JPS6230363B2 - - Google Patents
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- JPS6230363B2 JPS6230363B2 JP10479579A JP10479579A JPS6230363B2 JP S6230363 B2 JPS6230363 B2 JP S6230363B2 JP 10479579 A JP10479579 A JP 10479579A JP 10479579 A JP10479579 A JP 10479579A JP S6230363 B2 JPS6230363 B2 JP S6230363B2
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- Japan
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- circuit
- transistor
- light
- current
- voltage
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Landscapes
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Focusing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、明るさが時間的に一定な光に重畳し
て存在するフラツシユ光の如き瞬間的なパルス光
を、このパルス光の明るさに応じた電気信号とし
て分離して検出する瞬間光の検出回路に関する。
て存在するフラツシユ光の如き瞬間的なパルス光
を、このパルス光の明るさに応じた電気信号とし
て分離して検出する瞬間光の検出回路に関する。
従来、明るさが時間的に一定な光つまり定常光
に重畳して存在する瞬間的なパルス光のような交
流成分を分離検出する回路として、入射光をその
明るさに応じた光電流に変換する光電素子と直列
に負荷を接続し、さらにこの負荷にキヤパシタを
接続し、このキヤパシタを介して負荷に現われる
電圧変動成分のみを取り出すようにした回路が一
般的によく用いられている。
に重畳して存在する瞬間的なパルス光のような交
流成分を分離検出する回路として、入射光をその
明るさに応じた光電流に変換する光電素子と直列
に負荷を接続し、さらにこの負荷にキヤパシタを
接続し、このキヤパシタを介して負荷に現われる
電圧変動成分のみを取り出すようにした回路が一
般的によく用いられている。
しかしながら上記の負荷として抵抗を用いた回
路において、定常光の明るさの大巾な変化に応じ
て飽和することなく抵抗負荷の端子間に電圧を発
生させるためには比較的大きな電圧を供給する電
源を必要とする。そこで抵抗負荷に代えてダイオ
ードなどの対数圧縮素子を用いることが考えられ
るが、この場合は、キヤパシタを介して検出され
るパルス光に対応した信号の強度は定常光の強度
に依存したものとなつてしまい、特に定常光の明
るさが大きい場合は、負荷に現われるパルス光に
対する電圧変化はさらに小さくなつて、時には変
化そのものの検出すら困難になつてしまうという
事態が生ずる。
路において、定常光の明るさの大巾な変化に応じ
て飽和することなく抵抗負荷の端子間に電圧を発
生させるためには比較的大きな電圧を供給する電
源を必要とする。そこで抵抗負荷に代えてダイオ
ードなどの対数圧縮素子を用いることが考えられ
るが、この場合は、キヤパシタを介して検出され
るパルス光に対応した信号の強度は定常光の強度
に依存したものとなつてしまい、特に定常光の明
るさが大きい場合は、負荷に現われるパルス光に
対する電圧変化はさらに小さくなつて、時には変
化そのものの検出すら困難になつてしまうという
事態が生ずる。
本発明は、低電圧源で動作可能であり、定常光
の影響を受けることなく定常光に重畳して存在す
るパルス光の強度に応じた信号を検出することの
出来る瞬間光検出回路を提供するものである。
の影響を受けることなく定常光に重畳して存在す
るパルス光の強度に応じた信号を検出することの
出来る瞬間光検出回路を提供するものである。
以下、図面に示す自動焦点調節カメラのための
測距装置に適用された瞬間光検出回路の実施例に
ついて詳細に説明する。
測距装置に適用された瞬間光検出回路の実施例に
ついて詳細に説明する。
第1図および第2図は従来から知られているカ
メラの自動焦点調節装置に適する、三角測距の原
理を応用した光ビーム投射方式の測距装置の原理
構成を示す。第1図において、光源1から発され
る光が集光レンズ2によつてビーム状に絞られ、
光軸3上の物体に向けて照射される。集光レンズ
2からその光軸3に対して基線長dだけ隔てた位
置に、結像レンズ4が配されてその結像面には複
数個の光電素子9,10,11および12が配列
されている。今、図面において光軸3上の各点
5,6,7および8は、光電素子9,10,11
および12の各受光面上にそれぞれ結像されるよ
うな構成とすると、例えば点5または6,7,8
の位置に物体があれば、光源1から発射された光
は、その物体によつて反射されて夫々対応する光
電素子9または10,11,12に入射して来る
(このような光電素子への入射光を太陽光などに
よる定常光と区別するために信号光と呼ぶ)。し
たがつて、どの光電素子9,10,11,12に
信号光が入射するかを検知すれば、物体までの距
離を知ることができるのである。第2図は、光電
素子の出力信号を扱う回路で、各光電素子は、こ
れらが発生する光電流を電圧信号に変換する光電
変換回路13,14,15および16に接続され
ている。各光電変換回路の出力は電圧比較回路1
7,18,19および20の入力の一方にそれぞ
れ接続されている。各電圧比較回路のもう一方の
入力は一定の基準電圧源25に接続され、比較の
ための基準電圧が与えられている。各電圧比較回
路の出力はレジスタ21,22,23および24
の入力と接続されている。また、これらレジスタ
のクロツク入力はワンシヨツト27の出力と接続
されている。28はワンシヨツト27の出力パル
スに応答して光源1を一定時間点灯駆動する光源
駆動回路である。ここで、測距指令に基いてワン
シヨツト27のスイツチ26が閉じられると、ワ
ンシヨツト27から一定時間“高”レベルのパル
スが出力され、これに応答して被測距対象の物体
に光ビームが投射される。かくして、その反射に
よる信号光の到来があつた光電素子と接続されて
いる光電変換回路からは信号光の強度に応じた電
圧信号が出力され、この信号のレベルが電圧源2
5の電圧レベルを越えているときに該信号系列下
の電圧比較回路から“高”レベルの電圧信号が出
力されてこれをレジスタが記憶する。以上に見る
ように、この種光ビーム投射方式の測距装置は原
理的には簡単な構成よりなり、単純な動作をする
ものであるが、しかし今日まで未だカメラに組み
込まれた商品としては実用化されるに至つていな
い。この実用化を妨げている原因の一つは、各光
電素子に入射する信号光の強度が微弱なものにな
らざるを得ず、加えて光電素子には太陽光などに
よる定常光が同時に入射することから、信号光の
成分を効果的に分離して検出することが容易なこ
とではなかつたことにあると考えられる。
メラの自動焦点調節装置に適する、三角測距の原
理を応用した光ビーム投射方式の測距装置の原理
構成を示す。第1図において、光源1から発され
る光が集光レンズ2によつてビーム状に絞られ、
光軸3上の物体に向けて照射される。集光レンズ
2からその光軸3に対して基線長dだけ隔てた位
置に、結像レンズ4が配されてその結像面には複
数個の光電素子9,10,11および12が配列
されている。今、図面において光軸3上の各点
5,6,7および8は、光電素子9,10,11
および12の各受光面上にそれぞれ結像されるよ
うな構成とすると、例えば点5または6,7,8
の位置に物体があれば、光源1から発射された光
は、その物体によつて反射されて夫々対応する光
電素子9または10,11,12に入射して来る
(このような光電素子への入射光を太陽光などに
よる定常光と区別するために信号光と呼ぶ)。し
たがつて、どの光電素子9,10,11,12に
信号光が入射するかを検知すれば、物体までの距
離を知ることができるのである。第2図は、光電
素子の出力信号を扱う回路で、各光電素子は、こ
れらが発生する光電流を電圧信号に変換する光電
変換回路13,14,15および16に接続され
ている。各光電変換回路の出力は電圧比較回路1
7,18,19および20の入力の一方にそれぞ
れ接続されている。各電圧比較回路のもう一方の
入力は一定の基準電圧源25に接続され、比較の
ための基準電圧が与えられている。各電圧比較回
路の出力はレジスタ21,22,23および24
の入力と接続されている。また、これらレジスタ
のクロツク入力はワンシヨツト27の出力と接続
されている。28はワンシヨツト27の出力パル
スに応答して光源1を一定時間点灯駆動する光源
駆動回路である。ここで、測距指令に基いてワン
シヨツト27のスイツチ26が閉じられると、ワ
ンシヨツト27から一定時間“高”レベルのパル
スが出力され、これに応答して被測距対象の物体
に光ビームが投射される。かくして、その反射に
よる信号光の到来があつた光電素子と接続されて
いる光電変換回路からは信号光の強度に応じた電
圧信号が出力され、この信号のレベルが電圧源2
5の電圧レベルを越えているときに該信号系列下
の電圧比較回路から“高”レベルの電圧信号が出
力されてこれをレジスタが記憶する。以上に見る
ように、この種光ビーム投射方式の測距装置は原
理的には簡単な構成よりなり、単純な動作をする
ものであるが、しかし今日まで未だカメラに組み
込まれた商品としては実用化されるに至つていな
い。この実用化を妨げている原因の一つは、各光
電素子に入射する信号光の強度が微弱なものにな
らざるを得ず、加えて光電素子には太陽光などに
よる定常光が同時に入射することから、信号光の
