JPH04269886A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH04269886A JPH04269886A JP3105091A JP3105091A JPH04269886A JP H04269886 A JPH04269886 A JP H04269886A JP 3105091 A JP3105091 A JP 3105091A JP 3105091 A JP3105091 A JP 3105091A JP H04269886 A JPH04269886 A JP H04269886A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
-
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- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理や光計測等
の光源として用いられる半導体レーザに係わり、特にＩ
ｎＧａＡｌＰ系材料を用いた半導体レーザの製造方法に
関する。
の光源として用いられる半導体レーザに係わり、特にＩ
ｎＧａＡｌＰ系材料を用いた半導体レーザの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、０．６μｍ帯に発振波長を持つＩ
ｎＧａＡｌＰ系材料を用いた赤色半導体レーザが製品化
され、高密度光ディスク装置，レーザビームプリンタ用
光源，バーコードリーダ及び光計測等の光源として期待
されている。このような用途には、レーザビームを微小
スポットに絞り込む必要があり、安定した横モード発振
とレーザビームの非点格差が小さいことが重要である。
ｎＧａＡｌＰ系材料を用いた赤色半導体レーザが製品化
され、高密度光ディスク装置，レーザビームプリンタ用
光源，バーコードリーダ及び光計測等の光源として期待
されている。このような用途には、レーザビームを微小
スポットに絞り込む必要があり、安定した横モード発振
とレーザビームの非点格差が小さいことが重要である。
【０００３】上記特性を実現するためには、屈折率導波
型の横モード制御型半導体レーザであることが必要であ
る。また、活性層を量子井戸（ＱＷ）構造とすることは
、半導体レーザの低しきい値化及び短波長化に有効であ
る。従って、横モード制御型の量子井戸レーザであるこ
とが強く望まれる。
型の横モード制御型半導体レーザであることが必要であ
る。また、活性層を量子井戸（ＱＷ）構造とすることは
、半導体レーザの低しきい値化及び短波長化に有効であ
る。従って、横モード制御型の量子井戸レーザであるこ
とが強く望まれる。
【０００４】この種の半導体レーザとして、活性層をそ
れよりもバンドギャップの大きく、屈折率の小さい層で
埋込んだ埋込み型半導体レーザがある。このレーザを製
造するは、まず図８（ａ）に示したように、化合物半導
体基板８０上に活性層８３が多重量子井戸（ＭＱＷ）の
ダブルヘテロ構造部を形成した後に、ＳｉＯ２ 膜８６
をストライプ状に形成する。ここで、活性層８３とクラ
ッド層８１，８５との間には、光ガイド層８２，８４を
それぞれ挿入する。
れよりもバンドギャップの大きく、屈折率の小さい層で
埋込んだ埋込み型半導体レーザがある。このレーザを製
造するは、まず図８（ａ）に示したように、化合物半導
体基板８０上に活性層８３が多重量子井戸（ＭＱＷ）の
ダブルヘテロ構造部を形成した後に、ＳｉＯ２ 膜８６
をストライプ状に形成する。ここで、活性層８３とクラ
ッド層８１，８５との間には、光ガイド層８２，８４を
それぞれ挿入する。
【０００５】次いで、図８（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
２ 膜８６でマスクされたところを残して、活性層８３
のＭＱＷ構造中にＺｎを拡散させて混晶化層８９を形成
する。この混晶化層８９は、活性層８３よりもバンドギ
ャップが大きく、屈折率が小さい。従って、ＳｉＯ２
膜８６の下部のストライプ状の活性層８３は、その両側
面を混晶化層８９で埋込まれ、これにより屈折率導波型
の埋込み型半導体レーザが形成される。
２ 膜８６でマスクされたところを残して、活性層８３
のＭＱＷ構造中にＺｎを拡散させて混晶化層８９を形成
する。この混晶化層８９は、活性層８３よりもバンドギ
ャップが大きく、屈折率が小さい。従って、ＳｉＯ２
膜８６の下部のストライプ状の活性層８３は、その両側
面を混晶化層８９で埋込まれ、これにより屈折率導波型
の埋込み型半導体レーザが形成される。
【０００６】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、Ｚｎ拡散により形成した
混晶化層には、Ｚｎが大量に含まれているので、混晶化
層のキャリア濃度が１０１９ｃｍ−３程度と非常に高い
。このため、混晶化層にも電流がかなり流れ込み、スト
ライプ状に埋込まれた活性層に効率良く電流を注入する
のが難しい。また、Ｚｎ拡散による混晶化層をレーザ端
面の窓に用いて窓構造レーザを作成すると、窓部にも電
流が流れてしまう。このため、従来方法では非注入型の
窓構造レーザを作成することができない。
のような問題があった。即ち、Ｚｎ拡散により形成した
混晶化層には、Ｚｎが大量に含まれているので、混晶化
層のキャリア濃度が１０１９ｃｍ−３程度と非常に高い
。このため、混晶化層にも電流がかなり流れ込み、スト
ライプ状に埋込まれた活性層に効率良く電流を注入する
のが難しい。また、Ｚｎ拡散による混晶化層をレーザ端
面の窓に用いて窓構造レーザを作成すると、窓部にも電
流が流れてしまう。このため、従来方法では非注入型の
窓構造レーザを作成することができない。
【０００７】従って、このような理由から、従来の不純
物拡散を利用して作成した埋込み型の半導体レーザでは
、埋込み層である混晶化層に流れる電流が大きくて、素
子の発振しきい値が高かった。また、窓構造レーザを作
成した場合には、窓部に電流が流れ込むために動作電流
が大きくなり、高出力動作は困難であった。
物拡散を利用して作成した埋込み型の半導体レーザでは
、埋込み層である混晶化層に流れる電流が大きくて、素
子の発振しきい値が高かった。また、窓構造レーザを作
成した場合には、窓部に電流が流れ込むために動作電流
