JPS6236753A - 導波路型光ピツクアツプヘツド - Google Patents
導波路型光ピツクアツプヘツドInfo
- Publication number
- JPS6236753A JPS6236753A JP60175510A JP17551085A JPS6236753A JP S6236753 A JPS6236753 A JP S6236753A JP 60175510 A JP60175510 A JP 60175510A JP 17551085 A JP17551085 A JP 17551085A JP S6236753 A JPS6236753 A JP S6236753A
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- Japan
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- light
- waveguide
- lens
- semiconductor laser
- optical pickup
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスクに対し情報の記録再生を行なう導波
路型光ピックア、グヘ、ドに関し、特に構造の簡略化手
段に関する。
路型光ピックア、グヘ、ドに関し、特に構造の簡略化手
段に関する。
レーザ光を用いた高密度情報記録システムとしての光デ
イスクシステムは、急速に展開しつつある情報化社会を
担う情報システムとして注目されている。そして既に実
用化されているビデオディスクを含め光デイスクシステ
ムはさらに一層の機能向上をめざして活発な研究開発が
行なわれている。かかる光デイスクシステムにおける光
ピックア、グヘッドはアナロググレーヤのピックアップ
カートリッジに相当するものであり光ｆ４スクシステム
にとってきわめて重要なコンＩ−ネントであるといえる
。
イスクシステムは、急速に展開しつつある情報化社会を
担う情報システムとして注目されている。そして既に実
用化されているビデオディスクを含め光デイスクシステ
ムはさらに一層の機能向上をめざして活発な研究開発が
行なわれている。かかる光デイスクシステムにおける光
ピックア、グヘッドはアナロググレーヤのピックアップ
カートリッジに相当するものであり光ｆ４スクシステム
にとってきわめて重要なコンＩ−ネントであるといえる
。
これまで開発されてきた光ピックアッ！ヘッドは、いず
れも半導体レーザ、レンズ、ミラー。
れも半導体レーザ、レンズ、ミラー。
偏光ビームスグリツタ等の個々の光学素子を金属基板上
に配置したものとなっている。したがって小型・軽量化
が難しく、部品点数が多いという欠点があった。
に配置したものとなっている。したがって小型・軽量化
が難しく、部品点数が多いという欠点があった。
このような問題点を解決する手段として、例えば特開昭
５９−１５１１２９号公報に示されているように導波路
を用いた光ピツクアップヘッドが提案されている。
５９−１５１１２９号公報に示されているように導波路
を用いた光ピツクアップヘッドが提案されている。
第１２図はその概要を示す図であるう図に示すようにシ
リコン基板ｌ上にはＬＩＮｂＯ３基板２が配置され、そ
の上層部に導波路２ａが形成されている。導波路２ａの
光入射端には半導体レーザ３が設置されておシ、光出射
端には集積化レンズ４が接合されている。そして導波路
２１の途中には、光入射端側から光出射端側に向けて、
半導体レーザ３からの出射光を平行光束化するコリメー
トレンズ５、平行光束化された光ビームをブラッグ回折
させるための弾性表面波を発生させる交差電極６、回折
光を導波路２ａの断面内で偏位させるグレーティングレ
ンズ７、が順次配設されている。またシリコン基板ｌの
一側面には６個のフォトダイオードからなる光検出器８
が設けである。シリコン基板１の上面にはマイクロコン
ピュータで構成された制御回路９が設けてあシ、前記集
積化レンズ４、交差電極６．グレーティングレンズ７、
光検出器８などと電気的に接続されている。かくして半
導体レーザ３から出射したレーザ光は導波路２ａを伝搬
