JPS6230144B2 - - Google Patents
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- JPS6230144B2 JPS6230144B2 JP15496080A JP15496080A JPS6230144B2 JP S6230144 B2 JPS6230144 B2 JP S6230144B2 JP 15496080 A JP15496080 A JP 15496080A JP 15496080 A JP15496080 A JP 15496080A JP S6230144 B2 JPS6230144 B2 JP S6230144B2
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- glass
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
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- C03B2207/26—Multiple ports for glass precursor
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- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はドープトシリカガラスの製造方法に関
するものである。
するものである。
従来、主としてGeO2を含むドープトシリカガ
ラスは第１図に示す製造工程（いわゆるスートプ
ロセス）により製造されていた。第１図はこの製
造工程を示すブロツク図であり、図中の各ブロツ
クにおいて、Ａはガラス形成原料、Ｂはガラス微
粒子、Ｃは多孔質ガラス体、Ｄは透明ガラス体を
示す。ａ，ｂ，ｃはそれぞれの工程において旋す
処理を示し、ａは火炎加水分解反応、ｂは焼結、
ｃは高温溶融の各処理を表わしている。
ラスは第１図に示す製造工程（いわゆるスートプ
ロセス）により製造されていた。第１図はこの製
造工程を示すブロツク図であり、図中の各ブロツ
クにおいて、Ａはガラス形成原料、Ｂはガラス微
粒子、Ｃは多孔質ガラス体、Ｄは透明ガラス体を
示す。ａ，ｂ，ｃはそれぞれの工程において旋す
処理を示し、ａは火炎加水分解反応、ｂは焼結、
ｃは高温溶融の各処理を表わしている。
この第１図より明らかなように、GeO2を含む
ドープトシリカガラスは、SiCl4、GeCl4等のガラ
ス形成原料Ａを火炎加水分解ａして、SiO2、
GeO2のガラス微粒子Ｂを形成せしめ、これを焼
結ｂして多孔質ガラス体Ｃとし、その後、高温溶
融ｃして透明ガラス体Ｄ（ドープトシリカガラ
ス）を形成せしめるものであつた。
ドープトシリカガラスは、SiCl4、GeCl4等のガラ
ス形成原料Ａを火炎加水分解ａして、SiO2、
GeO2のガラス微粒子Ｂを形成せしめ、これを焼
結ｂして多孔質ガラス体Ｃとし、その後、高温溶
融ｃして透明ガラス体Ｄ（ドープトシリカガラ
ス）を形成せしめるものであつた。
このような従来のドープトシリカガラスの製造
方法（スートプロセス）において、単位時間当り
のガラス形成原料供給量を増加し、ドープトシリ
カガラスの製造速度を向上せしめようとした場
合、火炎加水分解反応によるガラス微粒子の合成
効率が低下するという欠点があつた。また、ガラ
ス微粒子の合成、GeO2の添加および焼結とを同
時にかつ同一の熱源によつて行なうため、ガラス
形成原料供給量を増加すると、焼結が不十分とな
り、多孔質ガラス体を形成するのが困難になると
いう欠点があつた。本発明者らの検討によると、
上記のような制限によりスートプロセスによるド
ープトシリカガラスの製造方法では、単位時間当
りの製造量を毎時500ｇ以上にすることは困難で
あり、また製造効率も80％が上限であつた。
方法（スートプロセス）において、単位時間当り
のガラス形成原料供給量を増加し、ドープトシリ
カガラスの製造速度を向上せしめようとした場
合、火炎加水分解反応によるガラス微粒子の合成
効率が低下するという欠点があつた。また、ガラ
ス微粒子の合成、GeO2の添加および焼結とを同
時にかつ同一の熱源によつて行なうため、ガラス
形成原料供給量を増加すると、焼結が不十分とな
り、多孔質ガラス体を形成するのが困難になると
いう欠点があつた。本発明者らの検討によると、
上記のような制限によりスートプロセスによるド
ープトシリカガラスの製造方法では、単位時間当
りの製造量を毎時500ｇ以上にすることは困難で
あり、また製造効率も80％が上限であつた。
また上記のガラス製造速度の向上におけるスー
トプロセスの欠点を回避するために、火炎温度を
高め、ガラス微粒子から直接透明なガラス体を製
造する方法（いわゆる直接ガラス化法）を採用し
た場合、GeO2が透明ガラス体中に添加できず、