が大きくなり、高出力動作は困難であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、不純
物拡散により混晶化層を形成する方法では、混晶化層の
キャリア濃度が高くなり、この混晶化層を埋込み層や窓
構造として用いたレーザの特性を悪化させるという問題
があった。
物拡散により混晶化層を形成する方法では、混晶化層の
キャリア濃度が高くなり、この混晶化層を埋込み層や窓
構造として用いたレーザの特性を悪化させるという問題
があった。
【０００９】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、その目的とするところは、キャリア濃度の低い混晶
化層を形成することができ、発振しきい値の低減化や出
力の増大等に寄与し得る半導体レーザの製造方法を提供
することにある。 ［発明の構成］
で、その目的とするところは、キャリア濃度の低い混晶
化層を形成することができ、発振しきい値の低減化や出
力の増大等に寄与し得る半導体レーザの製造方法を提供
することにある。 ［発明の構成］
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、埋込み
型半導体レーザの埋込み層及び窓構造半導体レーザの窓
部に、不純物拡散により混晶化した混晶化層を用いるの
ではなく、熱処理により活性層を混晶化した混晶化層を
用いることにある。
型半導体レーザの埋込み層及び窓構造半導体レーザの窓
部に、不純物拡散により混晶化した混晶化層を用いるの
ではなく、熱処理により活性層を混晶化した混晶化層を
用いることにある。
【００１１】即ち本発明は、埋込み型や窓構造の半導体
レーザの製造方法において、化合物半導体基板上に、活
性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を形成し
たのち、このダブルヘテロ構造部の上に一部開口を有す
る誘電体膜を形成し、次いで基板に熱処理を施して、活
性層のうちの誘電体膜の直下の部分を混晶化し、これに
より活性層を、該活性層よりも屈折率が低くバンドギャ
ップが大きい混晶化層で埋込んで屈折率導波構造を形成
するようにした方法である。
レーザの製造方法において、化合物半導体基板上に、活
性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を形成し
たのち、このダブルヘテロ構造部の上に一部開口を有す
る誘電体膜を形成し、次いで基板に熱処理を施して、活
性層のうちの誘電体膜の直下の部分を混晶化し、これに
より活性層を、該活性層よりも屈折率が低くバンドギャ
ップが大きい混晶化層で埋込んで屈折率導波構造を形成
するようにした方法である。
【００１２】ここで、誘電体膜の開口をストライプ状と
すれば、活性層がストライプ状に形成され、その両側面
が混晶化層で埋込まれた埋込み型半導体レーザで得られ
る。また、レーザの導波方向と直交する方向に誘電体膜
をストライプ状に形成し、熱処理後にストライプ方向に
沿ってへき開すれば、共振器端面が混晶化層で埋込まれ
た窓構造の半導体レーザが得られる。さらに、誘電体膜
の開口を短冊状とすれば、短冊状の活性層の両側面及び
両端面が混晶化層で埋込まれた窓構造埋込み型半導体レ
ーザが得られる。また、本発明の望ましい実施態様とし
ては、次のものがあげられる。 （１） 活性層を、単一若しくは多重量子井戸構造に形
成すること。これに加え、量子井戸活性層を光ガイド層
で挟むこと。 （２） 誘電体膜として、ＳｉＯ２ 又はＳｉ３ Ｎ４
を用いること。
すれば、活性層がストライプ状に形成され、その両側面
が混晶化層で埋込まれた埋込み型半導体レーザで得られ
る。また、レーザの導波方向と直交する方向に誘電体膜
をストライプ状に形成し、熱処理後にストライプ方向に
沿ってへき開すれば、共振器端面が混晶化層で埋込まれ
た窓構造の半導体レーザが得られる。さらに、誘電体膜
の開口を短冊状とすれば、短冊状の活性層の両側面及び
両端面が混晶化層で埋込まれた窓構造埋込み型半導体レ
ーザが得られる。また、本発明の望ましい実施態様とし
ては、次のものがあげられる。 （１） 活性層を、単一若しくは多重量子井戸構造に形
成すること。これに加え、量子井戸活性層を光ガイド層
で挟むこと。 （２） 誘電体膜として、ＳｉＯ２ 又はＳｉ３ Ｎ４
を用いること。
【００１３】（３） 熱処理の手法として、７５０〜９
５０℃で１時間以上アニールすること、又１５秒程度の
ラピッドサーマルアニールを１回以上行うこと。さらに
、熱処理の雰囲気として、結晶成長中の雰囲気、例えば
Ｈ２ 雰囲気を用いること。 （４） 化合物半導体材料にＩｎＧａＡｌＰを用いるこ
と。 （５） 結晶成長法として、有機金属気相成長法を用い
ること。 （６） 化合物半導体基板の表面が（１００）面から〈
０１１〉方向の内の一方向にに向かって５°〜４０°の
範囲で傾いた面であること。
５０℃で１時間以上アニールすること、又１５秒程度の
ラピッドサーマルアニールを１回以上行うこと。さらに
、熱処理の雰囲気として、結晶成長中の雰囲気、例えば
Ｈ２ 雰囲気を用いること。 （４） 化合物半導体材料にＩｎＧａＡｌＰを用いるこ
と。 （５） 結晶成長法として、有機金属気相成長法を用い
ること。 （６） 化合物半導体基板の表面が（１００）面から〈
０１１〉方向の内の一方向にに向かって５°〜４０°の
範囲で傾いた面であること。
【００１４】
【作用】活性層が単一若しくは多重量子井戸である量子
井戸構造を含む構造を形成した後に、この上にＳｉＯ２
膜を選択的に形成し、その後９００℃程度の温度で１
時間ほどアニールを行うと、活性層や量子井戸構造は薄
膜層であるので、ＳｉＯ２膜の直下の層をそれに隣接す
る層と簡単に混晶化させることができるのが知られてい
る（１９９０秋季，第５１回応用物理学会学術講演会
講演予稿集 ｐ１１００ ２６ｐ−ＺＬ−１）。こ
の現象のメカニズムは明らかではないが、薄膜層では上
部にＳｉＯ２膜が存在すると原子配列の乱れが生じ、Ｓ
ｉＯ２ 膜が存在しないと原子配列の乱れは生じないか
らであると考えられる。
井戸構造を含む構造を形成した後に、この上にＳｉＯ２
膜を選択的に形成し、その後９００℃程度の温度で１
時間ほどアニールを行うと、活性層や量子井戸構造は薄
膜層であるので、ＳｉＯ２膜の直下の層をそれに隣接す
る層と簡単に混晶化させることができるのが知られてい
る（１９９０秋季，第５１回応用物理学会学術講演会
