JPS6236889A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6236889A JPS6236889A JP17661885A JP17661885A JPS6236889A JP S6236889 A JPS6236889 A JP S6236889A JP 17661885 A JP17661885 A JP 17661885A JP 17661885 A JP17661885 A JP 17661885A JP S6236889 A JPS6236889 A JP S6236889A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- semiconductor laser
- substrate
- mask
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光デイスクファイルなどの情報処理機器に用い
ることのできる半導体レーザ装置に関するものである。
ることのできる半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置はコンバク！・ディスクや、光
デイスクファイル装置など、その利用分野は飛躍的に広
捷りつつある。各種の半導体レーザの中で、安定した高
出力を得られる構造として埋め込みストライブ型Ｔ Ｒ
，Ｓレーザ（以下ＢＴＲＳレーザと記す）（参考文献：
電子通信学会研究会資料ＥＤ８４−９４） 第５図に従来のＢＴＲＳレーザの構造図を示す。
デイスクファイル装置など、その利用分野は飛躍的に広
捷りつつある。各種の半導体レーザの中で、安定した高
出力を得られる構造として埋め込みストライブ型Ｔ Ｒ
，Ｓレーザ（以下ＢＴＲＳレーザと記す）（参考文献：
電子通信学会研究会資料ＥＤ８４−９４） 第５図に従来のＢＴＲＳレーザの構造図を示す。
基板１側」＝り注入された電流はブｏ 、ｙギング層２
の働きにより溝部上の活性層４に注入され、ここで安定
な基本横モード発振が得られる。
の働きにより溝部上の活性層４に注入され、ここで安定
な基本横モード発振が得られる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、電流狭窄の機構
を活性層４から見て基板側にしか持たず、そのために電
流はクラッド層３の中で広がって活性層４に注入する電
流の密度を上げるのは難しいという問題点があった。
を活性層４から見て基板側にしか持たず、そのために電
流はクラッド層３の中で広がって活性層４に注入する電
流の密度を上げるのは難しいという問題点があった。
本発明は上記欠点に鑑み、溝部を出だ後も電流は広がら
ず、効率良く活性層に注入できる半導体レーザ装置を提
供するものである。
ず、効率良く活性層に注入できる半導体レーザ装置を提
供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置は、基板上に基板とは導電型の異々る３べ−７・ 半導体層があり、その半導体層表面より基板に達する溝
が形成され、その上に活性層を含み、半導体層とは導電
型の異なる層を第１層とする各層が形成され、溝部直上
の表面層上よりストライブ状に電流流入領域が形成され
て構成されている。
置は、基板上に基板とは導電型の異々る３べ−７・ 半導体層があり、その半導体層表面より基板に達する溝
が形成され、その上に活性層を含み、半導体層とは導電
型の異なる層を第１層とする各層が形成され、溝部直上
の表面層上よりストライブ状に電流流入領域が形成され
て構成されている。
作用
この構成によって、活性層の基板側にも、表面層側にも
電流狭窄機構を持つため、電流は溝部を出た後も広がら
ず、効率良く活性層に注入できるため、動作電流の大幅
な低減をはかることができるＯ 実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
電流狭窄機構を持つため、電流は溝部を出た後も広がら
ず、効率良く活性層に注入できるため、動作電流の大幅
な低減をはかることができるＯ 実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
（１００）面を有するｐ型ＧａＡｓ基板１（１００）面
上に高さ１．６μｍ９幅１５μｍのメサをエツチングに
より形成する。メサを形成した基板」−に液相エピタキ
シャル法によりｎ型ＧａＡｓブロッキング層２を表面が
平坦になるように成長を行々う（第４図ｆａ） ＞ ｏ
ブロッキング層のメサ上の膜厚は約０．８ ｌ１ｍとな
るようにする。この第１回のエピタキシャル成長を行な
ったウェハー上に、幅２０／ｊ ｍの２つの平行なリッ