成分を効果的に分離して検出することが容易なこ
とではなかつたことにあると考えられる。
本発明は、従来困難視された来た、定常光と混
在する微弱な信号光成分を効果的に分離して検出
するという課題を新しい回路技術を導入すること
により解決し、上記のタイプの測距装置を実用化
に導くことにある。すなわちこの種の測距装置を
実用化するにあたつては、次のこと柄が考慮され
なければならない。光ビーム投射方式の測距装置
は、形状、消費電力がともに小さく、さらには製
造コストが低くなければならないということであ
る。このような要求を満足させようとすれば、矛
盾する問題が多く発生する。例えば、信号光の検
出を容易にするために光源の発光強度を高くすれ
ばよいが、こうすると装置の消費電力が大きくな
り、また形状も大きくなる。逆に形状を小さくす
べく基線長dをも短くすれば、光学系の精度はよ
り高くしなければならなくなるからその製造コス
トの増大を招く。
在する微弱な信号光成分を効果的に分離して検出
するという課題を新しい回路技術を導入すること
により解決し、上記のタイプの測距装置を実用化
に導くことにある。すなわちこの種の測距装置を
実用化するにあたつては、次のこと柄が考慮され
なければならない。光ビーム投射方式の測距装置
は、形状、消費電力がともに小さく、さらには製
造コストが低くなければならないということであ
る。このような要求を満足させようとすれば、矛
盾する問題が多く発生する。例えば、信号光の検
出を容易にするために光源の発光強度を高くすれ
ばよいが、こうすると装置の消費電力が大きくな
り、また形状も大きくなる。逆に形状を小さくす
べく基線長dをも短くすれば、光学系の精度はよ
り高くしなければならなくなるからその製造コス
トの増大を招く。
他方この種装置の幾何光学的な面からの必然的
に定められる制約がある。簡単な計算から明らか
になることであるが、例えば第1図の構成におい
て、レンズ2から点5および8までの距離をそれ
ぞれ1mおよび5mとし、基線長dを25mm、レンズ
4の焦点距離を20mmとすると、光電素子9と12
の距離は400μとなる。したがつて各光電素子の
配列ピツチは、それぞれを等間隔にとると約130
μとなる。ところでレンズ4の結像面で130μの
大きさの像は、例えば1mの距離の点5の位置に
おける約7mmの大きさの光源に相当する。このこ
とは、物体に向けて投射される光ビームの断面の
幅が点5の位置では7mm以下とならねばならない
ことを意味する。もし光ビームの断面幅がこれよ
り大きくなれば、不要であるのにもかかわらず隣
りの光電素子にも信号光が入射してしまう。この
ようなことから、この測距システムにおいては、
極めて細い光ビームを形成することが要求され
る。
に定められる制約がある。簡単な計算から明らか
になることであるが、例えば第1図の構成におい
て、レンズ2から点5および8までの距離をそれ
ぞれ1mおよび5mとし、基線長dを25mm、レンズ
4の焦点距離を20mmとすると、光電素子9と12
の距離は400μとなる。したがつて各光電素子の
配列ピツチは、それぞれを等間隔にとると約130
μとなる。ところでレンズ4の結像面で130μの
大きさの像は、例えば1mの距離の点5の位置に
おける約7mmの大きさの光源に相当する。このこ
とは、物体に向けて投射される光ビームの断面の
幅が点5の位置では7mm以下とならねばならない
ことを意味する。もし光ビームの断面幅がこれよ
り大きくなれば、不要であるのにもかかわらず隣
りの光電素子にも信号光が入射してしまう。この
ようなことから、この測距システムにおいては、
極めて細い光ビームを形成することが要求され
る。
今、第3図に示すように、一定の発光面を持つ
た光源1の像を集光レンズ2を用いて有限の距離
に結像せしめるようにして光ビームを形成すると
しよう。光源1とレンズ2の距離を20mm、レンズ
2から結像点までの距離を2mとすれば、この点
における光源1に対する像は100倍に拡大された
大きさとなる。この点での光ビームの断面幅を10
mm以下にするには光源1の発光面の幅は100μ以
下にしなければならないことになる。
た光源1の像を集光レンズ2を用いて有限の距離
に結像せしめるようにして光ビームを形成すると
しよう。光源1とレンズ2の距離を20mm、レンズ
2から結像点までの距離を2mとすれば、この点
における光源1に対する像は100倍に拡大された
大きさとなる。この点での光ビームの断面幅を10
mm以下にするには光源1の発光面の幅は100μ以
下にしなければならないことになる。
また、第3図から分るようにレンズ2の結像点
10を過ぎると光ビームは広がつて行き、その断
面積は次第に大きくなつて行く。したがつて、細
い光ビームを集光レンズ2を用いて形成する場
合、光源1の発光面積は点光源に迫るような小さ
なものにしなければならないことになる。このよ
うな極めて小さな発光面積の光源という制約条件
に適うものとしては、通常発光ダイオードを最有
力候補に挙げることができる。しかしながら光源
1に発光ダイオードを用いる場合、発光ダイオー
ドの構造上においてその発光強度を定常光に比べ
てそんなに大きくすることは無理であり、したが
つて、明るい信号光を期待するわけには行かな
い。
10を過ぎると光ビームは広がつて行き、その断
面積は次第に大きくなつて行く。したがつて、細
い光ビームを集光レンズ2を用いて形成する場
合、光源1の発光面積は点光源に迫るような小さ
なものにしなければならないことになる。このよ
うな極めて小さな発光面積の光源という制約条件
に適うものとしては、通常発光ダイオードを最有
力候補に挙げることができる。しかしながら光源
1に発光ダイオードを用いる場合、発光ダイオー
ドの構造上においてその発光強度を定常光に比べ
てそんなに大きくすることは無理であり、したが
つて、明るい信号光を期待するわけには行かな
い。
本発明は、光源1に発光ダイオードを用いる場
合のように、定常光に比べてもその強度が極めて
小さい信号光を検出するにあたり、光電素子を含
む光電変換回路において、時間的変化が比較的に
緩慢な定常光に応じた光電流のみを通過せしめる
電流制御回路と時間的変化がかなり急峻な光電流
の増加に際しては、増加した光電流分を受け入れ
る電流回路を設け、定常光の強度に影響を受ける
ことなく信号光の明るさに応じた信号を取り出す
ようにした瞬間光検出回路を設けることを第1の
特徴とするものである。
合のように、定常光に比べてもその強度が極めて
小さい信号光を検出するにあたり、光電素子を含
む光電変換回路において、時間的変化が比較的に
緩慢な定常光に応じた光電流のみを通過せしめる
電流制御回路と時間的変化がかなり急峻な光電流
の増加に際しては、増加した光電流分を受け入れ
る電流回路を設け、定常光の強度に影響を受ける
ことなく信号光の明るさに応じた信号を取り出す
ようにした瞬間光検出回路を設けることを第1の
特徴とするものである。
本発明はその一実施態様として光電素子と、該
光電素子と直列に接続された電流制御素子と、前
記光電素子と電流制御素子との接続点に入力が接
続され、出力が前記電流制御素子の制御電極と接
続されたバツフア回路と、前記電流制御素子の制
御電極へ与えられる制御電圧を保持するように前
記バツフア回路に接続された第1のコンデンサ
と、前記接続点と接続されたベースに、前記光電
素子に定常的な光に加えて入射する瞬間的なパル
ス光に応じて発生される光電流を流し込み、この
光電流に応じた電流がコレクタから出力される入
力トランジスタとを含むことを特徴とする瞬間光
強度検出回路を提供するものである。
光電素子と直列に接続された電流制御素子と、前
記光電素子と電流制御素子との接続点に入力が接
続され、出力が前記電流制御素子の制御電極と接
続されたバツフア回路と、前記電流制御素子の制
御電極へ与えられる制御電圧を保持するように前
記バツフア回路に接続された第1のコンデンサ
と、前記接続点と接続されたベースに、前記光電
素子に定常的な光に加えて入射する瞬間的なパル
ス光に応じて発生される光電流を流し込み、この
光電流に応じた電流がコレクタから出力される入
力トランジスタとを含むことを特徴とする瞬間光
強度検出回路を提供するものである。
以下、第4図乃至第13図について本発明を詳
細に説明する。なお図面中、同一数字は類似部分
を示すものである。
細に説明する。なお図面中、同一数字は類似部分
を示すものである。
第4図は、本発明による光電変換回路の原理的
構成を示す図である。第4図において、第1の電
流回路はコレクタが光電素子30のアノードと接
続されたトランジスタ31と、これら両素子によ
る接続点32に入力が接続される一方出力がトラ
ンジスタ31のベースと接続されたバツフア回路
33と、トランジスタ31のベース・エミツタ間
に接続された遅延用のキヤパシタとより構成され
る。トランジスタ31は、光電素子30に定常的
に入射する光に応じた光電流をコレクタ電流とし
て流すように制御される。第2の電流回路を構成
するものとしての接続点32からトランジスタ3
5のベース・エミツタを介する回路は、定常光に
加えて光電素子30へインパルス状に入射する光
に応じた光電流を受け入れる。定電流源36は、
光電素子30へ定常光のみが入射している場合
に、その定常光による光電流の大きさに関係なく
トランジスタ35のコレクタ電流を該定電流の値
に保つために設けられている。定電流源36と並
列に接続されたキヤパシタ37はトランジスタ3
5のエミツタ電位の急激な変動を抑える。トラン
ジスタ38および39は電流ミラー回路をなして
おり、トランジスタ35のコレクタ電流と相似す
る電流がトランジスタ39のコレクタから出力さ
れる。トランジスタ39のコレクタには光電変換
された信号を取り出すための負荷40が接続され
ている。トランジスタ35のベースと接続された
定電流源41は、光電素子30への入射光が存在
しない場合において、特定強度の定常光に応じた
光電流の役割を演ずるダミー電流を供給する。い
いかえると定電流源41は直接的に信号光の検知
