JPS6230363B2 - - Google Patents
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- JPS6230363B2 JPS6230363B2 JP10479579A JP10479579A JPS6230363B2 JP S6230363 B2 JPS6230363 B2 JP S6230363B2 JP 10479579 A JP10479579 A JP 10479579A JP 10479579 A JP10479579 A JP 10479579A JP S6230363 B2 JPS6230363 B2 JP S6230363B2
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、明るさが時間的に一定な光に重畳し
て存在するフラツシユ光の如き瞬間的なパルス光
を、このパルス光の明るさに応じた電気信号とし
て分離して検出する瞬間光の検出回路に関する。Detailed Description of the Invention The present invention separates instantaneous pulsed light such as flash light, which exists superimposed on light whose brightness is constant over time, into an electrical signal corresponding to the brightness of this pulsed light. This invention relates to a detection circuit for detecting instantaneous light.
従来、明るさが時間的に一定な光つまり定常光
に重畳して存在する瞬間的なパルス光のような交
流成分を分離検出する回路として、入射光をその
明るさに応じた光電流に変換する光電素子と直列
に負荷を接続し、さらにこの負荷にキヤパシタを
接続し、このキヤパシタを介して負荷に現われる
電圧変動成分のみを取り出すようにした回路が一
般的によく用いられている。 Conventionally, a circuit that separates and detects alternating current components such as instantaneous pulsed light that exists superimposed on light whose brightness is constant over time, that is, stationary light, converts incident light into a photocurrent according to its brightness. A commonly used circuit is one in which a load is connected in series with a photoelectric element, a capacitor is connected to the load, and only the voltage fluctuation component appearing at the load is extracted through the capacitor.
しかしながら上記の負荷として抵抗を用いた回
路において、定常光の明るさの大巾な変化に応じ
て飽和することなく抵抗負荷の端子間に電圧を発
生させるためには比較的大きな電圧を供給する電
源を必要とする。そこで抵抗負荷に代えてダイオ
ードなどの対数圧縮素子を用いることが考えられ
るが、この場合は、キヤパシタを介して検出され
るパルス光に対応した信号の強度は定常光の強度
に依存したものとなつてしまい、特に定常光の明
るさが大きい場合は、負荷に現われるパルス光に
対する電圧変化はさらに小さくなつて、時には変
化そのものの検出すら困難になつてしまうという
事態が生ずる。 However, in the circuit using a resistor as the load described above, in order to generate a voltage between the terminals of the resistive load without saturating in response to wide changes in the brightness of stationary light, a power source that supplies a relatively large voltage is required. Requires. Therefore, it is possible to use a logarithmic compression element such as a diode instead of a resistive load, but in this case, the intensity of the signal corresponding to the pulsed light detected via the capacitor will depend on the intensity of the stationary light. Especially when the brightness of the steady light is high, the voltage change in response to the pulsed light appearing on the load becomes even smaller, and sometimes it becomes difficult to even detect the change itself.
本発明は、低電圧源で動作可能であり、定常光
の影響を受けることなく定常光に重畳して存在す
るパルス光の強度に応じた信号を検出することの
出来る瞬間光検出回路を提供するものである。 The present invention provides an instantaneous light detection circuit that can operate with a low voltage source and is capable of detecting a signal according to the intensity of pulsed light that is superimposed on the steady light without being affected by the steady light. It is something.
以下、図面に示す自動焦点調節カメラのための
測距装置に適用された瞬間光検出回路の実施例に
ついて詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of an instantaneous light detection circuit applied to a distance measuring device for an automatic focusing camera shown in the drawings will be described in detail.
第1図および第2図は従来から知られているカ
メラの自動焦点調節装置に適する、三角測距の原
理を応用した光ビーム投射方式の測距装置の原理
構成を示す。第1図において、光源1から発され
る光が集光レンズ2によつてビーム状に絞られ、
光軸3上の物体に向けて照射される。集光レンズ
2からその光軸3に対して基線長dだけ隔てた位
置に、結像レンズ4が配されてその結像面には複
数個の光電素子9,10,11および12が配列
されている。今、図面において光軸3上の各点
5,6,7および8は、光電素子9,10,11
および12の各受光面上にそれぞれ結像されるよ
うな構成とすると、例えば点5または6,7,8
の位置に物体があれば、光源1から発射された光
は、その物体によつて反射されて夫々対応する光
電素子9または10,11,12に入射して来る
(このような光電素子への入射光を太陽光などに
よる定常光と区別するために信号光と呼ぶ)。し
たがつて、どの光電素子9,10,11,12に
信号光が入射するかを検知すれば、物体までの距
離を知ることができるのである。第2図は、光電
素子の出力信号を扱う回路で、各光電素子は、こ
れらが発生する光電流を電圧信号に変換する光電
変換回路13,14,15および16に接続され
ている。各光電変換回路の出力は電圧比較回路1
7,18,19および20の入力の一方にそれぞ
れ接続されている。各電圧比較回路のもう一方の
入力は一定の基準電圧源25に接続され、比較の
ための基準電圧が与えられている。各電圧比較回
路の出力はレジスタ21,22,23および24
の入力と接続されている。また、これらレジスタ
のクロツク入力はワンシヨツト27の出力と接続
されている。28はワンシヨツト27の出力パル
スに応答して光源1を一定時間点灯駆動する光源
駆動回路である。ここで、測距指令に基いてワン
シヨツト27のスイツチ26が閉じられると、ワ
ンシヨツト27から一定時間“高”レベルのパル
スが出力され、これに応答して被測距対象の物体
に光ビームが投射される。かくして、その反射に
よる信号光の到来があつた光電素子と接続されて
いる光電変換回路からは信号光の強度に応じた電
圧信号が出力され、この信号のレベルが電圧源2
5の電圧レベルを越えているときに該信号系列下
の電圧比較回路から“高”レベルの電圧信号が出
力されてこれをレジスタが記憶する。以上に見る
ように、この種光ビーム投射方式の測距装置は原
理的には簡単な構成よりなり、単純な動作をする
ものであるが、しかし今日まで未だカメラに組み
込まれた商品としては実用化されるに至つていな
い。この実用化を妨げている原因の一つは、各光
電素子に入射する信号光の強度が微弱なものにな
らざるを得ず、加えて光電素子には太陽光などに
よる定常光が同時に入射することから、信号光の
成分を効果的に分離して検出することが容易なこ
とではなかつたことにあると考えられる。 FIGS. 1 and 2 show the basic configuration of a light beam projection type distance measuring device that applies the principle of triangulation and is suitable for a conventionally known automatic focusing device for a camera. In FIG. 1, light emitted from a light source 1 is focused into a beam by a condenser lens 2,
The light is irradiated toward an object on the optical axis 3. An imaging lens 4 is arranged at a position separated from the condensing lens 2 by a baseline length d with respect to its optical axis 3, and a plurality of photoelectric elements 9, 10, 11, and 12 are arranged on its imaging surface. ing. Now, in the drawing, each point 5, 6, 7 and 8 on the optical axis 3 corresponds to a photoelectric element 9, 10, 11
If the configuration is such that the images are formed on each of the light receiving surfaces of 5 and 12, for example, points 5, 6, 7, 8
If there is an object at the position of The incident light is called signal light to distinguish it from steady light such as sunlight). Therefore, by detecting which photoelectric element 9, 10, 11, 12 the signal light is incident on, the distance to the object can be determined. FIG. 2 shows a circuit that handles the output signals of the photoelectric elements, and each photoelectric element is connected to photoelectric conversion circuits 13, 14, 15, and 16 that convert the photocurrents generated by these elements into voltage signals. The output of each photoelectric conversion circuit is voltage comparison circuit 1
7, 18, 19 and 20, respectively. The other input of each voltage comparator circuit is connected to a constant reference voltage source 25 to provide a reference voltage for comparison. The output of each voltage comparison circuit is in registers 21, 22, 23 and 24.
is connected to the input. The clock inputs of these registers are also connected to the output of one shot 27. 28 is a light source driving circuit which drives the light source 1 to turn on for a certain period of time in response to the output pulse of the one shot 27. Here, when the switch 26 of the one shot 27 is closed based on the distance measurement command, a "high" level pulse is output from the one shot 27 for a certain period of time, and in response, a light beam is projected onto the object to be ranged. be done. In this way, a voltage signal corresponding to the intensity of the signal light is output from the photoelectric conversion circuit connected to the photoelectric element to which the signal light has arrived due to the reflection, and the level of this signal is determined by the voltage source 2.
When the voltage exceeds the voltage level No. 5, a "high" level voltage signal is output from the voltage comparator circuit under the signal series, and this is stored in the register. As seen above, this type of optical beam projection type distance measuring device has a simple structure in principle and operates in a simple manner, but to date it has not yet been put into practical use as a product built into a camera. It has not yet become a reality. One of the reasons that prevents this from being put into practical use is that the intensity of the signal light incident on each photoelectric element must be weak, and in addition, steady light such as sunlight is incident on the photoelectric element at the same time. This is probably because it is not easy to effectively separate and detect the components of the signal light.