ジを幅４μｍの溝をはさんでエツチングにより形成する
（第４図（ｂ））。リッジの高さは約１．５μｍとし、
溝の底はｐ型基板上のメサ上に位置し、基板寸で届くよ
うにエツチングを行なう。リッジを設けたウェハー表面
上に再び液相エピタキシャル法によって、第１層ｐ型ｃ
ａｏ、ｓ人β０．５Ａｓクラッド層３をリッジ上の平坦
部で約０．３７４ ｍ 、第２層ノンドープ”［１，９
ｋｌ ０１Ａｓ活性層４を同様に約１．５７．＋ｍ、第
３層ｎ型（ｒａ、１．５Ａβ０．５ＡＳクラッド層５’
ｅ２．５μｍ、第４層ｎ型ＧａＡｓ層５と約３ ｌｔ
ｍの厚さになるように連続成長を行なう。成長を行なっ
たウェハー上の溝部直上ニ幅４ ｌｔ ｍのマスクを形
成し、その土よりプロトン照射となって、第３層ｎ型ク
ラッド層に達する高抵抗領域を形成する（第４図（Ｃ）
）。マスクを除去した後、成長表面にｐ型オーミック電
極を、基板側にｎ側オーミック電極を形成すると第１図
に示す本発明の半導体レーザ装置が得られる。
上に高さ１．６μｍ９幅１５μｍのメサをエツチングに
より形成する。メサを形成した基板」−に液相エピタキ
シャル法によりｎ型ＧａＡｓブロッキング層２を表面が
平坦になるように成長を行々う（第４図ｆａ） ＞ ｏ
ブロッキング層のメサ上の膜厚は約０．８ ｌ１ｍとな
るようにする。この第１回のエピタキシャル成長を行な
ったウェハー上に、幅２０／ｊ ｍの２つの平行なリッ
ジを幅４μｍの溝をはさんでエツチングにより形成する
（第４図（ｂ））。リッジの高さは約１．５μｍとし、
溝の底はｐ型基板上のメサ上に位置し、基板寸で届くよ
うにエツチングを行なう。リッジを設けたウェハー表面
上に再び液相エピタキシャル法によって、第１層ｐ型ｃ
ａｏ、ｓ人β０．５Ａｓクラッド層３をリッジ上の平坦
部で約０．３７４ ｍ 、第２層ノンドープ”［１，９
ｋｌ ０１Ａｓ活性層４を同様に約１．５７．＋ｍ、第
３層ｎ型（ｒａ、１．５Ａβ０．５ＡＳクラッド層５’
ｅ２．５μｍ、第４層ｎ型ＧａＡｓ層５と約３ ｌｔ
ｍの厚さになるように連続成長を行なう。成長を行なっ
たウェハー上の溝部直上ニ幅４ ｌｔ ｍのマスクを形
成し、その土よりプロトン照射となって、第３層ｎ型ク
ラッド層に達する高抵抗領域を形成する（第４図（Ｃ）
）。マスクを除去した後、成長表面にｐ型オーミック電
極を、基板側にｎ側オーミック電極を形成すると第１図
に示す本発明の半導体レーザ装置が得られる。
５６−。
以」二のように構成された半導体レーザ装置によって、
発振しきい値約２０ｍＡ （従来４０ｍＡ）、外部微分
量子効率約７０％（従来５０％）と、従来のＢＴＲＳレ
ーザに比べて低しきい値、高効率が実現できた。
発振しきい値約２０ｍＡ （従来４０ｍＡ）、外部微分
量子効率約７０％（従来５０％）と、従来のＢＴＲＳレ
ーザに比べて低しきい値、高効率が実現できた。
なお、本実施例では表面層側に設ける電流注入領域をプ
ロトン照射を用いて形成したが、それ以外に例えば、第
２図に示すようなオキザイトストライプなど、電流狭窄
の機能を有するものなら何でもよい。
ロトン照射を用いて形成したが、それ以外に例えば、第
２図に示すようなオキザイトストライプなど、電流狭窄
の機能を有するものなら何でもよい。
寸たレーザ構造としてはＢＴＲ８型レーザを示したが、
これ以外に第３図に示すＶ溝基板内部ストライブ型（Ｖ
ＳＩＳ型）レーザであってもよいことは言うまでもない
。
これ以外に第３図に示すＶ溝基板内部ストライブ型（Ｖ
ＳＩＳ型）レーザであってもよいことは言うまでもない
。
発明の効果
以上のように本発明は、内部ストライブ型の半導体レー
ザにおいて、活性層の上下に電流狭窄機構を設けること
に、大幅に電流注入効率を改善することができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
ザにおいて、活性層の上下に電流狭窄機構を設けること
に、大幅に電流注入効率を改善することができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
６ベーノ
第１図は本発明の第１の実施例における半導体レーザ装
置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例の半導体レ
ーザ装置の断面図、第３図は本発明の第３の実施例の半
導体レーザ装置の断面図、第４図は本発明の第１の実施
例の半導体レーザ装置の各作成工程における断面図、第
５図は従来のＢＴＲＳレーザの断面図である。 １・・・・・ｐ型ＧａＡｓ基板、２・・・・・ｎ型Ｇａ
Ａｓブロッキング層、３・・・・・・ｐ型（ｒａ 、−
ｙ Ａβｙ Ａ ｓ クラッド層、４・・・・・・ノ
ンドープＧａ１ ＸＡβｘＡｓ活性層、５・・・ｎ型Ｇ