動作に掛り合うものではなく、定常光が存在しな
い場合においてもトランジスタ31や35を定常
な状態に保持するよう回路の動作を補助するもの
である。
構成を示す図である。第4図において、第1の電
流回路はコレクタが光電素子30のアノードと接
続されたトランジスタ31と、これら両素子によ
る接続点32に入力が接続される一方出力がトラ
ンジスタ31のベースと接続されたバツフア回路
33と、トランジスタ31のベース・エミツタ間
に接続された遅延用のキヤパシタとより構成され
る。トランジスタ31は、光電素子30に定常的
に入射する光に応じた光電流をコレクタ電流とし
て流すように制御される。第2の電流回路を構成
するものとしての接続点32からトランジスタ3
5のベース・エミツタを介する回路は、定常光に
加えて光電素子30へインパルス状に入射する光
に応じた光電流を受け入れる。定電流源36は、
光電素子30へ定常光のみが入射している場合
に、その定常光による光電流の大きさに関係なく
トランジスタ35のコレクタ電流を該定電流の値
に保つために設けられている。定電流源36と並
列に接続されたキヤパシタ37はトランジスタ3
5のエミツタ電位の急激な変動を抑える。トラン
ジスタ38および39は電流ミラー回路をなして
おり、トランジスタ35のコレクタ電流と相似す
る電流がトランジスタ39のコレクタから出力さ
れる。トランジスタ39のコレクタには光電変換
された信号を取り出すための負荷40が接続され
ている。トランジスタ35のベースと接続された
定電流源41は、光電素子30への入射光が存在
しない場合において、特定強度の定常光に応じた
光電流の役割を演ずるダミー電流を供給する。い
いかえると定電流源41は直接的に信号光の検知
動作に掛り合うものではなく、定常光が存在しな
い場合においてもトランジスタ31や35を定常
な状態に保持するよう回路の動作を補助するもの
である。
以上のように構成された回路において、まず、
トランジスタ31を含む第1の電流回路の動作を
トランジスタ31のコレクタとトランジスタ35
のベースとを切り離すとともに定電流源41を除
外して考える。今、時間的に変動しない一定強度
の光のみが光電素子30に入射しているものとす
る。このときの入射光に応じた光電流はトランジ
スタ31のコレクタ電流となつて流れる。これ
は、トランジスタ31のコレクタがバツフア回路
33を介して負帰還が掛けられた状態にあり、こ
の負帰還の動作によつてトランジスタ31のベー
スがちようど光電流をコレクタ電流とするに必要
な電圧でバイアスされるようになるからである。
一方、定常光のみが光電素子30に入射している
場合は、キヤパシタ34は単に上記のバイアス電
圧に充電されているだけで回路動作には関与しな
い。ここで、定常光に加えてインパルス状の光が
光電素子30に入射する場合を考える。このイン
パルス光の立ち上りは、バツフア回路33の出力
抵抗と信号遅延機能が利用されるキヤパシタ34
とで構成される時定数回路の時定数に比べて十分
に速いものとする。このようなインパルス光の入
射に対しては、その時定数より短い時間領域にお
いて、トランジスタ31のベースはインパルス光
が入射する以前の定常光による光電流に対応する
バイアス電圧に維持される。したがつて、この間
においては、トランジスタ31は依然として定常
光による光電流のみを流し得る状態にあるから、
インパルス光の入射によつて増加する光電流分に
対しては、該トランジスタ31は、そのコレクタ
特性により極めて高い抵抗を示すことになる。こ
のようなトランジスタ31を含む第1の電流回路
の振舞いは、定常光の広範囲な強度領域において
繰り広げられる。
トランジスタ31を含む第1の電流回路の動作を
トランジスタ31のコレクタとトランジスタ35
のベースとを切り離すとともに定電流源41を除
外して考える。今、時間的に変動しない一定強度
の光のみが光電素子30に入射しているものとす
る。このときの入射光に応じた光電流はトランジ
スタ31のコレクタ電流となつて流れる。これ
は、トランジスタ31のコレクタがバツフア回路
33を介して負帰還が掛けられた状態にあり、こ
の負帰還の動作によつてトランジスタ31のベー
スがちようど光電流をコレクタ電流とするに必要
な電圧でバイアスされるようになるからである。
一方、定常光のみが光電素子30に入射している
場合は、キヤパシタ34は単に上記のバイアス電
圧に充電されているだけで回路動作には関与しな
い。ここで、定常光に加えてインパルス状の光が
光電素子30に入射する場合を考える。このイン
パルス光の立ち上りは、バツフア回路33の出力
抵抗と信号遅延機能が利用されるキヤパシタ34
とで構成される時定数回路の時定数に比べて十分
に速いものとする。このようなインパルス光の入
射に対しては、その時定数より短い時間領域にお
いて、トランジスタ31のベースはインパルス光
が入射する以前の定常光による光電流に対応する
バイアス電圧に維持される。したがつて、この間
においては、トランジスタ31は依然として定常
光による光電流のみを流し得る状態にあるから、
インパルス光の入射によつて増加する光電流分に
対しては、該トランジスタ31は、そのコレクタ
特性により極めて高い抵抗を示すことになる。こ
のようなトランジスタ31を含む第1の電流回路
の振舞いは、定常光の広範囲な強度領域において
繰り広げられる。
次に、第4図の回路でインパルス光に応じた光
電流の検出動作について説明すると、光電素子3
0に定常光のみが入射している定常状態において
は、トランジスタ35および38には定電流源3
6による定電流が流される。もち論、トランジス
タ35はベース電流を必要とするが、このベース
電流には光電流の一部が充てられる。定常光がな
くて光電流がつくられない場合でも、定電流源4
1によるダミー電流によつてトランジスタ35の
ベース電流は保証される。定常状態においては、
定常光の強度に関係なくトランジスタ35は定電
流源36が求める一定の電流を流している。次
に、光電素子30にインパルス光が入射し、この
インパルス光に応じた光電流が発生すると、前述
したようにトランジスタ31はこの電流増加分に
対して極めて高い抵抗を示し、その通過を妨げ
る。かくして、トランジスタ31のコレクタの電
位は上昇することになり、光電流の増加分はトラ
ンジスタ35のベースに流れ込んで行く。この増
加分に相当するベース電流はトランジスタ35に
よつて増幅され、そのコレクタ電流となつて現わ
れる。以上のように、インパルス光に応じた光電
流は、定常状態時は定常光の強度とは無関係に一
定のコレクタ電流を流しているトランジスタ35
における増幅されたコレクタ電流として取り出さ
れるのである。尚、以上の動作において、キヤパ
シタ37はキヤパシタ34と同様に端子間電圧を
一定に保つように作用する。この作用によつて、
増加した光電流がベース電流としてトランジスタ
35のベースに流入することが許される。さて、
増幅された光電流は、トランジスタ35のコレク
タに負荷を接続することにより電圧信号に変換す
ることができる。尚、電流制御素子としてのトラ
ンジスタ31を電界効果型トランジスタに代えて
も同様な効果を得ることができる。また定電流源
36を省略することもできる。
電流の検出動作について説明すると、光電素子3
0に定常光のみが入射している定常状態において
は、トランジスタ35および38には定電流源3
6による定電流が流される。もち論、トランジス
タ35はベース電流を必要とするが、このベース
電流には光電流の一部が充てられる。定常光がな
くて光電流がつくられない場合でも、定電流源4
1によるダミー電流によつてトランジスタ35の
ベース電流は保証される。定常状態においては、
定常光の強度に関係なくトランジスタ35は定電
流源36が求める一定の電流を流している。次
に、光電素子30にインパルス光が入射し、この
インパルス光に応じた光電流が発生すると、前述
したようにトランジスタ31はこの電流増加分に
対して極めて高い抵抗を示し、その通過を妨げ
る。かくして、トランジスタ31のコレクタの電
位は上昇することになり、光電流の増加分はトラ
ンジスタ35のベースに流れ込んで行く。この増
加分に相当するベース電流はトランジスタ35に
よつて増幅され、そのコレクタ電流となつて現わ
れる。以上のように、インパルス光に応じた光電
流は、定常状態時は定常光の強度とは無関係に一
定のコレクタ電流を流しているトランジスタ35
における増幅されたコレクタ電流として取り出さ
れるのである。尚、以上の動作において、キヤパ
シタ37はキヤパシタ34と同様に端子間電圧を
一定に保つように作用する。この作用によつて、
増加した光電流がベース電流としてトランジスタ
35のベースに流入することが許される。さて、
増幅された光電流は、トランジスタ35のコレク
タに負荷を接続することにより電圧信号に変換す
ることができる。尚、電流制御素子としてのトラ
ンジスタ31を電界効果型トランジスタに代えて
も同様な効果を得ることができる。また定電流源
36を省略することもできる。
次に上記電圧信号の変換回路の具体的な一実施
例を第5図において説明する。
例を第5図において説明する。
第5図は、第4図に示す光電変換回路を半導体
集積回路に適した回路に構成したものである。第
5図において、第4図におけるバツフア回路33
およびキヤパシタ34は、第2の電流回路を構成
するトランジスタ35およびキヤパシタ37がそ
れぞれ兼用される。すなわち、トランジスタ35
のベースがトランジスタ31を介して負帰還が掛
けられた状態にあり、この負帰還の動作によつて
トランジスタ31のベースがちようど光電流をコ
レクタ電流とするに必要な電圧でバイアスされる
ようになる。光電素子30のカソードは、定電流
源42、トランジスタ43,44および45で構
成される定電圧回路の出力であるトランジスタ4
4のベースと接続されている。トランジスタ44
のベースと接地との間からは、2個のトランジス
タ44と45の各ベース・エミツタ間電圧の和の
