JPS62290134A - フオトレジストの剥離装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 本発明は、フォトレジストを剥離する改良された方法お
よび装置に関し、とくに迅速な剥離時間を生ずる方法お
よび装置に関する。

集積回路の製作において、写真平板の技術が頻繁に使用
される。この技術の実施において、半導体のウェーファ
ーをフォトレジストで被覆し、次いでこれをマスクを通
過する紫外線で露光し、こうして所望のパターンをフォ
トレジスト上に画像形成する。これはフォトレジストの
露光された区域の溶解度を変化させ、こうして適当な溶
媒中で現像した後、所望のパターンがウェーファー」二
に定着され、次いでフォトレジストを堅くベーキングし
て、それが引き続く処理に耐えるようにする。

このような引き続く処理において、所望のパターンに相
当する集積回路の構成成分は、プラズマエツチングまた
はイオン実施（ｉｏｎ　　ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏ
ｎ）を包含する方法によって形成される。

集積回路の構成成分が形成された後、フォトレジストを
ウェーファーから剥離（ｓｒｔｒｉｐ）することが９！
ましく、このウェーファーはこの時点においてすでにそ
の有用な目的に役立つ、フォトレジストの２１１＃が比
較的容易であるか、あるいは困難であるかは、特定のプ
ラズマエツチングまたはイオン移植（ｉｏｎ　　ｉｍｐ
ｌａｎｔａｔｉｏｎ）の間にフォトレジスト中に誘導さ
れた物理的および化学的変化に依存し、またフォトレジ
ストが架橋した程度に依存する。こうして、有意な程度
の堅いベーキングおよび、大きい程度にさえ、プラズマ
エツチングおよびイオン実施の方法は、物理的および化
学的変化をフォトレジスト中に訪発するので、！Ａ＃は
とくに困難であることが知られている。

先行技術において、フォトレジストの２ｒＩ敲ノために
使用されてきた最も普通の技術は湿式溶媒現像剤、例え
ば、硫酸−過酸化水素溶液の使用およびプラズマ沃化の
技術である。しかしながら、これらは、溶媒現像剤を使
用する作業が困難でありかつ危険であるために、全体的
に満足すべきであることは明らかにされてきておらず、
そして表面の汚染を生ずる傾向があり、一方プラズマ沃
化は特徴的に〃過ぎ、そして時にはウェーファーに電気
的損傷を４えた。

フォトレジストの′Ａ離の他の技術は、フォトレジスト
をオゾン含有雰囲気にさらし、同時にフォトレジスト層
をその上に配置して有する支持体を加熱することからな
る。この方法は米国特許第４．４３１，５９２号に開示
されており、ここでオゾンは反応室内でフォトレジスト
を横切って移送され、その間支持体は２６０℃を越えな
い温度に加熱される。

関連する技術、「紫外−オゾン（ｕｌｔｒａｖｉｏ　１
ｅｔ−ｏｚｏｎｅ）Ｊとして知られている、において、
炭化水素含有物質であるフォトレジストをオゾンにさら
し、同時にそれを３００ｎｍ以ドのスペクトル成分を含
有する紫外輻射で照射する。紫外とオゾンとの組み合わ
せはフォトレジストの酸化を生じ、これによりフォトレ
ジストを揮発性副生物に転化することによって′ＡＳす
る。さらに、フォトレジスト層を支持する支持体を紫外
−オゾン法と組み合わせて加熱することができるが、先
行技術においては２５０〜３００℃以上の温度は利用さ
れていない。

前述のオゾンおよび紫外−オゾンのフォトレジストの′
Ａ離技術は、最初有望であることが示された。すなわち
、それらは作業が清浄でありかつ便利であり、そして先
行技術の方法よりも表面の汚染および電気的損傷に関連
する問題の発生が少ない。しかしながら、これらの技術
は今日まで有意に商業的に受は入れられてきていない。