し、伝搬した光ビームは集積化レン−ｅ４により光７”
４スク１０上の図示しないピットに集光照射される。光
ｆ４スク１０からの反射光は光検出器８により受光され
、光デイスク１０上に形成される光スボ、トの状態すな
わちフォーカシング情報、トラ、キング情報などの検出
が行なわれるものとなっている。
リコン基板ｌ上にはＬＩＮｂＯ３基板２が配置され、そ
の上層部に導波路２ａが形成されている。導波路２ａの
光入射端には半導体レーザ３が設置されておシ、光出射
端には集積化レンズ４が接合されている。そして導波路
２１の途中には、光入射端側から光出射端側に向けて、
半導体レーザ３からの出射光を平行光束化するコリメー
トレンズ５、平行光束化された光ビームをブラッグ回折
させるための弾性表面波を発生させる交差電極６、回折
光を導波路２ａの断面内で偏位させるグレーティングレ
ンズ７、が順次配設されている。またシリコン基板ｌの
一側面には６個のフォトダイオードからなる光検出器８
が設けである。シリコン基板１の上面にはマイクロコン
ピュータで構成された制御回路９が設けてあシ、前記集
積化レンズ４、交差電極６．グレーティングレンズ７、
光検出器８などと電気的に接続されている。かくして半
導体レーザ３から出射したレーザ光は導波路２ａを伝搬
し、伝搬した光ビームは集積化レン−ｅ４により光７”
４スク１０上の図示しないピットに集光照射される。光
ｆ４スク１０からの反射光は光検出器８により受光され
、光デイスク１０上に形成される光スボ、トの状態すな
わちフォーカシング情報、トラ、キング情報などの検出
が行なわれるものとなっている。
しかるに上記構成の従来の光ビックアッグへ、ドにおい
ては、制御回路９の基板を形成しているシリコンと導波
路２ａの基板を形成しているＬ １ＮｂＯｓとの整９合
性が悪いという欠点を有している。また導波路２ａには
光をブラッグ回折させるため弾性表面波を発生させるた
めの交差電極６やグレーティングレンズ７が配置されて
いるため、極めて複雑な製造工程を必要とし、コストの
低減をはかシがたいという欠点を有していた。さらに同
一基板上に光源である半導体レーザ３．光検出器８など
を導波路２ａと一体的に集積化することが困難であシ、
この点でも製作が咀難化しコスト高とならざるを得ない
という問題があった。
ては、制御回路９の基板を形成しているシリコンと導波
路２ａの基板を形成しているＬ １ＮｂＯｓとの整９合
性が悪いという欠点を有している。また導波路２ａには
光をブラッグ回折させるため弾性表面波を発生させるた
めの交差電極６やグレーティングレンズ７が配置されて
いるため、極めて複雑な製造工程を必要とし、コストの
低減をはかシがたいという欠点を有していた。さらに同
一基板上に光源である半導体レーザ３．光検出器８など
を導波路２ａと一体的に集積化することが困難であシ、
この点でも製作が咀難化しコスト高とならざるを得ない
という問題があった。
ここで本発明は、基板素材間の整合性の問題がなく、製
作が極めて容易でコストの低減をはかシ得、加えて高速
度なトラツキビグを行なえる導波路型光ピックア、ｆヘ
ッドを提供することを目的とする。
作が極めて容易でコストの低減をはかシ得、加えて高速
度なトラツキビグを行なえる導波路型光ピックア、ｆヘ
ッドを提供することを目的とする。
本発明は上記問題点を解決し目的を達成するために、次
のような手段を講じたことを特徴としている。すなわち
、光入射端から入射した光を光出射端へ導くように導波
路を設け、この導波路の光入射端に出射光偏光機能を有
する半導体レーザを設置し、この半導体レーザからの出
射光を平行光束化するように前記導波路内にコリメート
レンズを設け、このコリメートレンズにより平行光束化
された光を回折して出射光をスポット化し前記導波路の
光出射端から光ディスクに向けて出射するように空間周
波数の異なる回折格子を備えたグレーティングを前記導
波路内に設け、前記光ディスクからの反射光を受光しフ
ォーカス情報およびトラッキング情報を検出するように
検出手段を設ける。
のような手段を講じたことを特徴としている。すなわち
、光入射端から入射した光を光出射端へ導くように導波
路を設け、この導波路の光入射端に出射光偏光機能を有
