JPS6238007A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS6238007A JPS6238007A JP17791385A JP17791385A JPS6238007A JP S6238007 A JPS6238007 A JP S6238007A JP 17791385 A JP17791385 A JP 17791385A JP 17791385 A JP17791385 A JP 17791385A JP S6238007 A JPS6238007 A JP S6238007A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- bias
- negative feedback
- amplifier
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
半導体集積回路特に低雑音高周波増幅器のモノリシック
半導体集積回路に関する。
半導体集積回路に関する。
従来の技術
ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔや、それを用いた負帰還増幅器Ｉ
Ｃは、ＶＨＦ、ＵＨＦ帯で、優れた低雑音特性を有する
ため、受信フロントエンドのＲＦ’アンプとして、最近
盛んに使われている。
Ｃは、ＶＨＦ、ＵＨＦ帯で、優れた低雑音特性を有する
ため、受信フロントエンドのＲＦ’アンプとして、最近
盛んに使われている。
第１図は、ＧａＡｓＦＥＴを用いて構成した負帰還増幅
器である。点線で囲まれた部分が１チツプ上に構成され
ている。他は、外付は部品である。
器である。点線で囲まれた部分が１チツプ上に構成され
ている。他は、外付は部品である。
ダイオード１は、直流阻止用である。抵抗２，３は、バ
イアス抵抗、抵抗４は負帰還を与える抵抗である。イン
ダクタンス６は、チラークコイルである。
イアス抵抗、抵抗４は負帰還を与える抵抗である。イン
ダクタンス６は、チラークコイルである。
このようなアンプで、５０〜２０００廐の帯域でＮＦ（
２，５ｄＢ利得１０〜ａｄＢが得られている。
２，５ｄＢ利得１０〜ａｄＢが得られている。
発明が解決しようとする問題点
第３図の増幅器では、外付は抵抗によシゲートバイアス
が決められるが、実際のデバイスは、ダイオード１のリ
ーク電流が０〜６０μＡと大きく、かつデバイスにより
ばらつくため、抵抗３の両端Ｋ、電位差が生じ、かつば
らつき、動作条件を一定の条件に定めることが問題であ
った。
が決められるが、実際のデバイスは、ダイオード１のリ
ーク電流が０〜６０μＡと大きく、かつデバイスにより
ばらつくため、抵抗３の両端Ｋ、電位差が生じ、かつば
らつき、動作条件を一定の条件に定めることが問題であ
った。
また、外付は部品を用いるため、増幅器の形状が大きく
なり実装上不利という問題もあった。
なり実装上不利という問題もあった。
また、ユーザによって、抵抗３の値を様々な値に設計す
ることが多く、また従来の高周波ＦＥＴ回路の慣習から
抵抗３の値として、１０にΩ以上の値が用いられること
が多く、前述の通り、動作条件が大きくバラツクという
問題があった。
ることが多く、また従来の高周波ＦＥＴ回路の慣習から
抵抗３の値として、１０にΩ以上の値が用いられること
が多く、前述の通り、動作条件が大きくバラツクという
問題があった。
問題点を解決するための手段
前述の問題点を解決するために、本発明はＧａＡｓの半
絶縁基板上に、電界効果トランジスタと、其のドレイン
電極と其のゲート電極間の負帰還抵抗と、前記ゲート電
極と接地端子間のゲートバイアス抵抗と、其のソース電
極と前記接地端子間のソ続されている事を特徴とするＧ
ａ Ａ ｓ電界効果トランジスタ負帰還増巾器の半導
体集積回路を提供する。
絶縁基板上に、電界効果トランジスタと、其のドレイン
電極と其のゲート電極間の負帰還抵抗と、前記ゲート電
極と接地端子間のゲートバイアス抵抗と、其のソース電
極と前記接地端子間のソ続されている事を特徴とするＧ
ａ Ａ ｓ電界効果トランジスタ負帰還増巾器の半導
体集積回路を提供する。
作 用
本発明ではバイアス抵抗３を６にΩ以下として、１チツ
プ内に集積化する結果、ダイオード１のリークが大きい
場合でも、バイアス抵抗３の両端における電圧降下を小
さくできる。また、チップ内にモノリンツク化するため
、どのユーザも同じ動作条件で使用することになり、ト
ラブルが少くなる。
プ内に集積化する結果、ダイオード１のリークが大きい
場合でも、バイアス抵抗３の両端における電圧降下を小
さくできる。また、チップ内にモノリンツク化するため
、どのユーザも同じ動作条件で使用することになり、ト
ラブルが少くなる。
また、同様にソース接地間に挿入されるバイアス抵抗２
も１チツプ上に集積化し、バイパスコンデンサ５を取り
つける端子を外部に取りだせるようにすれば、前述の効
果を一層大ならしめることができる。
も１チツプ上に集積化し、バイパスコンデンサ５を取り
つける端子を外部に取りだせるようにすれば、前述の効