本発明は、従来困難視された来た、定常光と混
在する微弱な信号光成分を効果的に分離して検出
するという課題を新しい回路技術を導入すること
により解決し、上記のタイプの測距装置を実用化
に導くことにある。すなわちこの種の測距装置を
実用化するにあたつては、次のこと柄が考慮され
なければならない。光ビーム投射方式の測距装置
は、形状、消費電力がともに小さく、さらには製
造コストが低くなければならないということであ
る。このような要求を満足させようとすれば、矛
盾する問題が多く発生する。例えば、信号光の検
出を容易にするために光源の発光強度を高くすれ
ばよいが、こうすると装置の消費電力が大きくな
り、また形状も大きくなる。逆に形状を小さくす
べく基線長dをも短くすれば、光学系の精度はよ
り高くしなければならなくなるからその製造コス
トの増大を招く。 The present invention solves the problem of effectively separating and detecting weak signal light components mixed with stationary light, which was considered difficult in the past, by introducing new circuit technology, and enables the above-mentioned type of measurement. The goal is to bring distance devices to practical use. That is, when putting this type of distance measuring device into practical use, the following must be taken into consideration. A light beam projection type distance measuring device must have a small size and power consumption, and furthermore, must have a low manufacturing cost. Attempts to satisfy such demands will result in many contradictory problems. For example, in order to facilitate the detection of signal light, the light emission intensity of the light source may be increased, but this increases the power consumption of the device and also increases its size. On the other hand, if the base line length d is also shortened in order to make the shape smaller, the precision of the optical system must be made higher, leading to an increase in the manufacturing cost.
他方この種装置の幾何光学的な面からの必然的
に定められる制約がある。簡単な計算から明らか
になることであるが、例えば第1図の構成におい
て、レンズ2から点5および8までの距離をそれ
ぞれ1mおよび5mとし、基線長dを25mm、レンズ
4の焦点距離を20mmとすると、光電素子9と12
の距離は400μとなる。したがつて各光電素子の
配列ピツチは、それぞれを等間隔にとると約130
μとなる。ところでレンズ4の結像面で130μの
大きさの像は、例えば1mの距離の点5の位置に
おける約7mmの大きさの光源に相当する。このこ
とは、物体に向けて投射される光ビームの断面の
幅が点5の位置では7mm以下とならねばならない
ことを意味する。もし光ビームの断面幅がこれよ
り大きくなれば、不要であるのにもかかわらず隣
りの光電素子にも信号光が入射してしまう。この
ようなことから、この測距システムにおいては、
極めて細い光ビームを形成することが要求され
る。 On the other hand, there are constraints necessarily imposed by the geometrical and optical aspects of this type of device. As is clear from simple calculations, for example, in the configuration shown in Figure 1, the distances from lens 2 to points 5 and 8 are 1 m and 5 m, respectively, the baseline length d is 25 mm, and the focal length of lens 4 is 20 mm. Then, photoelectric elements 9 and 12
The distance is 400μ. Therefore, the arrangement pitch of each photoelectric element is approximately 130 if they are arranged at equal intervals.
becomes μ. By the way, an image having a size of 130 μ on the imaging plane of the lens 4 corresponds to a light source having a size of about 7 mm at the position of the point 5 at a distance of 1 m, for example. This means that the width of the cross section of the light beam projected towards the object must be less than 7 mm at point 5. If the cross-sectional width of the light beam is larger than this, the signal light will also enter the adjacent photoelectric element even though it is unnecessary. For this reason, in this ranging system,
It is required to form an extremely narrow light beam.
今、第3図に示すように、一定の発光面を持つ
た光源1の像を集光レンズ2を用いて有限の距離
に結像せしめるようにして光ビームを形成すると
しよう。光源1とレンズ2の距離を20mm、レンズ
2から結像点までの距離を2mとすれば、この点
における光源1に対する像は100倍に拡大された
大きさとなる。この点での光ビームの断面幅を10
mm以下にするには光源1の発光面の幅は100μ以
下にしなければならないことになる。 Assume now that a light beam is formed by focusing an image of a light source 1 having a fixed light emitting surface at a finite distance using a condensing lens 2, as shown in FIG. If the distance between the light source 1 and the lens 2 is 20 mm, and the distance from the lens 2 to the imaging point is 2 m, the image for the light source 1 at this point will be magnified 100 times. The cross-sectional width of the light beam at this point is 10
In order to make the width less than mm, the width of the light emitting surface of the light source 1 must be less than 100μ.
また、第3図から分るようにレンズ2の結像点
10を過ぎると光ビームは広がつて行き、その断
面積は次第に大きくなつて行く。したがつて、細
い光ビームを集光レンズ2を用いて形成する場
合、光源1の発光面積は点光源に迫るような小さ
なものにしなければならないことになる。このよ
うな極めて小さな発光面積の光源という制約条件
に適うものとしては、通常発光ダイオードを最有
力候補に挙げることができる。しかしながら光源
1に発光ダイオードを用いる場合、発光ダイオー
ドの構造上においてその発光強度を定常光に比べ
てそんなに大きくすることは無理であり、したが
つて、明るい信号光を期待するわけには行かな
い。 Furthermore, as can be seen from FIG. 3, the light beam spreads out after passing the imaging point 10 of the lens 2, and its cross-sectional area gradually increases. Therefore, when forming a narrow light beam using the condensing lens 2, the light emitting area of the light source 1 must be made small enough to approach a point light source. Light emitting diodes are usually the most likely candidate for a light source that meets the constraint of having a light source with an extremely small light emitting area. However, when a light emitting diode is used as the light source 1, it is impossible to make the light emission intensity that much higher than that of steady light due to the structure of the light emitting diode, and therefore, bright signal light cannot be expected.
本発明は、光源1に発光ダイオードを用いる場
合のように、定常光に比べてもその強度が極めて
小さい信号光を検出するにあたり、光電素子を含
む光電変換回路において、時間的変化が比較的に
緩慢な定常光に応じた光電流のみを通過せしめる
電流制御回路と時間的変化がかなり急峻な光電流
の増加に際しては、増加した光電流分を受け入れ
る電流回路を設け、定常光の強度に影響を受ける
ことなく信号光の明るさに応じた信号を取り出す
ようにした瞬間光検出回路を設けることを第1の
特徴とするものである。 The present invention provides a method for detecting signal light whose intensity is extremely small compared to steady light, such as when a light emitting diode is used as the light source 1, in which temporal changes are relatively small in a photoelectric conversion circuit including a photoelectric element. A current control circuit that allows only the photocurrent corresponding to slow steady light to pass through, and a current control circuit that accepts the increased photocurrent when the photocurrent increases with a fairly steep temporal change, is installed to control the influence on the intensity of the steady light. The first feature is that an instantaneous light detection circuit is provided that extracts a signal according to the brightness of signal light without receiving it.
本発明はその一実施態様として光電素子と、該
光電素子と直列に接続された電流制御素子と、前
記光電素子と電流制御素子との接続点に入力が接
続され、出力が前記電流制御素子の制御電極と接
続されたバツフア回路と、前記電流制御素子の制
御電極へ与えられる制御電圧を保持するように前
記バツフア回路に接続された第1のコンデンサ
と、前記接続点と接続されたベースに、前記光電
素子に定常的な光に加えて入射する瞬間的なパル
ス光に応じて発生される光電流を流し込み、この
光電流に応じた電流がコレクタから出力される入
力トランジスタとを含むことを特徴とする瞬間光
強度検出回路を提供するものである。 One embodiment of the present invention includes a photoelectric element, a current control element connected in series with the photoelectric element, an input connected to a connection point between the photoelectric element and the current control element, and an output of the current control element. a buffer circuit connected to the control electrode; a first capacitor connected to the buffer circuit so as to maintain a control voltage applied to the control electrode of the current control element; and a base connected to the connection point; It is characterized by including an input transistor in which a photocurrent generated in response to instantaneous pulsed light incident in addition to steady light is applied to the photoelectric element, and a current corresponding to the photocurrent is output from the collector. The present invention provides an instantaneous light intensity detection circuit.
以下、第4図乃至第13図について本発明を詳
細に説明する。なお図面中、同一数字は類似部分
を示すものである。 The present invention will now be described in detail with reference to FIGS. 4 to 13. Note that in the drawings, the same numbers indicate similar parts.
第4図は、本発明による光電変換回路の原理的
構成を示す図である。第4図において、第1の電
流回路はコレクタが光電素子30のアノードと接
続されたトランジスタ31と、これら両素子によ
る接続点32に入力が接続される一方出力がトラ
ンジスタ31のベースと接続されたバツフア回路
33と、トランジスタ31のベース・エミツタ間
に接続された遅延用のキヤパシタとより構成され
る。トランジスタ31は、光電素子30に定常的
に入射する光に応じた光電流をコレクタ電流とし
て流すように制御される。第2の電流回路を構成
するものとしての接続点32からトランジスタ3
5のベース・エミツタを介する回路は、定常光に
加えて光電素子30へインパルス状に入射する光
に応じた光電流を受け入れる。定電流源36は、
光電素子30へ定常光のみが入射している場合
に、その定常光による光電流の大きさに関係なく
トランジスタ35のコレクタ電流を該定電流の値
に保つために設けられている。定電流源36と並
列に接続されたキヤパシタ37はトランジスタ3
5のエミツタ電位の急激な変動を抑える。トラン
ジスタ38および39は電流ミラー回路をなして
おり、トランジスタ35のコレクタ電流と相似す
る電流がトランジスタ39のコレクタから出力さ
れる。トランジスタ39のコレクタには光電変換
された信号を取り出すための負荷40が接続され
ている。トランジスタ35のベースと接続された
定電流源41は、光電素子30への入射光が存在
しない場合において、特定強度の定常光に応じた
光電流の役割を演ずるダミー電流を供給する。い
いかえると定電流源41は直接的に信号光の検知
動作に掛り合うものではなく、定常光が存在しな
い場合においてもトランジスタ31や35を定常
な状態に保持するよう回路の動作を補助するもの
である。 FIG. 4 is a diagram showing the basic configuration of a photoelectric conversion circuit according to the present invention. In FIG. 4, the first current circuit has a transistor 31 whose collector is connected to the anode of the photoelectric element 30, an input is connected to a connection point 32 between these two elements, and an output is connected to the base of the transistor 31. It is composed of a buffer circuit 33 and a delay capacitor connected between the base and emitter of the transistor 31. The transistor 31 is controlled so that a photocurrent corresponding to light that is regularly incident on the photoelectric element 30 flows as a collector current. From the connection point 32 to the transistor 3 constituting the second current circuit
The circuit via the base emitter 5 receives a photocurrent corresponding to the light incident on the photoelectric element 30 in an impulse manner in addition to the constant light. The constant current source 36 is
This is provided to maintain the collector current of the transistor 35 at the constant current value when only steady light is incident on the photoelectric element 30, regardless of the magnitude of the photocurrent due to the steady light. A capacitor 37 connected in parallel with the constant current source 36 is a transistor 3.