講演予稿集 ｐ１１００ ２６ｐ−ＺＬ−１）。こ
の現象のメカニズムは明らかではないが、薄膜層では上
部にＳｉＯ２膜が存在すると原子配列の乱れが生じ、Ｓ
ｉＯ２ 膜が存在しないと原子配列の乱れは生じないか
らであると考えられる。
【００１５】本発明においては、まず化合物半導体基板
上にバルク活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構
造或いは活性層が単一若しくは多重量子井戸である量子
井戸構造を含む構造を形成した後に、埋込み層或いは窓
部を形成したい部分の上部に来るように誘電膜、例えば
ＳｉＯ２ を形成する。その後熱、処理により、例えば
９００℃程度の温度で１時間ほどアニールを行うと、活
性層や量子井戸構造は薄膜層であるので、ＳｉＯ２ 膜
の直下のこれらの層をその隣接する層と簡単に混晶化さ
せることができる。
上にバルク活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構
造或いは活性層が単一若しくは多重量子井戸である量子
井戸構造を含む構造を形成した後に、埋込み層或いは窓
部を形成したい部分の上部に来るように誘電膜、例えば
ＳｉＯ２ を形成する。その後熱、処理により、例えば
９００℃程度の温度で１時間ほどアニールを行うと、活
性層や量子井戸構造は薄膜層であるので、ＳｉＯ２ 膜
の直下のこれらの層をその隣接する層と簡単に混晶化さ
せることができる。
【００１６】ここで、バルク或いは量子井戸構造の活性
層で混晶化した部分は、誘電体膜が上部に存在しない混
晶化していない部分に比べて、バンドギャップは大きく
、屈折率は小さくなる。従って、誘電体膜のパターニン
グにより、例えばストライプ状の開口部を有するように
形成すれば、この混晶化した層を埋込み層として活性層
をストライプ状に埋込んで屈折率導波型の埋込み型半導
体レーザを作成することができる。また、レーザの導波
路方向と直交するようにストライプ状に誘電体膜を形成
しておいて、熱処理後この誘電体膜の上からストライプ
方向に沿ってへき開すれば、この部分をレーザ端面の窓
部として、窓構造の半導体レーザを作成することができ
る。さらに、誘電体膜を短冊状の開口部を有するように
形成すれば、窓構造の埋込み型半導体レーザを作成する
ことができる。
層で混晶化した部分は、誘電体膜が上部に存在しない混
晶化していない部分に比べて、バンドギャップは大きく
、屈折率は小さくなる。従って、誘電体膜のパターニン
グにより、例えばストライプ状の開口部を有するように
形成すれば、この混晶化した層を埋込み層として活性層
をストライプ状に埋込んで屈折率導波型の埋込み型半導
体レーザを作成することができる。また、レーザの導波
路方向と直交するようにストライプ状に誘電体膜を形成
しておいて、熱処理後この誘電体膜の上からストライプ
方向に沿ってへき開すれば、この部分をレーザ端面の窓
部として、窓構造の半導体レーザを作成することができ
る。さらに、誘電体膜を短冊状の開口部を有するように
形成すれば、窓構造の埋込み型半導体レーザを作成する
ことができる。
【００１７】このようにして得られた、埋込み層或いは
窓部は、不純物拡散により混晶化した従来方法と比べて
、不純物を用いていないので膜中のキャリア濃度が低い
。この結果、従来に比べて、埋込み層或いは窓部に流れ
込む電流を大幅に減少させることができる。従って本発
明によれば、埋込み型半導体レーザに関しては、動作電
流の減少によって動作中の発熱を防ぐことができ、温度
特性が大幅に向上できる。また、窓構造の半導体レーザ
に関しては、窓部に流れ込む電流が減少するために、高
い光出力動作時の動作電流を大幅に抑えることができ、
従来よりもさらに高い光出力での動作が可能となる。
窓部は、不純物拡散により混晶化した従来方法と比べて
、不純物を用いていないので膜中のキャリア濃度が低い
。この結果、従来に比べて、埋込み層或いは窓部に流れ
込む電流を大幅に減少させることができる。従って本発
明によれば、埋込み型半導体レーザに関しては、動作電
流の減少によって動作中の発熱を防ぐことができ、温度
特性が大幅に向上できる。また、窓構造の半導体レーザ
に関しては、窓部に流れ込む電流が減少するために、高
い光出力動作時の動作電流を大幅に抑えることができ、
従来よりもさらに高い光出力での動作が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００１９】図１は、本発明の第１の実施例に係わる半
導体レーザの製造工程を示す断面図である。まず、図１
（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に厚さ１
μｍのｎ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７）０
．５ Ｐクラッド層１１，厚さ０．１μｍのＩｎ０．５
（Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ光ガイド層
１２，多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層１３，厚さ０．１
μｍのＩｎ０．５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．
５ Ｐ光ガイド層１４，厚さ０．５μｍのｐ−Ｉｎ０．
５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）０．５ Ｐクラッド
層１５を、例えばＭＯＣＶＤ法で順次成長形成する。続
いて、ｐクラッド層１５の上に、幅２μｍのストライプ
状の開口部を有する厚さ０．２μｍの誘電体膜、例えば
ＳｉＯ２ 膜１６を形成する。
導体レーザの製造工程を示す断面図である。まず、図１
（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に厚さ１
μｍのｎ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７）０
．５ Ｐクラッド層１１，厚さ０．１μｍのＩｎ０．５
（Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ光ガイド層
１２，多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層１３，厚さ０．１