なぜなら、現在実施されているように、それらは大抵の
フォトレジストに対して遅過ぎ、そして高度にイオン移
植されたフォトレジストを２ｑ離することができないこ
とさえあるからである。

先行技術において、支持体を加熱し、同時にフォトレジ
ストの表面をオゾンに、またはオゾンおよびＵＶにさら
すことによって、′Ａ＃を伺進できることが認識されて
いる。しかしながら、先行技術は３００℃以上、典型的
には２６０℃以上の支持体温度の使用を開示していない
。高い温度が従来使用されてきていない理由は、高い温
度を先行技術の′Ａ雛待時間匹敵する時間で使用すると
。

デバイスの損傷、例えば、敷積回路の層間の拡散に導く
という信念にあるものと信じられる。

木発す１によれば、３００℃より有意に高い加熱を短蒔
間だけ実施するならば、支持体をこのような高い温度に
さらすことができるということが認識された。これを達
成するために、２ｍｍ以下の厚ざの幅の狭いギャップを
フォトレジストに隣接して形成する手段を、；シけ、ギ
ヤ、プ内において２〜６００ｃｍ／ｓｅｅの範囲内の流
速を生ずるために上のな流速で酸化性流体をこのような
ギャップに供給し、そして３００℃以上の支持体温度を
利用すると、フォトレジストはこのような適当に短い時
間で！Ａ＃；、される。それゆえ、本発明を実施するこ
とにより、非常に短い剥離時間が達成され、そして剥離
が困難なフォトレジスト、例えば、イオン移植されたフ
ォトレジストを商業的に許容されうる時間内で、すなわ
ち、５分より短い時間内で、より典型的には１〜３分以
内に時間で剥離される。

本発明の好ましい実施ｊン様において、幅の狭いギャッ
プは石英板をフォトレジストより上の短い距雛で配置す
ることによってつくられる。紫外輻射を追加的に使用す
る場合、石英板により拘東される酸化性波体の薄い層は
紫外輻射の吸収を最小にし、そしてフォトレジストから
ある距）で位置することのできる高い放射照度の紫外源
の使用を１１丁能とする。

本発明の実施において、酸化性流体として使用されるオ
ゾンと、ｊ００℃を越える支持体温度で幅の狭いギャッ
プを通る高い速度のオゾンとの組み合わせは、同様な方
法で従来得られたよりも速い′Ａ＃時間を生ずる。それ
以上の向上を得ることができ、ここでフォトレジストは
３００ｎｍ以ドの有意のスペクトル成分を有する紫外輻
射で追加的に照射される。さらに、３００℃以上の支持
体の加熱と同時の約８００ミリワツト／ｃｍ２以上の放
射照度の紫外輻射の照射との組み合わせは、前述の幅の
狭いギャップの不存在下においてさえ、剥離速度を改良
する。

こうして、本発明の目的はフォトレジストを急速に２Ｉ
Ｉｇ＆する方法および装置を提供することである。

本発明の他の目的は、剥離が困難であるフォトレジスト
、例えば、イオン移植されたフォトレジストの剥離にと
くに有効である方法および装置を提供することである。

本発明のなお他の目的は、酸化性流体を用いた剥離技術
を使用するがその付随する利点をもって、先行技術によ
り提供されたこの技術を用いるより急速な剥離を提供す
ることである。

本発明のなお他の目的は、フォトレジストから間隔を置
いて配置しなくてはならない高い放射照度の集束された
紫外線源を用いる！Ａ敲技術を利用することである。

添付図面を参照しながら、本発明をさらに説明する。

第１図を参照すると、剥離すべきフォトレジスト６は、
支持体、例えば、シリコンのウェーファー上に被覆され
ており、モしてウェーファーはチャック２上に配置され
ている。

