JPH03122845A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く利用分野〉 本発明はレーザー等の光により、情報の記録、再生、消
去等を行なう光記録媒体に関する。更に詳細には、金属
反射層を有する光記録媒体に関する。

〈従来技術〉 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種々
の研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されており、その実用化が待望されている。

上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭５２−
３１７０３号公報記載のＦｅＴｂ、特開昭５６−１２６
９０７号公報記載のＦｅＴｂＧｄ、特開昭５８−７３７
４６号公報記載のＦｅＴｂＣｏ、ＦｅＣｏＤｙ、特開昭
６１−１６５８４６号公報記載のＦｅＮｄ等既に多くの
提案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁気
記録媒体の実用化には、記録、再生特性のより一層の向
上が必要である。

これに対し、光磁気記録層上、もしくはその上に誘電体
層を介して金属反射層を設ける方法が提案されている。

この方式はカー効果とファラデー効果の併用により高い
Ｃ／Ｎ比を得る点で優れている。従来この金属反射層と
して、Ａ１を用いたもの（特開昭５８−８３３４６号公
報、特開昭５９−１３２４３４号公報、）　、Ｃｕを用
いたもの（特開昭５９−８１５０号公報）、Ａ１系合金
を用いたもの（特開昭６２−１３７７４３号公報、特開
昭６４−４９３８号公報）、ステンレスを用いたもの（
特開昭５９−１７１０５４号公報）　、Ｔｅを用いたも
の（特開昭６２−５２７４４号公報）、非晶質金属膜を
用いたらのく特開昭６１−５７０５３号公報）等が提案
されている。しかしながら、高反射率のＡｇ、Ａ１゜Ｃ
ｕ等を用いた場合にはその熱伝導性のため記録感度が大
幅に低下し、一方比較的熱伝導性の低いステンレス、Ｔ
ｅを用いた場合には記録感度は向上するが反射率が低い
ため、十分なＣ／Ｎ比が得られないという問題を有する
。

また高温多湿化での記録層の劣化があり、これら金属層
で記録層を保護する問題がある。

これらの問題に対し、ＡＩへのＴａ添加（特開昭６４−
４９３８号公報）、Ａｕ、八ｇ、　ＡＩ、　ＣＩＪへの
Ｔｉ、　Ｈｇ、希土類の添加（特開昭５９−３８７８１
号公報）　、ＡＩへのＣｕ−Ｈｇ合金、Ｈｇ−３ｉ合金
、Ｃｒ、　Ｓｎ、　Ｈｇの添加（特開昭８２−２３９３
４９号公報）、Ａ１へのＴｉ添加（特開昭６２−１３７
７４３号公報、特開昭６４−６６８４７号公報）等の各
種合金膜が提案されている。しかし、これらの従来の合
金膜により、高反射率を保持したままで熱伝導率を改善
することは可能であるが、高温多湿化での耐久性を改善
するには、添加元素をかなりの量添加する必要があり、
これに必要な量添加すると反射層として必要な高反射率
を保持することはできず、反射層及び保護層の両機能を
満足するものが得られない。

〈発明の目的〉 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、金属反射層
の改良により高感度で高Ｃ／Ｎ比の特性を有し、かつ耐
久性に優れた光記録媒体を提供することを目的としたも
のである。

〈発明の構成及び作用効果〉 上述の目的は以下の本発明により達成される。

すなわち、本発明は、金属反射層を有する光記録媒体に
おいて、該金属反射層がＡｇにＹ（イツトリウム）、Ｒ
ｅ（レニウム）、Ｓｎ（すず）の少なくとも一種を含有
せしめたＡＱ合金からなることを特徴とする光記録媒体
である。

上述の本発明は以下のようにしてなされたものである。

すなわち、本発明者らは上述の欠点を克服すべく鋭意検
討した結果、該金属反射層をＡＵにＹ、　Ｒｅ、　Ｓｎ
を含有せしめた八〇合金とすることにより、従来例の酊
反射膜に比較して記録感度、Ｃ／Ｎが高く、更に経時安
定性に優れた光磁気記録媒体が得られることを見出し、
上述の本発明に想到した。

上記の通り本発明の金属反射層を形成する合金は、Ｙ、
　Ｒｅ、　Ｓｎの少なくとも１種を含有するＡΩ合金で
ある。　　Ｙ、　Ｒｅ、　Ｓｎの含有量は充分微量でも
効果があり、実用上から０，１〜３０ａｔ％（原子％）
の範囲が好ましい、　０１ａｔ％より少ないと記録感度
向上効果が低下するとともに経時安定性の向上効果も低
下する。一方３０ａｔ％より多くなると反射率が低下し
、Ｃ／Ｈの低下が大きくなる。なお、Ｙ。