μｍのＩｎ０．５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．
５ Ｐ光ガイド層１４，厚さ０．５μｍのｐ−Ｉｎ０．
５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）０．５ Ｐクラッド
層１５を、例えばＭＯＣＶＤ法で順次成長形成する。続
いて、ｐクラッド層１５の上に、幅２μｍのストライプ
状の開口部を有する厚さ０．２μｍの誘電体膜、例えば
ＳｉＯ２ 膜１６を形成する。
【００２０】ここで、ＭＱＷ活性層１３は、図２（ａ）
に示すように、厚さ８ｎｍのＩｎ０．５ Ｇａ０．５
Ｐ井戸層１３ａと厚さ４ｎｍのＩｎ０．５ （Ｇａ０．
５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐバリア層１３ｂとを交互
に積層してなるもので、４つの井戸層１３ａがバリア層
１３ｂでそれぞれ仕切られた構造となっている。
に示すように、厚さ８ｎｍのＩｎ０．５ Ｇａ０．５
Ｐ井戸層１３ａと厚さ４ｎｍのＩｎ０．５ （Ｇａ０．
５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐバリア層１３ｂとを交互
に積層してなるもので、４つの井戸層１３ａがバリア層
１３ｂでそれぞれ仕切られた構造となっている。
【００２１】次いで、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
２ 膜１６の開口部に露出したｐクラッド層１５上に、
厚さ０．８μｍのｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ
０．７ ）０．５ Ｐクラッド層１７及び厚さ０．０５
μｍのｐ−Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ通電容易化層１
８を選択的に再成長して、リッジストライプ構造を形成
する。例えば、（１００）基板の場合には、［０１−１
］方向に平行にＳｉＯ２ のマスクがストライプ状に形
成されていれば、このリッジは順メサ構造となる。
２ 膜１６の開口部に露出したｐクラッド層１５上に、
厚さ０．８μｍのｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ
０．７ ）０．５ Ｐクラッド層１７及び厚さ０．０５
μｍのｐ−Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ通電容易化層１
８を選択的に再成長して、リッジストライプ構造を形成
する。例えば、（１００）基板の場合には、［０１−１
］方向に平行にＳｉＯ２ のマスクがストライプ状に形
成されていれば、このリッジは順メサ構造となる。
【００２２】このとき、ＭＱＷ活性層１３はクラッド層
１７の再成長中にアニールされることになり、さらにＭ
ＱＷ活性層１３は薄膜構造であるので、図２（ｂ）にも
示すようにＳｉＯ２ 膜１６の直下のＭＱＷ活性層１３
は混晶化して混晶化層１９となる。これにより、混晶化
層１９はリッジストライプ構造直下のＭＱＷ活性層１３
よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さくなって
、ＭＱＷの埋込み構造が形成される。
１７の再成長中にアニールされることになり、さらにＭ
ＱＷ活性層１３は薄膜構造であるので、図２（ｂ）にも
示すようにＳｉＯ２ 膜１６の直下のＭＱＷ活性層１３
は混晶化して混晶化層１９となる。これにより、混晶化
層１９はリッジストライプ構造直下のＭＱＷ活性層１３
よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さくなって
、ＭＱＷの埋込み構造が形成される。
【００２３】なお、混晶化層１９の混晶化が不十分であ
れば、ｐクラッド層１７の再成長後若しくは前に、例え
ばＨ２ 雰囲気中、８５０〜９５０℃で１時間アニール
、又は１５秒程度のラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ
）を１回以上行う。これにより確実に混晶化を進めるこ
とができる。
れば、ｐクラッド層１７の再成長後若しくは前に、例え
ばＨ２ 雰囲気中、８５０〜９５０℃で１時間アニール
、又は１５秒程度のラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ
）を１回以上行う。これにより確実に混晶化を進めるこ
とができる。
【００２４】最後に、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ
２ 膜１６をエッチングにより除去した後、厚さ３μｍ
のｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０を成長形成し、ｐ側電
極２１としてＡｕＺｎ／Ａｕを、ｎ側電極２２としてＡ
ｕＧｅ／Ａｕを形成することにより、屈折率導波構造の
埋込み型半導体レーザが完成する。
２ 膜１６をエッチングにより除去した後、厚さ３μｍ
のｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０を成長形成し、ｐ側電
極２１としてＡｕＺｎ／Ａｕを、ｎ側電極２２としてＡ
ｕＧｅ／Ａｕを形成することにより、屈折率導波構造の
埋込み型半導体レーザが完成する。
【００２５】かくして作成された半導体レーザにおいて
は、ｐクラッド層１５とコンタクト層２０との間に高い
ヘテロバリアがあるため、これが電流狭窄として作用す
る。また、ｐクラッド層１７とコンタクト層２０との間
には通電容易化層１８があるために、ｐクラッド層１７
とコンタクト層２０間のヘテロ障壁は実効的に低くなり
、この部分は電流が流れ易くなる。従って、電流はスト
ライプ状に埋込まれたＭＱＷ活性層１３に効率良く注入
される。混晶化層１９は埋込まれたＭＱＷ活性層１３に
比べてバンドギャップが大きく、しかも屈折率が小さい
ので、埋込み型の屈折率導波構造が形成され、安定した
横モード発振をする。なお井戸層１３ａの厚さは、６〜
９ｎｍで最も高い利得が得られ、従って低しきい値動作
が可能となり有利である。
は、ｐクラッド層１５とコンタクト層２０との間に高い
ヘテロバリアがあるため、これが電流狭窄として作用す