電圧が定電圧として出力される。他方、光電素子
30のアノードと接地間には、2個のトランジス
タ31と35の各ベース・エミツタ間の和の電圧
が現われる。これら両電圧は大略において等し
く、したがつて光電素子30の両端子間には電位
差が存在するとしてもその値は小さいので、光電
素子30からは短絡電流が出力されると考えてよ
いことになる。トランジスタ38のベースとコレ
クタはトランジスタ46のエミツタ・ベースを介
して接続されている。トランジスタ39のコレク
タには負荷として、第1の負荷をなすトランジス
タ47と、対数圧縮回路を構成するようにダイオ
ード接続された3個のトランジスタ48,49お
よび50による第2の負荷をなす直列回路が接続
されている。
集積回路に適した回路に構成したものである。第
5図において、第4図におけるバツフア回路33
およびキヤパシタ34は、第2の電流回路を構成
するトランジスタ35およびキヤパシタ37がそ
れぞれ兼用される。すなわち、トランジスタ35
のベースがトランジスタ31を介して負帰還が掛
けられた状態にあり、この負帰還の動作によつて
トランジスタ31のベースがちようど光電流をコ
レクタ電流とするに必要な電圧でバイアスされる
ようになる。光電素子30のカソードは、定電流
源42、トランジスタ43,44および45で構
成される定電圧回路の出力であるトランジスタ4
4のベースと接続されている。トランジスタ44
のベースと接地との間からは、2個のトランジス
タ44と45の各ベース・エミツタ間電圧の和の
電圧が定電圧として出力される。他方、光電素子
30のアノードと接地間には、2個のトランジス
タ31と35の各ベース・エミツタ間の和の電圧
が現われる。これら両電圧は大略において等し
く、したがつて光電素子30の両端子間には電位
差が存在するとしてもその値は小さいので、光電
素子30からは短絡電流が出力されると考えてよ
いことになる。トランジスタ38のベースとコレ
クタはトランジスタ46のエミツタ・ベースを介
して接続されている。トランジスタ39のコレク
タには負荷として、第1の負荷をなすトランジス
タ47と、対数圧縮回路を構成するようにダイオ
ード接続された3個のトランジスタ48,49お
よび50による第2の負荷をなす直列回路が接続
されている。
また、信号出力端子をなすトランジスタ39の
コレクタは演算増幅器55の反転入力端子56と
接続されている。この演算増幅器55のもう一方
の入力端子57は、基準電圧源をなす定電流源5
2とトランジスタ53のコレクタとの接続点に接
続されている。該接続点には定電流源52と2個
のダイオード接続されたトランジスタ53,54
とよりトランジスタのベース・エミツタ間電圧V
BEの二つ分の定電圧2VBEがつくられている。演
算増幅器55の出力58はトランジスタ59のベ
ースが接続され、該トランジスタ59のコレクタ
と接地間にはダイオード接続されたトランジスタ
60が接続されている。また、トランジスタ60
と並列にキヤパシタ61が接続されている。そし
て、トランジスタ60のベースはトランジスタ4
7のベースと接続されている。かくして信号出力
端子51は、演算増幅器55、トランジスタ5
9,60および47を介して負帰還が掛けられ
る。
コレクタは演算増幅器55の反転入力端子56と
接続されている。この演算増幅器55のもう一方
の入力端子57は、基準電圧源をなす定電流源5
2とトランジスタ53のコレクタとの接続点に接
続されている。該接続点には定電流源52と2個
のダイオード接続されたトランジスタ53,54
とよりトランジスタのベース・エミツタ間電圧V
BEの二つ分の定電圧2VBEがつくられている。演
算増幅器55の出力58はトランジスタ59のベ
ースが接続され、該トランジスタ59のコレクタ
と接地間にはダイオード接続されたトランジスタ
60が接続されている。また、トランジスタ60
と並列にキヤパシタ61が接続されている。そし
て、トランジスタ60のベースはトランジスタ4
7のベースと接続されている。かくして信号出力
端子51は、演算増幅器55、トランジスタ5
9,60および47を介して負帰還が掛けられ
る。
以上の如く構成された第5図の回路において、
まず、光電素子30に定常光のみが入射している
場合について考察する。この場合、光電素子30
が発生する光電流と電流源41によるダミー電流
とがトランジスタ35のベース電流となる分を除
いてトランジスタ31をそのコレクタ電流となつ
て流れる。トランジスタ35のコレクタには電流
源36による定電流が流されている。キヤパシタ
37は、トランジスタ31のコレクタ電流に対応
したベース・エミツタ間電圧に充電されている。
かかる定常状態においては、トランジスタ39の
コレクタ電流は一定で、トランジスタ38と39
の形状・特性が等しい場合は、トランジスタ35
のコレクタ電流と等しく、また両トランジスタの
エミツタ面積に差をつけておくとその面積比に応
じた電流となる。トランジスタ39のコレクタ電
流が一定の場合、信号出力端子51と接地間の電
圧は、演算増幅器55の負帰還作用により非反転
入力端子57と接地間の電圧つまり2個直列に接
続されたトランジスタ53,54による2個分の
ベース・エミツタ間電圧2VBEつまり基準電圧に
等しくなつている。この場合、トランジスタ39
からの一定のコレクタ電流のほとんどは次に述べ
る理由によつてトランジスタ47のコレクタ電流
となつて流れる。今、出力端子51と接地間は2
VBEの電圧に保たれている。したがつて、3個の
トランジスタ48,49,50による直列回路に
はこの2VBEの電圧が印加されていることにな
る。すなわち、各1個のトランジスタのベース・
エミツタ間には2/3VBEの電圧が印加されてい
る。ここで、例えばVBE=540mVとすれば、ト
ランジスタ48,49,50の各々に加えられて
いる電圧は360mVとなり、VBEより180mVだけ
小さい。トランジスタのコレクタ電流は、その対
数特性によりベース・エミツタ電圧の180mVの
変化に対して1000程変化する。このようであるか
ら、定常状態においては第2の負荷であるトラン
ジスタ48,49,50の直列回路にはトランジ
スタ53,54の直列回路に流れる電流の1000分
の1程度しか流れない。例えば直列回路53,5
4に流れる電流とトランジスタ47のコレクタ電
流がともに4μAであれば第2の負荷であるトラ
ンジスタ48,49,50に流れる電流は4nA程
になる。
まず、光電素子30に定常光のみが入射している
場合について考察する。この場合、光電素子30
が発生する光電流と電流源41によるダミー電流
とがトランジスタ35のベース電流となる分を除
いてトランジスタ31をそのコレクタ電流となつ
て流れる。トランジスタ35のコレクタには電流
源36による定電流が流されている。キヤパシタ
37は、トランジスタ31のコレクタ電流に対応
したベース・エミツタ間電圧に充電されている。
かかる定常状態においては、トランジスタ39の
コレクタ電流は一定で、トランジスタ38と39
の形状・特性が等しい場合は、トランジスタ35
のコレクタ電流と等しく、また両トランジスタの
エミツタ面積に差をつけておくとその面積比に応
じた電流となる。トランジスタ39のコレクタ電
流が一定の場合、信号出力端子51と接地間の電
圧は、演算増幅器55の負帰還作用により非反転
入力端子57と接地間の電圧つまり2個直列に接
続されたトランジスタ53,54による2個分の
ベース・エミツタ間電圧2VBEつまり基準電圧に
等しくなつている。この場合、トランジスタ39
からの一定のコレクタ電流のほとんどは次に述べ
る理由によつてトランジスタ47のコレクタ電流
となつて流れる。今、出力端子51と接地間は2
VBEの電圧に保たれている。したがつて、3個の
トランジスタ48,49,50による直列回路に
はこの2VBEの電圧が印加されていることにな
る。すなわち、各1個のトランジスタのベース・
エミツタ間には2/3VBEの電圧が印加されてい
る。ここで、例えばVBE=540mVとすれば、ト
ランジスタ48,49,50の各々に加えられて
いる電圧は360mVとなり、VBEより180mVだけ
小さい。トランジスタのコレクタ電流は、その対
数特性によりベース・エミツタ電圧の180mVの
変化に対して1000程変化する。このようであるか
ら、定常状態においては第2の負荷であるトラン
ジスタ48,49,50の直列回路にはトランジ
スタ53,54の直列回路に流れる電流の1000分
の1程度しか流れない。例えば直列回路53,5
4に流れる電流とトランジスタ47のコレクタ電
流がともに4μAであれば第2の負荷であるトラ
ンジスタ48,49,50に流れる電流は4nA程
になる。
さて次に光電素子30へ定常光に加えて信号光
が入射する場合の動作について説明する。トラン
ジスタ31は定常光に対する一定のコレクタ電流
のみを流すようにベースがバイアスされている。
そこで光電素子30への信号光の入射に対する光
電流の増加分は、第4図の場合と同様にトランジ
スタ35のベースに流れ込む。このベースに流れ
込んだ信号光に対応した光電流は、トランジスタ
35によつて増巾され、トランジスタ39のコレ
クタ電流に変換される。トランジスタ39のコレ
クタ電流の急激な増加分に対して、トランジスタ
47は、トランジスタ31の場合と同様に、極め
て高い抵抗を示す。これは、トランジスタ47の
ベース・エミツタがキヤパシタ61の遅延作用に
よつている。そこでコレクタ電流の増加分は、第
2の負荷であるトランジスタ48,49,50の
直列回路に流れ込む。この第2の負荷はダイオー
ド負荷であるから、供給される電流の対数に比例
する。つまり対数圧縮された電圧が負荷の端子間
から発生される。ここで信号光の入射に対して第
2の負荷によつてどのくらいの電圧信号がつくら
れるか数量的に考察しよう。今、定電流源36の
電流値を0.4μA、トランジスタ35の電流増幅
率hFEを100とする。トランジスタ39のエミ
ツタ面積はトランジスタ38より10倍だけ大きい
ものとする。このようであれば定常状態では、ト