ドープトシリカガラスが得られなかつた。
トプロセスの欠点を回避するために、火炎温度を
高め、ガラス微粒子から直接透明なガラス体を製
造する方法（いわゆる直接ガラス化法）を採用し
た場合、GeO2が透明ガラス体中に添加できず、
ドープトシリカガラスが得られなかつた。
このような欠点を除去するため、本発明者等は
あらかじめシリカガラス微粒子を合成し、これを
SiCl4；H2Oと反応してSiO2と固溶体を形成しう
るドーパントを生成可能なガス状添加物；水蒸気
を含むドープトシリカガラス形成ガスに500〜
1000℃の温度で曝して、ドーパント（たとえば
GeO2）をSiO2−ドーパント固溶体としてこのガラ
ス微粒子に添加し、しかる後透明ガラス化するド
ープトシリカガラスの製造方法を発明した（改良
スートプロセス法；Improved Soot Process；
ISPと仮称す）。この方法によればシリカガラス
微粒子の合成、ドーパントの添加、透明ガラス化
が別々の工程でなされるため、前述のような種々
の要因により製造速度が制限されないと言う利点
がある。
あらかじめシリカガラス微粒子を合成し、これを
SiCl4；H2Oと反応してSiO2と固溶体を形成しう
るドーパントを生成可能なガス状添加物；水蒸気
を含むドープトシリカガラス形成ガスに500〜
1000℃の温度で曝して、ドーパント（たとえば
GeO2）をSiO2−ドーパント固溶体としてこのガラ
ス微粒子に添加し、しかる後透明ガラス化するド
ープトシリカガラスの製造方法を発明した（改良
スートプロセス法；Improved Soot Process；
ISPと仮称す）。この方法によればシリカガラス
微粒子の合成、ドーパントの添加、透明ガラス化
が別々の工程でなされるため、前述のような種々
の要因により製造速度が制限されないと言う利点
がある。
このような改良スートプロセス法において、シ
リカガラス微粒子へのドーパントの固溶添加後、
ドーパント添加ガラス微粒子を焼結し透明化する
とき、第２図に示すような装置を用いていた。第
２ａ図は合成装置の概略図、第２ｂ図は合成トー
チの断面図であり、１は合成トーチ、２は火炎用
ガス供給口、３はドープトシリカガラス微粒子供
給口、４は火炎流、５はドープトシリカガラス微
粒子流、６はドープトシリカガラス、７は受台、
Ｇはドープトシリカガラス微粒子である。
リカガラス微粒子へのドーパントの固溶添加後、
ドーパント添加ガラス微粒子を焼結し透明化する
とき、第２図に示すような装置を用いていた。第
２ａ図は合成装置の概略図、第２ｂ図は合成トー
チの断面図であり、１は合成トーチ、２は火炎用
ガス供給口、３はドープトシリカガラス微粒子供
給口、４は火炎流、５はドープトシリカガラス微
粒子流、６はドープトシリカガラス、７は受台、
Ｇはドープトシリカガラス微粒子である。
第２図より明かなように、合成トーチ１の中心
にはドープトシリカガラス微粒子供給口３、その
まわりに火炎用ガス供給口２を備えており、ドー
プトシリカガラス微粒子流５はこのドープトシリ
カガラス微粒子供給口３より噴射され、火炎用ガ
ス供給口２よりの火炎流４により焼結、透明化さ
れ、受台上７に丸棒状ドープトシリカガラス６を
形成する。
にはドープトシリカガラス微粒子供給口３、その
まわりに火炎用ガス供給口２を備えており、ドー
プトシリカガラス微粒子流５はこのドープトシリ
カガラス微粒子供給口３より噴射され、火炎用ガ
ス供給口２よりの火炎流４により焼結、透明化さ
れ、受台上７に丸棒状ドープトシリカガラス６を
形成する。
しかしながら、ドーパント（たとえばGeO2）添
加量の均一なドープトシリカガラス微粒子Ｇを合
成トーチ１内の１つの供給口３から吹き出し、ド
ープトシリカガラス体６を形成するため、丸棒状
ドープトシリカガラス体６中の半径方向のドーパ
ント（たとえばGeO2）濃度分布（屈折率分布に対
応）は、第３図に示すように均一であつた。この
ため、該丸棒状ドープトシリカガラス体６を光フ
アイバ母材のコア材として使用し、線引きして得
られた、光フアイバの伝送帯域は50MHzKm以下
であるという欠点があつた。
加量の均一なドープトシリカガラス微粒子Ｇを合
成トーチ１内の１つの供給口３から吹き出し、ド
ープトシリカガラス体６を形成するため、丸棒状
ドープトシリカガラス体６中の半径方向のドーパ
ント（たとえばGeO2）濃度分布（屈折率分布に対
応）は、第３図に示すように均一であつた。この
ため、該丸棒状ドープトシリカガラス体６を光フ
アイバ母材のコア材として使用し、線引きして得
られた、光フアイバの伝送帯域は50MHzKm以下
であるという欠点があつた。
本発明はこのような欠点を除去すること、詳し
くは改良スートプロセス法において、製造される
ドープトシリカガラスの半径方向のドーパントの
濃度分布を所望の分布に制御しえる方法を提供す
ることを目的とする。
