JPS623940A - 複合金属板 - Google Patents
複合金属板Info
- Publication number
- JPS623940A JPS623940A JP60143411A JP14341185A JPS623940A JP S623940 A JPS623940 A JP S623940A JP 60143411 A JP60143411 A JP 60143411A JP 14341185 A JP14341185 A JP 14341185A JP S623940 A JPS623940 A JP S623940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- metal plate
- composite metal
- aluminum
- plating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント板に接着して熱放散を有効になし得
るヒートシンク等に利用し得る複合金属板に関する。
るヒートシンク等に利用し得る複合金属板に関する。
種々の電子機器においてはヒートシンクとして機能する
金属板に種々の半導体装置或いはプリント板をハンダ付
けすることとして、良好な放熱性と、実装時又は保守時
の便宜性を高めている上記金属板としては銅板が用いら
れてきたが、軽量化及び低廉化を目的として銅板に替え
てアルミニウムを基板とし、その表層に銅被膜を形成し
た複合金属板を用いることが行われている。
金属板に種々の半導体装置或いはプリント板をハンダ付
けすることとして、良好な放熱性と、実装時又は保守時
の便宜性を高めている上記金属板としては銅板が用いら
れてきたが、軽量化及び低廉化を目的として銅板に替え
てアルミニウムを基板とし、その表層に銅被膜を形成し
た複合金属板を用いることが行われている。
この複合金属板は例えば特開昭４８−８１７３９号に係
る方法にて製造されるものであり、アルミニウム板の表
面に塩化銅を散布付着し、これを塩化アルミニウムの昇
華現象が起こる温度以上に加熱した後、冷却してアルミ
ニウム表面に銅を拡散浸透させて製造される。
る方法にて製造されるものであり、アルミニウム板の表
面に塩化銅を散布付着し、これを塩化アルミニウムの昇
華現象が起こる温度以上に加熱した後、冷却してアルミ
ニウム表面に銅を拡散浸透させて製造される。
前記ヒートシンクはこのような複合金属板を適当な寸法
に打抜いて作成され、その銅被膜側に例えばセラミック
製のプリント板をハンダ付けして熱放散を図るように使
用される。
に打抜いて作成され、その銅被膜側に例えばセラミック
製のプリント板をハンダ付けして熱放散を図るように使
用される。
斯かる複合金属板は前述の銅被膜形成の際の加熱（４５
０〜４８０℃）により、アルミニウムー銅界面に界面上
の位置で厚み及び組成が区々に異なる金属間化合物が形
成せしめられている。このためこの複合金属板をヒート
シンクとして使用した場合には、熱放散量が場所によっ
て劣る処がみられ、全面に亘って均一な熱放散特性を確
保できず、また金属間化合物の存在により熱伝導率が低
いという問題点があった。
０〜４８０℃）により、アルミニウムー銅界面に界面上
の位置で厚み及び組成が区々に異なる金属間化合物が形
成せしめられている。このためこの複合金属板をヒート
シンクとして使用した場合には、熱放散量が場所によっ
て劣る処がみられ、全面に亘って均一な熱放散特性を確
保できず、また金属間化合物の存在により熱伝導率が低
いという問題点があった。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、焼な
ましたアルミニウム板を基板として用い、この表面に電
気メッキして銅メッキ層、ニッケルメッキ層を順次作成
せしめた構成とすることにより、熱放散量が高くまた均
一な熱放散特性ををする複合金属板を提供することを目
的とする。
ましたアルミニウム板を基板として用い、この表面に電
気メッキして銅メッキ層、ニッケルメッキ層を順次作成
せしめた構成とすることにより、熱放散量が高くまた均
一な熱放散特性ををする複合金属板を提供することを目
的とする。
本発明に係る複合金属板は、アルミニウム層及び銅層を
含む積層複合金属板において、焼なましにアルミニウム
基板の表面に電気メッキによる銅メッキ層及びニッケル
メッキ層が基板側からこの順に形成せしめられているこ
とを特徴とする。
含む積層複合金属板において、焼なましにアルミニウム
基板の表面に電気メッキによる銅メッキ層及びニッケル
メッキ層が基板側からこの順に形成せしめられているこ
とを特徴とする。
〔実施例〕
以下本発明をヒートシンクに適用した場合の実施例を示
す図面に基づいて詳述する。
す図面に基づいて詳述する。
図面において１０はヒートシンク用の複合金属板であっ
て、厚さ０．５〜５．０ｍｍ程度の高強度アルミニウム
からなる基板１１の一面に３〜２０μｍ厚の銅メッキ層
１２及び２〜６μｍ１１７−のニッケルメッキ層１３を
ｆｉ［形成してなるものである。
て、厚さ０．５〜５．０ｍｍ程度の高強度アルミニウム
からなる基板１１の一面に３〜２０μｍ厚の銅メッキ層
１２及び２〜６μｍ１１７−のニッケルメッキ層１３を
ｆｉ［形成してなるものである。
−に記アルミニウム基板１１としては、圧延したアルミ
ニウムのストリップを３４０〜４１０°Ｃ程度に加熱し
た後、徐冷した焼なまし材であって、例えば引張強度２
０ ｋｇ ／ ｍｙ ２以下（又は程度）耐力 ］Ｑ
ｋｇ／ｖ＊２以下（又は程度）の如き仕様のものを用い
る。そして、上記複合金属板１０はこのような仕様のア
ルミニウムのストリップを銅及びニッケルのメッキ槽（
最高温度が８０℃）へ順次送給し、そこで電気メッキす
る連続法にて製造されたものを速入に切断して製造され
る。
ニウムのストリップを３４０〜４１０°Ｃ程度に加熱し
た後、徐冷した焼なまし材であって、例えば引張強度２