ランジスタ39のコレクタ電流はトランジスタ3
8のコレクタ電流(0.4μA)の10倍の4μAと
なる。また、トランジスタ38のベース電流は
4nAとなる。尚、定電流源41の電流値は4nAよ
り大きく設定しておけばよい。他方、第2の負荷
をなすトランジスタ48,49,50と、定電圧
源をなすトランジスタ53,54のそれぞれは互
いに等しい形状・特性を有するものとし、定電圧
源からは540mVの電圧がつくられるものとす
る。この場合、前述したように第2の負荷には
4nAの電流が流れることになる。さて、光電素子
30へ信号光が入射し、これに応じて100PAの光
電流が発生されたとする。この光電流は、前述し
た如く、トランジスタ35のベースに流れ込み、
トランジスタ35により100倍そしてトランジス
タ39によりさらに10倍され、100nAに増幅され
てトランジスタ39のコレクタに現われる。この
100nAのコレクタ電流は、第2の負荷に流され
る。信号光の入射前の状態においては、第2の負
荷には4nAの電流が流れていたから、該第2の負
荷の電流増加は25倍である。一般に、トランジス
タのコレクタ電流の2倍の増加に対してベース・
エミツタ電圧は18mVだけ増加する(ただし、周
囲温度25℃のとき)から、25倍のコレクタ電流の
増加に対しては、1個のトランジスタ当り、約
83mV増加する。したがつて第2の負荷全体では
250mV程増加する。かくして100PAの光電流に相
当する信号光は250mVの電圧に変換された。次
に信号光による光電流が100nA(上述の場合の
1000倍)の場合について考えると、第2の負荷に
流れ込む電流は100μAとなり、これは2500倍の
増加に相当する。したがつて、第2の負荷からは
610mV程増加した電圧信号が出力される。
が入射する場合の動作について説明する。トラン
ジスタ31は定常光に対する一定のコレクタ電流
のみを流すようにベースがバイアスされている。
そこで光電素子30への信号光の入射に対する光
電流の増加分は、第4図の場合と同様にトランジ
スタ35のベースに流れ込む。このベースに流れ
込んだ信号光に対応した光電流は、トランジスタ
35によつて増巾され、トランジスタ39のコレ
クタ電流に変換される。トランジスタ39のコレ
クタ電流の急激な増加分に対して、トランジスタ
47は、トランジスタ31の場合と同様に、極め
て高い抵抗を示す。これは、トランジスタ47の
ベース・エミツタがキヤパシタ61の遅延作用に
よつている。そこでコレクタ電流の増加分は、第
2の負荷であるトランジスタ48,49,50の
直列回路に流れ込む。この第2の負荷はダイオー
ド負荷であるから、供給される電流の対数に比例
する。つまり対数圧縮された電圧が負荷の端子間
から発生される。ここで信号光の入射に対して第
2の負荷によつてどのくらいの電圧信号がつくら
れるか数量的に考察しよう。今、定電流源36の
電流値を0.4μA、トランジスタ35の電流増幅
率hFEを100とする。トランジスタ39のエミ
ツタ面積はトランジスタ38より10倍だけ大きい
ものとする。このようであれば定常状態では、ト
ランジスタ39のコレクタ電流はトランジスタ3
8のコレクタ電流(0.4μA)の10倍の4μAと
なる。また、トランジスタ38のベース電流は
4nAとなる。尚、定電流源41の電流値は4nAよ
り大きく設定しておけばよい。他方、第2の負荷
をなすトランジスタ48,49,50と、定電圧
源をなすトランジスタ53,54のそれぞれは互
いに等しい形状・特性を有するものとし、定電圧
源からは540mVの電圧がつくられるものとす
る。この場合、前述したように第2の負荷には
4nAの電流が流れることになる。さて、光電素子
30へ信号光が入射し、これに応じて100PAの光
電流が発生されたとする。この光電流は、前述し
た如く、トランジスタ35のベースに流れ込み、
トランジスタ35により100倍そしてトランジス
タ39によりさらに10倍され、100nAに増幅され
てトランジスタ39のコレクタに現われる。この
100nAのコレクタ電流は、第2の負荷に流され
る。信号光の入射前の状態においては、第2の負
荷には4nAの電流が流れていたから、該第2の負
荷の電流増加は25倍である。一般に、トランジス
タのコレクタ電流の2倍の増加に対してベース・
エミツタ電圧は18mVだけ増加する(ただし、周
囲温度25℃のとき)から、25倍のコレクタ電流の
増加に対しては、1個のトランジスタ当り、約
83mV増加する。したがつて第2の負荷全体では
250mV程増加する。かくして100PAの光電流に相
当する信号光は250mVの電圧に変換された。次
に信号光による光電流が100nA(上述の場合の
1000倍)の場合について考えると、第2の負荷に
流れ込む電流は100μAとなり、これは2500倍の
増加に相当する。したがつて、第2の負荷からは
610mV程増加した電圧信号が出力される。
以上が信号光をその強度に応じた電圧信号に変
換する動作である。尚、端子51から出力される
電圧信号は、例え信号光が階段状のものであつて
も、インパルス状の波形になることは明らかであ
ろう。したがつて、信号光は、光源のエネルギー
節約のためにもインパルス状の単発光であればよ
い。
換する動作である。尚、端子51から出力される
電圧信号は、例え信号光が階段状のものであつて
も、インパルス状の波形になることは明らかであ
ろう。したがつて、信号光は、光源のエネルギー
節約のためにもインパルス状の単発光であればよ
い。
以上詳述した如く第5図の光電変換回路を用い
れば、定常光の広範囲な輝度領域において、信号
光を定常光から分離検出できる。なお、第5図の
実施例においてトランジスタ48,49,50に
よる第2の負荷の機能を、これらの替りに第10
図に示す如くトランジスタ39と53の両コレク
タ間のダイオード48′を接続することによつて
このダイオードに受け持たせることができる。た
だし、この場合、定電流源52の定電流値をトラ
ンジスタ39から出力される信号光に応じた電流
値よりも十分大きく設定しておいてトランジスタ
53のコレクタ電位が一定に保たれるようにす
る。またPNPトランジスタ39のコレクタにその
負荷の一つとなるNPNトランジスタ47のコレ
クタが接続された回路構成が設けられているが、
この部分を2個のトランジスタ39′,47′を追
加することにより第11図に示すような回路に構
成することもできる。いずれの場合も、第1の負
荷となつているトランジスタのコレクタ特性を利
用している。
れば、定常光の広範囲な輝度領域において、信号
光を定常光から分離検出できる。なお、第5図の
実施例においてトランジスタ48,49,50に
よる第2の負荷の機能を、これらの替りに第10
図に示す如くトランジスタ39と53の両コレク
タ間のダイオード48′を接続することによつて
このダイオードに受け持たせることができる。た
だし、この場合、定電流源52の定電流値をトラ
ンジスタ39から出力される信号光に応じた電流
値よりも十分大きく設定しておいてトランジスタ
53のコレクタ電位が一定に保たれるようにす
る。またPNPトランジスタ39のコレクタにその
負荷の一つとなるNPNトランジスタ47のコレ
クタが接続された回路構成が設けられているが、
この部分を2個のトランジスタ39′,47′を追
加することにより第11図に示すような回路に構
成することもできる。いずれの場合も、第1の負
荷となつているトランジスタのコレクタ特性を利
用している。
さて、第5図の光電変換回路を第2図における
ブロツク13,14,15,16に適用すれば、
原理的には距離検出を行うことができるのである
が、実用化のためにはまだ解決しなければならな
い問題がある。今、仮りに、発射される光ビーム
は十分に細く理想的なもので、このビームによつ
て照射された物体上の“明領域”に対する像が第
6図に示す如く幾何光学的には物体までの距離に
応じた特定の1個の光電素子上で結ばれるとして
も、実際には他の光電素子によつても同時に“明
領域”からの光成分が受光されてしまうという問
題が起るのである。これは結像すべく特定の光電
素子に向つて入射した信号光が、その光電素子の
受光面上で反射し、さらにその反射光が結像レン
ズ面で反射するというようにして、光電素子が設
けられているハウジングの中において内部反射が
起るからである。さらには、実際の光ビームは、
第3図に示す如く、距離に応じて断面積が変化
し、かつ光の分布状態も変化し、さらに、投光レ
ンズ2の収差による成分が加わつて理想的なもの
からかなり外れたものになつてしまう。その上
に、結像レンズ4は特定の距離の粉体しかシヤー
プな像を結ばない。以上のようなことから、信号
光は、物体までの距離に応じた特定の光電素子の
みばかりではなく、他の光電素子にもどしても入
射してしまうことになる。光電素子の配列面上に
おける入射光の強度分布は例えば第6図に示す如
く光電素子P3に向けて信号光が入射しているので
あるが、残る3個の光電素子にも入射している。
したがつて、各光電素子に信号光が入射したか否
かを検出するのみでは距離の検出はできないこと
がわかる。そこで、第6図において光電素子P3に
向けて信号光が入射したのであるということを検
出するために、光電素子P3を含む光電変換回路の
出力信号と他の光電変換回路の出力信号とを判別
すべく、例えば第2図における電圧比較のための
基準電圧源25のレベルを定めればよいことにな
る。しかしながら、信号光の強度は物体までの距
離やその反射率によつて種々に変化するから、基
準電圧源25のレベルを固定したのでは適切な判
別は行えない。そこで、目的とする距離信号の検
出のために信号光の強度に応じて基準電圧レベル
を変化させることが考えられる。
ブロツク13,14,15,16に適用すれば、
原理的には距離検出を行うことができるのである
が、実用化のためにはまだ解決しなければならな
い問題がある。今、仮りに、発射される光ビーム
は十分に細く理想的なもので、このビームによつ
て照射された物体上の“明領域”に対する像が第