5. Suppresses rapid fluctuations in emitter potential. Transistors 38 and 39 form a current mirror circuit, and a current similar to the collector current of transistor 35 is output from the collector of transistor 39. A load 40 for extracting a photoelectrically converted signal is connected to the collector of the transistor 39. A constant current source 41 connected to the base of the transistor 35 supplies a dummy current that plays the role of a photocurrent in response to constant light of a specific intensity when no light is incident on the photoelectric element 30. In other words, the constant current source 41 is not directly involved in the signal light detection operation, but rather assists the circuit operation to maintain the transistors 31 and 35 in a steady state even in the absence of steady light. be.
以上のように構成された回路において、まず、
トランジスタ31を含む第1の電流回路の動作を
トランジスタ31のコレクタとトランジスタ35
のベースとを切り離すとともに定電流源41を除
外して考える。今、時間的に変動しない一定強度
の光のみが光電素子30に入射しているものとす
る。このときの入射光に応じた光電流はトランジ
スタ31のコレクタ電流となつて流れる。これ
は、トランジスタ31のコレクタがバツフア回路
33を介して負帰還が掛けられた状態にあり、こ
の負帰還の動作によつてトランジスタ31のベー
スがちようど光電流をコレクタ電流とするに必要
な電圧でバイアスされるようになるからである。
一方、定常光のみが光電素子30に入射している
場合は、キヤパシタ34は単に上記のバイアス電
圧に充電されているだけで回路動作には関与しな
い。ここで、定常光に加えてインパルス状の光が
光電素子30に入射する場合を考える。このイン
パルス光の立ち上りは、バツフア回路33の出力
抵抗と信号遅延機能が利用されるキヤパシタ34
とで構成される時定数回路の時定数に比べて十分
に速いものとする。このようなインパルス光の入
射に対しては、その時定数より短い時間領域にお
いて、トランジスタ31のベースはインパルス光
が入射する以前の定常光による光電流に対応する
バイアス電圧に維持される。したがつて、この間
においては、トランジスタ31は依然として定常
光による光電流のみを流し得る状態にあるから、
インパルス光の入射によつて増加する光電流分に
対しては、該トランジスタ31は、そのコレクタ
特性により極めて高い抵抗を示すことになる。こ
のようなトランジスタ31を含む第1の電流回路
の振舞いは、定常光の広範囲な強度領域において
繰り広げられる。 In the circuit configured as above, first,
The operation of the first current circuit including the transistor 31 is controlled between the collector of the transistor 31 and the transistor 35.
Consider separating the base from the constant current source 41 and excluding the constant current source 41. It is now assumed that only light with a constant intensity that does not vary over time is incident on the photoelectric element 30. A photocurrent corresponding to the incident light at this time flows as a collector current of the transistor 31. This is because the collector of the transistor 31 is in a state where negative feedback is applied via the buffer circuit 33, and this negative feedback operation causes the base of the transistor 31 to change to the voltage necessary to convert the photocurrent into the collector current. This is because it becomes biased.
On the other hand, when only stationary light is incident on the photoelectric element 30, the capacitor 34 is merely charged to the above bias voltage and does not participate in the circuit operation. Here, a case will be considered in which impulse light is incident on the photoelectric element 30 in addition to steady light. The rise of this impulse light is caused by the output resistance of the buffer circuit 33 and the capacitor 34 where the signal delay function is utilized.
It is assumed that the time constant is sufficiently fast compared to the time constant of the time constant circuit consisting of. When such impulse light is incident, the base of the transistor 31 is maintained at a bias voltage corresponding to the photocurrent due to the steady light before the impulse light is incident, in a time region shorter than the time constant. Therefore, during this period, the transistor 31 is still in a state where only the photocurrent due to the steady light can flow.
Due to its collector characteristics, the transistor 31 exhibits extremely high resistance to the photocurrent that increases due to the incidence of impulse light. The behavior of the first current circuit including such a transistor 31 occurs in a wide range of intensity of stationary light.
次に、第4図の回路でインパルス光に応じた光
電流の検出動作について説明すると、光電素子3
0に定常光のみが入射している定常状態において
は、トランジスタ35および38には定電流源3
6による定電流が流される。もち論、トランジス
タ35はベース電流を必要とするが、このベース
電流には光電流の一部が充てられる。定常光がな
くて光電流がつくられない場合でも、定電流源4
1によるダミー電流によつてトランジスタ35の
ベース電流は保証される。定常状態においては、
定常光の強度に関係なくトランジスタ35は定電
流源36が求める一定の電流を流している。次
に、光電素子30にインパルス光が入射し、この
インパルス光に応じた光電流が発生すると、前述
したようにトランジスタ31はこの電流増加分に
対して極めて高い抵抗を示し、その通過を妨げ
る。かくして、トランジスタ31のコレクタの電
位は上昇することになり、光電流の増加分はトラ
ンジスタ35のベースに流れ込んで行く。この増
加分に相当するベース電流はトランジスタ35に
よつて増幅され、そのコレクタ電流となつて現わ
れる。以上のように、インパルス光に応じた光電
流は、定常状態時は定常光の強度とは無関係に一
定のコレクタ電流を流しているトランジスタ35
における増幅されたコレクタ電流として取り出さ
れるのである。尚、以上の動作において、キヤパ
シタ37はキヤパシタ34と同様に端子間電圧を
一定に保つように作用する。この作用によつて、
増加した光電流がベース電流としてトランジスタ
35のベースに流入することが許される。さて、
増幅された光電流は、トランジスタ35のコレク
タに負荷を接続することにより電圧信号に変換す
ることができる。尚、電流制御素子としてのトラ
ンジスタ31を電界効果型トランジスタに代えて
も同様な効果を得ることができる。また定電流源
36を省略することもできる。 Next, to explain the photocurrent detection operation according to the impulse light using the circuit shown in FIG. 4, the photoelectric element 3
In a steady state where only steady light is incident on the transistors 35 and 38, the constant current source 3
A constant current of 6 is applied. Naturally, the transistor 35 requires a base current, and this base current is filled with a portion of the photocurrent. Even if there is no steady light and no photocurrent is generated, the constant current source 4
The base current of the transistor 35 is guaranteed by the dummy current of 1. In steady state,
Regardless of the intensity of the stationary light, the transistor 35 flows a constant current determined by the constant current source 36. Next, when impulse light is incident on the photoelectric element 30 and a photocurrent corresponding to the impulse light is generated, as described above, the transistor 31 exhibits an extremely high resistance to this increased current, and prevents it from passing through. Thus, the potential at the collector of transistor 31 increases, and the increased photocurrent flows into the base of transistor 35. The base current corresponding to this increase is amplified by the transistor 35 and appears as its collector current. As described above, the photocurrent corresponding to the impulse light is generated by the transistor 35, which in a steady state flows a constant collector current regardless of the intensity of the steady light.
It is taken out as an amplified collector current at . In addition, in the above operation, the capacitor 37, like the capacitor 34, acts to keep the inter-terminal voltage constant. Due to this effect,
The increased photocurrent is allowed to flow into the base of transistor 35 as base current. Now,
The amplified photocurrent can be converted into a voltage signal by connecting a load to the collector of transistor 35. Note that the same effect can be obtained even if the transistor 31 as the current control element is replaced with a field effect transistor. Further, the constant current source 36 can also be omitted.
次に上記電圧信号の変換回路の具体的な一実施
例を第5図において説明する。 Next, a specific embodiment of the voltage signal conversion circuit will be described with reference to FIG.
第5図は、第4図に示す光電変換回路を半導体
集積回路に適した回路に構成したものである。第
5図において、第4図におけるバツフア回路33
およびキヤパシタ34は、第2の電流回路を構成
するトランジスタ35およびキヤパシタ37がそ
れぞれ兼用される。すなわち、トランジスタ35
のベースがトランジスタ31を介して負帰還が掛
けられた状態にあり、この負帰還の動作によつて
トランジスタ31のベースがちようど光電流をコ
レクタ電流とするに必要な電圧でバイアスされる
ようになる。光電素子30のカソードは、定電流
源42、トランジスタ43,44および45で構
成される定電圧回路の出力であるトランジスタ4
4のベースと接続されている。トランジスタ44
のベースと接地との間からは、2個のトランジス
タ44と45の各ベース・エミツタ間電圧の和の
電圧が定電圧として出力される。他方、光電素子
30のアノードと接地間には、2個のトランジス
タ31と35の各ベース・エミツタ間の和の電圧
が現われる。これら両電圧は大略において等し
く、したがつて光電素子30の両端子間には電位
差が存在するとしてもその値は小さいので、光電
素子30からは短絡電流が出力されると考えてよ
いことになる。トランジスタ38のベースとコレ
クタはトランジスタ46のエミツタ・ベースを介
して接続されている。トランジスタ39のコレク
タには負荷として、第1の負荷をなすトランジス
タ47と、対数圧縮回路を構成するようにダイオ
ード接続された3個のトランジスタ48,49お
よび50による第2の負荷をなす直列回路が接続
されている。 FIG. 5 shows a configuration of the photoelectric conversion circuit shown in FIG. 4 into a circuit suitable for a semiconductor integrated circuit. In FIG. 5, the buffer circuit 33 in FIG.