する半導体レーザを設置し、この半導体レーザからの出
射光を平行光束化するように前記導波路内にコリメート
レンズを設け、このコリメートレンズにより平行光束化
された光を回折して出射光をスポット化し前記導波路の
光出射端から光ディスクに向けて出射するように空間周
波数の異なる回折格子を備えたグレーティングを前記導
波路内に設け、前記光ディスクからの反射光を受光しフ
ォーカス情報およびトラッキング情報を検出するように
検出手段を設ける。
光源として出射光を偏向させ得る機能をもった半導体レ
ーザを用いるので、単一素材で形成した基板上の導波路
にコリメートレンズ・グレーティングを設ければよく、
ブラッグ回折用の弾性表面波発生用交差電極等を設ける
必要がない。しかも光源としての半導体レーザや光検出
器を導波路と一体的に集積できる上、半導体レーザの偏
向走査によりトラッキングを行なえるのとなる。
ーザを用いるので、単一素材で形成した基板上の導波路
にコリメートレンズ・グレーティングを設ければよく、
ブラッグ回折用の弾性表面波発生用交差電極等を設ける
必要がない。しかも光源としての半導体レーザや光検出
器を導波路と一体的に集積できる上、半導体レーザの偏
向走査によりトラッキングを行なえるのとなる。
第１図は本発明の第１の実施例の全体的構成を示す斜視
図である。第１図において１ノはＬ ｉ Ｎｂ Ｏｓ基
板であり、この基板上にはＴＩ拡散して形成したブレー
ナ型環波路１２が設けである。
図である。第１図において１ノはＬ ｉ Ｎｂ Ｏｓ基
板であり、この基板上にはＴＩ拡散して形成したブレー
ナ型環波路１２が設けである。
この導波路１２０光會射端には出射光偏向機能を有する
半導体レーザ即ちビームスキャニングレーザ（以下ＢＳ
Ｌと略称する）１３が設けてあり、導波路１２の途中に
は光入射端から光出射端側に向けて、導波路レンズ（例
えばルネプルグレンズ、ジオグラツクレンズなど）１４
およびグレーティング１５が設けられておシ、出射端近
傍には光検出器１６が設けられている。なおりＳＬ￥＝
＃／については後で詳細に説明するが、。
半導体レーザ即ちビームスキャニングレーザ（以下ＢＳ
Ｌと略称する）１３が設けてあり、導波路１２の途中に
は光入射端から光出射端側に向けて、導波路レンズ（例
えばルネプルグレンズ、ジオグラツクレンズなど）１４
およびグレーティング１５が設けられておシ、出射端近
傍には光検出器１６が設けられている。なおりＳＬ￥＝
＃／については後で詳細に説明するが、。
導波路レン、ｅ１４の焦点位置く設置される。か１くし
てＢＳＬ １３から出射したレーザ光は、導波路１２を
伝搬し、レンズ１４に入射する。レンズ１４に入射した
光はコリメートされ、グレーティング１５に入射する。
てＢＳＬ １３から出射したレーザ光は、導波路１２を
伝搬し、レンズ１４に入射する。レンズ１４に入射した
光はコリメートされ、グレーティング１５に入射する。
このグレーティング１５は、その回折格子の空間周波数
がそれぞれの位置において異なるように形成されている
ので、それぞれの位置での回折角が変化し、光デイスク
１０上に元スポットが形成される。光ディスク１０から
の反射光は、基板１１の出射端近傍に取付けである光検
出器１６に入射し、光デイスク１０上の光スポットのフ
ォーカシング情報およびトラッキング情報の検出が行な
われる。
がそれぞれの位置において異なるように形成されている
ので、それぞれの位置での回折角が変化し、光デイスク
１０上に元スポットが形成される。光ディスク１０から
の反射光は、基板１１の出射端近傍に取付けである光検
出器１６に入射し、光デイスク１０上の光スポットのフ
ォーカシング情報およびトラッキング情報の検出が行な
われる。
次に第１図に示１７（ＢＳＬ １３について説明する。
半導体レーザげは、一般にその導波機構に応じて、屈折
率導波型と利得導波型との二つく分けられる。前者は、
半導体レーザの活性層の接合面に対し、垂直方向および
平行方向ともに屈折率によって光が導波される機構をも
ったものであるのに対し、後者は活性層に注入されるキ
ャリア密度に依存する利得の高いところに沿って光が導
波されるという性質に基いた機構を有するものである。