6図に示す如く幾何光学的には物体までの距離に
応じた特定の1個の光電素子上で結ばれるとして
も、実際には他の光電素子によつても同時に“明
領域”からの光成分が受光されてしまうという問
題が起るのである。これは結像すべく特定の光電
素子に向つて入射した信号光が、その光電素子の
受光面上で反射し、さらにその反射光が結像レン
ズ面で反射するというようにして、光電素子が設
けられているハウジングの中において内部反射が
起るからである。さらには、実際の光ビームは、
第3図に示す如く、距離に応じて断面積が変化
し、かつ光の分布状態も変化し、さらに、投光レ
ンズ2の収差による成分が加わつて理想的なもの
からかなり外れたものになつてしまう。その上
に、結像レンズ4は特定の距離の粉体しかシヤー
プな像を結ばない。以上のようなことから、信号
光は、物体までの距離に応じた特定の光電素子の
みばかりではなく、他の光電素子にもどしても入
射してしまうことになる。光電素子の配列面上に
おける入射光の強度分布は例えば第6図に示す如
く光電素子P3に向けて信号光が入射しているので
あるが、残る3個の光電素子にも入射している。
したがつて、各光電素子に信号光が入射したか否
かを検出するのみでは距離の検出はできないこと
がわかる。そこで、第6図において光電素子P3に
向けて信号光が入射したのであるということを検
出するために、光電素子P3を含む光電変換回路の
出力信号と他の光電変換回路の出力信号とを判別
すべく、例えば第2図における電圧比較のための
基準電圧源25のレベルを定めればよいことにな
る。しかしながら、信号光の強度は物体までの距
離やその反射率によつて種々に変化するから、基
準電圧源25のレベルを固定したのでは適切な判
別は行えない。そこで、目的とする距離信号の検
出のために信号光の強度に応じて基準電圧レベル
を変化させることが考えられる。
以下、信号光の強度に応じて基準電圧レベルを
変化させるようにした基準電圧変化回路およびこ
の回路を適用した測距装置について説明する。
変化させるようにした基準電圧変化回路およびこ
の回路を適用した測距装置について説明する。
まず、第7図を用いて光電変換回路の出力信号
と基準電圧との関係を説明すると、波形A1は最
も明るい信号光を受けた光電変換回路の出力信号
を示し、波形A2は他の光電変換回路の出力信号
の一つを示す。電圧レベルS1は、第5図の回路に
おけるトランジスタ53のコレクタ電位に相当
し、また、定常状態における各光電変換回路の出
力レベルに相当する。電圧レベルS2は、定常状態
において各光電変換回路の出力に含まれるノイズ
の振幅分を電圧レベルS1に加えたよりも高いレベ
ルに設定してある一定の基準レベルである。電圧
信号S3が、ここで目的としている信号光に応じて
変化される基準電圧である。この基準電圧S3は、
以下に述べるように、各光電変換回路の出力のう
ち最初に電圧レベルS2に到達する出力信号A1を
用いてつくり出される。
と基準電圧との関係を説明すると、波形A1は最
も明るい信号光を受けた光電変換回路の出力信号
を示し、波形A2は他の光電変換回路の出力信号
の一つを示す。電圧レベルS1は、第5図の回路に
おけるトランジスタ53のコレクタ電位に相当
し、また、定常状態における各光電変換回路の出
力レベルに相当する。電圧レベルS2は、定常状態
において各光電変換回路の出力に含まれるノイズ
の振幅分を電圧レベルS1に加えたよりも高いレベ
ルに設定してある一定の基準レベルである。電圧
信号S3が、ここで目的としている信号光に応じて
変化される基準電圧である。この基準電圧S3は、
以下に述べるように、各光電変換回路の出力のう
ち最初に電圧レベルS2に到達する出力信号A1を
用いてつくり出される。
以下、基準電圧S3を発生する基準電圧変化回路
の一実施例を自動焦点調節装置の全体的な構成を
示す第8図の回路においてその構成および動作を
説明する。第8図において、点線70で囲まれる
回路部分が上記の基準電圧変化回路を構成してい
る。この基準電圧変化回路において、演算増幅器
71,72,73,74の各非反転入力は、光電
変換回路13,14,15,16の出力とそれぞ
れ接続されている。なお、これら光電変換回路に
は第5図で示した回路が用いられる。演算増幅器
71,72,73,74の出力は、コレクタが電
源の正端子と接続されたトランジスタ75,7
6,77,78のベースとそれぞれ接続されてい
る。また、これらトランジスタの各エミツタは演
算増幅器71,72,73,74の反転入力とそ
れぞれ接続されるとともに、抵抗79の一端85
と共通に接続されている。この抵抗79の他端は
トランジスタ82のエミツタと抵抗83との接続
点86と接続され、該接続点86は電圧比較回路
17,18,19,20の各反転入力と接続され
ている。抵抗83の他端は定電流源84と接続さ
れるとともに演算増幅器81の反転入力と接続さ
れている。この演算増幅器81の非反転入力は定
電圧源80と接続され、出力はトランジスタ82
のベースと接続されている。ここで、定電圧源8
0として、第5図の光電変換回路における定電流
源52とトランジスタ53,54とによつて構成
されている定電圧源が兼用される。したがつて、
定電圧源80が演算増巾器81の非反転入力に与
えている電圧レベルは、第7図のグラフにおける
レベルS1と等しい。なお、抵抗79は分割して第
13図に示す如く電圧比較回路17,18,1
9,20の各反転入力と接続して夫々のレベルを
変えてもよい。
の一実施例を自動焦点調節装置の全体的な構成を
示す第8図の回路においてその構成および動作を
説明する。第8図において、点線70で囲まれる
回路部分が上記の基準電圧変化回路を構成してい
る。この基準電圧変化回路において、演算増幅器
71,72,73,74の各非反転入力は、光電
変換回路13,14,15,16の出力とそれぞ
れ接続されている。なお、これら光電変換回路に
は第5図で示した回路が用いられる。演算増幅器
71,72,73,74の出力は、コレクタが電
源の正端子と接続されたトランジスタ75,7
6,77,78のベースとそれぞれ接続されてい
る。また、これらトランジスタの各エミツタは演
算増幅器71,72,73,74の反転入力とそ
れぞれ接続されるとともに、抵抗79の一端85
と共通に接続されている。この抵抗79の他端は
トランジスタ82のエミツタと抵抗83との接続
点86と接続され、該接続点86は電圧比較回路
17,18,19,20の各反転入力と接続され
ている。抵抗83の他端は定電流源84と接続さ
れるとともに演算増幅器81の反転入力と接続さ
れている。この演算増幅器81の非反転入力は定
電圧源80と接続され、出力はトランジスタ82
のベースと接続されている。ここで、定電圧源8
0として、第5図の光電変換回路における定電流
源52とトランジスタ53,54とによつて構成
されている定電圧源が兼用される。したがつて、
定電圧源80が演算増巾器81の非反転入力に与
えている電圧レベルは、第7図のグラフにおける
レベルS1と等しい。なお、抵抗79は分割して第
13図に示す如く電圧比較回路17,18,1
9,20の各反転入力と接続して夫々のレベルを
変えてもよい。
以上の構成よりなる基準電圧変化回路の動作と
して第2図の回路においては、電圧比較回路1
7,18,19,20の比較基準電圧として、定
電圧源25による一定電圧が与えられたのである
が、第8図の回路においては、基準電圧変化回路
により、最も強度の大きい信号光が入射する光電
変換回路の出力信号に応じた時間的に変化する電
圧が与えられる。
して第2図の回路においては、電圧比較回路1
7,18,19,20の比較基準電圧として、定
電圧源25による一定電圧が与えられたのである
が、第8図の回路においては、基準電圧変化回路
により、最も強度の大きい信号光が入射する光電
変換回路の出力信号に応じた時間的に変化する電
圧が与えられる。
さて、第8図において、定常光のみが入射して
いる場合についてまず考察しよう。この場合、光
電変換回路は、第7図のグラフにおけるレベルS1
の電圧を出力している。他方、演算増幅器81の
非反転入力にもレベルS1の電圧が入力されている
から、該演算増幅器81の反転入力のレベルもト
ランジスタ82、抵抗83を介する負帰還の作用
でレベルS1に保たれている。したがつて接続点8
6は、定電流源84の電流による抵抗83におけ
る降下電圧分だけレベルS1より高いレベルS2の電
圧が現われ、このレベルS2の電圧が演算増幅器7
1,72,73,74および電圧比較回路17,
18,19,20の各反転入力に与えられてい
る。したがつて、これら演算増巾器と電圧比較回
路の各出力は、みな“低”レベルの電圧を出力し
ており、トランジスタ75,76,77,78は
遮断状態となつている。このようであるから、抵
抗79には電流は流れておらず、接続点85と8
6は同電位S2となつている。
いる場合についてまず考察しよう。この場合、光
電変換回路は、第7図のグラフにおけるレベルS1
の電圧を出力している。他方、演算増幅器81の
非反転入力にもレベルS1の電圧が入力されている
から、該演算増幅器81の反転入力のレベルもト
ランジスタ82、抵抗83を介する負帰還の作用
でレベルS1に保たれている。したがつて接続点8
6は、定電流源84の電流による抵抗83におけ
る降下電圧分だけレベルS1より高いレベルS2の電
圧が現われ、このレベルS2の電圧が演算増幅器7
1,72,73,74および電圧比較回路17,
18,19,20の各反転入力に与えられてい
る。したがつて、これら演算増巾器と電圧比較回
路の各出力は、みな“低”レベルの電圧を出力し
ており、トランジスタ75,76,77,78は
遮断状態となつている。このようであるから、抵
抗79には電流は流れておらず、接続点85と8
6は同電位S2となつている。
次に、光電変換回路から信号光に応じた電圧信
号が出力される場合の動作の説明に移る。今、例
えば、光電変換回路14から第7図のグラフにお