くは改良スートプロセス法において、製造される
ドープトシリカガラスの半径方向のドーパントの
濃度分布を所望の分布に制御しえる方法を提供す
ることを目的とする。
したがつて、本発明によるドープトシリカガラ
スの製造方法は水晶粉またはシリカガラス微粒子
粉を500〜1000℃の温度において、SiCl4；H2Oと
反応してSiO2と固溶体を形成しうるドーパント
を生成可能なガス状添加剤；及び水蒸気；を含む
ドープトシリカガラス形成ガスに曝して、SiO2
−ドーパント固溶体を形成せしめてドープトシリ
カガラス微粒子を生成させ、その後、透明ガラス
化するに際し、ドーパント固溶添加量の異なる前
記ドープトシリカガラス微粒子をそれぞれ別異の
供給口より噴出させ、ドーパント濃度分布を制御
して焼結、透明化することを特徴とするものであ
る。
スの製造方法は水晶粉またはシリカガラス微粒子
粉を500〜1000℃の温度において、SiCl4；H2Oと
反応してSiO2と固溶体を形成しうるドーパント
を生成可能なガス状添加剤；及び水蒸気；を含む
ドープトシリカガラス形成ガスに曝して、SiO2
−ドーパント固溶体を形成せしめてドープトシリ
カガラス微粒子を生成させ、その後、透明ガラス
化するに際し、ドーパント固溶添加量の異なる前
記ドープトシリカガラス微粒子をそれぞれ別異の
供給口より噴出させ、ドーパント濃度分布を制御
して焼結、透明化することを特徴とするものであ
る。
本発明によれば、得られるドープトシリカガラ
ス体に半径方向にドープト濃度分布を形成しえる
ので、これを使用して製造される光フアイバの伝
送帯域および伝送損失の点において、著しく改良
される。
ス体に半径方向にドープト濃度分布を形成しえる
ので、これを使用して製造される光フアイバの伝
送帯域および伝送損失の点において、著しく改良
される。
本発明を更に詳しく説明する。
第４ａ図は、本発明によるドープトシリカガラ
スの製造方法を実施するための装置の一例の概略
図であり、第４ｂ図は合成トーチの断面図であ
る。図中、４１は合成トーチ、４２は高濃度ドー
プトシリカガラス微粒子供給口、４３，４３′は
低濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口、４４
は火炎用ガス供給口、４５，４６はドープトシリ
カガラス微粒子流、４７は火炎流、４８はドープ
トシリカガラス体、４９は受台である。
スの製造方法を実施するための装置の一例の概略
図であり、第４ｂ図は合成トーチの断面図であ
る。図中、４１は合成トーチ、４２は高濃度ドー
プトシリカガラス微粒子供給口、４３，４３′は
低濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口、４４
は火炎用ガス供給口、４５，４６はドープトシリ
カガラス微粒子流、４７は火炎流、４８はドープ
トシリカガラス体、４９は受台である。
第４図より明かなように、合成トーチ４１は高
濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口４２を中
心に備え、その両隣りに低濃度ドープトシリカガ
ラス微粒子供給口４３，４３′を有している。こ
れらの供給口４２及び４３，４３′の数及び位置
はこれに限定されるものではなく、所望のド−パ
ント濃度分布（屈折率分布）等を考慮し機能的に
定めることができる。
濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口４２を中
心に備え、その両隣りに低濃度ドープトシリカガ
ラス微粒子供給口４３，４３′を有している。こ
れらの供給口４２及び４３，４３′の数及び位置
はこれに限定されるものではなく、所望のド−パ
ント濃度分布（屈折率分布）等を考慮し機能的に
定めることができる。
火炎用ガス供給口４４はこれらの供給口４２及
び４３，４３′を囲むように設けられており、良
好にガラス微粒子を焼結、透明化できるようにな
つている。
び４３，４３′を囲むように設けられており、良
好にガラス微粒子を焼結、透明化できるようにな
つている。
高濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口４２
よりの高濃度ドープトシリカガラス微粒子流４６
及び低濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口４
３，４３′よりの低濃度ドープトシリカガラス微
粒子流４５は火炎用ガス供給口４４よりの火炎流
４７内及び受台４９上のドープトシリカガラス体
４８表面で互いに混合、拡散し合いながら、ドー
プトシリカガラス体４８を形成する。この結果、
製造されるドープトシリカガラス体４８中には半
径方向にドーパント濃度分布が形成される。この
際、火炎温度が高いと透明なドープトシリカガラ
ス体が、また火炎温度が低いと、多孔質なドープ