率導波型と利得導波型との二つく分けられる。前者は、
半導体レーザの活性層の接合面に対し、垂直方向および
平行方向ともに屈折率によって光が導波される機構をも
ったものであるのに対し、後者は活性層に注入されるキ
ャリア密度に依存する利得の高いところに沿って光が導
波されるという性質に基いた機構を有するものである。
ＢＳＬ １ ｊは、この利得導波機構を積極的に活用し
たものである。すなわち、通常の利得導波子ｌ 型半導体レーザの活性層内６楠梅＋分布は、活性層上に
電流注入電極が一様に形成されているので、活性層中心
に対して対称に分布する。一方、ＢＳＬ １ ｊの場合
は、活性層上に２つく分割した電極が形成されており、
しかもこの一対の電極には独立に電流を注入することが
できるので、活性層内の利得分布を非対称にすることが
できる。
たものである。すなわち、通常の利得導波子ｌ 型半導体レーザの活性層内６楠梅＋分布は、活性層上に
電流注入電極が一様に形成されているので、活性層中心
に対して対称に分布する。一方、ＢＳＬ １ ｊの場合
は、活性層上に２つく分割した電極が形成されており、
しかもこの一対の電極には独立に電流を注入することが
できるので、活性層内の利得分布を非対称にすることが
できる。
第２図けＢＳＬ Ｉ Ｊの構造例を示す斜視図であり、
文献ｒＤ、Ｒ，５ｃｌｆｒ＠＋ｓ ＡｐＩ）ｌ ｐｈｙ
ｓ Ｌ＠ｔｔ ３３（８）・７０２・１９７８Ｊに示さ
れているものである。
文献ｒＤ、Ｒ，５ｃｌｆｒ＠＋ｓ ＡｐＩ）ｌ ｐｈｙ
ｓ Ｌ＠ｔｔ ３３（８）・７０２・１９７８Ｊに示さ
れているものである。
第２図に示すようにｎ型ＧａＡａ基板２１上に、ｎ型Ｇ
ａ、５Ａｔ（１５Ａｓクラッド層２２、ｐ型Ｇ＆ １１
９５Ａｔａｏ ｓＡｌ活性層２３、ｐ型”（ＬＳＡｔｌ
ｌＬ５ＡＪクラッド層２４及び！ｌ ｆｆ１ＧａＡａキ
ャップ層２５が順電極２７ ａ ＊ ２７ ｂが設けで
ある。すなわちこの電極２７凰、２７ｂＦｉ、電極分割
部分２８において分離されておシ、一対のリード１１１
１２９畠。
ａ、５Ａｔ（１５Ａｓクラッド層２２、ｐ型Ｇ＆ １１
９５Ａｔａｏ ｓＡｌ活性層２３、ｐ型”（ＬＳＡｔｌ
ｌＬ５ＡＪクラッド層２４及び！ｌ ｆｆ１ＧａＡａキ
ャップ層２５が順電極２７ ａ ＊ ２７ ｂが設けで
ある。すなわちこの電極２７凰、２７ｂＦｉ、電極分割
部分２８において分離されておシ、一対のリード１１１
１２９畠。
２９ｂを介してそれぞれ独立に電流Ｉ、、Ｉ２を注入可
能になっている。また前記キャッゾ層２５の電極２７ｈ
、２７ｂと接している部分には、それぞれＺｎ拡散領域
３０ｈ、３０ｂが設けてあシ、電極２７ ａ ｅ ２７
ｂから注入される電流励起領域を制限するようになっ
ている。
能になっている。また前記キャッゾ層２５の電極２７ｈ
、２７ｂと接している部分には、それぞれＺｎ拡散領域
３０ｈ、３０ｂが設けてあシ、電極２７ ａ ｅ ２７
ｂから注入される電流励起領域を制限するようになっ
ている。
活性層２３７の活性領域３１における非対称利得分布は
、上述した注入電流Ｉ、、Ｉ、の比を変えることにより
行う。
、上述した注入電流Ｉ、、Ｉ、の比を変えることにより
行う。
すなわち、注入電流を非対称（Ｉ、キＩ、）Ｋすると、
活性層２３内に注入されるキャリアの密度は注入電流の
大きい電極側が高くなる。
活性層２３内に注入されるキャリアの密度は注入電流の
大きい電極側が高くなる。
例えばＩｔ＞Ｉ意の場合には、電極２７ｍ側からキャリ
アが多く注入され、活性領域３ノ内での利得は１１側が
高くなる。従って、利得分布Ｏピーりが２７ａｇＩＩＫ
偏った第３図（、）に示すような分布を示す。逆ＫＩｔ
＜Ｉｓ とすると、活性領域３ノ内での利得は工３側が
高くなり、利得分布のピークが２７ｂ側に偏った第３図
（ｂ）に示すような分布を示す。第３図（ａ） 、 （
ｂ）に示す利得分布を形成した場合の活性層２３の光モ
ードの波面の位相は、第４図（、） （ｂ）に示すよう
に傾斜した波面となることがわかる。波面の傾斜の方平
行な方向を示す。
アが多く注入され、活性領域３ノ内での利得は１１側が
高くなる。従って、利得分布Ｏピーりが２７ａｇＩＩＫ
偏った第３図（、）に示すような分布を示す。逆ＫＩｔ
