成は特
に限定されない、なお、金属反射層は光磁気記録層上に
直接設けても、またその上に感度、C/N向上の目的で
透明誘電体層を介して設けてもよい、しかし本発明の特
定のA(1合金からなる金属反射膜は光磁気記録層に接
して直接設けた構成で、その記録感度とC/Nにおいて
実用上充分といわれる性能を示し、上記透明誘電体層が
不要となるので、この構成は生産性と媒体コストの観点
より好ましい。
なお、光磁気記録層と金属反射層との間に、透明誘電体
層を設ける場合においても、この透明誘電体層は最適性
能を得るためには600Å以下と薄くする必要があり、
その断熱作用が小さくなるため、本発明は効果的である
。また、−船釣に、該透明誘電体層が厚くなる程、その
断熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜のA(]に対
する前記特定の元素の含有量は少なくてよい。
層を設ける場合においても、この透明誘電体層は最適性
能を得るためには600Å以下と薄くする必要があり、
その断熱作用が小さくなるため、本発明は効果的である
。また、−船釣に、該透明誘電体層が厚くなる程、その
断熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜のA(]に対
する前記特定の元素の含有量は少なくてよい。
また上述の光磁気記録媒体は、また、基板と光磁気記録
層の間に、C/N向上、媒体の反射率低減、さらには透
湿防止の目的で透明誘電体層を設けてもよい。
層の間に、C/N向上、媒体の反射率低減、さらには透
湿防止の目的で透明誘電体層を設けてもよい。
上記構成に用いる基板側、金属反射層側の両透明誘電体
層としては、その目的により光干渉効果、カー効果エン
ハンスメント等の効果を奏することが必要で、ある程度
以上の高屈折率を有することが好ましい、また使用する
レーザー光に透明であることが必要であり、透明誘電体
層としては公知の通り金属の酸化物、窒化物、硫化物、
炭化物、弗化物もしくはこれらの複合体が適用できる。
層としては、その目的により光干渉効果、カー効果エン
ハンスメント等の効果を奏することが必要で、ある程度
以上の高屈折率を有することが好ましい、また使用する
レーザー光に透明であることが必要であり、透明誘電体
層としては公知の通り金属の酸化物、窒化物、硫化物、
炭化物、弗化物もしくはこれらの複合体が適用できる。
具体的にはSin、 5i02. Inz Oa、 5
n02. Ta1Os 。
n02. Ta1Os 。
^1siN 、 八1siON、 八IN 、
SiN 、TiN 、ZnS 。
SiN 、TiN 、ZnS 。
8gF2.AIF、、SiC及びこれらの複合物が挙げ
られるが、これに限定されないことは言うまでもない、
またパリレン、ポリイミド、パラフィンなど有機物も適
用できる。これら透明誘電体層の膜厚は、媒体構成、屈
折率により最適値が変化し、−a的に決めることはでき
ないが、通常400〜1500人程度、特に500〜1
000人が好適に用いられる。これら透明誘電体層は公
知の常法により達成される0例えば前述の無機物よりな
るものは公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ビームスパッタリング法、CVD法等で作製される。
られるが、これに限定されないことは言うまでもない、
またパリレン、ポリイミド、パラフィンなど有機物も適
用できる。これら透明誘電体層の膜厚は、媒体構成、屈
折率により最適値が変化し、−a的に決めることはでき
ないが、通常400〜1500人程度、特に500〜1
000人が好適に用いられる。これら透明誘電体層は公
知の常法により達成される0例えば前述の無機物よりな
るものは公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ビームスパッタリング法、CVD法等で作製される。
また基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、4−メチルペンテン樹脂及
びそれらの変成品などが好適に用いられるが、機械的強
度1価格、耐候性、ff1f熱性。
ネート樹脂、エポキシ樹脂、4−メチルペンテン樹脂及
びそれらの変成品などが好適に用いられるが、機械的強
度1価格、耐候性、ff1f熱性。
透湿量の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
以下本発明の光磁気記録媒体は公知の通り通常耐擦傷性
、より一層の耐久性の向上のため更に有機樹脂からなる
保護層で被覆して使用される。
、より一層の耐久性の向上のため更に有機樹脂からなる
保護層で被覆して使用される。
かかる有ta樹脂として公知のもと同様紫外線硬化樹脂
、熱硬化樹脂等が適用される。更に、公知の通り2枚を
記録層が内側になるように貼り合わせて両面媒体として
も使用される。
、熱硬化樹脂等が適用される。更に、公知の通り2枚を