０ ｋｇ ／ ｍｙ ２以下（又は程度）耐力 ］Ｑ
ｋｇ／ｖ＊２以下（又は程度）の如き仕様のものを用い
る。そして、上記複合金属板１０はこのような仕様のア
ルミニウムのストリップを銅及びニッケルのメッキ槽（
最高温度が８０℃）へ順次送給し、そこで電気メッキす
る連続法にて製造されたものを速入に切断して製造され
る。
実施例に示すものは片面に銅、ニッケルのメッキ１５１
２．１３を形成しているが、両面に形成してもよい。な
おニッケルメッキ層１３は銅メッキ層１２の酸化を防止
して美観を維持するために、またハンダ付けを容易にす
るために形成せしめている。
２．１３を形成しているが、両面に形成してもよい。な
おニッケルメッキ層１３は銅メッキ層１２の酸化を防止
して美観を維持するために、またハンダ付けを容易にす
るために形成せしめている。
２０ばセラミック製のプリント板であり、セラミック板
本体２１の下面はハンダ付けのためにメタライジング被
膜２２が施されており、セラミック板本体２１の上面に
は、全面に亘って被着されていた銅層を所定パターンに
食刻してなる銅配線Ｎ２３が形成されている。このよう
なプリント板２０は複合金属板たるヒートシンク１０の
ニッケルメンキ［１３とメタライジング被１！１１ｉ２
２とをハンダ付け３１する方法で接着されている。
本体２１の下面はハンダ付けのためにメタライジング被
膜２２が施されており、セラミック板本体２１の上面に
は、全面に亘って被着されていた銅層を所定パターンに
食刻してなる銅配線Ｎ２３が形成されている。このよう
なプリント板２０は複合金属板たるヒートシンク１０の
ニッケルメンキ［１３とメタライジング被１！１１ｉ２
２とをハンダ付け３１する方法で接着されている。
プリント板２０の銅配線層２３上には抵抗、コンデンサ
等の回路構成部品３５がハンダ付け３６され、また槃積
回路チップ等の半導体装置３４がハンダ付け３６されて
いる。また他の回路部分への配線のためのポンディング
パッド４０がハンダ付け３６されている。このポンディ
ングパッド４０はヒートシンク１０よりも肉厚が薄いが
アルミニウムの基板の上に銅。
等の回路構成部品３５がハンダ付け３６され、また槃積
回路チップ等の半導体装置３４がハンダ付け３６されて
いる。また他の回路部分への配線のためのポンディング
パッド４０がハンダ付け３６されている。このポンディ
ングパッド４０はヒートシンク１０よりも肉厚が薄いが
アルミニウムの基板の上に銅。
ハンダのメッキ層を形成した複合金属板（但し片面に形
成しである）から打抜いて作成したものである。
成しである）から打抜いて作成したものである。
その他５Ｉは半導体装置であり、ヒートシンク１０上に
ハンダ付け３１されたヒートスプレッダ５０上にハンダ
付け３６されている。このヒートスプレッダ５０もヒー
トシンク１０と同様にアルミニウムの基板上に銅、ニッ
ケルのメッキ層を形成した複合金属板（但し両面に形成
しである）から打抜いて作成したものである。
ハンダ付け３１されたヒートスプレッダ５０上にハンダ
付け３６されている。このヒートスプレッダ５０もヒー
トシンク１０と同様にアルミニウムの基板上に銅、ニッ
ケルのメッキ層を形成した複合金属板（但し両面に形成
しである）から打抜いて作成したものである。
叙上のように本発明の複合金属板は、アルミニウムの基
板１１に銅、ニッケルのメッキ層１２．、ｉ３を形成せ
しめる際番こ、メッキ槽へ送給されるが、メッキ浴の温
度は最高で８０℃であり、また短時間で通過するためア
ルミニウムー銅界面に金属間化合物の形成がない。更に
本発明のものは電気メッキによるメッキ厚み制御により
銅、ニッケルメッキ層が全面に亘って均一に形成され得
る。このため本発明のものは、特開昭４８−８１７３９
号に係る方法により製造した複合金属板の如く熱放散が
場所によヮて劣るようなことがなく、全面に亘って均一
な熱放散特性を確保でき、また金属間化合物が存在しな
いので厚み方向の熱伝導率が高く、熱放散量が大きい。
板１１に銅、ニッケルのメッキ層１２．、ｉ３を形成せ
しめる際番こ、メッキ槽へ送給されるが、メッキ浴の温
度は最高で８０℃であり、また短時間で通過するためア
ルミニウムー銅界面に金属間化合物の形成がない。更に
本発明のものは電気メッキによるメッキ厚み制御により
銅、ニッケルメッキ層が全面に亘って均一に形成され得
る。このため本発明のものは、特開昭４８−８１７３９
号に係る方法により製造した複合金属板の如く熱放散が
場所によヮて劣るようなことがなく、全面に亘って均一
な熱放散特性を確保でき、また金属間化合物が存在しな
いので厚み方向の熱伝導率が高く、熱放散量が大きい。
また、本発明のものはメッキ槽を通過してもアルミニウ
ムの基板１１の強度が影響を受けることがなく、メッキ
前の焼なまし状態の低い強度レベルに維持されたままで
ある。このためこれを打抜いてピー１−シンク、ポンデ
ィングパッド、ヒートスプレッダ等を作成する際の打抜
き加工性、及びプレス成形性等にも優れる。また本発明
品からなるピー１−シンクに剛性が高いセラミック製の
プリント板等を接着した場合は、両者の熱膨張率の差に
よる伸びの差はヒートシンクの変形能が高いのでこれを
吸収してプリント板を保護する。
ムの基板１１の強度が影響を受けることがなく、メッキ
前の焼なまし状態の低い強度レベルに維持されたままで
ある。このためこれを打抜いてピー１−シンク、ポンデ
ィングパッド、ヒートスプレッダ等を作成する際の打抜
き加工性、及びプレス成形性等にも優れる。また本発明
品からなるピー１−シンクに剛性が高いセラミック製の
プリント板等を接着した場合は、両者の熱膨張率の差に
よる伸びの差はヒートシンクの変形能が高いのでこれを
吸収してプリント板を保護する。
更に、本発明の複合金属板においては、旧来の銅板のみ
にて形成されたものに比して軽量化、低廉化の利点を享
受でき、また表面がニッケルであるので、空気等による
酸化が抑制され、長期にわたって美感を保ち得、又ハン
ダ付けが容易である等、優れた効果を奏する。