この実施態様において、オゾンは酸化性流体として使用
され、そして、オゾンを発生させるために、純粋な酸素
がオゾン発生器１８へ供給される。このオゾン発生器１
８は無声放電型であることができる０例えば、グリッツ
イン・テクニークスｌＩＤ−ボレーション（Ｇｒｉｆｆ
ｉｎ　　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ　　Ｃｏｒｐ、）のＴＣ
０，５Ｃオゾン発生器は適当である。

オゾンは、導管１０からギャップスペース要素２０中の
開口から、フォトレジスト６のすぐ上のＩＫ域へ供給さ
れる。ギャップスペース要素２０を使用してフォトレジ
ストより上に幅の狭いギャップをつくり、そこを通して
オゾンを薄い層で流す。好ましい実施ＩＥ様において、
要素２０は石英のモらな板である。この板はオゾンへの
暴露のとき劣化せずかつオゾンを過度に速く分解させな
い材料から構成しなくてはならない。石英以外の材ネ゛
（は、それがにの特性を有するかぎり、使用することが
回走であろう。

板２０はフォトレジストから２ｍｍ以ドの間隔で位置し
、多くのフォトレジストにとって好ましい間隔は約０．
５ｍｍである。板は汗通の取り付けＬ段、例えば、適ち
なスペーサー、によりフォトレジストから正しい距殖に
あるように取り付けられ、そして好ましくは板およびチ
ャックは円形のディスクの形状であって、２ｑ離される
半導体のウェーファーの形状と適合するようにする。

本発明によれば、オゾンはフォトレジストと板との間の
幅の狭いギャップへ、２〜６００ｃｍ／ＳｅＣの範囲内
に入るギャップ中の流速を生じさせるためにト分な流速
で供給される。幅の狭いギャップはこのような高い速度
を達成を促進する。第１図の実施態様において、中央の
単一の流体開口を有するギャップスペース要素が使用さ
れており、２〜５標準立方フイ一ト／時間（ＳＣＦＨ）
ｃ／）流速は２〜６０００ｍ／ｓｅｃの速度を生じさせ
る。速度は剥離されるフォトレジストの外側で約２０ｃ
ｍ／ｓｅｅである。外側のオゾンはに〈流れるばかりで
なく、かつまた中心＋１近よりも汚染されており、そし
て他の実施態様、例えば、第５図の実施態様を使用する
とき、汚染されず、オゾンは外側付近に供給され、そし
てそこでオゾンは遅い速度であることができる。好まし
い実施態様において、酸素中の４％の濃度でオゾンを使
用する。

酸化性流体は排気供給導管３２および３４によりフォト
レジストより上の区′域から抜出され、それらの導管は
中和装置に導かれるか、あるいは。

例えば、煙突により、大気へ排出される。

チャック２は中空であり、そして良好な熱の導体、例え
ば、アルミニウムから構成される。電気抵抗のヒーター
２４はチャックの内側に位置し、そしてオゾンへの暴露
前にウェーファーを予熱するように配置されている０本
発明によれば、支持体は３００℃以上、好ましくは３０
０℃より右、ａに高い温度に加熱されて急速な剥離を達
成する。

幅の狭いギャップを通る高速な流れは、フォトレジスト
を連続的に新しいオゾンへ暴露し、こうしてオゾンの再
結合のような！ｊｅｇを最小にする。

好ましい実施態様において、オゾンを酸化性流体として
使用し、他の既知の酸化性流体を使用することができる
。より活性な酸化性流体を使用すると、３００℃以ドの
温度は好適な結果を提供するであろうと信じられ、そし
て加熱を省略することが可能である。また、４％以上の
オゾン濃度では、加熱をより少なくすることができる。

幅の狭いギャップ中の過度の流速はフォトレジストを冷
却することがあり、これは２ＩＩｓを阻害し、みして流
速の北限は使用するフォトレジストならびに他のプロセ
スの変数に依存する。