る。また、ｐクラッド層１７とコンタクト層２０との間
には通電容易化層１８があるために、ｐクラッド層１７
とコンタクト層２０間のヘテロ障壁は実効的に低くなり
、この部分は電流が流れ易くなる。従って、電流はスト
ライプ状に埋込まれたＭＱＷ活性層１３に効率良く注入
される。混晶化層１９は埋込まれたＭＱＷ活性層１３に
比べてバンドギャップが大きく、しかも屈折率が小さい
ので、埋込み型の屈折率導波構造が形成され、安定した
横モード発振をする。なお井戸層１３ａの厚さは、６〜
９ｎｍで最も高い利得が得られ、従って低しきい値動作
が可能となり有利である。
【００２６】このように本実施例方法では、量子井戸活
性層１３を埋込むための混晶化層１９を、不純物の拡散
ではなく熱処理により形成しているので、混晶化層１９
のキャリア濃度を低くすることができ、混晶化層１９に
流れ込む電流を大幅に減少させることができる。従って
、発振しきい値の低減と共に、動作電流の減少により動
作中の発熱を防ぐことができる。即ち、従来よりも温度
特性の非常に良好な、しかも従来よりも高い光出力まで
動作できる埋込み型半導体レーザを実現することができ
る。
性層１３を埋込むための混晶化層１９を、不純物の拡散
ではなく熱処理により形成しているので、混晶化層１９
のキャリア濃度を低くすることができ、混晶化層１９に
流れ込む電流を大幅に減少させることができる。従って
、発振しきい値の低減と共に、動作電流の減少により動
作中の発熱を防ぐことができる。即ち、従来よりも温度
特性の非常に良好な、しかも従来よりも高い光出力まで
動作できる埋込み型半導体レーザを実現することができ
る。
【００２７】図３は、本発明の第２の実施例に係わる半
導体レーザの概略構造を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
導体レーザの概略構造を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
【００２８】この実施例が先に説明した第１の実施例と
異なる点は、活性層１３のＭＱＷ構造及び光ガイド層１
２，１４の代わりに、活性層を厚さ０．０３μｍのＩｎ
０．５ Ｇａ０．５ Ｐ層３３としたダブルヘテロ構造
の場合の例である。作成手順は、第１の実施例と同様で
ある。活性層３３の厚さが０．０３μｍ以下と薄い場合
には、ＱＷ構造の場合と同様に混晶化効果が容易に得ら
れる。そして、ここで得られた埋込み型ＤＨレーザは、
第１の実施例と同じような原理で動作する。
異なる点は、活性層１３のＭＱＷ構造及び光ガイド層１
２，１４の代わりに、活性層を厚さ０．０３μｍのＩｎ
０．５ Ｇａ０．５ Ｐ層３３としたダブルヘテロ構造
の場合の例である。作成手順は、第１の実施例と同様で
ある。活性層３３の厚さが０．０３μｍ以下と薄い場合
には、ＱＷ構造の場合と同様に混晶化効果が容易に得ら
れる。そして、ここで得られた埋込み型ＤＨレーザは、
第１の実施例と同じような原理で動作する。
【００２９】図４は、本発明の第３の実施例に係わる半
導体レーザの概略構造を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
導体レーザの概略構造を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
【００３０】この実施例では、第１の実施例と同様に図
１（ｂ）の状態まで形成した後に、ＳｉＯ２ 膜１６を
除去することなく、連続してコンタクト層２０をｐクラ
ッド層１７及び通電容易化層１８上に成長形成する。最
後に、ｐ側電極４１としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを、ｎ側電
極２２として第１の実施例と同様にＡｕＧｅ／Ａｕを形
成した。本実施例レーザも、基本的には第１の実施例と
動作原理は同じであるが、このレーザ構造ではＳｉＯ２
膜１６が直接電流狭窄を行っている。この場合、第１
の実施例に比して結晶成長及びプロセスの回数を減らす
ことができるので、生産性が高くなる。
１（ｂ）の状態まで形成した後に、ＳｉＯ２ 膜１６を
除去することなく、連続してコンタクト層２０をｐクラ
ッド層１７及び通電容易化層１８上に成長形成する。最
後に、ｐ側電極４１としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを、ｎ側電
極２２として第１の実施例と同様にＡｕＧｅ／Ａｕを形
成した。本実施例レーザも、基本的には第１の実施例と
動作原理は同じであるが、このレーザ構造ではＳｉＯ２
膜１６が直接電流狭窄を行っている。この場合、第１
の実施例に比して結晶成長及びプロセスの回数を減らす
ことができるので、生産性が高くなる。
【００３１】なお、図４の構成において、ＭＱＷ活性層
１３及び光ガイド層１２，１４の代わりに、第２の実施
例と同様にＩｎＧａＰ活性層を用いたダブルヘテロ構造
としてもよい。
１３及び光ガイド層１２，１４の代わりに、第２の実施
例と同様にＩｎＧａＰ活性層を用いたダブルヘテロ構造
としてもよい。
【００３２】図５は、本発明の第４の実施例に係わる半
導体レーザの製造工程を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
導体レーザの製造工程を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
【００３３】この実施例では、図５（ａ）に示すように
、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に、厚さ１μｍのｎ−Ｉｎ０
．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）０．５ Ｐクラッ
ド層１１，厚さ０．１μｍのＩｎ０．５ （Ｇａ０．５
Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ光ガイド層１２，多重量子
井戸（ＭＱＷ）活性層１３，厚さ０．１μｍのＩｎ０．
５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ光ガイド
層１４，厚さ１μｍのｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３
Ａｌ０．７ ）０．５ Ｐクラッド層１５，厚さ０．０