記録層が内側になるように貼り合わせて両面媒体として
も使用される。
以下、本発明の光磁気記録媒体での実施例を説明するが
、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
〈実施例、比較例〉
直径130鰭、厚さ1.2市の円盤で1.6μmピッチ
のグループを有するポリカーボネート樹脂(PC)製の
ディスク基板を、3ターゲツト設置可能な高周波マグネ
トロンスパッタ装置(アルバック製5BH−5110)
の真空槽内に固定し、5X10−TTorrになるまで
排気した。
のグループを有するポリカーボネート樹脂(PC)製の
ディスク基板を、3ターゲツト設置可能な高周波マグネ
トロンスパッタ装置(アルバック製5BH−5110)
の真空槽内に固定し、5X10−TTorrになるまで
排気した。
次にAr、 N2混合ガス(Ar:Nz±70 : 3
0v。
0v。
%)を真空槽内に導入し、圧力5n+Torrになるよ
うにAr/ N2混合ガス流量を調整した。ターゲット
としては直径150mtr、厚さ5關のAl3O3+7
0 (以下、添数字は組成(原子%)を示す)の焼結体
からなる円盤を用い、放電電力50014.放電周波数
13.56MHzで高周波スパッタリングを行ない、透
明誘電体としてA1゜5Si25N5oを約800人堆
積した。
うにAr/ N2混合ガス流量を調整した。ターゲット
としては直径150mtr、厚さ5關のAl3O3+7
0 (以下、添数字は組成(原子%)を示す)の焼結体
からなる円盤を用い、放電電力50014.放電周波数
13.56MHzで高周波スパッタリングを行ない、透
明誘電体としてA1゜5Si25N5oを約800人堆
積した。
続いて光磁気記録層として、■b23Fe69C08合
金ターゲットを用い、^rガス圧61TOrr、放電電
力200W、放電周波数13.56MHzの条件で高周
波スパッタリングを行ない、約300人のTbFeCo
合金膜を堆積した。
金ターゲットを用い、^rガス圧61TOrr、放電電
力200W、放電周波数13.56MHzの条件で高周
波スパッタリングを行ない、約300人のTbFeCo
合金膜を堆積した。
更に引き続いて光磁気記録層と同じ条件で高周波スパッ
タリングを行ない、表1の各組成で400人の金属反射
層を堆積し、PC基板/^1siN/TbFeCo/金
属反射層の堆積構成の光磁気ディスクのサンプルを得た
。金属反射層の各Ag合金膜は5市の正方形の各チップ
を配置したA(]タターゲラを用い、量はチップの数を
変化させて各組成に調整して形成した。比較例1はA(
l膜でA(]タターゲラのみを用いて形成した。
タリングを行ない、表1の各組成で400人の金属反射
層を堆積し、PC基板/^1siN/TbFeCo/金
属反射層の堆積構成の光磁気ディスクのサンプルを得た
。金属反射層の各Ag合金膜は5市の正方形の各チップ
を配置したA(]タターゲラを用い、量はチップの数を
変化させて各組成に調整して形成した。比較例1はA(
l膜でA(]タターゲラのみを用いて形成した。
これら各層の形成時において、PC基板は20rplで
回転させた。
回転させた。
得られたサンプルの評価は、記録感度と直結した最適記
録レーザーパワーとC/Nで行なった。
録レーザーパワーとC/Nで行なった。
これらの測定は、光磁気記録再生装置(ナカミチ0H3
−1000)を用い、下記の条件で書き込み時の半導体
レーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高調波が最
小となる時を最適記録条件として行なった。
−1000)を用い、下記の条件で書き込み時の半導体
レーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高調波が最
小となる時を最適記録条件として行なった。
[記録条件]
ディスク回転速度: 1800rprQ、記録トラック
位置二半径30市位置、記録周波数: 1.024MH
z、印加磁界:500エルステツド、レーザー光波長:
30ni [再生条件] ディスク回転速度: 1800ron 、続出レーザー
パワー: 0.81W 、レーザー光波長: 830n
n+最適記録入力及びC/Hの測定結果を表−1に示す
。
位置二半径30市位置、記録周波数: 1.024MH
z、印加磁界:500エルステツド、レーザー光波長:
30ni [再生条件] ディスク回転速度: 1800ron 、続出レーザー
パワー: 0.81W 、レーザー光波長: 830n
n+最適記録入力及びC/Hの測定結果を表−1に示す
。
なお、表−1の比較例1の最適記録レーザーパワーの桐
の201W以上は、用いたレーザーの最大出力10nW
でも記録できず、ディスク回転速度を上述の半分に低下
して最大出力101にで記録した時少しの再生信号が得
られたことを表わしたものである。
の201W以上は、用いたレーザーの最大出力10nW