第２図を参照すると、本発明の他の実施ｊＥ様が示され
ており、ここで同様な数字は第１図に示されているもの
に同一の部分を表示する。第２図の実施態様は、フォト
レジストが３００ｎｍよす低い有意のスペルトル成分を
有する紫外輻射で照射され、同時にオゾンおよび熱にさ
らされている以外、第１図と同一である。ＵＶへの暴露
は、ことに２ｍｍに到達するより広いギャップ幅で、剥
離時間を向上させうる。

第２図において、照射は源３０により提供され、そして
この源により提供される放射照度は少なくとも８００ワ
ット／ｃｍ２でるべきである。

本発明に従う薄いオゾン層の使用は、紫外線の吸収を最
小にし、そして、機械的理由によりフォトレジストから
分離しなくてはならない、高い動力の、集束された無電
極源の使用を可ず侶とし、その結果、フォトレジストを
前記源の焦点面中に配置して所望の放射照度を得ること
ができる。典型的には、マイクロ波を動力とする無電極
光源を使用して必要な放射照度が得られるであろう。

とくに性能がすぐれることがわかった光源は、Ｍ１５０
ＰＣ型イラジエイター（Ｉｒｒａｄｉａｔｏｒ）［フュ
ージョン尋システムスーコーボレーシゴン（Ｆｕｓｉｏ
ｎ　　Ｓｙｓｔｅｍｓ　　Ｃ。

ｒｐ、）製］である。この源は球形の電球およびセグメ
ント化されたりフレフタ−を使用し、１９８５年３　Ｊ
−Ｊ　Ｉ　Ｄ提出の同時継続出願第７０７゜１５９号に
記載される原理を利用して、ウェーファー上に実質的に
均一な照射を与える。さらに、本発明にとって、メツシ
ュ３０より下に位置しかつ垂直から外側に向かって５°
で傾斜した、反射材料の保持リングは均一性をなお増加
することができることが発見された。

紫外線源に好ましいスペクトルは第１１図に示されてお
り、そして３００ｎｍ以ドの有意なスペクトル成分が存
在することが認められる。３００ｎｍ以ドの短いＵＶ波
長を含む他の特定のスペクトルも有利に作用するが、例
示したスペクトルはとくに良好に作用することがわかっ
た。

第１図および第２図の実施ＩＥ様では、剥離を実施した
後、チャックを急速に冷却して、ウェーファーを出来る
だけ短い時間高温に維持してウェーファーへの損傷を回
避し、かつ引き続くウェーファーの移送作業を促進する
ことが望ましい。冷却を達成する１つの方法は、チャッ
ク内の波路（図示せず）に冷却液、例えば、脱イオン木
を通過させることである。これは連続の波路であり、そ
して第１図において、冷却液は導管１４を経て供給され
、そして導管１６を経て排出される、冷却は伝導により
、そしてチャックが良好な導体から構成されているので
、急速に達成される。

本発明の実施において、ウェーファーを３００℃以−Ｌ
、可詣ならば３５０℃以上の温度に加熱する。ＵＶ輻射
を利用する実施態様において、源の紫外線の放射照度を
８００ミリワット／Ｃｍ２、有意に高く２ワツ）　／　
ｃ　ｍ　２以上まで増加すると、剥離時間を減少させる
ことができ、こうして装置を損傷せずに、より高い支持
体温度の使用が可使となる。支持体温度の上限は、高温
で再結合するオゾンの化学的特性によりつくられる。

次に実施例により、本発明の実施方法を説明する。実施
例において、第１図および第２図の装置を使用した。

実施例■ イオン移植されかつＵＶベーキングされた、厚さ１．５
ミクロンノシプレイ（Ｓｈｉｐｌｅｙ）１４００シリー
ズ（Ｓｅｒｉｅｓ）７＊トレジストを剥離した。

このウェーファーを３３０℃に加熱し、そしてこのウェ
ーファーは′Ａ離の間に３３１℃のピーク温度に到達し
た。酸素中に４％のオゾンを含有する気体混合物を、フ
ォトレジストより上の０．５ｍｍの幅の狭いギャップへ
４３ＣＦＨの流速で供給した。