５μｍのｐ−Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ通電容易化層
１８及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０を、例えばＭＯ
ＣＶＤ法で順次成長形成する。その後、コンタクト層２
０上に、幅２μｍのストライプ状の開口を有する厚さ０
．２μｍのＳｉＯ２ 膜１６を形成する。
、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に、厚さ１μｍのｎ−Ｉｎ０
．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）０．５ Ｐクラッ
ド層１１，厚さ０．１μｍのＩｎ０．５ （Ｇａ０．５
Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ光ガイド層１２，多重量子
井戸（ＭＱＷ）活性層１３，厚さ０．１μｍのＩｎ０．
５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ光ガイド
層１４，厚さ１μｍのｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３
Ａｌ０．７ ）０．５ Ｐクラッド層１５，厚さ０．０
５μｍのｐ−Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ通電容易化層
１８及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０を、例えばＭＯ
ＣＶＤ法で順次成長形成する。その後、コンタクト層２
０上に、幅２μｍのストライプ状の開口を有する厚さ０
．２μｍのＳｉＯ２ 膜１６を形成する。
【００３４】次いで、第１の実施例と同様にＨ２ 雰囲
気中、８５０〜９５０℃で１時間アニール、若しくは１
５秒程度のラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）を１回
以上行うことにより、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
２ 膜１６の直下のＭＱＷ活性層１３を混晶化する。続
いて、ｐ側電極４１としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを、ｎ側電
極２２としてＡｕＧｅ／Ａｕを形成した。
気中、８５０〜９５０℃で１時間アニール、若しくは１
５秒程度のラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）を１回
以上行うことにより、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
２ 膜１６の直下のＭＱＷ活性層１３を混晶化する。続
いて、ｐ側電極４１としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを、ｎ側電
極２２としてＡｕＧｅ／Ａｕを形成した。
【００３５】本実施例では、ＳｉＯ２ 膜１６が電流阻
止層となり、ストライプ状の活性層１３のみに電流を注
入することができる。また、混晶化層１９は埋込まれた
活性層１３に比べてバンドギャップが大きく屈折率が小
さいので、埋込み型の屈折率導波構造が形成され、安定
した横モード発振をする。従って、第１の実施例と同様
に発振しきい値の低減及び温度特性の向上をはかること
ができる。また、本実施例では１回の結晶成長で全ての
半導体層を形成できるので、製造工程の簡略化をはかり
得るという利点がある。
止層となり、ストライプ状の活性層１３のみに電流を注
入することができる。また、混晶化層１９は埋込まれた
活性層１３に比べてバンドギャップが大きく屈折率が小
さいので、埋込み型の屈折率導波構造が形成され、安定
した横モード発振をする。従って、第１の実施例と同様
に発振しきい値の低減及び温度特性の向上をはかること
ができる。また、本実施例では１回の結晶成長で全ての
半導体層を形成できるので、製造工程の簡略化をはかり
得るという利点がある。
【００３６】図６は、本発明の第５の実施例に係わる半
導体レーザの製造工程を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
導体レーザの製造工程を示す断面図である。なお、図１
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
【００３７】この実施例では、図６（ａ）に示すように
、第４の実施例と同様に通電容易化層１８まで形成した
後に、厚さ１．５μｍのｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層６１を
成長し、その上に幅２μｍのストライプ状の開口を有す
る厚さ０．２μｍのＳｉＯ２膜１６を形成する。その後
、第４の実施例と同様にして、ＳｉＯ２ 膜１６の直下
のＭＱＷ活性層１３を混晶化し、ＭＱＷ構造を混晶化層
１９で埋め込む。
、第４の実施例と同様に通電容易化層１８まで形成した
後に、厚さ１．５μｍのｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層６１を
成長し、その上に幅２μｍのストライプ状の開口を有す
る厚さ０．２μｍのＳｉＯ２膜１６を形成する。その後
、第４の実施例と同様にして、ＳｉＯ２ 膜１６の直下
のＭＱＷ活性層１３を混晶化し、ＭＱＷ構造を混晶化層
１９で埋め込む。
【００３８】次いで、図６（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
２ 膜１６を除去した後、電流狭窄層６１を埋込むよう
に厚さ３μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０を成長し
、最後にｐ側電極２１としてＡｕＺｎ／Ａｕを、ｎ側電
極２２としてＡｕＧｅ／Ａｕを形成した。ここで得られ
た埋込み型ＭＱＷレーザは、第４の実施例で得られたも
のと同じ動作原理で発振し、しかも電極形成が容易であ
る。
２ 膜１６を除去した後、電流狭窄層６１を埋込むよう
に厚さ３μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０を成長し