果を一層大ならしめることができる。
即ち、バイアス抵抗をモノリシック集積化する事によシ
、負帰還増巾器の動作点が安定化し、一様な増巾特性が
得られる。
、負帰還増巾器の動作点が安定化し、一様な増巾特性が
得られる。
実施例
第１図に示す実施例では、ゲート長１μｍ、ゲート幅１
０００μｍ、負帰還抵抗４ユ３００Ωバイアス抵抗３＝
１にΩ、バイアス抵抗２＝３ｏΩに設計、試作した。ダ
イオード１の逆方向接合容量は、３０ＰＦに設計されて
いる。
０００μｍ、負帰還抵抗４ユ３００Ωバイアス抵抗３＝
１にΩ、バイアス抵抗２＝３ｏΩに設計、試作した。ダ
イオード１の逆方向接合容量は、３０ＰＦに設計されて
いる。
バイアス抵抗２，３は、負帰還抵抗４と同様にＧ ａ
Ａ ｓ活性層を用い、負帰還抵抗４と同時に形成した。
Ａ ｓ活性層を用い、負帰還抵抗４と同時に形成した。
このような、ＧａＡｓ ＩＣは、図２に示すような通
常の４ピンのプラスチックフラットパッケージに封止し
た。
常の４ピンのプラスチックフラットパッケージに封止し
た。
実Ｍ例のＩＣは、ｖＤＤ＝４ｖ、（１電創、工ｄ＝３０
ｍＡで動作した。バイパスコンデンサＳの値が１０００
０ｐＦのとき、６０〜２０００石の範囲にわたッテ、Ｎ
Ｆく２．ｓｌ以下、利得１０ｄＢ以上という優れた性能
が得られた。
ｍＡで動作した。バイパスコンデンサＳの値が１０００
０ｐＦのとき、６０〜２０００石の範囲にわたッテ、Ｎ
Ｆく２．ｓｌ以下、利得１０ｄＢ以上という優れた性能
が得られた。
バイアス抵抗３の値は負帰還アンプの入力インピーダン
スが、５０〜１００Ωと低インピーダンスの値に設計さ
れているため、バイアス抵抗３く１にΩであれば、特性
劣化はほとんどなかった。
スが、５０〜１００Ωと低インピーダンスの値に設計さ
れているため、バイアス抵抗３く１にΩであれば、特性
劣化はほとんどなかった。
またバイアス抵抗２の値は、最適動作バイアスがＩｄ
＝１ｓ−４ｏｍＡで、ｖＧｓ の値としては一〇、５〜
−１．６ｖ程度が適当であることから１０〜６０Ωの程
度の値が適していた。
＝１ｓ−４ｏｍＡで、ｖＧｓ の値としては一〇、５〜
−１．６ｖ程度が適当であることから１０〜６０Ωの程
度の値が適していた。
発明の効果
以上述べたごとく、本発明は、極めて小形で、１電源で
動作する高性能の広帯域アンプを可能にするばかりか、
動作バイアスも、最適状態で一律に設定できるため、ユ
ーザにとって使いやすいアンプを与えるもので、実用上
、犬なる価値を有するものである。
動作する高性能の広帯域アンプを可能にするばかりか、
動作バイアスも、最適状態で一律に設定できるため、ユ
ーザにとって使いやすいアンプを与えるもので、実用上
、犬なる価値を有するものである。
第１図は本発明の一実施例による半導体集積回路の回路
図、第２図はピン配置図、第３図は従来の負帰還増幅器
の回路図である。 １・・・・・・タイオード、２，３・・・・・・バイア
ス抵抗、４・・・・・・負帰還抵抗、６・・・・・・バ
イパスコンデンサ、６・・・・・・チョークコイル。
図、第２図はピン配置図、第３図は従来の負帰還増幅器
の回路図である。 １・・・・・・タイオード、２，３・・・・・・バイア
ス抵抗、４・・・・・・負帰還抵抗、６・・・・・・バ
イパスコンデンサ、６・・・・・・チョークコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＧａＡｓ半絶縁基板上に、電界効果トランジスタと、其
のドレイン電極と其のゲート電極間の負帰還抵抗と、前
記ゲート電極と接地端子間のゲートバイアス抵抗と、其
のソース電極と前記接地端子間のソースバイアス抵抗と
をモノリシック集積化し、且つ前記ソース電極と前記接
地端子とが外部接地端子に接続されている事を特徴とす
る 半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17791385A JPS6238007A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17791385A JPS6238007A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238007A true JPS6238007A (ja) | 1987-02-19 |
Family
ID=16039251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17791385A Pending JPS6238007A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6238007A (ja) |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP17791385A patent/JPS6238007A/ja active Pending
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