にて形成されたものに比して軽量化、低廉化の利点を享
受でき、また表面がニッケルであるので、空気等による
酸化が抑制され、長期にわたって美感を保ち得、又ハン
ダ付けが容易である等、優れた効果を奏する。
図面は本発明の１実施例を示す断面構造図であ１０・・
・複合金属板（ヒートシンク）１１・・・アルミニウム
基板 １２・・・銅メッキ層１３・・・ニッケルメッキ
層
・複合金属板（ヒートシンク）１１・・・アルミニウム
基板 １２・・・銅メッキ層１３・・・ニッケルメッキ
層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アルミニウム層及び銅層を含む積層複合金属板にお
いて、 焼なましにアルミニウム基板の表面に電気 メッキによる銅メッキ層及びニッケルメッキ層が基板側
からこの順に形成せしめられていることを特徴とする複
合金属板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143411A JPH0680197B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 複合金属板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143411A JPH0680197B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 複合金属板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS623940A true JPS623940A (ja) | 1987-01-09 |
| JPH0680197B2 JPH0680197B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=15338144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143411A Expired - Lifetime JPH0680197B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 複合金属板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680197B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936856A (ja) * | 1972-08-15 | 1974-04-05 | ||
| JPS5066171U (ja) * | 1973-10-18 | 1975-06-14 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60143411A patent/JPH0680197B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936856A (ja) * | 1972-08-15 | 1974-04-05 | ||
| JPS5066171U (ja) * | 1973-10-18 | 1975-06-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680197B2 (ja) | 1994-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6485816B2 (en) | Laminated radiation member, power semiconductor apparatus, and method for producing the same | |
| US3780795A (en) | Multilayer heat sink | |
| JPS60173900A (ja) | セラミツクス回路基板 | |
| JP2003100968A (ja) | 放熱材及びその製造方法 | |
| JPS59121890A (ja) | セラミツクスと金属との接合体 | |
| JPS6126231A (ja) | 金属‐セラミツク複合素子およびその製法 | |
| JPH0810202Y2 (ja) | 半導体装置用軽量基板 | |
| JPS623940A (ja) | 複合金属板 | |
| JPS623939A (ja) | 複合金属板 | |
| JPS61260699A (ja) | 電子回路装置 | |
| JP2503778B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPS62125691A (ja) | 電気回路形成用基盤 | |
| JPH09331123A (ja) | 金属ベース多層配線基板 | |
| JP2503779B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPS63305587A (ja) | プリント配線基板装置 | |
| JPH0528517B2 (ja) | ||
| JPS63119242A (ja) | 基板 | |
| JP4295409B2 (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPH0537491Y2 (ja) | ||
| JPH02299289A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| JPH11330309A (ja) | メタルコア基板 | |
| JPS58102596A (ja) | 金属芯印刷配線板 | |
| JPH0477702B2 (ja) | ||
| JPH03219689A (ja) | メタルコアプリント配線板 | |
| JPH02292890A (ja) | 表面実装用基板 |