、最後にｐ側電極２１としてＡｕＺｎ／Ａｕを、ｎ側電
極２２としてＡｕＧｅ／Ａｕを形成した。ここで得られ
た埋込み型ＭＱＷレーザは、第４の実施例で得られたも
のと同じ動作原理で発振し、しかも電極形成が容易であ
る。
【００３９】図７は、本発明の第６の実施例に係わる半
導体レーザの製造工程を説明するためのもので、（ａ）
は斜視図、（ｂ）（ｄ）は（ａ）の矢視Ａ−Ａ′断面図
、（ｃ）（ｅ）は（ａ）の矢視Ｂ−Ｂ′断面図である。 この実施例は、第５の実施例の手法を窓構造の形成と埋
込み構造の形成の両方に用いたものである。
導体レーザの製造工程を説明するためのもので、（ａ）
は斜視図、（ｂ）（ｄ）は（ａ）の矢視Ａ−Ａ′断面図
、（ｃ）（ｅ）は（ａ）の矢視Ｂ−Ｂ′断面図である。 この実施例は、第５の実施例の手法を窓構造の形成と埋
込み構造の形成の両方に用いたものである。
【００４０】第５の実施例と同様にして、図７（ａ）に
示すように、厚さ１．５μｍのｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
６１まで形成した後に、例えばストライプ幅２μｍ，ス
トライプの長さが４００μｍの短冊状の開口部を有する
厚さ０．２μｍのＳｉＯ２ マスク１６を形成する。次
いで、図７（ｂ）（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２ 膜１
６の直下のＭＱＷ活性層１３を混晶化して、ＭＱＷの埋
込み構造と同時に窓構造を形成する。
示すように、厚さ１．５μｍのｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
６１まで形成した後に、例えばストライプ幅２μｍ，ス
トライプの長さが４００μｍの短冊状の開口部を有する
厚さ０．２μｍのＳｉＯ２ マスク１６を形成する。次
いで、図７（ｂ）（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２ 膜１
６の直下のＭＱＷ活性層１３を混晶化して、ＭＱＷの埋
込み構造と同時に窓構造を形成する。
【００４１】次いで、図７（ｄ）（ｅ）に示すように、
ＳｉＯ２ 膜１６をマスクに電流狭窄層６１を、通電容
易化層１８が露出するまでエッチングすることにより、
電流狭窄構造を形成する。続いて、ＳｉＯ２ 膜１６を
除去した後に、厚さ３μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層
２０を成長し、ｐ側電極２１としてＡｕＺｎ／Ａｕを、
ｎ側電極２２としてＡｕＧｅ／Ａｕを形成した。
ＳｉＯ２ 膜１６をマスクに電流狭窄層６１を、通電容
易化層１８が露出するまでエッチングすることにより、
電流狭窄構造を形成する。続いて、ＳｉＯ２ 膜１６を
除去した後に、厚さ３μｍのｐ−ＧａＡｓコンタクト層
２０を成長し、ｐ側電極２１としてＡｕＺｎ／Ａｕを、
ｎ側電極２２としてＡｕＧｅ／Ａｕを形成した。
【００４２】ここで得られた窓構造の埋込み型ＭＱＷレ
ーザは第５の実施例と同様な動作原理で発振する。しか
も、不純物拡散ではなく熱処理による混晶化層１９を用
いているので、非注入型の窓構造を実現することができ
、端面破壊が生じ難く高出力動作が可能となる。
ーザは第５の実施例と同様な動作原理で発振する。しか
も、不純物拡散ではなく熱処理による混晶化層１９を用
いているので、非注入型の窓構造を実現することができ
、端面破壊が生じ難く高出力動作が可能となる。
【００４３】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。例えば、第１〜第５の実施例におい
ても、第６の実施例と同様にして、窓構造と埋込み構造
の同時形成を行うことが可能である。このときも、第６
の実施例と同じ動作原理で発振する非注入型の窓構造の
埋込み型ＭＱＷレーザを得ることができる。
れるものではない。例えば、第１〜第５の実施例におい
ても、第６の実施例と同様にして、窓構造と埋込み構造
の同時形成を行うことが可能である。このときも、第６
の実施例と同じ動作原理で発振する非注入型の窓構造の
埋込み型ＭＱＷレーザを得ることができる。
【００４４】また、活性層はＭＱＷ構造に限るものでは
なく、活性層が０．０３μｍ以下と薄い場合には、通常
の活性層がバルクのダブルヘテロ構造レーザにも適用可
能である。また、実施例では、ＩｎＧａＡｌＰ系の半導
体レーザを中心に述べたが、他の材料系でも適用可能で
ある。さらに、誘電体膜としてはＳｉＯ２ に限らず、
Ｓｉ３ Ｎ４ 膜を用いることも可能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
なく、活性層が０．０３μｍ以下と薄い場合には、通常
の活性層がバルクのダブルヘテロ構造レーザにも適用可
能である。また、実施例では、ＩｎＧａＡｌＰ系の半導
体レーザを中心に述べたが、他の材料系でも適用可能で
ある。さらに、誘電体膜としてはＳｉＯ２ に限らず、
Ｓｉ３ Ｎ４ 膜を用いることも可能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、埋
込み型半導体レーザの埋込み層及び窓構造半導体レーザ
の窓部に、不純物拡散により混晶化した混晶化層を用い
るのではなく、熱処理により活性層を混晶化して混晶化
層を形成することより、キャリア濃度の低い混晶化層を
形成することができ、発振しきい値の低減化や出力の増
大等に寄与し得る半導体レーザを製造することが可能と
なる。
込み型半導体レーザの埋込み層及び窓構造半導体レーザ
の窓部に、不純物拡散により混晶化した混晶化層を用い
るのではなく、熱処理により活性層を混晶化して混晶化
層を形成することより、キャリア濃度の低い混晶化層を
形成することができ、発振しきい値の低減化や出力の増
大等に寄与し得る半導体レーザを製造することが可能と
なる。
【図１】本発明の第１の実施例に係わる半導体レーザの
製造工程を示す断面図。
製造工程を示す断面図。
【図２】図１の要部構成を拡大して示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の概略構造を示す断面図
。
。
【図４】本発明の第３の実施例の概略構造を示す断面図
。
。
【図５】本発明の第４の実施例を説明するための工程断
面図。
面図。
【図６】本発明の第５の実施例を説明するための工程断
面図。
面図。