Ｒｅ、　Ｓｎの含有量は、感度向上効果が大きく、且つ
Ｃ／Ｎも高くてその低下が比較的小さい点で２〜１５ａ
ｔ％がより好ましい。

この金属反射層の膜厚は１００〜１０００人が好ましく
、２００〜７００人が更に好ましい、厚すぎる場合には
感度が低下し、薄すぎる場合には反射率が低下する。こ
れら金属反射層の形成方法としては、公知の真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、
ＣＶＤ法などが考えられるが、下地層との接着性、合金
組成の制御性、組成分布などの点でスパッタリング法が
好ましい。

また膜の堆積速度、ガス圧などは、生産性、膜応力を考
慮し、適宜選択される。

本発明の光記録媒体としては、前述の光磁気記録媒体の
他、周知のコンパクトディスク、ビデオディスク等反射
膜を用いるものであれば特に限定されないことは本発明
の趣旨から明らかである。

中でも光磁気記録媒体に特に好ましく適用できる。

ところで、この光磁気記録媒体は、記録層としては、光
熱磁気効果により記録できるものであればよく、公知の
、膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、磁気光学効
果の大きい磁性金属薄膜、例えば前述のＦｅＴｂ合金、
ＦｅＴｂＣｏ合金、ＦｅＴｂＧｄ合金及びＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏ合金、等の希土類元素−遷移金属元素の非晶質合金
が代表例として挙げられる。光磁気記録層の膜厚は１５
０〜１０００Ａ　、好ましくは２００〜５００　Ａであ
る。

またその積層構成は、その金属反射層が光磁気記録層の
光入射面と反対側に形成される点を除いてその構成は特
に限定されない、なお、金属反射層は光磁気記録層上に
直接設けても、またその上に感度、Ｃ／Ｎ向上の目的で
透明誘電体層を介して設けてもよい、しかし本発明の特
定のＡ（１合金からなる金属反射膜は光磁気記録層に接
して直接設けた構成で、その記録感度とＣ／Ｎにおいて
実用上充分といわれる性能を示し、上記透明誘電体層が
不要となるので、この構成は生産性と媒体コストの観点
より好ましい。

なお、光磁気記録層と金属反射層との間に、透明誘電体
層を設ける場合においても、この透明誘電体層は最適性
能を得るためには６００Å以下と薄くする必要があり、
その断熱作用が小さくなるため、本発明は効果的である
。また、−船釣に、該透明誘電体層が厚くなる程、その
断熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜のＡ（］に対
する前記特定の元素の含有量は少なくてよい。

また上述の光磁気記録媒体は、また、基板と光磁気記録
層の間に、Ｃ／Ｎ向上、媒体の反射率低減、さらには透
湿防止の目的で透明誘電体層を設けてもよい。

上記構成に用いる基板側、金属反射層側の両透明誘電体
層としては、その目的により光干渉効果、カー効果エン
ハンスメント等の効果を奏することが必要で、ある程度
以上の高屈折率を有することが好ましい、また使用する
レーザー光に透明であることが必要であり、透明誘電体
層としては公知の通り金属の酸化物、窒化物、硫化物、
炭化物、弗化物もしくはこれらの複合体が適用できる。

具体的にはＳｉｎ、　５ｉ０２．　Ｉｎｚ　Ｏａ、　５
ｎ０２．　Ｔａ１Ｏｓ　。

＾１ｓｉＮ　　、　　八１ｓｉＯＮ、　　八ＩＮ　　、
ＳｉＮ　　、ＴｉＮ　　、ＺｎＳ　　。

８ｇＦ２．ＡＩＦ、、ＳｉＣ及びこれらの複合物が挙げ
られるが、これに限定されないことは言うまでもない、
またパリレン、ポリイミド、パラフィンなど有機物も適
用できる。これら透明誘電体層の膜厚は、媒体構成、屈
折率により最適値が変化し、−ａ的に決めることはでき
ないが、通常４００〜１５００人程度、特に５００〜１
０００人が好適に用いられる。これら透明誘電体層は公
知の常法により達成される０例えば前述の無機物よりな
るものは公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ビームスパッタリング法、ＣＶＤ法等で作製される。

また基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、４−メチルペンテン樹脂及
びそれらの変成品などが好適に用いられるが、機械的強
度１価格、耐候性、ｆｆ１ｆ熱性。

透湿量の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

以下本発明の光磁気記録媒体は公知の通り通常耐擦傷性
、より一層の耐久性の向上のため更に有機樹脂からなる
保護層で被覆して使用される。

かかる有ｔａ樹脂として公知のもと同様紫外線硬化樹脂
、熱硬化樹脂等が適用される。更に、公知の通り２枚を
記録層が内側になるように貼り合わせて両面媒体として
も使用される。