トシリカガラス体が得られる。
よりの高濃度ドープトシリカガラス微粒子流４６
及び低濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口４
３，４３′よりの低濃度ドープトシリカガラス微
粒子流４５は火炎用ガス供給口４４よりの火炎流
４７内及び受台４９上のドープトシリカガラス体
４８表面で互いに混合、拡散し合いながら、ドー
プトシリカガラス体４８を形成する。この結果、
製造されるドープトシリカガラス体４８中には半
径方向にドーパント濃度分布が形成される。この
際、火炎温度が高いと透明なドープトシリカガラ
ス体が、また火炎温度が低いと、多孔質なドープ
トシリカガラス体が得られる。
ここで、SiO2−ドーパント固溶体のドープト
シリカガラス微粒子を形成するためのドープトシ
リカガラス形成ガスはH2Oと反応してSiO2と固溶
体を形成しうるドーパントを生成しうるガス状添
加物を含むものであるが、この具体例としては、
GeCl4、POCl3、PCl8、TiCl4、BBr3、BCl8等の
一種以上をあげることができる。
シリカガラス微粒子を形成するためのドープトシ
リカガラス形成ガスはH2Oと反応してSiO2と固溶
体を形成しうるドーパントを生成しうるガス状添
加物を含むものであるが、この具体例としては、
GeCl4、POCl3、PCl8、TiCl4、BBr3、BCl8等の
一種以上をあげることができる。
また水晶粉またはシリカガラス微粒子をドープ
トシリカ形成ガスに曝す濃度は、500〜1000℃で
あるが、500℃未満であると、水晶粉またはシリ
カガラス微粒子に、SiO2と固溶したGeO2等の酸
化物は得られず、結晶酸化物（たとえば結晶
GeO2）が生成される。この結晶酸化物（たとえば
GeO2）は高温、溶融に際して蒸発しやすく、この
場合にはGeO2ドープトシリカガラスは得られな
い。また曝らす温度が1000℃を越えた場合、
GeO2等のドーパントを含むガラス層が形成され
ない。
トシリカ形成ガスに曝す濃度は、500〜1000℃で
あるが、500℃未満であると、水晶粉またはシリ
カガラス微粒子に、SiO2と固溶したGeO2等の酸
化物は得られず、結晶酸化物（たとえば結晶
GeO2）が生成される。この結晶酸化物（たとえば
GeO2）は高温、溶融に際して蒸発しやすく、この
場合にはGeO2ドープトシリカガラスは得られな
い。また曝らす温度が1000℃を越えた場合、
GeO2等のドーパントを含むガラス層が形成され
ない。
次に実施例を説明する。
実施例
第４図の装置を用いて下記のようにドープトシ
リカガラスを製造した。
リカガラスを製造した。
高濃度ドープトシリカガラス微粒子供給口４２
より、GeO2を10wt％固溶添加したドープトシリ
カガラス微粒子を10ｇ／分、低濃度ドープトシリ
カガラス微粒子供給口４３，４３′より、GeO2を
含まない単なるシリカガラス微粒子を20ｇ／分及
び火炎用ガス供給口４４より、O2を10／分、
H2を10／分流してドープトシリカガラスを製
造した。この結果、透明、丸棒状ドープトシリカ
ガラスが30ｇ／分の割合で製造でき、得られたド
ープトシリカガラスのGeO2濃度分布（屈折率分
布に対応）は第５図に示す如くであつた。第５図
中、n0は空気、n1は中心部、n2は外周部のそれぞ
れの屈折率を示す。この場合、n1は1.473（GeO2
濃度で10wt％）、n2は1.458であり、屈折率分布は
下記の式(1)で近似的に示される曲線であつた。
より、GeO2を10wt％固溶添加したドープトシリ
カガラス微粒子を10ｇ／分、低濃度ドープトシリ
カガラス微粒子供給口４３，４３′より、GeO2を
含まない単なるシリカガラス微粒子を20ｇ／分及
び火炎用ガス供給口４４より、O2を10／分、
H2を10／分流してドープトシリカガラスを製
造した。この結果、透明、丸棒状ドープトシリカ
ガラスが30ｇ／分の割合で製造でき、得られたド
ープトシリカガラスのGeO2濃度分布（屈折率分
布に対応）は第５図に示す如くであつた。第５図
中、n0は空気、n1は中心部、n2は外周部のそれぞ
れの屈折率を示す。この場合、n1は1.473（GeO2
濃度で10wt％）、n2は1.458であり、屈折率分布は
下記の式(1)で近似的に示される曲線であつた。
ｎ（ｒ）＝ｎ１／２｛１−erf（ｒ／２Ａ）｝ ……(1)
ただし、ｎ（ｒ）は半径方向距離ｒにおける屈
折率、erf（ ）は誤差関数、Ａは定数である。
第５図の屈折率分布で、屈折率n2で均一な部分
は、光フアイバとして使用した場合のクラツド層
であり、光フアイバの伝送損失を低減化する作用
がある。
折率、erf（ ）は誤差関数、Ａは定数である。
第５図の屈折率分布で、屈折率n2で均一な部分
は、光フアイバとして使用した場合のクラツド層
であり、光フアイバの伝送損失を低減化する作用