＜Ｉｓ とすると、活性領域３ノ内での利得は工３側が
高くなり、利得分布のピークが２７ｂ側に偏った第３図
（ｂ）に示すような分布を示す。第３図（ａ） 、 （
ｂ）に示す利得分布を形成した場合の活性層２３の光モ
ードの波面の位相は、第４図（、） （ｂ）に示すよう
に傾斜した波面となることがわかる。波面の傾斜の方平
行な方向を示す。
レーザ出射光の方向は、活性層２３内の光のて所定角度
偏向された方向にピークを有している。
偏向された方向にピークを有している。
この出射光ピーク位置は、活性層２３への注ＢＳＬ Ｉ
Ｊの光源としての動作の特徴は、第６図（、）に示す
ように、出射光の強度分布のピークＰを注入電流比Ｉｔ
／Ｉ！の可変操作によ）矢印で示すように連続的に偏向
させることができる点である。
Ｊの光源としての動作の特徴は、第６図（、）に示す
ように、出射光の強度分布のピークＰを注入電流比Ｉｔ
／Ｉ！の可変操作によ）矢印で示すように連続的に偏向
させることができる点である。
従って、第６図（ｂ） Ｋ示すように、ＢＳＬ ７ Ｊ
レーザの出射端面をレンズの焦点（ｆは焦点距離）上に
置くことにより、レーザビームの矢印Ｖのようなビーム
偏向動作に応じて、レンズ３通過美 後の平行光束を矢印のように平行移動することが可能に
なる。
レーザの出射端面をレンズの焦点（ｆは焦点距離）上に
置くことにより、レーザビームの矢印Ｖのようなビーム
偏向動作に応じて、レンズ３通過美 後の平行光束を矢印のように平行移動することが可能に
なる。
つまりＢＳＬ Ｉ Ｊとレンズ１４との組合せによυ、
光源であるＢＳＬ Ｉ Ｊのビームスキャニングを行な
うのみで弾性表面波発生素子を用いることなく平行光束
の平行移動を容易に実現できる。
光源であるＢＳＬ Ｉ Ｊのビームスキャニングを行な
うのみで弾性表面波発生素子を用いることなく平行光束
の平行移動を容易に実現できる。
なおりＳＬ １３のビームスキャニング周波数は半導体
レーザにおける変調周波数の領域まで可能であるから、
高速度なトラッキングを行なえる。次にフォーカシング
およびトラッキング情報の検出手段について説明する。
レーザにおける変調周波数の領域まで可能であるから、
高速度なトラッキングを行なえる。次にフォーカシング
およびトラッキング情報の検出手段について説明する。
７オーカシング情報検出は、第７図（、）に示すように
導波路１２の出射端近傍に取付けた光検出器１６上に照
射される反射光の光スポツト位置を検出することによ）
行なわれる。すなわち導波路１２の光出射端と光ディス
ク１０との距離ｔを、光ピー、ムが光デイスク１０上に
正しくフォーカスしたＣの場合において第７図（ｂ）に
示すように反射光スＩ、トが光検出器１６の中央位置に
照射されるように初期設定すると、デフォーカスしたＡ
あるいはＢの場合には、光スデ、トが中央から左右にず
れた位置に形成される。
導波路１２の出射端近傍に取付けた光検出器１６上に照
射される反射光の光スポツト位置を検出することによ）
行なわれる。すなわち導波路１２の光出射端と光ディス
ク１０との距離ｔを、光ピー、ムが光デイスク１０上に
正しくフォーカスしたＣの場合において第７図（ｂ）に
示すように反射光スＩ、トが光検出器１６の中央位置に
照射されるように初期設定すると、デフォーカスしたＡ
あるいはＢの場合には、光スデ、トが中央から左右にず
れた位置に形成される。
またそのときの反射光のスポット径は距離ｔがフォーカ
ス時よりも短くなったＡの場合には小さくなるが、逆に
距離ｔが長くなるＢの場合には大きくなる。したがって
スポット位置とスポット径とを検出することによりフォ
ーカシング情報の検出を行なえる。
ス時よりも短くなったＡの場合には小さくなるが、逆に
距離ｔが長くなるＢの場合には大きくなる。したがって
スポット位置とスポット径とを検出することによりフォ
ーカシング情報の検出を行なえる。
一方トラッキング情報検出は、光デイスク１０上のビッ
トのある部分とない部分とで反射光が互いに干渉するこ
とを利用して行なう。すなわち、光スポットがピから外
れると光は１００チ近く反射されるのく対し、光スポッ
トが一部ピ、ト内を照射すると、反射率が低下し１反射
光の光量変化が生じる。そこで上記光量の変化を監視し