The transistor 35 and the capacitor 37 that constitute the second current circuit also serve as the capacitor 34, respectively. That is, transistor 35
The base of the transistor 31 is in a state where negative feedback is applied through the transistor 31, and due to the operation of this negative feedback, the base of the transistor 31 is biased with the voltage necessary to convert the photocurrent into the collector current. Become. The cathode of the photoelectric element 30 is connected to the transistor 4, which is the output of a constant voltage circuit composed of a constant current source 42, transistors 43, 44, and 45.
It is connected to the base of 4. transistor 44
A voltage that is the sum of the base-emitter voltages of the two transistors 44 and 45 is output as a constant voltage from between the base and ground. On the other hand, between the anode of the photoelectric element 30 and the ground, the sum voltage between the bases and emitters of the two transistors 31 and 35 appears. These two voltages are approximately equal, so even if there is a potential difference between both terminals of the photoelectric element 30, the value is small, so it can be considered that a short circuit current is output from the photoelectric element 30. . The base and collector of transistor 38 are connected through the emitter and base of transistor 46. The collector of the transistor 39 is loaded with a transistor 47 as a first load, and a series circuit as a second load consisting of three transistors 48, 49 and 50 diode-connected to form a logarithmic compression circuit. It is connected.
また、信号出力端子をなすトランジスタ39の
コレクタは演算増幅器55の反転入力端子56と
接続されている。この演算増幅器55のもう一方
の入力端子57は、基準電圧源をなす定電流源5
2とトランジスタ53のコレクタとの接続点に接
続されている。該接続点には定電流源52と2個
のダイオード接続されたトランジスタ53,54
とよりトランジスタのベース・エミツタ間電圧V
BEの二つ分の定電圧2VBEがつくられている。演
算増幅器55の出力58はトランジスタ59のベ
ースが接続され、該トランジスタ59のコレクタ
と接地間にはダイオード接続されたトランジスタ
60が接続されている。また、トランジスタ60
と並列にキヤパシタ61が接続されている。そし
て、トランジスタ60のベースはトランジスタ4
7のベースと接続されている。かくして信号出力
端子51は、演算増幅器55、トランジスタ5
9,60および47を介して負帰還が掛けられ
る。 Further, the collector of the transistor 39 serving as a signal output terminal is connected to the inverting input terminal 56 of the operational amplifier 55. The other input terminal 57 of this operational amplifier 55 is connected to a constant current source 5 serving as a reference voltage source.
2 and the collector of the transistor 53. A constant current source 52 and two diode-connected transistors 53 and 54 are connected to the connection point.
The base-emitter voltage V of the transistor is
A constant voltage of 2V BE is created for two BEs . The output 58 of the operational amplifier 55 is connected to the base of a transistor 59, and a diode-connected transistor 60 is connected between the collector of the transistor 59 and ground. In addition, the transistor 60
A capacitor 61 is connected in parallel with. The base of the transistor 60 is the transistor 4.
It is connected to the base of 7. Thus, the signal output terminal 51 is connected to the operational amplifier 55 and the transistor 5.
Negative feedback is applied via 9, 60 and 47.
以上の如く構成された第5図の回路において、
まず、光電素子30に定常光のみが入射している
場合について考察する。この場合、光電素子30
が発生する光電流と電流源41によるダミー電流
とがトランジスタ35のベース電流となる分を除
いてトランジスタ31をそのコレクタ電流となつ
て流れる。トランジスタ35のコレクタには電流
源36による定電流が流されている。キヤパシタ
37は、トランジスタ31のコレクタ電流に対応
したベース・エミツタ間電圧に充電されている。
かかる定常状態においては、トランジスタ39の
コレクタ電流は一定で、トランジスタ38と39
の形状・特性が等しい場合は、トランジスタ35
のコレクタ電流と等しく、また両トランジスタの
エミツタ面積に差をつけておくとその面積比に応
じた電流となる。トランジスタ39のコレクタ電
流が一定の場合、信号出力端子51と接地間の電
圧は、演算増幅器55の負帰還作用により非反転
入力端子57と接地間の電圧つまり2個直列に接
続されたトランジスタ53,54による2個分の
ベース・エミツタ間電圧2VBEつまり基準電圧に
等しくなつている。この場合、トランジスタ39
からの一定のコレクタ電流のほとんどは次に述べ
る理由によつてトランジスタ47のコレクタ電流
となつて流れる。今、出力端子51と接地間は2
VBEの電圧に保たれている。したがつて、3個の
トランジスタ48,49,50による直列回路に
はこの2VBEの電圧が印加されていることにな
る。すなわち、各1個のトランジスタのベース・
エミツタ間には2/3VBEの電圧が印加されてい
る。ここで、例えばVBE=540mVとすれば、ト
ランジスタ48,49,50の各々に加えられて
いる電圧は360mVとなり、VBEより180mVだけ
小さい。トランジスタのコレクタ電流は、その対
数特性によりベース・エミツタ電圧の180mVの
変化に対して1000程変化する。このようであるか
ら、定常状態においては第2の負荷であるトラン
ジスタ48,49,50の直列回路にはトランジ
スタ53,54の直列回路に流れる電流の1000分
の1程度しか流れない。例えば直列回路53,5
4に流れる電流とトランジスタ47のコレクタ電
流がともに4μAであれば第2の負荷であるトラ
ンジスタ48,49,50に流れる電流は4nA程
になる。 In the circuit of FIG. 5 configured as above,
First, a case where only steady light is incident on the photoelectric element 30 will be considered. In this case, the photoelectric element 30
The photocurrent generated by the current source 41 and the dummy current from the current source 41 flow through the transistor 31 as its collector current, except for the portion that becomes the base current of the transistor 35. A constant current from a current source 36 is passed through the collector of the transistor 35. The capacitor 37 is charged to a base-emitter voltage corresponding to the collector current of the transistor 31.
In such a steady state, the collector current of transistor 39 is constant, and transistors 38 and 39
If the shapes and characteristics of the transistors 35 and 35 are the same,
If the emitter areas of both transistors are made different, the current will be proportional to the area ratio. When the collector current of the transistor 39 is constant, the voltage between the signal output terminal 51 and the ground becomes the voltage between the non-inverting input terminal 57 and the ground due to the negative feedback effect of the operational amplifier 55, that is, the voltage between the two transistors 53 and the ground connected in series. The base-emitter voltage 2V BE of the two bases due to 54 is equal to the reference voltage. In this case, transistor 39
Most of the constant collector current from the transistor 47 flows as the collector current of the transistor 47 for the following reason. Now, between the output terminal 51 and the ground is 2
The voltage is maintained at V BE . Therefore, this voltage of 2V BE is applied to the series circuit made up of the three transistors 48, 49, and 50. That is, the base of each transistor
A voltage of 2/3V BE is applied between the emitters. For example, if V BE =540 mV, the voltage applied to each of transistors 48, 49, and 50 is 360 mV, which is 180 mV smaller than V BE . Due to its logarithmic characteristics, the collector current of a transistor changes by about 1000 for a 180mV change in base-emitter voltage. Therefore, in a steady state, only about 1/1000th of the current flowing through the series circuit of transistors 53 and 54 flows through the series circuit of transistors 48, 49, and 50, which is the second load. For example, the series circuit 53,5
If the current flowing through transistor 4 and the collector current of transistor 47 are both 4 μA, the current flowing through transistors 48, 49, and 50, which are the second loads, will be about 4 nA.
さて次に光電素子30へ定常光に加えて信号光
が入射する場合の動作について説明する。トラン
ジスタ31は定常光に対する一定のコレクタ電流
のみを流すようにベースがバイアスされている。
そこで光電素子30への信号光の入射に対する光
電流の増加分は、第4図の場合と同様にトランジ
スタ35のベースに流れ込む。このベースに流れ
込んだ信号光に対応した光電流は、トランジスタ
35によつて増巾され、トランジスタ39のコレ
クタ電流に変換される。トランジスタ39のコレ
クタ電流の急激な増加分に対して、トランジスタ
47は、トランジスタ31の場合と同様に、極め
て高い抵抗を示す。これは、トランジスタ47の
ベース・エミツタがキヤパシタ61の遅延作用に
よつている。そこでコレクタ電流の増加分は、第
2の負荷であるトランジスタ48,49,50の
直列回路に流れ込む。この第2の負荷はダイオー
ド負荷であるから、供給される電流の対数に比例
する。つまり対数圧縮された電圧が負荷の端子間
から発生される。ここで信号光の入射に対して第
2の負荷によつてどのくらいの電圧信号がつくら
れるか数量的に考察しよう。今、定電流源36の
電流値を0.4μA、トランジスタ35の電流増幅
率hFEを100とする。トランジスタ39のエミ
ツタ面積はトランジスタ38より10倍だけ大きい
ものとする。このようであれば定常状態では、ト
ランジスタ39のコレクタ電流はトランジスタ3
8のコレクタ電流(0.4μA)の10倍の4μAと
なる。また、トランジスタ38のベース電流は
4nAとなる。尚、定電流源41の電流値は4nAよ
り大きく設定しておけばよい。他方、第2の負荷
をなすトランジスタ48,49,50と、定電圧
源をなすトランジスタ53,54のそれぞれは互
いに等しい形状・特性を有するものとし、定電圧
源からは540mVの電圧がつくられるものとす
る。この場合、前述したように第2の負荷には
4nAの電流が流れることになる。さて、光電素子
30へ信号光が入射し、これに応じて100PAの光
電流が発生されたとする。この光電流は、前述し
た如く、トランジスタ35のベースに流れ込み、
トランジスタ35により100倍そしてトランジス
タ39によりさらに10倍され、100nAに増幅され
てトランジスタ39のコレクタに現われる。この
100nAのコレクタ電流は、第2の負荷に流され
る。信号光の入射前の状態においては、第2の負
荷には4nAの電流が流れていたから、該第2の負
荷の電流増加は25倍である。一般に、トランジス
タのコレクタ電流の2倍の増加に対してベース・
エミツタ電圧は18mVだけ増加する(ただし、周
囲温度25℃のとき)から、25倍のコレクタ電流の
増加に対しては、1個のトランジスタ当り、約
83mV増加する。したがつて第2の負荷全体では
250mV程増加する。かくして100PAの光電流に相
当する信号光は250mVの電圧に変換された。次
に信号光による光電流が100nA(上述の場合の
1000倍)の場合について考えると、第2の負荷に
流れ込む電流は100μAとなり、これは2500倍の
増加に相当する。したがつて、第2の負荷からは
610mV程増加した電圧信号が出力される。 Next, the operation when signal light is incident on the photoelectric element 30 in addition to the steady light will be described. The base of the transistor 31 is biased so that only a constant collector current for ambient light flows.