ける波形A1のような最初にレベルS2に達する電
圧信号が出力されるとする。この波形A1は、当
初、レベルS1にあり、信号光の入射とともに立上
つて行く。さて、この波形A1がレベルS2に達す
ると、これまで“低”レベルの状態にあつた演算
回路72の出力は“高”レベルに向い始め、トラ
ンジスタ76はそのベースが順バイアスされるよ
うになる。こうして、演算増幅器72はトランジ
スタ76を介する負帰還動作が可能となり、その
反転入力の電圧レベルは非反転入力つまりは光電
変換回路14の出力電圧A1に等しく追従するよ
うに変化する。演算増巾器71,72,73,7
4の反転入力は互いに共通の電位にあるから、今
の状態では演算増巾器72を除いては、依然とし
て反転入力の方が非反転入力より電圧レベルは高
い状態にあり、トランジスタ75,77,78は
遮断状態に置かれている。かくして、接続点85
の電圧レベルは、光電変換回路14の出力電圧が
レベルS2より高い間t1〜t2においてその出力電圧
波形A1を辿るように動いて行く。波形A1がレベ
ルS2を越えるようになると、順バイアスされるト
ランジスタ76のエミツタ電流が抵抗79,83
を介して定電流源84に流れ込むようになる。す
ると、演算増幅器81の反転入力はレベルS1より
高い電圧レベルに引き上げられるようになり、演
算増幅器81は“低”レベルの電圧を出力するよ
うになる。かくて、トランジスタ82は遮断状態
に置かれ、接続点86からは抵抗79の抵抗値と
定電流源84の定電流値との積に相当する一定電
圧υcだけ接続点85の電圧レベルより低い電圧
信号S3が出力される。この電圧信号S3が比較基準
電圧として電圧比較回路17,18,19,20
の反転入力に与えられ、この電圧を基準にして光
電変換回路の各出力信号の大小が比較・検出され
る。
号が出力される場合の動作の説明に移る。今、例
えば、光電変換回路14から第7図のグラフにお
ける波形A1のような最初にレベルS2に達する電
圧信号が出力されるとする。この波形A1は、当
初、レベルS1にあり、信号光の入射とともに立上
つて行く。さて、この波形A1がレベルS2に達す
ると、これまで“低”レベルの状態にあつた演算
回路72の出力は“高”レベルに向い始め、トラ
ンジスタ76はそのベースが順バイアスされるよ
うになる。こうして、演算増幅器72はトランジ
スタ76を介する負帰還動作が可能となり、その
反転入力の電圧レベルは非反転入力つまりは光電
変換回路14の出力電圧A1に等しく追従するよ
うに変化する。演算増巾器71,72,73,7
4の反転入力は互いに共通の電位にあるから、今
の状態では演算増巾器72を除いては、依然とし
て反転入力の方が非反転入力より電圧レベルは高
い状態にあり、トランジスタ75,77,78は
遮断状態に置かれている。かくして、接続点85
の電圧レベルは、光電変換回路14の出力電圧が
レベルS2より高い間t1〜t2においてその出力電圧
波形A1を辿るように動いて行く。波形A1がレベ
ルS2を越えるようになると、順バイアスされるト
ランジスタ76のエミツタ電流が抵抗79,83
を介して定電流源84に流れ込むようになる。す
ると、演算増幅器81の反転入力はレベルS1より
高い電圧レベルに引き上げられるようになり、演
算増幅器81は“低”レベルの電圧を出力するよ
うになる。かくて、トランジスタ82は遮断状態
に置かれ、接続点86からは抵抗79の抵抗値と
定電流源84の定電流値との積に相当する一定電
圧υcだけ接続点85の電圧レベルより低い電圧
信号S3が出力される。この電圧信号S3が比較基準
電圧として電圧比較回路17,18,19,20
の反転入力に与えられ、この電圧を基準にして光
電変換回路の各出力信号の大小が比較・検出され
る。
このようにして、t1からt2の間において、上述
の例の場合は、電圧比較回路18から“高”レベ
ル(“1”)の電圧が出力される。光電変換回路1
4以外のものから出力信号が第7図の波形A2で
示されるようなものか、またはそれより低いレベ
ルのものであれば、電圧比較回路17,19,2
0からは“低”レベル(“0”)の電圧が出力され
る。以上は、光電変換回路14の出力が他に比べ
て比較的に大きい場合の動作についてであつた
が、同様な動作はいずれの光電変換回路の出力に
対してもあてはまる。なお、信号光の主要部が隣
り合う2個の光電変換素子の中間部に向けて入射
するような場合は、これらの光電素子に対応する
光電変換回路の出力は、同時に二つとも選別電圧
S3のレベルより高くなるであろう。また、光電素
子の配列面における信号光の強度分布の状態によ
つては、同時に光電変換回路の三つの出力が判別
レベルを上まわるような場合も生じ得るであろ
う。以上が基準電圧変化回路の動作である。
の例の場合は、電圧比較回路18から“高”レベ
ル(“1”)の電圧が出力される。光電変換回路1
4以外のものから出力信号が第7図の波形A2で
示されるようなものか、またはそれより低いレベ
ルのものであれば、電圧比較回路17,19,2
0からは“低”レベル(“0”)の電圧が出力され
る。以上は、光電変換回路14の出力が他に比べ
て比較的に大きい場合の動作についてであつた
が、同様な動作はいずれの光電変換回路の出力に
対してもあてはまる。なお、信号光の主要部が隣
り合う2個の光電変換素子の中間部に向けて入射
するような場合は、これらの光電素子に対応する
光電変換回路の出力は、同時に二つとも選別電圧
S3のレベルより高くなるであろう。また、光電素
子の配列面における信号光の強度分布の状態によ
つては、同時に光電変換回路の三つの出力が判別
レベルを上まわるような場合も生じ得るであろ
う。以上が基準電圧変化回路の動作である。
ここで、第8図の回路装置の全体的な動作を述
べておく。今、回路装置は動作準備完了状態にあ
り、回路の各部には電源が供給されているとす
る。発光ダイオード1の発光エネルギーを貯える
キヤパシタ108は抵抗を介して電源電圧に電荷
が充電されている。撮影を行うべく被写体に投光
レンズ2の光軸を向けておいて、スイツチ26を
閉じる。これに応答して、ワンシヨツト回路27
から一定時間だけ“高”レベル(“1”)の電圧信
号が発される。この電圧信号によりトランジスタ
105,106が導通し、キヤパシタ108の充
電電荷がトランジスタ106および発光ダイオー
ド1を介して一気に放電される。こうしてインパ
ルス状の光ビームが被写体に向けて発射される。
同時にワンシヨツト回路27からの“1”の信号
はレジスタ21,22,23,24,87の入力
cpおよびレジスタ87の入力Dに与えられる。
尚、88はこれらレジスタをリセツトするリセツ
トパルスを、不図示の電源スイツチ投入時などで
発生するリセツトパルス発生回路である。レジス
タはリセツトされると出力は“0”の状態にな
る。光ビームが発せられ、前述したようにして、
電圧比較回路17,18,19,20のいずれか
1個または隣り合う2個あるいは3個から“1”
の信号が出力される。ただし、被写体によつては
全く“1”の信号が出力されない場合もある。レ
ジスタ21,22,23,24,87は、二つの
入力Dとcpに同時に“1”が入力されると出力
は“1”にセツトされ、その後に入力が“0”に
なつても、リセツトされるか電源が切られるまで
出力“1”の状態は保持される。尚、各レジスタ
は第12図のようにANDゲートとR―Sフリツ
プフロツプを用いて構成してある。今、電圧比較
回路18から“1”の信号が出力されると、この
信号とともにワンシヨツト回路27からの“1”
の信号によつてレジスタ22の出力が“1”の状
態にセツトされる。このとき、同時にレジスタ8
7も“1”にセツトされ、光ビームが発射された
ことが記録される。レジスタ群からの信号はデコ
ーダ89により例えば第9図に示すような近距離
と遠距離に応じた出力信号に変換される。撮影レ
ンズ100は、レジスタ群に距離情報が採取され
た後に適当な駆動手段により例えば最近接位置か
ら無限遠の位置に向けて繰り込まれ、この動作に
連動してブラシ99が例えば8個の接片端子90
〜97および98上を摺動される。“1”が出力
されている接片端子、例えば92に、ブラシ99
が位置すると、ブラシ99および接片98を介し
て流れるベース電流によりトランジスタ101が
導通される。この導通によりトランジスタ102
は遮断され、電磁石103の励磁が断たれて、係
止レバー104が作動してレンズ100の繰り込
み動作に係止を掛ける。このようにして検出され
た距離情報に応じた位置に自動的に撮影レンズの
距離調節が行われる。以上、詳述したように基準
電圧変化回路の導入により光ビーム投射方式の測
距装置の実用化が可能となり、その効果は極めて
大きい。
べておく。今、回路装置は動作準備完了状態にあ
り、回路の各部には電源が供給されているとす
る。発光ダイオード1の発光エネルギーを貯える
キヤパシタ108は抵抗を介して電源電圧に電荷
が充電されている。撮影を行うべく被写体に投光
レンズ2の光軸を向けておいて、スイツチ26を
閉じる。これに応答して、ワンシヨツト回路27
から一定時間だけ“高”レベル(“1”)の電圧信
号が発される。この電圧信号によりトランジスタ
105,106が導通し、キヤパシタ108の充
電電荷がトランジスタ106および発光ダイオー
ド1を介して一気に放電される。こうしてインパ
ルス状の光ビームが被写体に向けて発射される。
同時にワンシヨツト回路27からの“1”の信号
はレジスタ21,22,23,24,87の入力
cpおよびレジスタ87の入力Dに与えられる。
尚、88はこれらレジスタをリセツトするリセツ
トパルスを、不図示の電源スイツチ投入時などで
発生するリセツトパルス発生回路である。レジス
タはリセツトされると出力は“0”の状態にな
る。光ビームが発せられ、前述したようにして、
電圧比較回路17,18,19,20のいずれか
1個または隣り合う2個あるいは3個から“1”
の信号が出力される。ただし、被写体によつては
全く“1”の信号が出力されない場合もある。レ
ジスタ21,22,23,24,87は、二つの