、最少光量を検知することにより、トラッキング情報を
検出できる。トラ、キングエラーが生じた場合にはＢＳ
Ｌ １３への注入電流比ヲ変えてビームスキャニングを
行ない、レンズ１４を通過後の平行光束を平行移動させ
、空間周波数の異なるグレーティングに入射させること
により入射平行光束の回折方向を変え、光デイスク１０
上で光スポットのトラッキングを行なえばよい。
トのある部分とない部分とで反射光が互いに干渉するこ
とを利用して行なう。すなわち、光スポットがピから外
れると光は１００チ近く反射されるのく対し、光スポッ
トが一部ピ、ト内を照射すると、反射率が低下し１反射
光の光量変化が生じる。そこで上記光量の変化を監視し
、最少光量を検知することにより、トラッキング情報を
検出できる。トラ、キングエラーが生じた場合にはＢＳ
Ｌ １３への注入電流比ヲ変えてビームスキャニングを
行ない、レンズ１４を通過後の平行光束を平行移動させ
、空間周波数の異なるグレーティングに入射させること
により入射平行光束の回折方向を変え、光デイスク１０
上で光スポットのトラッキングを行なえばよい。
次に第８図に示す第２の実施例について説明する。この
第２の実施例が前記第１の実施例と異なる点は、光ディ
スク１０からの反射光を導波路１２内に再入射させ、そ
の後検出するようにした点である。すなわち、光デイス
ク１００反射光はカブリングプリズム１７により導波路
１２に結合され再入射する。そして導波路１２内に設け
られた集光レンズ１８により集光されて導波路１２の光
入射端側に設置された光検出器１９に入射し、検出され
るものとなっている。
第２の実施例が前記第１の実施例と異なる点は、光ディ
スク１０からの反射光を導波路１２内に再入射させ、そ
の後検出するようにした点である。すなわち、光デイス
ク１００反射光はカブリングプリズム１７により導波路
１２に結合され再入射する。そして導波路１２内に設け
られた集光レンズ１８により集光されて導波路１２の光
入射端側に設置された光検出器１９に入射し、検出され
るものとなっている。
本実施例におけるフォーカシングおよびトラッキング情
報検出は次のように行なわれる。フォーカシング情報検
出は、第９図に示すように、−カスＡ、Ｈの場合とでは
導波路７ ｚ嘔週ｐ３、射後においてレンズノ８ＶＣ対
する入射位置が異なるものとなり光検出器１９により検
出される光量に変化が生じることになる。そこで象の光
量変化からフす−カシング情報検出を行なう。一方トラ
ッキング情報検出は、フォーカシング情報の検出後てお
いて、前述したように光デイスク１０上のビットのある
部分とない部分との反射光の干渉によって光量変化が生
じることを利用して行なう。
報検出は次のように行なわれる。フォーカシング情報検
出は、第９図に示すように、−カスＡ、Ｈの場合とでは
導波路７ ｚ嘔週ｐ３、射後においてレンズノ８ＶＣ対
する入射位置が異なるものとなり光検出器１９により検
出される光量に変化が生じることになる。そこで象の光
量変化からフす−カシング情報検出を行なう。一方トラ
ッキング情報検出は、フォーカシング情報の検出後てお
いて、前述したように光デイスク１０上のビットのある
部分とない部分との反射光の干渉によって光量変化が生
じることを利用して行なう。
次に第１０図、第１１図に示す本発明の第３の実施例に
ついて説明する。この第３の実施例が前記第２の実施例
と異なる点は、カブリングプリズム１２に光路変換プリ
ズム２０を組合せて結合することにより、第１１図に示
すように光ディスク１０からの反射光の光路を変換し、
反射光を効率よく導波路１２に再入射させるようにした
点である。この点板外は前記実施例と同様であるので説
明は省略する。
ついて説明する。この第３の実施例が前記第２の実施例
と異なる点は、カブリングプリズム１２に光路変換プリ
ズム２０を組合せて結合することにより、第１１図に示
すように光ディスク１０からの反射光の光路を変換し、
反射光を効率よく導波路１２に再入射させるようにした
点である。この点板外は前記実施例と同様であるので説
明は省略する。
なお本発明は前記各実施例に限定されるものではなく本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能である