がある。
また合成トーチ４１とドープトシリカガラス体
４８表面との間隔とを変えて、ドープトシリカガ
ラス微粒子流３５および３６の混合、拡散度を調
整すると、第６図の曲線Ａ（合成トーチ４１とガ
ラス体４８表面との間隔が10mmの場合）、および
曲線Ｂ（合成トーチ４１とガラス体４８表面との
間隔が50mmの場合）に示す屈折率分布が得られ
た。
４８表面との間隔とを変えて、ドープトシリカガ
ラス微粒子流３５および３６の混合、拡散度を調
整すると、第６図の曲線Ａ（合成トーチ４１とガ
ラス体４８表面との間隔が10mmの場合）、および
曲線Ｂ（合成トーチ４１とガラス体４８表面との
間隔が50mmの場合）に示す屈折率分布が得られ
た。
曲線Ａで示す屈折率分布は、２乗曲線に近く、
この屈折率分布を有するドープトシリカガラス体
を光フアイバ母材のコア材として使用して光フア
イバを線引きした結果、得られた光フアイバの伝
送帯域は500MHz・Km（波長1.3μｍ）、また伝送
損失は0.5dB／Km（波長1.3μｍ）であつた。
この屈折率分布を有するドープトシリカガラス体
を光フアイバ母材のコア材として使用して光フア
イバを線引きした結果、得られた光フアイバの伝
送帯域は500MHz・Km（波長1.3μｍ）、また伝送
損失は0.5dB／Km（波長1.3μｍ）であつた。
本実施例では、ガラス微粒子の焼結、透明ガラ
ス化帯域として火炎を用いたが、高温電気炉、プ
ラズマ炎、等を用いることも可能である。
ス化帯域として火炎を用いたが、高温電気炉、プ
ラズマ炎、等を用いることも可能である。
以上説明したように、本発明によれば、改良ス
ートプロセスにおいて得られる丸棒状ドープトシ
リカガラス体の半径方向にGeO2濃度分布（屈折
率分布）を形成しえ、さらにその形状を制御でき
るから該丸棒状ドープトシリカガラス体を使用し
て作製される光フアイバの伝送帯域および伝送損
失低減を向上できる利点がある。また該丸棒状ド
ープトシリカガラス体をボリユームレンズ（また
はロツドレンズ）として用いれば歪のない像を結
べる利点がある。
ートプロセスにおいて得られる丸棒状ドープトシ
リカガラス体の半径方向にGeO2濃度分布（屈折
率分布）を形成しえ、さらにその形状を制御でき
るから該丸棒状ドープトシリカガラス体を使用し
て作製される光フアイバの伝送帯域および伝送損
失低減を向上できる利点がある。また該丸棒状ド
ープトシリカガラス体をボリユームレンズ（また
はロツドレンズ）として用いれば歪のない像を結
べる利点がある。
第１図は、スートプロセス法によるGeO2ドー
プトシリカガラスの製造工程を示すブロツク図、
第２図は、改良スートプロセス法による典型的な
焼結、透明化装置の概略図、第３図は第２図の装
置によつて得られるドープトシリカガラスの半径
方向屈折率分布、第４図は本発明の方法を実施す
るための装置の一例を示す概略図、第５図、第６
図は本発明の方法によつて得られたドープトシリ
カガラスの半径方向屈折率分布である。 １，４１……合成トーチ、２，４４……火炎ガ
ス用供給口、３……ドープトシリカガラス微粒子
供給口、４２……高濃度ドープトシリカガラス微
粒子供給口、４３，４３′……低濃度ドープトシ
リカガラス微粒子供給口、６，４８……ドープト
シリカガラス体。
プトシリカガラスの製造工程を示すブロツク図、
第２図は、改良スートプロセス法による典型的な
焼結、透明化装置の概略図、第３図は第２図の装
置によつて得られるドープトシリカガラスの半径
方向屈折率分布、第４図は本発明の方法を実施す
るための装置の一例を示す概略図、第５図、第６
図は本発明の方法によつて得られたドープトシリ
カガラスの半径方向屈折率分布である。 １，４１……合成トーチ、２，４４……火炎ガ
ス用供給口、３……ドープトシリカガラス微粒子
供給口、４２……高濃度ドープトシリカガラス微
粒子供給口、４３，４３′……低濃度ドープトシ
リカガラス微粒子供給口、６，４８……ドープト
シリカガラス体。
Claims (1)
- １ 水晶粉またはシリカガラス微粒子粉を500〜
1000℃の温度において、SiCl4；H2Oと反応して
SiO2と固溶体を形成しうるドーパントを生成可
能なガス状添加剤；及び水蒸気；を含むドープト
シリカガラス形成ガスに曝して、SiO2−ドーパ
ント固溶体を形成せしめてドープトシリカガラス
微粒子を生成させ、その後、透明ガラス化するに
際し、ドーパント固溶添加量の異なる前記ドープ
トシリカガラス微粒子をそれぞれ別異の供給口よ
り噴出させ、ドーパント濃度分布を制御して、焼
結、透明化することを特徴とするドープトシリカ
ガラスの製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15496080A JPS5782131A (en) | 1980-11-04 | 1980-11-04 | Preparation of doped silica glass |