Therefore, the increase in photocurrent with respect to the incidence of signal light on the photoelectric element 30 flows into the base of the transistor 35 as in the case of FIG. The photocurrent corresponding to the signal light flowing into the base is amplified by the transistor 35 and converted into a collector current of the transistor 39. Similar to the case of the transistor 31, the transistor 47 exhibits extremely high resistance against a sudden increase in the collector current of the transistor 39. This is due to the delay effect of the capacitor 61 on the base and emitter of the transistor 47. Therefore, the increased collector current flows into the series circuit of transistors 48, 49, and 50, which is the second load. Since this second load is a diode load, it is proportional to the logarithm of the supplied current. In other words, a logarithmically compressed voltage is generated across the terminals of the load. Let us now quantitatively consider how much voltage signal is generated by the second load in response to the incidence of signal light. Now, assume that the current value of the constant current source 36 is 0.4 μA, and the current amplification factor h FE of the transistor 35 is 100. It is assumed that the emitter area of transistor 39 is ten times larger than that of transistor 38. If this is the case, in the steady state, the collector current of transistor 39 is
The collector current (0.4 μA) of No. 8 is 4 μA, which is 10 times the collector current (0.4 μA). Also, the base current of the transistor 38 is
It becomes 4nA. Note that the current value of the constant current source 41 may be set to be larger than 4 nA. On the other hand, the transistors 48, 49, and 50 forming the second load and the transistors 53 and 54 forming the constant voltage source each have the same shape and characteristics, and a voltage of 540 mV is generated from the constant voltage source. shall be. In this case, as mentioned above, the second load
A current of 4nA will flow. Now, assume that a signal light is incident on the photoelectric element 30, and a photocurrent of 100 PA is generated in response. As mentioned above, this photocurrent flows into the base of the transistor 35,
It is multiplied by 100 by transistor 35 and further multiplied by 10 by transistor 39, amplified to 100 nA, and appears at the collector of transistor 39. this
A collector current of 100 nA is passed to the second load. In the state before the signal light is incident, a current of 4 nA was flowing through the second load, so the current increase in the second load is 25 times. In general, for a doubling of the collector current of a transistor, the base
Since the emitter voltage increases by 18 mV (at an ambient temperature of 25°C), for a 25 times increase in collector current, approximately
Increase by 83mV. Therefore, for the entire second load
Increases by about 250mV. Thus, the signal light corresponding to a photocurrent of 100 PA was converted to a voltage of 250 mV. Next, the photocurrent due to the signal light is 100nA (in the above case
1000 times), the current flowing into the second load is 100 μA, which corresponds to an increase of 2500 times. Therefore, from the second load
A voltage signal increased by about 610mV is output.
以上が信号光をその強度に応じた電圧信号に変
換する動作である。尚、端子51から出力される
電圧信号は、例え信号光が階段状のものであつて
も、インパルス状の波形になることは明らかであ
ろう。したがつて、信号光は、光源のエネルギー
節約のためにもインパルス状の単発光であればよ
い。 The above is the operation of converting the signal light into a voltage signal according to its intensity. Note that it is clear that the voltage signal output from the terminal 51 has an impulse-like waveform even if the signal light has a step-like shape. Therefore, in order to save energy of the light source, the signal light may be an impulse-like single light emission.
以上詳述した如く第5図の光電変換回路を用い
れば、定常光の広範囲な輝度領域において、信号
光を定常光から分離検出できる。なお、第5図の
実施例においてトランジスタ48,49,50に
よる第2の負荷の機能を、これらの替りに第10
図に示す如くトランジスタ39と53の両コレク
タ間のダイオード48′を接続することによつて
このダイオードに受け持たせることができる。た
だし、この場合、定電流源52の定電流値をトラ
ンジスタ39から出力される信号光に応じた電流
値よりも十分大きく設定しておいてトランジスタ
53のコレクタ電位が一定に保たれるようにす
る。またPNPトランジスタ39のコレクタにその
負荷の一つとなるNPNトランジスタ47のコレ
クタが接続された回路構成が設けられているが、
この部分を2個のトランジスタ39′,47′を追
加することにより第11図に示すような回路に構
成することもできる。いずれの場合も、第1の負
荷となつているトランジスタのコレクタ特性を利
用している。 As described in detail above, by using the photoelectric conversion circuit shown in FIG. 5, it is possible to separate and detect the signal light from the stationary light in a wide brightness region of the stationary light. Note that in the embodiment of FIG. 5, the function of the second load by the transistors 48, 49, and 50 is replaced by
This can be done by connecting a diode 48' between the collectors of transistors 39 and 53 as shown in the figure. However, in this case, the constant current value of the constant current source 52 is set to be sufficiently larger than the current value corresponding to the signal light output from the transistor 39 so that the collector potential of the transistor 53 is kept constant. . Further, a circuit configuration is provided in which the collector of the NPN transistor 47, which is one of the loads, is connected to the collector of the PNP transistor 39.
This portion can also be constructed into a circuit as shown in FIG. 11 by adding two transistors 39' and 47'. In either case, the collector characteristics of the transistor serving as the first load are utilized.
さて、第5図の光電変換回路を第2図における
ブロツク13,14,15,16に適用すれば、
原理的には距離検出を行うことができるのである
が、実用化のためにはまだ解決しなければならな
い問題がある。今、仮りに、発射される光ビーム
は十分に細く理想的なもので、このビームによつ
て照射された物体上の“明領域”に対する像が第
6図に示す如く幾何光学的には物体までの距離に
応じた特定の1個の光電素子上で結ばれるとして
も、実際には他の光電素子によつても同時に“明
領域”からの光成分が受光されてしまうという問
題が起るのである。これは結像すべく特定の光電
素子に向つて入射した信号光が、その光電素子の
受光面上で反射し、さらにその反射光が結像レン
ズ面で反射するというようにして、光電素子が設
けられているハウジングの中において内部反射が
起るからである。さらには、実際の光ビームは、
第3図に示す如く、距離に応じて断面積が変化
し、かつ光の分布状態も変化し、さらに、投光レ
ンズ2の収差による成分が加わつて理想的なもの
からかなり外れたものになつてしまう。その上
に、結像レンズ4は特定の距離の粉体しかシヤー
プな像を結ばない。以上のようなことから、信号
光は、物体までの距離に応じた特定の光電素子の
みばかりではなく、他の光電素子にもどしても入
射してしまうことになる。光電素子の配列面上に
おける入射光の強度分布は例えば第6図に示す如
く光電素子P3に向けて信号光が入射しているので
あるが、残る3個の光電素子にも入射している。
したがつて、各光電素子に信号光が入射したか否
かを検出するのみでは距離の検出はできないこと
がわかる。そこで、第6図において光電素子P3に
向けて信号光が入射したのであるということを検
出するために、光電素子P3を含む光電変換回路の
出力信号と他の光電変換回路の出力信号とを判別
すべく、例えば第2図における電圧比較のための
基準電圧源25のレベルを定めればよいことにな
る。しかしながら、信号光の強度は物体までの距
離やその反射率によつて種々に変化するから、基
準電圧源25のレベルを固定したのでは適切な判
別は行えない。そこで、目的とする距離信号の検
出のために信号光の強度に応じて基準電圧レベル
を変化させることが考えられる。 Now, if the photoelectric conversion circuit of FIG. 5 is applied to blocks 13, 14, 15, and 16 in FIG.
In principle, it is possible to perform distance detection, but there are still problems that need to be resolved for practical use. Now, suppose that the emitted light beam is sufficiently narrow and ideal, and the image of the "bright area" on the object irradiated by this beam is as shown in Figure 6. Even if the light components are connected on a specific photoelectric element according to the distance from It is. This is because the signal light incident on a specific photoelectric element to form an image is reflected on the light receiving surface of that photoelectric element, and the reflected light is further reflected on the imaging lens surface. This is because internal reflections occur within the provided housing. Furthermore, the actual light beam is
As shown in Figure 3, the cross-sectional area changes depending on the distance, the distribution of light also changes, and with the addition of components due to the aberration of the light projecting lens 2, the result is considerably far from ideal. I end up. Moreover, the imaging lens 4 forms a sharp image only of powder at a specific distance. As described above, the signal light is incident not only on a specific photoelectric element depending on the distance to the object, but also on other photoelectric elements. For example, as shown in Figure 6, the intensity distribution of the incident light on the array surface of the photoelectric elements shows that the signal light is incident toward photoelectric element P3 , but it is also incident on the remaining three photoelectric elements. .
