JPS6236229A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
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- JPS6236229A JPS6236229A JP60173139A JP17313985A JPS6236229A JP S6236229 A JPS6236229 A JP S6236229A JP 60173139 A JP60173139 A JP 60173139A JP 17313985 A JP17313985 A JP 17313985A JP S6236229 A JPS6236229 A JP S6236229A
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- JP
- Japan
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- wafer
- wafers
- cassette
- finger
- wafer cassette
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[分 野]
本発明は、高密度集積回路製造用のウェハのα理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。
[従来技術]
従来この種の装置においては、そのfi密度、生産性及
び占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収
納の際の処理速度が遅かった。
び占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収
納の際の処理速度が遅かった。
[目 的]
本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納の際
の処理速度を向上させたウェハ処理装置を提供すること
を目的とする。
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納の際
の処理速度を向上させたウェハ処理装置を提供すること
を目的とする。
[実施例]
第1図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、WKl 。
概略図を示す。同図において、WKl 。
WK4はウェハWFを多数枚収納する4個のウエハカセ
ッ1〜で、各々開口部を対向させて2段に積層する。W
KDl、WKD2は各2段のウェハカセットを支持板K
Sを介し連動して各々上下動させるための駆動部、FG
はウェハ搭載用のフィンガ、AMl 、AM2はアーム
である。G1 、 G2 。
ッ1〜で、各々開口部を対向させて2段に積層する。W
KDl、WKD2は各2段のウェハカセットを支持板K
Sを介し連動して各々上下動させるための駆動部、FG
はウェハ搭載用のフィンガ、AMl 、AM2はアーム
である。G1 、 G2 。
G3は軸で、アームAMI 、AM2及びフィンガFG
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ADは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ADは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回UJ自在に構成されている。
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ADは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ADは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回UJ自在に構成されている。
ウェハカセットWKからアームΔMl 、AM2及びフ
ィンガFGによって搬出されたウェハWFはセンタリン
グハンドCHによって中心出しされXYステージST上
のウェハチャックWC上に移される。移されたウェハW
Fは静電容】型センサQSに、よって再位置決めされる
。またこのときテレビ(丁v)゛カメラTVK及びテレ
ビモニタTVDに゛よって目視手動または自動位置決め
される。
ィンガFGによって搬出されたウェハWFはセンタリン
グハンドCHによって中心出しされXYステージST上
のウェハチャックWC上に移される。移されたウェハW
Fは静電容】型センサQSに、よって再位置決めされる
。またこのときテレビ(丁v)゛カメラTVK及びテレ
ビモニタTVDに゛よって目視手動または自動位置決め
される。
センタリングハンドCHによりウェハチャックWCに正
確に位置決めされたウェハWFはXYステージSTの移
動により顕微鏡OPの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハWF上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合じが行なわれる。その後所定の・チッ
プテスト動作が行なわれ、テ・スト終了後ウェハWFは
フィンガFG1アームAM1 、AM2によりウェハカ
レットWKの元の位置に戻される。以・上の動作を繰り
返すことににリウエハカセットWK内の各ウニ[八!F
について順次チップテスト動作が行なわれる。
確に位置決めされたウェハWFはXYステージSTの移
動により顕微鏡OPの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハWF上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合じが行なわれる。その後所定の・チッ
プテスト動作が行なわれ、テ・スト終了後ウェハWFは
フィンガFG1アームAM1 、AM2によりウェハカ
レットWKの元の位置に戻される。以・上の動作を繰り
返すことににリウエハカセットWK内の各ウニ[八!F
について順次チップテスト動作が行なわれる。
第2.第3図は第1図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットWKからのウェハWFの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガFG及びアームAM