【図７】本発明の第６の実施例を説明するための斜視図
及び断面図。
及び断面図。
【図８】従来の半導体レーザ製造方法を説明するための
工程断面図。
工程断面図。
１０…ｎ−ＧａＡｓ基板（化合物半導体基板）、１１…
ｎ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）０．５
Ｐクラッド層、 １２…Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．
５ Ｐ光ガイド層、 １３…多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層、１３ａ…Ｉｎ０
．５ Ｇａ０．５ Ｐ井戸層、１３ｂ…Ｉｎ０．５ （
Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐバリア層１４…
Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ
光ガイド層、 １５…ｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）
０．５ Ｐクラッド層、 １６…ＳｉＯ２ 膜（誘電体膜）、 １７…ｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）
０．５ Ｐクラッド層、 １８…ｐ−Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ通電容易化層、
１９…混晶化層、 ２０…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、 ２１，４１…ｐ側電極、 ２２…ｎ側電極、 ３３…Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ活性層、６１…ｎ−
ＧａＡｓ電流狭窄層。
ｎ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）０．５
Ｐクラッド層、 １２…Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．
５ Ｐ光ガイド層、 １３…多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層、１３ａ…Ｉｎ０
．５ Ｇａ０．５ Ｐ井戸層、１３ｂ…Ｉｎ０．５ （
Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐバリア層１４…
Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．５ Ａｌ０．５ ）０．５ Ｐ
光ガイド層、 １５…ｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）
０．５ Ｐクラッド層、 １６…ＳｉＯ２ 膜（誘電体膜）、 １７…ｐ−Ｉｎ０．５ （Ｇａ０．３ Ａｌ０．７ ）
０．５ Ｐクラッド層、 １８…ｐ−Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ通電容易化層、
１９…混晶化層、 ２０…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、 ２１，４１…ｐ側電極、 ２２…ｎ側電極、 ３３…Ｉｎ０．５ Ｇａ０．５ Ｐ活性層、６１…ｎ−
ＧａＡｓ電流狭窄層。
Claims (1)
- 【請求項１】化合物半導体基板上に活性層をクラッド層
で挟んだダブルヘテロ構造部を形成する工程と、前記ダ
ブルヘテロ構造部の上に一部開口を有する誘電体膜を形
成する工程と、次いで前記基板に熱処理を施して、前記
活性層のうちの前記誘電体膜の直下の部分を混晶化する
工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105091A JPH04269886A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105091A JPH04269886A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269886A true JPH04269886A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=12320660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105091A Pending JPH04269886A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04269886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0945939A3 (en) * | 1998-03-25 | 2002-07-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| JP2011233644A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3105091A patent/JPH04269886A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0945939A3 (en) * | 1998-03-25 | 2002-07-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| US6639926B1 (en) | 1998-03-25 | 2003-10-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| EP2390929A1 (en) * | 1998-03-25 | 2011-11-30 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| JP2011233644A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
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