Therefore, it can be seen that distance cannot be detected only by detecting whether or not signal light is incident on each photoelectric element. Therefore, in order to detect that the signal light is incident on the photoelectric element P 3 in FIG. 6, the output signal of the photoelectric conversion circuit including the photoelectric element P 3 and the output signal of the other photoelectric conversion circuit In order to determine this, for example, it is sufficient to determine the level of the reference voltage source 25 for voltage comparison in FIG. 2. However, since the intensity of the signal light varies depending on the distance to the object and its reflectance, appropriate discrimination cannot be performed by fixing the level of the reference voltage source 25. Therefore, it is conceivable to change the reference voltage level according to the intensity of the signal light in order to detect the target distance signal.
以下、信号光の強度に応じて基準電圧レベルを
変化させるようにした基準電圧変化回路およびこ
の回路を適用した測距装置について説明する。 Hereinafter, a reference voltage changing circuit that changes the reference voltage level according to the intensity of signal light and a distance measuring device to which this circuit is applied will be described.
まず、第7図を用いて光電変換回路の出力信号
と基準電圧との関係を説明すると、波形A1は最
も明るい信号光を受けた光電変換回路の出力信号
を示し、波形A2は他の光電変換回路の出力信号
の一つを示す。電圧レベルS1は、第5図の回路に
おけるトランジスタ53のコレクタ電位に相当
し、また、定常状態における各光電変換回路の出
力レベルに相当する。電圧レベルS2は、定常状態
において各光電変換回路の出力に含まれるノイズ
の振幅分を電圧レベルS1に加えたよりも高いレベ
ルに設定してある一定の基準レベルである。電圧
信号S3が、ここで目的としている信号光に応じて
変化される基準電圧である。この基準電圧S3は、
以下に述べるように、各光電変換回路の出力のう
ち最初に電圧レベルS2に到達する出力信号A1を
用いてつくり出される。 First, to explain the relationship between the output signal of the photoelectric conversion circuit and the reference voltage using FIG . One of the output signals of the photoelectric conversion circuit is shown. The voltage level S 1 corresponds to the collector potential of the transistor 53 in the circuit of FIG. 5, and also corresponds to the output level of each photoelectric conversion circuit in a steady state. The voltage level S 2 is a constant reference level that is set higher than the voltage level S 1 plus the amplitude of noise included in the output of each photoelectric conversion circuit in a steady state. The voltage signal S3 is a reference voltage that is changed depending on the signal light targeted here. This reference voltage S3 is
As described below, it is produced using the output signal A 1 that reaches the voltage level S 2 first among the outputs of each photoelectric conversion circuit.
以下、基準電圧S3を発生する基準電圧変化回路
の一実施例を自動焦点調節装置の全体的な構成を
示す第8図の回路においてその構成および動作を
説明する。第8図において、点線70で囲まれる
回路部分が上記の基準電圧変化回路を構成してい
る。この基準電圧変化回路において、演算増幅器
71,72,73,74の各非反転入力は、光電
変換回路13,14,15,16の出力とそれぞ
れ接続されている。なお、これら光電変換回路に
は第5図で示した回路が用いられる。演算増幅器
71,72,73,74の出力は、コレクタが電
源の正端子と接続されたトランジスタ75,7
6,77,78のベースとそれぞれ接続されてい
る。また、これらトランジスタの各エミツタは演
算増幅器71,72,73,74の反転入力とそ
れぞれ接続されるとともに、抵抗79の一端85
と共通に接続されている。この抵抗79の他端は
トランジスタ82のエミツタと抵抗83との接続
点86と接続され、該接続点86は電圧比較回路
17,18,19,20の各反転入力と接続され
ている。抵抗83の他端は定電流源84と接続さ
れるとともに演算増幅器81の反転入力と接続さ
れている。この演算増幅器81の非反転入力は定
電圧源80と接続され、出力はトランジスタ82
のベースと接続されている。ここで、定電圧源8
0として、第5図の光電変換回路における定電流
源52とトランジスタ53,54とによつて構成
されている定電圧源が兼用される。したがつて、
定電圧源80が演算増巾器81の非反転入力に与
えている電圧レベルは、第7図のグラフにおける
レベルS1と等しい。なお、抵抗79は分割して第
13図に示す如く電圧比較回路17,18,1
9,20の各反転入力と接続して夫々のレベルを
変えてもよい。 Hereinafter, the structure and operation of an embodiment of the reference voltage changing circuit that generates the reference voltage S3 will be explained with reference to the circuit shown in FIG. 8, which shows the overall structure of an automatic focusing device. In FIG. 8, a circuit portion surrounded by a dotted line 70 constitutes the above-mentioned reference voltage changing circuit. In this reference voltage change circuit, each non-inverting input of operational amplifiers 71, 72, 73, and 74 is connected to the output of photoelectric conversion circuits 13, 14, 15, and 16, respectively. Note that the circuit shown in FIG. 5 is used for these photoelectric conversion circuits. The outputs of operational amplifiers 71, 72, 73, 74 are connected to transistors 75, 7 whose collectors are connected to the positive terminal of the power supply.
6, 77, and 78 bases, respectively. The emitters of these transistors are connected to the inverting inputs of the operational amplifiers 71, 72, 73, and 74, respectively, and one end 85 of the resistor 79
are commonly connected. The other end of the resistor 79 is connected to a node 86 between the emitter of the transistor 82 and the resistor 83, and the node 86 is connected to each inverting input of the voltage comparison circuits 17, 18, 19, and 20. The other end of the resistor 83 is connected to a constant current source 84 and to the inverting input of the operational amplifier 81 . The non-inverting input of this operational amplifier 81 is connected to the constant voltage source 80, and the output is connected to the transistor 82.
connected to the base of Here, constant voltage source 8
0, the constant voltage source constituted by the constant current source 52 and transistors 53 and 54 in the photoelectric conversion circuit of FIG. 5 is also used. Therefore,
The voltage level that constant voltage source 80 provides to the non-inverting input of operational amplifier 81 is equal to level S 1 in the graph of FIG. Note that the resistor 79 is divided into voltage comparison circuits 17, 18, 1 as shown in FIG.
It may be connected to the inverting inputs 9 and 20 to change their respective levels.
以上の構成よりなる基準電圧変化回路の動作と
して第2図の回路においては、電圧比較回路1
7,18,19,20の比較基準電圧として、定
電圧源25による一定電圧が与えられたのである
が、第8図の回路においては、基準電圧変化回路
により、最も強度の大きい信号光が入射する光電
変換回路の出力信号に応じた時間的に変化する電
圧が与えられる。 As for the operation of the reference voltage changing circuit having the above configuration, in the circuit shown in FIG.
7, 18, 19, and 20 were given a constant voltage by a constant voltage source 25. In the circuit shown in FIG. A voltage that changes over time is applied according to the output signal of the photoelectric conversion circuit.
さて、第8図において、定常光のみが入射して
いる場合についてまず考察しよう。この場合、光
電変換回路は、第7図のグラフにおけるレベルS1
の電圧を出力している。他方、演算増幅器81の
非反転入力にもレベルS1の電圧が入力されている
から、該演算増幅器81の反転入力のレベルもト
ランジスタ82、抵抗83を介する負帰還の作用
でレベルS1に保たれている。したがつて接続点8
6は、定電流源84の電流による抵抗83におけ
る降下電圧分だけレベルS1より高いレベルS2の電
圧が現われ、このレベルS2の電圧が演算増幅器7
1,72,73,74および電圧比較回路17,
18,19,20の各反転入力に与えられてい
る。したがつて、これら演算増巾器と電圧比較回
路の各出力は、みな“低”レベルの電圧を出力し
ており、トランジスタ75,76,77,78は
遮断状態となつている。このようであるから、抵
抗79には電流は流れておらず、接続点85と8
6は同電位S2となつている。 Now, in FIG. 8, let's first consider the case where only stationary light is incident. In this case, the photoelectric conversion circuit is at level S 1 in the graph of FIG.
It outputs a voltage of . On the other hand, since the voltage at level S 1 is also input to the non-inverting input of operational amplifier 81, the level of the inverting input of operational amplifier 81 is also maintained at level S 1 by the action of negative feedback via transistor 82 and resistor 83. It's dripping. Therefore, connection point 8
6, a voltage of level S 2 higher than level S 1 by the voltage drop across resistor 83 due to the current of constant current source 84 appears, and this voltage of level S 2 is applied to operational amplifier 7.
1, 72, 73, 74 and voltage comparison circuit 17,
It is applied to each inverting input of 18, 19, and 20. Therefore, the respective outputs of the operational amplifier and the voltage comparison circuit all output "low" level voltages, and the transistors 75, 76, 77, and 78 are in a cut-off state. Therefore, no current flows through the resistor 79, and the connection points 85 and 8
6 is at the same potential S2 .