以下、本発明の光磁気記録媒体での実施例を説明するが
、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

〈実施例、比較例〉 直径１３０鰭、厚さ１．２市の円盤で１．６μｍピッチ
のグループを有するポリカーボネート樹脂（ＰＣ）製の
ディスク基板を、３ターゲツト設置可能な高周波マグネ
トロンスパッタ装置（アルバック製５ＢＨ−５１１０）
の真空槽内に固定し、５Ｘ１０−ＴＴｏｒｒになるまで
排気した。

次にＡｒ、　Ｎ２混合ガス（Ａｒ：Ｎｚ±７０　：　３
０ｖ。

％）を真空槽内に導入し、圧力５ｎ＋Ｔｏｒｒになるよ
うにＡｒ／　Ｎ２混合ガス流量を調整した。ターゲット
としては直径１５０ｍｔｒ、厚さ５關のＡｌ３Ｏ３＋７
０　（以下、添数字は組成（原子％）を示す）の焼結体
からなる円盤を用い、放電電力５００１４．放電周波数
１３．５６ＭＨｚで高周波スパッタリングを行ない、透
明誘電体としてＡ１゜５Ｓｉ２５Ｎ５ｏを約８００人堆
積した。

続いて光磁気記録層として、■ｂ２３Ｆｅ６９Ｃ０８合
金ターゲットを用い、＾ｒガス圧６１ＴＯｒｒ、放電電
力２００Ｗ、放電周波数１３．５６ＭＨｚの条件で高周
波スパッタリングを行ない、約３００人のＴｂＦｅＣｏ
合金膜を堆積した。

更に引き続いて光磁気記録層と同じ条件で高周波スパッ
タリングを行ない、表１の各組成で４００人の金属反射
層を堆積し、ＰＣ基板／＾１ｓｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／金
属反射層の堆積構成の光磁気ディスクのサンプルを得た
。金属反射層の各Ａｇ合金膜は５市の正方形の各チップ
を配置したＡ（］タターゲラを用い、量はチップの数を
変化させて各組成に調整して形成した。比較例１はＡ（
ｌ膜でＡ（］タターゲラのみを用いて形成した。

これら各層の形成時において、ＰＣ基板は２０ｒｐｌで
回転させた。

得られたサンプルの評価は、記録感度と直結した最適記
録レーザーパワーとＣ／Ｎで行なった。

これらの測定は、光磁気記録再生装置（ナカミチ０Ｈ３
−１０００）を用い、下記の条件で書き込み時の半導体
レーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高調波が最
小となる時を最適記録条件として行なった。

［記録条件］ ディスク回転速度：　１８００ｒｐｒＱ、記録トラック
位置二半径３０市位置、記録周波数：　１．０２４ＭＨ
ｚ、印加磁界：５００エルステツド、レーザー光波長：
３０ｎｉ ［再生条件］ ディスク回転速度：　１８００ｒｏｎ　、続出レーザー
パワー：　０．８１Ｗ　、レーザー光波長：　８３０ｎ
ｎ＋最適記録入力及びＣ／Ｈの測定結果を表−１に示す
。

なお、表−１の比較例１の最適記録レーザーパワーの桐
の２０１Ｗ以上は、用いたレーザーの最大出力１０ｎＷ
でも記録できず、ディスク回転速度を上述の半分に低下
して最大出力１０１にで記録した時少しの再生信号が得
られたことを表わしたものである。

表−１ のディスクではＣ／Ｎ、外観とも全く変化がなく、本発
明の金属反射膜は、反射膜自体が耐久性に優れると共に
記録膜の劣化を防止する保護機能も有することが確認さ
れた。

以上、実施例に示した如く、本発明のＹ、　Ｒ（ｉ。

Ｓｎを含有したＡ（］合金からなる金属反射膜では、記
録感度が良く、Ｃ／Ｎ感度が優れ、かつ耐久性も高い光
磁気記録媒体を得ることができる。特にＹ。

Ｒｅ、　Ｓｎの含有量が１５ａｔ％（原子％）以下の範
囲はＣ／Ｎが高く、かつ最適記録入力の低下すなわち記
録感度の向上も大きく本発明の効果が顕著であり、特に
好ましいことがわかる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）金属反射層を有する光記録媒体において、該金属反
   射層がＹ、Ｒｅ、Ｓｎ少なくとも一種を含有せしめたＡ
   ｇ合金からなることを特徴とする光記録媒体。 ２）前記Ｙ、Ｒｅ、Ｓｎの含有量が０．１〜３０ａｔ％
   である請求項第１項記載の光記録媒体。 ３）前記金属反射層が光記録層に接して設けられた請求
   項第１項又は第２項又は第４項の光記録媒体。 ４）光記録層が光磁気記録層である請求項第３項記載の
   光記録媒体。 ５）前記Ｙ、Ｒｅ、Ｓｎの含有量が２〜１５ａｔ％であ
   る請求項第２項、第３項又は第４項記載の光記録媒体