のは勿論である。
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能である
のは勿論である。
本発明によれば、光源として出射光を偏向させ得る機能
をもった半導体レーザを用いているので、単一素材で形
成した基板上の導波路にコリメートレンズ、グレーティ
ングを設はレハヨ〈・′ラッグ回折用の弾性表面波発生
用交差電極等を設ける必要がない。しかも光源としての
半導体レーザや光検出器を導波路と一体的に集積できる
上、半導体レーザの偏向走査によ、Ｈ−トラッキングを
行なえる導波路型光ピックアッグヘッドを捷供できる。
をもった半導体レーザを用いているので、単一素材で形
成した基板上の導波路にコリメートレンズ、グレーティ
ングを設はレハヨ〈・′ラッグ回折用の弾性表面波発生
用交差電極等を設ける必要がない。しかも光源としての
半導体レーザや光検出器を導波路と一体的に集積できる
上、半導体レーザの偏向走査によ、Ｈ−トラッキングを
行なえる導波路型光ピックアッグヘッドを捷供できる。
第１図は本発明の第１の実施例の全体的構成を示す斜視
図、第２図は同実施例のＢＳＬを示す斜視図、第３図（
ａ）（ｂ）〜第５図（、） （ｂ）は同ＢＳＬの特性を
示す図、第６図（、） （ｂ）は同ＢＳＬの作用を示す
図、第７図（ａ） （ｂ）は同実施例のフォーカシング
およびトラッキング情報検出手段を示す図、第８図およ
び第９図は本発明の第２の実施例を示す図、第１０図お
よび第１１図は本発明の第３の実施例を示す図である。 第１２図は従来例を示す斜視図である。 １０・・・光ディスク、１１・・・基板、Ｊ２・・・導
波路、Ｊ、？・・・ＢＳＬ （ビームスキャニングレー
ザ）、１４・・・コリメートレンズ、１５・・・グレー
ティング、１６・・・光検出器、１７・・・カブリング
プリズム、１８・・・集光レンズ、１９・・・光検出器
、２０・・・光路変換プリズム。 出願人代理人 弁理士 坪 井 淳第１図 第２図 （ａ）（ｂ） 第３図 （ａ） （ｂ） 第４因 （ａ） （ｂ） 第５図 】】 第６図 口 １！７図 ■ 第８Ｆ！！Ｊ 第９ｒ！１ 第１０図 第１１国 第１２図 １ｖＩ４ｎ 、９０．９１’ １８ｃ１１、事件の表
示 特願昭６０−１７５５１０号 ２、発明の名称 導波路型光♂ツクアソデヘッド ３、補正をする者 ・ 事件との関係 特許出願人 名称（０３７）オリンパス光学［＋ＡＶ、住人会７１４
、代理人
図、第２図は同実施例のＢＳＬを示す斜視図、第３図（
ａ）（ｂ）〜第５図（、） （ｂ）は同ＢＳＬの特性を
示す図、第６図（、） （ｂ）は同ＢＳＬの作用を示す
図、第７図（ａ） （ｂ）は同実施例のフォーカシング
およびトラッキング情報検出手段を示す図、第８図およ
び第９図は本発明の第２の実施例を示す図、第１０図お
よび第１１図は本発明の第３の実施例を示す図である。 第１２図は従来例を示す斜視図である。 １０・・・光ディスク、１１・・・基板、Ｊ２・・・導
波路、Ｊ、？・・・ＢＳＬ （ビームスキャニングレー
ザ）、１４・・・コリメートレンズ、１５・・・グレー
ティング、１６・・・光検出器、１７・・・カブリング
プリズム、１８・・・集光レンズ、１９・・・光検出器
、２０・・・光路変換プリズム。 出願人代理人 弁理士 坪 井 淳第１図 第２図 （ａ）（ｂ） 第３図 （ａ） （ｂ） 第４因 （ａ） （ｂ） 第５図 】】 第６図 口 １！７図 ■ 第８Ｆ！！Ｊ 第９ｒ！１ 第１０図 第１１国 第１２図 １ｖＩ４ｎ 、９０．９１’ １８ｃ１１、事件の表
示 特願昭６０−１７５５１０号 ２、発明の名称 導波路型光♂ツクアソデヘッド ３、補正をする者 ・ 事件との関係 特許出願人 名称（０３７）オリンパス光学［＋ＡＶ、住人会７１４
、代理人
Claims (4)
- （１）光入射端から入射した光を光出射端へ導びくよう
に設けられた導波路と、この導波路の光入射端に設置さ
れた出射光偏向機能を有する半導体レーザと、この半導
体レーザからの出射光を平行光束化するように前記導波
路内に設けられたコリメートレンズと、このコリメート
レンズにより平行光束化された光を回折して出射光をス