| GB8126332A GB2083806B (en) | 1980-09-11 | 1981-08-28 | Fabrication methods of doped silica glass and optical fibre preform by using the doped silica glass |
| CA000384809A CA1188895A (en) | 1980-09-11 | 1981-08-28 | Fabrication methods of doped silica glass and optical fiber preform by using the doped silica glass |
| US06/300,296 US4414012A (en) | 1980-09-11 | 1981-09-08 | Fabrication methods of doped silica glass and optical fiber preform by using the doped silica glass |
| FR8117174A FR2489808B1 (ja) | 1980-09-11 | 1981-09-10 | |
| NL8104196A NL190841C (nl) | 1980-09-11 | 1981-09-10 | Werkwijze voor de vervaardiging van voorvormen voor optische vezels uit gedoteerd kwartsglas. |
| IT8123880A IT1139603B (it) | 1980-09-11 | 1981-09-10 | Procedimento per la preparazione di vetro di silice drogata e di preformati per fibra ottica utilizzando il vetro di silice drogata |
| KR1019810003418A KR860001248B1 (ko) | 1980-09-11 | 1981-09-11 | 도우프드 실리카 글래스의 제조방법 |
| DE19813136429 DE3136429C2 (de) | 1980-09-16 | 1981-09-14 | Verfahren zum Herstellen von dotiertem SiO↓2↓-Glas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15496080A JPS5782131A (en) | 1980-11-04 | 1980-11-04 | Preparation of doped silica glass |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5782131A JPS5782131A (en) | 1982-05-22 |
| JPS6230144B2 true JPS6230144B2 (ja) | 1987-06-30 |
Family
ID=15595660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15496080A Granted JPS5782131A (en) | 1980-09-11 | 1980-11-04 | Preparation of doped silica glass |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5782131A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110027U (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 光フアイバ−製造用バ−ナ− |
| DE3240355C1 (de) * | 1982-11-02 | 1983-11-17 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Herstellung eines laenglichen Glaskoerpers mit inhomogener Brechungsindexverteilung |
-
1980
- 1980-11-04 JP JP15496080A patent/JPS5782131A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5782131A (en) | 1982-05-22 |
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