フォトレジストは、直径１０．１６ｃｍ（４インチ）に
わたって３分で９８％で２ｑＳされた。

実施例■ 高度にイオン移植された、厚さ１．５ミクロンのシブレ
イ（Ｓｈｉｐｌｅｙ）１４００シリーズ（Ｓ　ｅ　ｔ　
ｉ　ｅ　ｓ）フォトレジストを剥離した。

このウェーファーを３２０°Ｃに予熱した。酸素中に３
％〜４％のオゾンを含有する気体混合物をフォトレジス
トより−Ｌの２ｍｍ以下の幅の狭いギャップへ３〜４Ｓ
ＣＦＨの流速で供給し、そしてフォトレジストを紫外輻
射（２００〜４２０ｎｍ）にほぼ１４５０ミリワット／
Ｃｍ２の放射間１１度で暴露した。

フォトレジストは２．５分で完全に剥離された。

実施例ｍ 厚さ１ミクロンのＰＭＭＡを堅くベーキングした。

このウェーファーを３２０℃に予熱した。酸素中に３％
〜４％のオゾンを含有する気体混合物を、フォトレジス
トより−Ｌの２ｍｍ以Ｆの幅の狭いギャップへ３〜４３
ＣＦＨの流速で供給し、そしてフォトレジストを紫外輻
射にほぼ１４５０ミリワット／Ｃｍ２の放射照度で暴露
した。

フォトレジストは３０〜４５秒で完全に２′ｑｓされた
。

実際のプロセスラインにおいて１本発明の実施は自動化
されるであろうことを認識すべきである。こうして、２
ｑ＃すべきウェーファーはチャックへ自動的に移送され
、ここで前もって決定した温度に加熱されかつ酸化性流
体へ暴露されるであろう。

さらに、第１図に図解する実施態様は中央に位置する巾
−の供給「１または開口を有する石英板２０を示すが、
他の配置は可能であり、そしていっそう望ましいことが
ある。

これに関して、均一な流速を有し、化学反応により生成
する構成成分、例えば、二酸化炭素および水蒸気で汚染
されない、均一な厚さの酸化性流体の層を準備すること
が望ましい。

こうして、第２図の実施ｊｉ様において、オゾン層は石
英板の中心から周辺に流れるとき希ｆｂになる傾向があ
り、　・方流速はより低くなりかつオゾンは二酸化炭素
および水蒸気で汚染されるようになる傾向がある。

第３図を参照すると、石英板４０が複数の「１または開
目４２．４４．４６および４８を有する実に態様が示さ
れている。この配置はより均一な厚さのオゾン層をより
均一な流速で形成し、酸化性流体の全体の汚染および局
所的な汚染は少ない。

しかしながら、例えば、第３図中の参照数字５０で示す
区域に、口の間のナル区域（Ｈｕｌｌ　　ａｒｅａ）が
存在することがある。

これらのナル区域は、フォトレジストを回転させること
によって有意な程度に補整することができる。第４図に
、チャック５６がモーター５８により回転される実施態
様が示されている。このような実施態様において、スリ
ップジヨイントを設けて流体を回転させながら移送し、
一方スリップリングは電流を移送するであろう。

第５図には、へりで供給される実施態様が示されており
、ここで石英板６０は長方形であり、そして酸化性流体
はそらせ板７０の内側に導管６８により供給され、この
導管６８は板６０のヘリに沿って存在する。導管６８は
この紙の上面の中に伸びており、そしてこの導管に沿っ
て長さ方向の開「】を含む、酸化性流体はこの導管へ供
給され、そしてその中の開口を通して石英板６０とウェ
ーファー６２上のフォトレジストとの間のギャップへ供
給される。