次に、光電変換回路から信号光に応じた電圧信
号が出力される場合の動作の説明に移る。今、例
えば、光電変換回路14から第7図のグラフにお
ける波形A1のような最初にレベルS2に達する電
圧信号が出力されるとする。この波形A1は、当
初、レベルS1にあり、信号光の入射とともに立上
つて行く。さて、この波形A1がレベルS2に達す
ると、これまで“低”レベルの状態にあつた演算
回路72の出力は“高”レベルに向い始め、トラ
ンジスタ76はそのベースが順バイアスされるよ
うになる。こうして、演算増幅器72はトランジ
スタ76を介する負帰還動作が可能となり、その
反転入力の電圧レベルは非反転入力つまりは光電
変換回路14の出力電圧A1に等しく追従するよ
うに変化する。演算増巾器71,72,73,7
4の反転入力は互いに共通の電位にあるから、今
の状態では演算増巾器72を除いては、依然とし
て反転入力の方が非反転入力より電圧レベルは高
い状態にあり、トランジスタ75,77,78は
遮断状態に置かれている。かくして、接続点85
の電圧レベルは、光電変換回路14の出力電圧が
レベルS2より高い間t1〜t2においてその出力電圧
波形A1を辿るように動いて行く。波形A1がレベ
ルS2を越えるようになると、順バイアスされるト
ランジスタ76のエミツタ電流が抵抗79,83
を介して定電流源84に流れ込むようになる。す
ると、演算増幅器81の反転入力はレベルS1より
高い電圧レベルに引き上げられるようになり、演
算増幅器81は“低”レベルの電圧を出力するよ
うになる。かくて、トランジスタ82は遮断状態
に置かれ、接続点86からは抵抗79の抵抗値と
定電流源84の定電流値との積に相当する一定電
圧υcだけ接続点85の電圧レベルより低い電圧
信号S3が出力される。この電圧信号S3が比較基準
電圧として電圧比較回路17,18,19,20
の反転入力に与えられ、この電圧を基準にして光
電変換回路の各出力信号の大小が比較・検出され
る。 Next, a description will be given of the operation when a voltage signal corresponding to signal light is output from the photoelectric conversion circuit. For example, assume that the photoelectric conversion circuit 14 outputs a voltage signal that first reaches level S2 , such as waveform A1 in the graph of FIG. This waveform A 1 is initially at level S 1 and rises as the signal light is incident. Now, when this waveform A1 reaches the level S2 , the output of the arithmetic circuit 72, which has been at the "low" level, starts to turn to the "high" level, and the transistor 76 has its base forward biased. become. In this way, the operational amplifier 72 becomes capable of negative feedback operation via the transistor 76, and the voltage level of its inverting input changes to equally follow the non-inverting input, that is, the output voltage A1 of the photoelectric conversion circuit 14. Arithmetic amplifiers 71, 72, 73, 7
Since the inverting inputs of transistors 4 and 4 are at a common potential, in the current state, except for the operational amplifier 72, the voltage level of the inverting input is still higher than that of the non-inverting input, and the transistors 75, 77, 78 is placed in a blocked state. Thus, connection point 85
The voltage level moves to follow the output voltage waveform A1 from t1 to t2 while the output voltage of the photoelectric conversion circuit 14 is higher than the level S2 . When the waveform A1 exceeds the level S2 , the emitter current of the forward biased transistor 76 flows through the resistors 79 and 83.
The current flows into the constant current source 84 via. Then, the inverting input of the operational amplifier 81 is pulled up to a voltage level higher than the level S1 , and the operational amplifier 81 outputs a "low" level voltage. Thus, the transistor 82 is placed in a cut-off state, and a voltage from the connection point 86 is lower than the voltage level at the connection point 85 by a constant voltage υc corresponding to the product of the resistance value of the resistor 79 and the constant current value of the constant current source 84. A signal S3 is output. This voltage signal S3 is used as a comparison reference voltage in voltage comparison circuits 17, 18, 19, 20.
The magnitude of each output signal of the photoelectric conversion circuit is compared and detected based on this voltage.
このようにして、t1からt2の間において、上述
の例の場合は、電圧比較回路18から“高”レベ
ル(“1”)の電圧が出力される。光電変換回路1
4以外のものから出力信号が第7図の波形A2で
示されるようなものか、またはそれより低いレベ
ルのものであれば、電圧比較回路17,19,2
0からは“低”レベル(“0”)の電圧が出力され
る。以上は、光電変換回路14の出力が他に比べ
て比較的に大きい場合の動作についてであつた
が、同様な動作はいずれの光電変換回路の出力に
対してもあてはまる。なお、信号光の主要部が隣
り合う2個の光電変換素子の中間部に向けて入射
するような場合は、これらの光電素子に対応する
光電変換回路の出力は、同時に二つとも選別電圧
S3のレベルより高くなるであろう。また、光電素
子の配列面における信号光の強度分布の状態によ
つては、同時に光電変換回路の三つの出力が判別
レベルを上まわるような場合も生じ得るであろ
う。以上が基準電圧変化回路の動作である。 In this way, between t 1 and t 2 , in the above example, the voltage comparison circuit 18 outputs a "high" level ("1") voltage. Photoelectric conversion circuit 1
If the output signal from the source other than 4 is as shown by waveform A2 in FIG.
From 0, a "low" level ("0") voltage is output. The above has been about the operation when the output of the photoelectric conversion circuit 14 is relatively large compared to others, but the same operation applies to the output of any photoelectric conversion circuit. In addition, if the main part of the signal light is incident toward the middle part of two adjacent photoelectric conversion elements, the outputs of the photoelectric conversion circuits corresponding to these photoelectric elements will both be at the screening voltage at the same time.
It will be higher than the level of S 3 . Furthermore, depending on the state of the intensity distribution of the signal light on the array surface of the photoelectric elements, a case may occur in which three outputs of the photoelectric conversion circuit exceed the discrimination level at the same time. The above is the operation of the reference voltage changing circuit.
ここで、第8図の回路装置の全体的な動作を述
べておく。今、回路装置は動作準備完了状態にあ
り、回路の各部には電源が供給されているとす
る。発光ダイオード1の発光エネルギーを貯える
キヤパシタ108は抵抗を介して電源電圧に電荷
が充電されている。撮影を行うべく被写体に投光
レンズ2の光軸を向けておいて、スイツチ26を
閉じる。これに応答して、ワンシヨツト回路27
から一定時間だけ“高”レベル(“1”)の電圧信
号が発される。この電圧信号によりトランジスタ
105,106が導通し、キヤパシタ108の充
電電荷がトランジスタ106および発光ダイオー
ド1を介して一気に放電される。こうしてインパ
ルス状の光ビームが被写体に向けて発射される。
同時にワンシヨツト回路27からの“1”の信号
はレジスタ21,22,23,24,87の入力
cpおよびレジスタ87の入力Dに与えられる。
尚、88はこれらレジスタをリセツトするリセツ
トパルスを、不図示の電源スイツチ投入時などで
発生するリセツトパルス発生回路である。レジス
タはリセツトされると出力は“0”の状態にな
る。光ビームが発せられ、前述したようにして、
電圧比較回路17,18,19,20のいずれか
1個または隣り合う2個あるいは3個から“1”
の信号が出力される。ただし、被写体によつては
全く“1”の信号が出力されない場合もある。レ
ジスタ21,22,23,24,87は、二つの
入力Dとcpに同時に“1”が入力されると出力
は“1”にセツトされ、その後に入力が“0”に
なつても、リセツトされるか電源が切られるまで
出力“1”の状態は保持される。尚、各レジスタ
は第12図のようにANDゲートとR―Sフリツ
プフロツプを用いて構成してある。今、電圧比較
回路18から“1”の信号が出力されると、この
信号とともにワンシヨツト回路27からの“1”
の信号によつてレジスタ22の出力が“1”の状
態にセツトされる。このとき、同時にレジスタ8
7も“1”にセツトされ、光ビームが発射された
ことが記録される。レジスタ群からの信号はデコ
ーダ89により例えば第9図に示すような近距離
と遠距離に応じた出力信号に変換される。撮影レ
ンズ100は、レジスタ群に距離情報が採取され
た後に適当な駆動手段により例えば最近接位置か
ら無限遠の位置に向けて繰り込まれ、この動作に
連動してブラシ99が例えば8個の接片端子90
〜97および98上を摺動される。“1”が出力
されている接片端子、例えば92に、ブラシ99
が位置すると、ブラシ99および接片98を介し
て流れるベース電流によりトランジスタ101が
導通される。この導通によりトランジスタ102
は遮断され、電磁石103の励磁が断たれて、係
止レバー104が作動してレンズ100の繰り込
み動作に係止を掛ける。このようにして検出され
た距離情報に応じた位置に自動的に撮影レンズの
距離調節が行われる。以上、詳述したように基準
電圧変化回路の導入により光ビーム投射方式の測
距装置の実用化が可能となり、その効果は極めて
大きい。 Here, the overall operation of the circuit device shown in FIG. 8 will be described. Assume that the circuit device is now ready for operation and power is being supplied to each part of the circuit. A capacitor 108 that stores the light emission energy of the light emitting diode 1 is charged with a power supply voltage via a resistor. The optical axis of the light projecting lens 2 is directed toward the object to be photographed, and the switch 26 is closed. In response, one shot circuit 27
A “high” level (“1”) voltage signal is emitted for a certain period of time. This voltage signal makes transistors 105 and 106 conductive, and the charges in capacitor 108 are discharged at once through transistor 106 and light emitting diode 1. In this way, an impulse-like light beam is emitted toward the subject.
At the same time, the "1" signal from the one shot circuit 27 is input to the registers 21, 22, 23, 24, 87.
cp and input D of register 87.