入力Dとcpに同時に“1”が入力されると出力
は“1”にセツトされ、その後に入力が“0”に
なつても、リセツトされるか電源が切られるまで
出力“1”の状態は保持される。尚、各レジスタ
は第12図のようにANDゲートとR―Sフリツ
プフロツプを用いて構成してある。今、電圧比較
回路18から“1”の信号が出力されると、この
信号とともにワンシヨツト回路27からの“1”
の信号によつてレジスタ22の出力が“1”の状
態にセツトされる。このとき、同時にレジスタ8
7も“1”にセツトされ、光ビームが発射された
ことが記録される。レジスタ群からの信号はデコ
ーダ89により例えば第9図に示すような近距離
と遠距離に応じた出力信号に変換される。撮影レ
ンズ100は、レジスタ群に距離情報が採取され
た後に適当な駆動手段により例えば最近接位置か
ら無限遠の位置に向けて繰り込まれ、この動作に
連動してブラシ99が例えば8個の接片端子90
〜97および98上を摺動される。“1”が出力
されている接片端子、例えば92に、ブラシ99
が位置すると、ブラシ99および接片98を介し
て流れるベース電流によりトランジスタ101が
導通される。この導通によりトランジスタ102
は遮断され、電磁石103の励磁が断たれて、係
止レバー104が作動してレンズ100の繰り込
み動作に係止を掛ける。このようにして検出され
た距離情報に応じた位置に自動的に撮影レンズの
距離調節が行われる。以上、詳述したように基準
電圧変化回路の導入により光ビーム投射方式の測
距装置の実用化が可能となり、その効果は極めて
大きい。
上記の如く本発明は光電素子と、この光電素子
の光電流が入力されるとともに、電流制御端子を
有する第1の電流回路と、上記光電素子の光電流
に応答し、光電流が増加すれば上記第1の電流回
路を流れる電流も増加するごとく上記電流制御端
子の電圧レベルを制御する制御回路と、上記第1
の電流回路の電流制御端子に接続され、光電流の
急峻な変化に対して上記電流制御端子の電圧レベ
ルを急峻な変化以前のレベルに維持する電圧維持
回路と、上記第1の電流回路の入力に接続され、
第1の電流回路の電流と光電流との差分を分岐さ
せる第2の電流回路とを有し、上記第2の電流回
路に分岐する電流より瞬間光を検出することを特
徴とする瞬間光検出回路を新規に創作したもので
簡単な回路構成で確実に瞬間光を検出し得る極め
て実用的価値の大なるものである。
の光電流が入力されるとともに、電流制御端子を
有する第1の電流回路と、上記光電素子の光電流
に応答し、光電流が増加すれば上記第1の電流回
路を流れる電流も増加するごとく上記電流制御端
子の電圧レベルを制御する制御回路と、上記第1
の電流回路の電流制御端子に接続され、光電流の
急峻な変化に対して上記電流制御端子の電圧レベ
ルを急峻な変化以前のレベルに維持する電圧維持
回路と、上記第1の電流回路の入力に接続され、
第1の電流回路の電流と光電流との差分を分岐さ
せる第2の電流回路とを有し、上記第2の電流回
路に分岐する電流より瞬間光を検出することを特
徴とする瞬間光検出回路を新規に創作したもので
簡単な回路構成で確実に瞬間光を検出し得る極め
て実用的価値の大なるものである。
第1図は三角測距の原理を示す説明図、第2図
は従来の用いられた第1図の光電素子の出力信号
を処理する回路図、第3図は集光レンズの説明
図、第4図は本発明にかかる光電変換の回路図、
第5図は第4図の他の実施例を示す回路図、第6
図は光電素子の入射光の強度分布図、第7図は光
電変換回路の出力信号と基準電圧の関係線図、第
8図は光電変換回路を自動焦点調節装置に組み込
んだ回路図、第9図は第8図のデコーダの出力信
号説明図、第10図および第11図は夫々第5図
の一部の変形例を示す回路図、第12図および第
13図は夫々第8図の一部の変形例を示す回路図
である。 30……光電素子、31,35……トランジス
タ、33……バツフア回路、34,37……コン
デンサ、36,41……定電流源。
は従来の用いられた第1図の光電素子の出力信号
を処理する回路図、第3図は集光レンズの説明
図、第4図は本発明にかかる光電変換の回路図、
第5図は第4図の他の実施例を示す回路図、第6
図は光電素子の入射光の強度分布図、第7図は光
電変換回路の出力信号と基準電圧の関係線図、第
8図は光電変換回路を自動焦点調節装置に組み込
んだ回路図、第9図は第8図のデコーダの出力信
号説明図、第10図および第11図は夫々第5図
の一部の変形例を示す回路図、第12図および第
13図は夫々第8図の一部の変形例を示す回路図
である。 30……光電素子、31,35……トランジス
タ、33……バツフア回路、34,37……コン
デンサ、36,41……定電流源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光電素子と、 この光電素子の光電流が入力されるとともに、
電流制御端子を有する第1の電流回路と、 上記光電素子の光電流に応答し、光電流が増加
すれば上記第1の電流回路を流れる電流も増加す
るごとく上記電流制御端子の電圧レベルを制御す
る制御回路と、 上記第1の電流回路の電流制御端子に接続さ
れ、光電流の急峻な変化に対して上記電流制御端
子の電圧レベルを急峻な変化以前のレベルに維持
する電圧維持回路と、 上記第1の電流回路の入力に接続され、第1の
電流回路の電流と光電流との差分を分岐させる第
2の電流回路とを有し、 上記第2の電流回路に分岐する電流より瞬間光
を検出することを特徴とする瞬間光検出回路。 2 上記特許請求の範囲第1項に記載した回路に
おいて、上記光電素子はホトダイオードであり、
かつ上記第1の電流回路はコレクタを上記ホトダ
イオードのアノードと接続した第1のトランジス
タを含み、さらに上記第2の電流回路はベースを
上記ホトダイオードのアノードに接続した第2の
トランジスタを含むことを特徴とするもの。 3 上記特許請求の範囲第2項に記載した回路に
おいて、上記第2のトランジスタのエミツタを上
記第1のトランジスタのベースに接続し、さらに
該第1のトランジスタのベース・エミツタ間に定
電流回路とキヤパシタとを並列に接続し、上記第
1のトランジスタのコレクタは上記第2のトラン
ジスタのベース・エミツタを介して負帰還が掛け
られるようにしたことを特徴とするもの。 4 上記特許請求の範囲第2項に記載した回路に
おいて、上記第1のトランジスタのコレクタとベ
ース間にバツフア回路を設け、該バツフア回路を
介して負帰還が掛けられるようにしたことを特徴
とするもの。 5 上記特許請求の範囲第4項に記載した回路に
おいて、上記バツフア回路の出力部に接続される
キヤパシタにより上記遅延特性を付与するように
したことを特徴とするもの。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10479579A JPS5629216A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Instantaneous photodetecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10479579A JPS5629216A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Instantaneous photodetecting circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5629216A JPS5629216A (en) | 1981-03-24 |
JPS6230363B2 true JPS6230363B2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=14390372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10479579A Granted JPS5629216A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Instantaneous photodetecting circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5629216A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59151013A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Ricoh Co Ltd | 距離検出装置 |
JPS59179419A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Nissan Shatai Co Ltd | 自動車の燃料給油口周辺構造 |
DE3516080A1 (de) * | 1985-05-04 | 1986-11-06 | Proton AG, Zug | Probeentnahmesonde |
SE455025B (sv) * | 1986-10-16 | 1988-06-13 | Philips Norden Ab | Forfarandet for att bestemma leget av banan for ett pulsat ljusstralknippe |
JPH03102210A (ja) * | 1990-04-27 | 1991-04-26 | Seikosha Co Ltd | 投光式測距装置 |
-
1979
- 1979-08-16 JP JP10479579A patent/JPS5629216A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5629216A (en) | 1981-03-24 |
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