ａ１ 、Ａｘ、Ａｓクラッド層、６・・・・・・ｎ型Ｃ
ｒａＡｓ層、７・・・・・・ｎ側オーミック電極、８・
・・・・・ｎ側オーミック電極、９・・・・・高抵抗領
域、１０・・・・・・酸化膜、１１・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ−
′□−Ｐ型Ｑ鼻Ａ糧私 ２−−−ｎ％ｃＬＩＪ３７−０ツキ〉プ（ｆ７−−−
ｎ ｉす１つ「づ、７）Ｃ躇特開ロＨ６２−３６８８９
（３） 第 ４ 図 第５図 ■
置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例の半導体レ
ーザ装置の断面図、第３図は本発明の第３の実施例の半
導体レーザ装置の断面図、第４図は本発明の第１の実施
例の半導体レーザ装置の各作成工程における断面図、第
５図は従来のＢＴＲＳレーザの断面図である。 １・・・・・ｐ型ＧａＡｓ基板、２・・・・・ｎ型Ｇａ
Ａｓブロッキング層、３・・・・・・ｐ型（ｒａ 、−
ｙ Ａβｙ Ａ ｓ クラッド層、４・・・・・・ノ
ンドープＧａ１ ＸＡβｘＡｓ活性層、５・・・ｎ型Ｇ
ａ１ 、Ａｘ、Ａｓクラッド層、６・・・・・・ｎ型Ｃ
ｒａＡｓ層、７・・・・・・ｎ側オーミック電極、８・
・・・・・ｎ側オーミック電極、９・・・・・高抵抗領
域、１０・・・・・・酸化膜、１１・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ−
′□−Ｐ型Ｑ鼻Ａ糧私 ２−−−ｎ％ｃＬＩＪ３７−０ツキ〉プ（ｆ７−−−
ｎ ｉす１つ「づ、７）Ｃ躇特開ロＨ６２−３６８８９
（３） 第 ４ 図 第５図 ■
Claims (1)
- 一導電型の基板上に前記一導電型とは反対導電型の半導
体層が形成され、前記半導体層表面より前記基板に達す
る溝が形成され、その上に活性層を含み、前記基板と同
一導電型の層を第１層とする各層が形成され、前記溝部
直上にストライプ状の電流注入領域が形成されているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17661885A JPS6236889A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17661885A JPS6236889A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236889A true JPS6236889A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16016720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17661885A Pending JPS6236889A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148721A (en) * | 1990-03-12 | 1992-09-22 | Mazda Motor Corporation | Automatic fuzzy speed control system for vehicle |
| US5155682A (en) * | 1989-04-17 | 1992-10-13 | Nippondenso Co. Ltd. | Apparatus for controlling speed of vehicle |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948974A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17661885A patent/JPS6236889A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948974A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155682A (en) * | 1989-04-17 | 1992-10-13 | Nippondenso Co. Ltd. | Apparatus for controlling speed of vehicle |
| US5148721A (en) * | 1990-03-12 | 1992-09-22 | Mazda Motor Corporation | Automatic fuzzy speed control system for vehicle |
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