1.AM2は第1図に対し時計回り方向に90°回転し
ている。同図において、例えばウェハカセットWK4は
ウェハカセットW11と共にウニ八カセット駆動部WK
D2により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上界さ
れる。
ハカセットWKからのウェハWFの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガFG及びアームAM
1.AM2は第1図に対し時計回り方向に90°回転し
ている。同図において、例えばウェハカセットWK4は
ウェハカセットW11と共にウニ八カセット駆動部WK
D2により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上界さ
れる。
フィンガFG及びアームAM1 、AM2はアーム伸縮
駆動部ADに内臓されたパルスモータSMにより伸縮し
てウェハW1:1〜WF4等の取出しまたは収納を行な
う。アーム伸縮駆動部ADは昇降機構HDの可動板EB
により基台KOと共に上下動され、ウェハWF1〜WF
4等の中から特定のウェハの選択を行なう。MOはアー
ム伸縮駆動部ADを基台KDごと回転させるための回転
駆動部で、ウェハカセットWKとウニ゛ハチャックWC
間のウェハ搬送動作を行なう。 □LZは半導
体レーザ源、HMは半導体レーザ源LZからのレーザ光
しWをウェハカセット側へ向けて照射するハーフミラ−
°で、ウェハカセット外端に設けられた全反射ミラーF
M(FMRまたはFML)で反射したレーザ光[Wを透
痛させ半導体レーザセンサPSに伝達する。保護ケース
SB内の半導体レーザセンサPSはこの反射レーザ光を
検出する。
駆動部ADに内臓されたパルスモータSMにより伸縮し
てウェハW1:1〜WF4等の取出しまたは収納を行な
う。アーム伸縮駆動部ADは昇降機構HDの可動板EB
により基台KOと共に上下動され、ウェハWF1〜WF
4等の中から特定のウェハの選択を行なう。MOはアー
ム伸縮駆動部ADを基台KDごと回転させるための回転
駆動部で、ウェハカセットWKとウニ゛ハチャックWC
間のウェハ搬送動作を行なう。 □LZは半導
体レーザ源、HMは半導体レーザ源LZからのレーザ光
しWをウェハカセット側へ向けて照射するハーフミラ−
°で、ウェハカセット外端に設けられた全反射ミラーF
M(FMRまたはFML)で反射したレーザ光[Wを透
痛させ半導体レーザセンサPSに伝達する。保護ケース
SB内の半導体レーザセンサPSはこの反射レーザ光を
検出する。
この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハW
Fの現在位置を確実に知ることができ、フィンガFGと
ウェハWFの衝突等の誤動作を防止することができる。
Fの現在位置を確実に知ることができ、フィンガFGと
ウェハWFの衝突等の誤動作を防止することができる。
また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ADの回転に応じtレーデ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板しSが
板EBと一体化され、かつ板LSには孔L1−1が設け
られ、第2図の位置でシー1ア光は孔LHを貫通し、第
1図の位置では孔がないため遮断される。
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ADの回転に応じtレーデ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板しSが
板EBと一体化され、かつ板LSには孔L1−1が設け
られ、第2図の位置でシー1ア光は孔LHを貫通し、第
1図の位置では孔がないため遮断される。
これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。
さらに、半導体レーザ源LZは第2図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、@長形状の半導
□体し−ザ源及びレーザ有無検出機構LDが駆動部AD
内に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータS
Mどの共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−H
M、半導体装置ザセンサPSは第2,3図の如くフィン
ガFGの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これ
によりセンサPSの光路がアームにより遮断されること
なくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この
伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブTUが貫通
、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これによ
り移動範囲の大ぎいアームとチューブが連動して動き回
るのでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全
体スペースも小型に構成づることができる。
向を上方に向けるように配置したので、@長形状の半導
□体し−ザ源及びレーザ有無検出機構LDが駆動部AD
内に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータS
Mどの共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−H
M、半導体装置ザセンサPSは第2,3図の如くフィン
ガFGの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これ
によりセンサPSの光路がアームにより遮断されること
なくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この
伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブTUが貫通
、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これによ
り移動範囲の大ぎいアームとチューブが連動して動き回
るのでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全
体スペースも小型に構成づることができる。
第2図においてKS4 U、KS4 Lは各々ウェハの
最上(下)位置情報発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構HD内のLE、Pi−1は各々可動板EBの位置
を検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光
素子である。
最上(下)位置情報発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構HD内のLE、Pi−1は各々可動板EBの位置
を検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光
素子である。
フィンガFGは、第4図A、B、Cに示す如く上下2枚
の板FGU、FGLの張り合せの簡易な構成で成る。上
板FGUには貫通孔U1〜U10が設(プられ、下板F
GLには溝11.貫通孔L2〜L7が設けられる。そし
て溝L1と孔Ul、、U2U3とで真空吸引室が形成さ
れる。即ち、溝L1は孔IJ10、チューブホルダーT
Hを介してチューブTUが接続され排気される。第4図
Bの如く形成される吸引室内の上部にウェハが載置され
るとウェハを吸引して密室となりウェハ吸着が行なわれ
る。また、孔U8.U9.L6.L7等には第4図Cの
如くビンSR,SLが嵌合される。ビンSR,SLは第
3図の如くウェハWFの端面を位貿決めするための位置
部材で、4インチ、6インチ、8インチ等の直径の異な
るウェハに対して孔tJ4 、 U6 、 LJ8の、
いずれかを選択してビンS l−を嵌合させる。ビンS
Rも同様に孔us 、 LJ7 。
の板FGU、FGLの張り合せの簡易な構成で成る。上
板FGUには貫通孔U1〜U10が設(プられ、下板F
GLには溝11.貫通孔L2〜L7が設けられる。そし
て溝L1と孔Ul、、U2U3とで真空吸引室が形成さ
れる。即ち、溝L1は孔IJ10、チューブホルダーT
Hを介してチューブTUが接続され排気される。第4図
Bの如く形成される吸引室内の上部にウェハが載置され
るとウェハを吸引して密室となりウェハ吸着が行なわれ
る。また、孔U8.U9.L6.L7等には第4図Cの
如くビンSR,SLが嵌合される。ビンSR,SLは第
3図の如くウェハWFの端面を位貿決めするための位置
部材で、4インチ、6インチ、8インチ等の直径の異な
るウェハに対して孔tJ4 、 U6 、 LJ8の、
いずれかを選択してビンS l−を嵌合させる。ビンS
Rも同様に孔us 、 LJ7 。
U9を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。
上段のウェハカレットWK1 、WK3は第2図の如く
例えば支持板KS3 、に33 Bが外方に折曲げ自在
に構成される。これにより下段のカセットWK2 、W
K4の交換動作が容易となり好ましい。なお、カセット
後方のミラーFMは上下2枚設ける必要はなく、ウェハ
取出し及び収納位置(第1図カセット上段の位置)に対
応した位置に中−カセットに対応した長さのミラーを1
枚だけ備えれば良い。
例えば支持板KS3 、に33 Bが外方に折曲げ自在
に構成される。これにより下段のカセットWK2 、W
K4の交換動作が容易となり好ましい。なお、カセット
後方のミラーFMは上下2枚設ける必要はなく、ウェハ
取出し及び収納位置(第1図カセット上段の位置)に対
応した位置に中−カセットに対応した長さのミラーを1
枚だけ備えれば良い。
前iffのセンサPSはウェハカセット識別コード情報
KC3、に04等も読取らせることができる。
KC3、に04等も読取らせることができる。
即ちKO2、KO2等は論理rIJ、rOJを表わすシ
ードから成り、これをセンサSPが上下及びまたは水平
方向に移動してに03等のコード情報を読取り、これに
J:リカセット識別番号を知ることができる。
ードから成り、これをセンサSPが上下及びまたは水平
方向に移動してに03等のコード情報を読取り、これに
J:リカセット識別番号を知ることができる。
第一5図は回路焼付、検査等に用いられるウェハW「の
−例を示す。同図において、WCNはウェハを識別ず、
るコード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロ
ット番号等°が準備される。この情報の♂込にはレチク
ル原板からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用い
られ、この情報の読取りには第1図のテレビカメラTV
Kが用いられる。CHPは検査される回路チップ領域を
示す。
−例を示す。同図において、WCNはウェハを識別ず、
るコード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロ
ット番号等°が準備される。この情報の♂込にはレチク
ル原板からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用い
られ、この情報の読取りには第1図のテレビカメラTV
Kが用いられる。CHPは検査される回路チップ領域を
示す。
第6図はウェハカセットWKの開口・部を見た正面図で
、第5図のウェハWFが例えば25枚収納される様子を
示す。ここでウェハWF2 、WF3はウェハの種々の
処理により弧状に変形した場合を強調して示しである。
、第5図のウェハWFが例えば25枚収納される様子を
示す。ここでウェハWF2 、WF3はウェハの種々の
処理により弧状に変形した場合を強調して示しである。
このようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが
一般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィン
ガFGの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そ
こでフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正
確に検出し、かつフィンガFGの最安全突入位置即ち各
ウェハ間の中心位置P1〜P26等を算出しておけば良
い。
一般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィン
ガFGの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そ
こでフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正
確に検出し、かつフィンガFGの最安全突入位置即ち各
ウェハ間の中心位置P1〜P26等を算出しておけば良
い。
第7図Aはそのための制御ブロック図、第8図はその制
御手順を示すフローチャートで第1,7図のリードオン
リーメモリROMにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プSA1ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サPSが工時を始め、例えば第6図の最上位置信号発生
器KS4Uを検出したときからウェハ位置検出を開始す
る。センサPSが最初のウェハWF25を検出した段階
で最初の距離d2Bが決定され、°同様に2枚目のウェ
ハWF24を検出した段階で距l11d25が、決定さ
れ、以下同様に最下部のdlまで検出する。
御手順を示すフローチャートで第1,7図のリードオン
リーメモリROMにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プSA1ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サPSが工時を始め、例えば第6図の最上位置信号発生
器KS4Uを検出したときからウェハ位置検出を開始す
る。センサPSが最初のウェハWF25を検出した段階
で最初の距離d2Bが決定され、°同様に2枚目のウェ
ハWF24を検出した段階で距l11d25が、決定さ
れ、以下同様に最下部のdlまで検出する。
このときセンサPSを一定の速度即ちセンサPSの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。
そこで第6図及び第7図Bの波形Aとして示す如(ウェ
ハの存在しない位置ではセンサPSを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第7図AのROMの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置D1〜D26を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作III御させれば良
い。即ち、まず、ROMのアドレスAD1から標準の位
置情報D26をマイクロプロセッサMPUが取り込み、
この情報を基に例えば第7図Bのパルス列DMを決定す
る。この駆動パルス列DMの各パルスのパルス幅T1〜
T10はROMの不図示の部分にテーブル形式で記憶さ
れており、まずT1に対応する2進化された時間情報が
MPUの1IlIIIlによってダウンカウンタDKに
格納される。同時に7リツプフロツプFFがセットされ
、またモータドライブ回路MDが動作する。モータドラ
イブ回路MD内には4進カウンタが内蔵さりており、そ
の最初の出力によりアンドゲートA1が開き、最初の駆
動パルス(T1)によりパルスモータPMが起動を始め
るダウンカウンタDKは発振器O8Cの発振パルスに応
答して減算を始め、その値が特定値例えばOになると特
定値デコーダ例えばOデコーダDCがこれを検出してフ
リップ70ツブFFをリセットする。これに゛より駆−
動バルスT1が終了する。以下同様にアンドゲートA2
、A3 、A4が順次間いてパルス幅T1による駆動
が終了する。
ハの存在しない位置ではセンサPSを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第7図AのROMの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置D1〜D26を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作III御させれば良
い。即ち、まず、ROMのアドレスAD1から標準の位
置情報D26をマイクロプロセッサMPUが取り込み、
この情報を基に例えば第7図Bのパルス列DMを決定す
る。この駆動パルス列DMの各パルスのパルス幅T1〜
T10はROMの不図示の部分にテーブル形式で記憶さ
れており、まずT1に対応する2進化された時間情報が
MPUの1IlIIIlによってダウンカウンタDKに
格納される。同時に7リツプフロツプFFがセットされ
、またモータドライブ回路MDが動作する。モータドラ
イブ回路MD内には4進カウンタが内蔵さりており、そ
の最初の出力によりアンドゲートA1が開き、最初の駆
動パルス(T1)によりパルスモータPMが起動を始め
るダウンカウンタDKは発振器O8Cの発振パルスに応
答して減算を始め、その値が特定値例えばOになると特
定値デコーダ例えばOデコーダDCがこれを検出してフ
リップ70ツブFFをリセットする。これに゛より駆−
動バルスT1が終了する。以下同様にアンドゲートA2
、A3 、A4が順次間いてパルス幅T1による駆動
が終了する。
次にパルス幅T2に対応する時間情報がダウンカウンタ
DKに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第7図
8に示す如<T3.T4と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサPSの下降速度は次第に増し、パルス幅T
4の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第6図に示す最初のウェハWF25の近辺に
近づくと第7図Bに示すパルス幅がT5 、T6と次第
に長くなり、センサPSは減速されながら下降を続け、
ウェハW F 25の存在位置付近にセンサPSが到達
するとセンサPSがレニザ反射光を検出するに十分な一
定の低速度で下降する。このときはパルス幅T7の駆動
パルスでパルスモータPMが駆動される。ウェハWF1
の位置検出が終了するとパルス幅T8 、 T9 、
TIOのように次第に短かくなり、センサPSの下降速
度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所
定凶下降したら第7図AのROMの第2のアドレスAD
2を指定し、位l!!青報[)mを取り出す。この位置
情報Dmはウェハの間隔で表わすと標準位置情報D25