Note that 88 is a reset pulse generation circuit that generates a reset pulse for resetting these registers when a power switch (not shown) is turned on. When the register is reset, the output becomes "0". A beam of light is emitted, as described above,
“1” from any one or two or three adjacent voltage comparator circuits 17, 18, 19, and 20
signal is output. However, depending on the subject, a signal of "1" may not be output at all. For registers 21, 22, 23, 24, and 87, when "1" is input to the two inputs D and cp at the same time, the output is set to "1", and even if the input becomes "0" afterwards, the output is not reset. The output "1" state is maintained until the output is turned off or the power is turned off. Incidentally, each register is constructed using an AND gate and an R-S flip-flop as shown in FIG. Now, when a signal of "1" is output from the voltage comparator circuit 18, "1" is output from the one shot circuit 27 along with this signal.
The output of the register 22 is set to the "1" state by the signal. At this time, register 8
7 is also set to "1" to record that the light beam was emitted. Signals from the register group are converted by a decoder 89 into output signals corresponding to short distance and long distance as shown in FIG. 9, for example. After the distance information is collected in the register group, the photographing lens 100 is retracted from the closest position to an infinite position by an appropriate driving means, and in conjunction with this operation, the brush 99 is retracted from, for example, eight contact points. Single terminal 90
- slid over 97 and 98. Connect the brush 99 to the contact terminal, for example 92, which outputs “1”.
When the base current flows through the brush 99 and the contact piece 98, the transistor 101 becomes conductive. Due to this conduction, the transistor 102
is cut off, the excitation of the electromagnet 103 is cut off, and the locking lever 104 is operated to lock the retracting operation of the lens 100. The distance of the photographing lens is automatically adjusted to a position according to the distance information detected in this manner. As described in detail above, the introduction of the reference voltage changing circuit makes it possible to put a light beam projection type distance measuring device into practical use, and its effects are extremely large.
上記の如く本発明は光電素子と、この光電素子
の光電流が入力されるとともに、電流制御端子を
有する第1の電流回路と、上記光電素子の光電流
に応答し、光電流が増加すれば上記第1の電流回
路を流れる電流も増加するごとく上記電流制御端
子の電圧レベルを制御する制御回路と、上記第1
の電流回路の電流制御端子に接続され、光電流の
急峻な変化に対して上記電流制御端子の電圧レベ
ルを急峻な変化以前のレベルに維持する電圧維持
回路と、上記第1の電流回路の入力に接続され、
第1の電流回路の電流と光電流との差分を分岐さ
せる第2の電流回路とを有し、上記第2の電流回
路に分岐する電流より瞬間光を検出することを特
徴とする瞬間光検出回路を新規に創作したもので
簡単な回路構成で確実に瞬間光を検出し得る極め
て実用的価値の大なるものである。 As described above, the present invention includes a photoelectric element, a first current circuit having a current control terminal to which the photocurrent of the photoelectric element is input, and a first current circuit that responds to the photocurrent of the photoelectric element and increases when the photocurrent increases. a control circuit that controls the voltage level of the current control terminal so that the current flowing through the first current circuit also increases;
a voltage maintenance circuit that is connected to the current control terminal of the current circuit and maintains the voltage level of the current control terminal at the level before the sudden change in response to a sudden change in the photocurrent, and an input of the first current circuit; connected to
Instantaneous light detection characterized by having a second current circuit that branches the difference between the current of the first current circuit and the photocurrent, and detecting instantaneous light from the current branched to the second current circuit. This is a newly created circuit and has great practical value as it can reliably detect instantaneous light with a simple circuit configuration.
第1図は三角測距の原理を示す説明図、第2図
は従来の用いられた第1図の光電素子の出力信号
を処理する回路図、第3図は集光レンズの説明
図、第4図は本発明にかかる光電変換の回路図、
第5図は第4図の他の実施例を示す回路図、第6
図は光電素子の入射光の強度分布図、第7図は光
電変換回路の出力信号と基準電圧の関係線図、第
8図は光電変換回路を自動焦点調節装置に組み込
んだ回路図、第9図は第8図のデコーダの出力信
号説明図、第10図および第11図は夫々第5図
の一部の変形例を示す回路図、第12図および第
13図は夫々第8図の一部の変形例を示す回路図
である。
30……光電素子、31,35……トランジス
タ、33……バツフア回路、34,37……コン
デンサ、36,41……定電流源。
Fig. 1 is an explanatory diagram showing the principle of triangulation, Fig. 2 is a circuit diagram for processing the output signal of the conventionally used photoelectric element shown in Fig. 1, and Fig. 3 is an explanatory diagram of the condensing lens. Figure 4 is a circuit diagram of photoelectric conversion according to the present invention,
Figure 5 is a circuit diagram showing another embodiment of Figure 4;
The figure is an intensity distribution diagram of the incident light of the photoelectric element, Figure 7 is a relationship diagram between the output signal of the photoelectric conversion circuit and the reference voltage, Figure 8 is a circuit diagram in which the photoelectric conversion circuit is incorporated into an automatic focus adjustment device, and Figure 9 is a diagram of the relationship between the output signal of the photoelectric conversion circuit and the reference voltage. The figure is an explanatory diagram of the output signal of the decoder of FIG. 8, FIGS. 10 and 11 are circuit diagrams each showing a partial modification of FIG. 5, and FIGS. FIG. 7 is a circuit diagram showing a modification of the section. 30... Photoelectric element, 31, 35... Transistor, 33... Buffer circuit, 34, 37... Capacitor, 36, 41... Constant current source.
Claims (1)
電流制御端子を有する第1の電流回路と、 上記光電素子の光電流に応答し、光電流が増加
すれば上記第1の電流回路を流れる電流も増加す
るごとく上記電流制御端子の電圧レベルを制御す
る制御回路と、 上記第1の電流回路の電流制御端子に接続さ
れ、光電流の急峻な変化に対して上記電流制御端
子の電圧レベルを急峻な変化以前のレベルに維持
する電圧維持回路と、 上記第1の電流回路の入力に接続され、第1の
電流回路の電流と光電流との差分を分岐させる第
2の電流回路とを有し、 上記第2の電流回路に分岐する電流より瞬間光
を検出することを特徴とする瞬間光検出回路。 2 上記特許請求の範囲第1項に記載した回路に
おいて、上記光電素子はホトダイオードであり、
かつ上記第1の電流回路はコレクタを上記ホトダ
イオードのアノードと接続した第1のトランジス
タを含み、さらに上記第2の電流回路はベースを
上記ホトダイオードのアノードに接続した第2の
トランジスタを含むことを特徴とするもの。 3 上記特許請求の範囲第2項に記載した回路に
おいて、上記第2のトランジスタのエミツタを上
記第1のトランジスタのベースに接続し、さらに
該第1のトランジスタのベース・エミツタ間に定
電流回路とキヤパシタとを並列に接続し、上記第
1のトランジスタのコレクタは上記第2のトラン
ジスタのベース・エミツタを介して負帰還が掛け
られるようにしたことを特徴とするもの。 4 上記特許請求の範囲第2項に記載した回路に
おいて、上記第1のトランジスタのコレクタとベ
ース間にバツフア回路を設け、該バツフア回路を
介して負帰還が掛けられるようにしたことを特徴
とするもの。 5 上記特許請求の範囲第4項に記載した回路に
おいて、上記バツフア回路の出力部に接続される
キヤパシタにより上記遅延特性を付与するように
したことを特徴とするもの。[Claims] 1. A photoelectric element, to which a photocurrent of the photoelectric element is input,
a first current circuit having a current control terminal; and controlling the voltage level of the current control terminal in response to the photocurrent of the photoelectric element such that as the photocurrent increases, the current flowing through the first current circuit also increases. a voltage maintenance circuit that is connected to the current control terminal of the first current circuit and maintains the voltage level of the current control terminal at the level before the sudden change in response to a sudden change in the photocurrent; a second current circuit that is connected to the input of the first current circuit and branches the difference between the current of the first current circuit and the photocurrent; An instantaneous light detection circuit characterized by detecting light. 2. In the circuit described in claim 1 above, the photoelectric element is a photodiode;
and the first current circuit includes a first transistor having a collector connected to the anode of the photodiode, and the second current circuit further includes a second transistor having a base connected to the anode of the photodiode. What to do. 3. In the circuit according to claim 2, the emitter of the second transistor is connected to the base of the first transistor, and further a constant current circuit is connected between the base and emitter of the first transistor. A capacitor is connected in parallel, and the collector of the first transistor is subjected to negative feedback via the base and emitter of the second transistor. 4. The circuit described in claim 2 above is characterized in that a buffer circuit is provided between the collector and base of the first transistor, and negative feedback is applied via the buffer circuit. thing. 5. The circuit according to claim 4, characterized in that the delay characteristic is imparted by a capacitor connected to the output section of the buffer circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10479579A JPS5629216A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Instantaneous photodetecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10479579A JPS5629216A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Instantaneous photodetecting circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5629216A JPS5629216A (en) | 1981-03-24 |
JPS6230363B2 true JPS6230363B2 (en) | 1987-07-02 |
Family
ID=14390372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10479579A Granted JPS5629216A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Instantaneous photodetecting circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5629216A (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59151013A (en) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | Distance detecting device |
JPS59179419A (en) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Nissan Shatai Co Ltd | Structure of periphery of fuel filter opening for automobile |
DE3516080A1 (en) * | 1985-05-04 | 1986-11-06 | Proton AG, Zug | SAMPLING PROBE |
SE455025B (en) * | 1986-10-16 | 1988-06-13 | Philips Norden Ab | PROCEDURE FOR DETERMINING THE BODY'S BODY FOR A PULSED LIGHT BUNDLE |
JPH03102210A (en) * | 1990-04-27 | 1991-04-26 | Seikosha Co Ltd | Projecting-type distance measuring apparatus |
-
1979
- 1979-08-16 JP JP10479579A patent/JPS5629216A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5629216A (en) | 1981-03-24 |
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