第５図のへりの流れの実施７１％様における酸化性流体
の密度および流速は非常に均一になる傾向があるが、流
体はそれが横切る距離が比較的大きいために汚染される
傾向がある。

これはフォトレジストを回転させることにより補整する
ことができ、そして第６図はチャック６４°を回転させ
るモーター７２を示す。

第７図および第８図において、酸化性波体を供給するた
めにモ行な石英導管を利用する実施ｊム様が示されてい
る。こうして、流体の導管８０および８２は石英板７４
と一体的に形成されているように描かれており、−方流
体流は第７図において矢印で示されている。

第９図には他の実施態様が示されており、ここで石英板
と一体的に形成された交互する石英の導管は流体を供給
し、一方交互する導管の間の導管は石英板とフォトレジ
ストとの間の区域から流体を排出する。はんの短い距離
だけを移動した後の流体の排出は、汚染を比較的低くす
る。

ナルの可能性ならびに石英導管により生ずるシャドウ（
ｓｈａｄｏｗｉｎｇ）を回避するために、第７図、第８
図および第９図の実施態様におけるフォトレジストを回
転させることが望ましいであろう。

＋ｉｒｉ述の実施態様においてチャックを回転させる代
わりに、チャックを振動させることによって同様な結果
を得ることができることが認められる。

第１Ｏ図を参照すると、他の実施態様が示されており、
ここで流体拘束部材１０２はテーパーを有して入［１の
速度を減少させかつ外側に向かう速度を増加させ、こう
して流体の希ｆＭおよび汚染に対抗している。

フォトレジストの急速な剥離を達成する装置および方Ｕ
：を記載した。

未発１９１はオゾンを含有する気体の雰囲気を使用する
ことに関連して開示されたが、オゾン以外の酸化性流体
を使用することがＩＩｆ能であり、そして特許請求の範
囲における用語「酸化性流体」はオゾン、酸素、塩素、
フッ素、ヨウ素および過酸化水素を包含する物質を含む
ものと理解すべきである。