ポット化し前記導波路の光出射端から光ディスクに向け
て出射するように前記導波路内に設けられた空間周波数
の異なる回折格子を備えたグレーティングと、前記光デ
ィスクからの反射光を受光しフォーカス情報およびトラ
ッキング情報を検出する検出手段とを具備したことを特
徴とする導波路型光ピックアップヘッド。 - （２）半導体レーザは、コリメートレンズの焦点位置に
設置されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の導波路型光ピックアップヘッド。 - （３）検出手段は、導波路の光出射端近傍にフォトダイ
オードを二次元マトリックス状に配設した光検出器を備
えたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の導波路型光ピックアツプヘッド。 - （４）検出手段は、反射光をカプリングプリズムを介し
て導波路内に再入射させて所定の処理を行なったのち、
光検出器で検出する手段を備えたものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の導波路型光ピックア
ップヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175510A JPS6236753A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 導波路型光ピツクアツプヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175510A JPS6236753A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 導波路型光ピツクアツプヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236753A true JPS6236753A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15997309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175510A Pending JPS6236753A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 導波路型光ピツクアツプヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236753A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105403A (en) * | 1988-01-27 | 1992-04-14 | Hitachi, Ltd. | Optical information reading apparatus with waveguide and diffraction grating |
| JPH04123329A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Hitachi Ltd | 光ヘッド装置 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60175510A patent/JPS6236753A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105403A (en) * | 1988-01-27 | 1992-04-14 | Hitachi, Ltd. | Optical information reading apparatus with waveguide and diffraction grating |
| JPH04123329A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Hitachi Ltd | 光ヘッド装置 |
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