〜D2が共通となり、位置情報Dmのデータ領域はアド
レスAD2の11地だけで十分である。以下、D2まで
前記同様の作動を位置情報[)mに従うて繰り返し、最
後にROMのアドレスAD3を指定し、最下部の位置情
報D1に従って前記同様の作動を行ない、センサPSが
最下位置信号発生器KS4 Lを検出して下降を停止す
る。このようにして各ウェハの実際の位置を検出するの
で次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確
となる。また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが
存在していないことを検出したらRAMにその旨を書き
込んでおく、このウェハ有無情報(1,0>をウェハ位
置情報と共にRAMに書き込んでおくとウェハの存在し
ない位置を高速にスキップさせ得るので便利である。ま
た大きさの異なる他のウェハカセットの標準位置情報も
ROMのアドレスAD4〜AD6に格納しておき、選択
使用すればさらに好ましい。
DKに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第7図
8に示す如<T3.T4と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサPSの下降速度は次第に増し、パルス幅T
4の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第6図に示す最初のウェハWF25の近辺に
近づくと第7図Bに示すパルス幅がT5 、T6と次第
に長くなり、センサPSは減速されながら下降を続け、
ウェハW F 25の存在位置付近にセンサPSが到達
するとセンサPSがレニザ反射光を検出するに十分な一
定の低速度で下降する。このときはパルス幅T7の駆動
パルスでパルスモータPMが駆動される。ウェハWF1
の位置検出が終了するとパルス幅T8 、 T9 、
TIOのように次第に短かくなり、センサPSの下降速
度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所
定凶下降したら第7図AのROMの第2のアドレスAD
2を指定し、位l!!青報[)mを取り出す。この位置
情報Dmはウェハの間隔で表わすと標準位置情報D25
〜D2が共通となり、位置情報Dmのデータ領域はアド
レスAD2の11地だけで十分である。以下、D2まで
前記同様の作動を位置情報[)mに従うて繰り返し、最
後にROMのアドレスAD3を指定し、最下部の位置情
報D1に従って前記同様の作動を行ない、センサPSが
最下位置信号発生器KS4 Lを検出して下降を停止す
る。このようにして各ウェハの実際の位置を検出するの
で次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確
となる。また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが
存在していないことを検出したらRAMにその旨を書き
込んでおく、このウェハ有無情報(1,0>をウェハ位
置情報と共にRAMに書き込んでおくとウェハの存在し
ない位置を高速にスキップさせ得るので便利である。ま
た大きさの異なる他のウェハカセットの標準位置情報も
ROMのアドレスAD4〜AD6に格納しておき、選択
使用すればさらに好ましい。
次いでステップSA2では、検出した各ウェハ間の中心
位[d1/2〜d 2G/ 2をマイクロプロセッサM
r’LJが惇出し、8値を第7図AのRAMに図示の如
く記憶させる。次いでウェハWF1の取出しのためにフ
ィンガFGを現在位置(最下位点)からステップSA2
で算出したd1/2の位置まで上昇させる(ステップS
A3 )。これにより第6図の最安全点P1にフィンガ
FGを位置させることができる。この位置での停止には
第7図Aの目標値格納レジスタOR、アップカウンタU
K1両者の一致回路COが用いられる。第6図の波形B
は、この時のフィンガFGの上昇速度曲線を示す。
位[d1/2〜d 2G/ 2をマイクロプロセッサM
r’LJが惇出し、8値を第7図AのRAMに図示の如
く記憶させる。次いでウェハWF1の取出しのためにフ
ィンガFGを現在位置(最下位点)からステップSA2
で算出したd1/2の位置まで上昇させる(ステップS
A3 )。これにより第6図の最安全点P1にフィンガ
FGを位置させることができる。この位置での停止には
第7図Aの目標値格納レジスタOR、アップカウンタU
K1両者の一致回路COが用いられる。第6図の波形B
は、この時のフィンガFGの上昇速度曲線を示す。
この地点PIFアームAM1 、AM2を伸長させてフ
ィンガFGをウェハカセットWKに挿入(ステップSA
4 )させ、ざらに昇降機構1−10を駆動してフィン
ガFGをd1/2だけ上昇(ステップSA5 )さける
。これでフィンガFGの上面がウェハWFIの下面に接
触することができるので、前述の真空吸引i構がオンと
なって作動し、フィンガFGがウェハWF1を吸着(ス
テップ5A6)する。その後フィンガFGを、ざらにd
2/2だけ上界(ステップSA7 )L、次いでウェハ
WF1を吸着したままウェハカセットWKから用法(ス
テップ5A8)<。続いてアーム伸縮駆動部ADを駆動
部MOにより90°回転してフィンガFGをXYステー
ジSTに正対させ、アームAMl、ΔM2を伸長してウ
ェハWF1をフィンガFGからセンタリングハンドCH
に引渡(ステップSA9 )す。ウェハWF1は、セン
タリングハンドCHからさらにXYステージSTに引渡
(ステップS A 10)され、回路焼付、検査等の処
理(ステップ5A11)が行なわれる。
ィンガFGをウェハカセットWKに挿入(ステップSA
4 )させ、ざらに昇降機構1−10を駆動してフィン
ガFGをd1/2だけ上昇(ステップSA5 )さける
。これでフィンガFGの上面がウェハWFIの下面に接
触することができるので、前述の真空吸引i構がオンと
なって作動し、フィンガFGがウェハWF1を吸着(ス
テップ5A6)する。その後フィンガFGを、ざらにd
2/2だけ上界(ステップSA7 )L、次いでウェハ
WF1を吸着したままウェハカセットWKから用法(ス
テップ5A8)<。続いてアーム伸縮駆動部ADを駆動
部MOにより90°回転してフィンガFGをXYステー
ジSTに正対させ、アームAMl、ΔM2を伸長してウ
ェハWF1をフィンガFGからセンタリングハンドCH