でも記録できず、ディスク回転速度を上述の半分に低下
して最大出力101にで記録した時少しの再生信号が得
られたことを表わしたものである。
表−1
のディスクではC/N、外観とも全く変化がなく、本発
明の金属反射膜は、反射膜自体が耐久性に優れると共に
記録膜の劣化を防止する保護機能も有することが確認さ
れた。
明の金属反射膜は、反射膜自体が耐久性に優れると共に
記録膜の劣化を防止する保護機能も有することが確認さ
れた。
以上、実施例に示した如く、本発明のY、 R(i。
Snを含有したA(]合金からなる金属反射膜では、記
録感度が良く、C/N感度が優れ、かつ耐久性も高い光
磁気記録媒体を得ることができる。特にY。
録感度が良く、C/N感度が優れ、かつ耐久性も高い光
磁気記録媒体を得ることができる。特にY。
Re、 Snの含有量が15at%(原子%)以下の範
囲はC/Nが高く、かつ最適記録入力の低下すなわち記
録感度の向上も大きく本発明の効果が顕著であり、特に
好ましいことがわかる。
囲はC/Nが高く、かつ最適記録入力の低下すなわち記
録感度の向上も大きく本発明の効果が顕著であり、特に
好ましいことがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)金属反射層を有する光記録媒体において、該金属反
射層がY、Re、Sn少なくとも一種を含有せしめたA
g合金からなることを特徴とする光記録媒体。 2)前記Y、Re、Snの含有量が0.1〜30at%
である請求項第1項記載の光記録媒体。 3)前記金属反射層が光記録層に接して設けられた請求
項第1項又は第2項又は第4項の光記録媒体。 4)光記録層が光磁気記録層である請求項第3項記載の
光記録媒体。 5)前記Y、Re、Snの含有量が2〜15at%であ
る請求項第2項、第3項又は第4項記載の光記録媒体
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1258883A JPH03122845A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1258883A JPH03122845A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03122845A true JPH03122845A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17326355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1258883A Pending JPH03122845A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03122845A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002237097A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-08-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光学記録媒体 |
US7645500B2 (en) * | 2003-04-18 | 2010-01-12 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US8232042B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage medium, reproducing method, and recording method |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP1258883A patent/JPH03122845A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002237097A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-08-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光学記録媒体 |
US7645500B2 (en) * | 2003-04-18 | 2010-01-12 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US8232042B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage medium, reproducing method, and recording method |
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