に引渡(ステップSA9 )す。ウェハWF1は、セン
タリングハンドCHからさらにXYステージSTに引渡
(ステップS A 10)され、回路焼付、検査等の処
理(ステップ5A11)が行なわれる。
処理が終了すると処理済みウェハWF1はXYステージ
STからセンタリングハンドCHを介してフィンガFG
に回収され、再び吸着(ステップ5A12.13)され
る。次にアームAM1 、AM2を収縮及び回動し、ウ
ェハWFIの収納のためにフィンガFGを現在位置(最
上位点)から第6図のdl +d2°/2の一位置即ち
安全点P2まで下降(ステップS A 14)させる。
STからセンタリングハンドCHを介してフィンガFG
に回収され、再び吸着(ステップ5A12.13)され
る。次にアームAM1 、AM2を収縮及び回動し、ウ
ェハWFIの収納のためにフィンガFGを現在位置(最
上位点)から第6図のdl +d2°/2の一位置即ち
安全点P2まで下降(ステップS A 14)させる。
この位置P2にてアームAM1 、AM2を伸長しフィ
ンガFGをウェハカセットWKに挿入(ステップS A
15)する。
ンガFGをウェハカセットWKに挿入(ステップS A
15)する。
次いでフィンガFGをd2/2だけ下降(ステップS
A 16)させる。これによりウェハWFIは元の位置
の突起KR,KLに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハWFIはフィンガFGから離脱(ステ
ップS A 17)され、その後フィンガFGがさらに
d2/2だけ下降(ステップS A 18)されフィン
ガFGだけがカセットWKから用法(ステップS A
19)かれる。以上の制御によりウェハWF1の取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハWF
2の取出し及び収納の制御を今度はd2 /2.d3
/2の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にn−
26になるまで行なう。
A 16)させる。これによりウェハWFIは元の位置
の突起KR,KLに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハWFIはフィンガFGから離脱(ステ
ップS A 17)され、その後フィンガFGがさらに
d2/2だけ下降(ステップS A 18)されフィン
ガFGだけがカセットWKから用法(ステップS A
19)かれる。以上の制御によりウェハWF1の取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハWF
2の取出し及び収納の制御を今度はd2 /2.d3
/2の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にn−
26になるまで行なう。
以上の様子を模式的に表わしたのが第9A図である。図
において、XはフィンガFGの待機位置を示し、この点
を始点としてY点(終了点)まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位装置から最も近い位置に
あるウェハWF1の取出しのためにA点でフィンガFG
のカセットWKへの挿入が開始され、8点で取出しが終
了し、0点でセンタリングハンドCHへの引渡しが行な
われ、D点でセンタリングハンドCHからの回収が行な
われ、F点でウェハの収納のためにフィンガFGのカセ
ットWKへの挿入が開始され、F点でその収納が終了し
、その位置から2枚目のウェハWFの取出し、収納が始
まることを示している。
において、XはフィンガFGの待機位置を示し、この点
を始点としてY点(終了点)まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位装置から最も近い位置に
あるウェハWF1の取出しのためにA点でフィンガFG
のカセットWKへの挿入が開始され、8点で取出しが終
了し、0点でセンタリングハンドCHへの引渡しが行な
われ、D点でセンタリングハンドCHからの回収が行な
われ、F点でウェハの収納のためにフィンガFGのカセ
ットWKへの挿入が開始され、F点でその収納が終了し
、その位置から2枚目のウェハWFの取出し、収納が始
まることを示している。
図では分り易くするためウェハをWFI〜WF3の全3
枚として示した。またA〜Fの各点に対応する処理を第
8図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガFGの待機位置XはセンタリングハンドCHとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハWF3の近辺に設定し
である。このため第9B図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第9D図も同様ぐあ
る。
枚として示した。またA〜Fの各点に対応する処理を第
8図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガFGの待機位置XはセンタリングハンドCHとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハWF3の近辺に設定し
である。このため第9B図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第9D図も同様ぐあ
る。
第9B図はセンタリングハンドCHの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハWF1の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が良くなる
。第9B図のフィンガ待機位置X@最上位ウェハWF3
の近辺位置即ち第9B図のYの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移#1円は第9B図とほぼ同様
に第9A、90図の場合に比べて長くなることは第9E
図を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位
置検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェ
ハから取出し、収納が始・ まることは好ましい。ま
たウェハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの
汚れが少なく好ましい。第9C図の例はウェハ引渡しま
たは回収位置(センタリングハンドCHの位置)をウェ
ハカセットのほぼ中心位置即ち中間のウェハWF2の近
辺に設定した様子を示し、この場合はフィンガFGの上
下移動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全
てのウェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位
置に運ばなければならないことからして明らかである。
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハWF1の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が良くなる
。第9B図のフィンガ待機位置X@最上位ウェハWF3
の近辺位置即ち第9B図のYの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移#1円は第9B図とほぼ同様
に第9A、90図の場合に比べて長くなることは第9E
図を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位
置検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェ
ハから取出し、収納が始・ まることは好ましい。ま
たウェハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの
汚れが少なく好ましい。第9C図の例はウェハ引渡しま
たは回収位置(センタリングハンドCHの位置)をウェ
ハカセットのほぼ中心位置即ち中間のウェハWF2の近
辺に設定した様子を示し、この場合はフィンガFGの上
下移動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全
てのウェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位
置に運ばなければならないことからして明らかである。
この利点は第9F図の縦合も同様に期待できる。このよ
うに無駄な時開を少しでも節約することはこの種装置に
おいてウニへ処理のための全体速度の向上に貢献でき極
めて好ましい。
うに無駄な時開を少しでも節約することはこの種装置に
おいてウニへ処理のための全体速度の向上に貢献でき極
めて好ましい。
さらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本プローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、6エハが存在しない位置においてはフィン
ガFGのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第6図において今ウェハWF2が欠落して
いる場合を想定する。、前述の動作説明のように各ウェ
ハが所定の位置に存在することを検出したら第7図Aの
RAMに示す如く論理「1」を書き込み、さらに各ウェ
ハの位置情報の半分の値をd26/2.d25/2のよ
うにRAM1.:書き込む。欠落ウェハWF2が存在し
ないことをセンサPSが検出したらRAMのアドレスA
d2に論理「O」を書き込み、さ゛らに右−隣りに位置
情報として[)mを書き込む。Dmは前述したようにウ
ェハの標準位置情報である。このように処理すればウェ
ハWF2が存在しないことによるセンサPSの計画ミス
即ちウェハWF1を検出したときこれをウェハWF2で
あると誤認する危険を避けることができる。
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本プローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、6エハが存在しない位置においてはフィン
ガFGのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第6図において今ウェハWF2が欠落して
いる場合を想定する。、前述の動作説明のように各ウェ
ハが所定の位置に存在することを検出したら第7図Aの
RAMに示す如く論理「1」を書き込み、さらに各ウェ
ハの位置情報の半分の値をd26/2.d25/2のよ
うにRAM1.:書き込む。欠落ウェハWF2が存在し
ないことをセンサPSが検出したらRAMのアドレスA
d2に論理「O」を書き込み、さ゛らに右−隣りに位置
情報として[)mを書き込む。Dmは前述したようにウ
ェハの標準位置情報である。このように処理すればウェ
ハWF2が存在しないことによるセンサPSの計画ミス
即ちウェハWF1を検出したときこれをウェハWF2で
あると誤認する危険を避けることができる。
またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハWF2
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハW
F1の取出しまたは収納の後、RAMのアドレスAd2
のウェハ無し情報「0」を検出したらdi /2+Dm
+d3 /2の演算を行なえば第6図の83点の近辺を
求めることができる。したがって82点をスキップして
81点から83点にフィンガFGを高速に上昇させるこ
とができ好ましい。
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハW
F1の取出しまたは収納の後、RAMのアドレスAd2
のウェハ無し情報「0」を検出したらdi /2+Dm
+d3 /2の演算を行なえば第6図の83点の近辺を
求めることができる。したがって82点をスキップして
81点から83点にフィンガFGを高速に上昇させるこ
とができ好ましい。
上図例において基準位ffX、Y、Zは第2図0始点情
報発生器KS4 U、KS4 L、E8 (またはLE
、PH)等の位置を選択的に対応させれば良い。例えば
第9A図の例ではX=KS4 U、Y−KS4 Lとし
、第9F図の例ではX−LE (または°Pun、EB
)、Y=KS4 Lとすれば良い。
報発生器KS4 U、KS4 L、E8 (またはLE
、PH)等の位置を選択的に対応させれば良い。例えば
第9A図の例ではX=KS4 U、Y−KS4 Lとし
、第9F図の例ではX−LE (または°Pun、EB
)、Y=KS4 Lとすれば良い。
また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
(第9C図、9F図)に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは4インブ。
(第9C図、9F図)に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは4インブ。
8インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる(各ウェハ間の距離が異なる)ため、第98.9D
、9F図の例の如く下側(共通端部)のXまたはYを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。
なる(各ウェハ間の距離が異なる)ため、第98.9D
、9F図の例の如く下側(共通端部)のXまたはYを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。
[効 果]
以上の如く本発明はその高生産性に極めて多大に寄与し
得るものである。
得るものである。
第1図は本発明の一実施例の概観斜視図、第2図はその
一部拡大側面図、第3図はその一部拡大上面図、第4A
図、第4B図、第4C図はフィンガの構成例図、第5図
はウェハの正面部、第6図はウェハカセットの開口正面
図、第7図は本発明の制御ブロック図、第7B図はその
&l制御用波形図、第8図はその制御用フローチャート
図、第9A〜第9F図はフィンガの動作説明図である。 FG・・・フィンガ AM・・・アーム PS・・・センサ WK・・・ウェハカセット
一部拡大側面図、第3図はその一部拡大上面図、第4A
図、第4B図、第4C図はフィンガの構成例図、第5図
はウェハの正面部、第6図はウェハカセットの開口正面
図、第7図は本発明の制御ブロック図、第7B図はその
&l制御用波形図、第8図はその制御用フローチャート
図、第9A〜第9F図はフィンガの動作説明図である。 FG・・・フィンガ AM・・・アーム PS・・・センサ WK・・・ウェハカセット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、処理前のウェハをウエハカセットから取出して所定
のウェハ受渡し位置まで搬送し、かつ処理済みのウェハ
を上記受渡し位置で回収して上記ウェハカセットの所定
の収納位置へ搬送し収納するウェハ搬送手段を有するウ
ェハ処理装置において、上記ウェハ受渡し位置を上記ウ
ェハカセットの最上部とほぼ同一の高さに設定したこと
を特徴とするウェハ処理装置。 2、前記処理後のウェハが、処理前の該ウェハが取出さ
、れた元の位置に収納される特許請求の範囲第1項記載
のウェハ処理装置。 3、処理前のウェハをウェハカセットから取出して所定
のウェハ受渡し位置まで搬送し、かつ処理済みのウェハ
を上記受渡し位置で回収して上記ウェハカセットの所定
の収納位置へ搬送し収納するウェハ搬送手段を有するウ
ェハ処理装置において、上記ウェハ受渡し位置を上記ウ
ェハカセットのほぼ中間の高さに設定したことを特徴と
するウェハ処理装置。 4、前記処理後のウェハが、処理前の該ウェハが取出さ
れた元の位置に収納される特許請求の範囲第3項記載の
ウェハ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60173139A JPS6236229A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60173139A JPS6236229A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6236229A true JPS6236229A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15954837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60173139A Pending JPS6236229A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6236229A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62181546U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-18 | ||
JPH04121334A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | ウェハーの厚さ別分類装置 |
JP2008019798A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Ihi Corp | 過給機 |
JP2008190494A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Toyota Motor Corp | 可変容量型ターボチャージャ |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP60173139A patent/JPS6236229A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62181546U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-18 | ||
JPH0415682Y2 (ja) * | 1986-05-09 | 1992-04-08 | ||
JPH04121334A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | ウェハーの厚さ別分類装置 |
JP2008019798A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Ihi Corp | 過給機 |
JP2008190494A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Toyota Motor Corp | 可変容量型ターボチャージャ |
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