また、前述のように、用品「紫外輻射」および「紫外線
」は２００〜４２０ｎｍにおける輻射を意味するものと
理解すべきである。

本発明はフォトレジストの剥蕩に関連して記載されたが
、　一般に有機物質の除去において使用することができ
る。

さらに、未発ＩＪＩは例示的および々ｒましい実ｋｆＬ
様に関連して記載されたが、本発明の範囲内に変更は当
業者にとて明らかであり、そして未発榎１は特許＋？１
１求の範囲およびその量子なものによってのみ限定され
るものと理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１つの実施態様の略図である。 第２図は１本発明の他の実施態様の略図であ第３図およ
び第４図は、複数の口または開１］を有するギャップス
ペース要素を利用する未発ＩＪ＋の実施態様を示す 第５図および第６図は、板のへりから酸化性流体を供給
されるギャップスペース要素を利用する本発明の実施７
ｇ様を示す。 第７図および第８図は、酸化性流体をそれらと関連させ
て供給する複数のモ行な導管を有するギャップスペース
要素を利用する、本発明の実施態様を示す。 第９図は、導管をそれと関連して有するギャップスペー
ス要素を利用する実施態様を示し、ここで交互の導管は
酸化性流体を供給し、そして交互の導管の間の導管は酸
化性流体を排出する。 第１Ｏ図は、テーパーをもつギャップスペース要素を利
用する本発明の実施態様を示す。 第１１図は、光源が使用できる好ましい紫外線のスペル
トルの表示である。 ２　　チャック ２′　チャック ６　　フォトレジスト ｔｏ　　　Ｊ管 １０’　　導管 １４　　導管 １４’　　導管 １６　　導管 １６′　導管 １８　　オゾン発生器 １８’　　オゾン発生器 ２０　　ギャップスペース要素、石英板２０°　ギャッ
プスペース要素、石英板２４　　ヒーター ３０源 ３２　　排気供給導管 ３２”　排気供給導管 ３４　　排気供給導管 ３４°　排気供給導管 ４０　　石英板 ４２　　開口 ４４　　開口 ４６　　開口 ４８　　開口 ５０　　ナル区域 ５６　　チャック ５８　　モーター ６０　　石英板 ６０゛　石英板 ６２　　ウェーファー ６２°　ウェーファー ６４　　チャック ６４°　チャック ６８　　導管 ６８°　導管 ７０　　そらせ板 ７２　　モーター ７０°　そらせ板 ７４　　石英板 ８０　　導管 ８２　　導管 １０２　　　流体拘束部材 ４’？、ｉＨＩ［人　　フュージョン・システムズ番コ
ーポレーション 代　理　人　弁理士　小Ｉｎ島　平　吉ＦＩＧ、３ ＦＩｏ　７　　　　　　　　　　　ＦＩＧ、　８７′°
メト／πｍ 手続補正言動式） ％式％ １、事件の表示 昭和６１午特許願第１６９Ｇ５８号 ２、発明の名称 フォトレノストの剥離装置 ３、Ｍ正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 名　称　７ユージヨン譬システムズ・ コーポレーション ４、代理人　〒１０７ ５、補正命令の日付　　　　な　　し ６、補正の対象 願書の特許出願人の欄、委任状及びその訳文並びに図面 ７、補正の内容 別紙のとおり 図面の浄書（内容に変更なし）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フォトレジスト層をその上に配置して有する異なる
   物質から構成された支持体からフォトレジスト層を迅速
   に剥離する装置であって、 前記フォトレジスト層から間隔を置いて位置する表面に
   より境界をつけられた、２ｍｍ以下の幅の狭いギャップ
   を前記フォトレジスト層に隣接してつくる手段、および 前記幅の狭いギャップへ酸化性流体を供給し、これによ
   り前記幅の狭いギャップ内で前記フォトレジストを過ぎ
   る酸化性流体の流れをつくる手段、 からなることを特徴とする装置。 ２、前記フォトレジストは剥離を実施するために必要な
   ほんの短い時間だけ３００℃以上の温度に加熱される特
   許請求の範囲第１項記載の装置。 ３、前記酸化性流体は２〜６００ｃｍ／ｓｅｃの範囲内
   の流速を前記幅の狭いギャップ内で獲得する特許請求の
   範囲第２項記載の装置。 ４、前記流速は２０〜５００ｃｍ／ｓｅｃの範囲内であ
   る特許請求の範囲第３項記載の装置。 ５、前記酸化性流体はオゾンを含有する気体の媒質であ
   る特許請求の範囲第４項記載の装置。 ６、フォトレジスト層を少なくとも８００ミリワット／
   ｃｍ＾２の放射照度の紫外輻射に暴露する手段をさらに
   含み、前記暴露の間前記フォトレジストは加熱されかつ
   前記酸化性流体は前記フォトレジスト層の上を移送され
   る特許請求の範囲第５項記載の装置。 ７、前記幅の狭いギャップは０．６ｍｍより小さい特許
   請求の範囲第１項記載の装置。 ８、幅の狭いギャップをつくる前記手段は、フォトレジ
   ストに隣接し、中央の単一の流体供給開口を有する板で
   ある特許請求の範囲第２項記載の装置。 ９、幅の狭いギャップをつくる前記手段は複数の開口を
   有する板である特許請求の範囲第２項記載の装置。 １０、幅の狭いギャップをつくる前記手段は平らな表面
   を含み、直線状のへりを有し、そして前記流体は前記平
   らな表面と前記フォトレジストとの間の区域へ前記へり
   に沿って供給される特許請求の範囲第２項記載の装置。 １１、平らな表面が幅の狭いギャップをつくる前記手段
   の一部分であり、および前記平らな表面は複数の平行な
   導管手段を含む特許請求の範囲第２項記載の装置。 １２、前記導管手段の各々は前記導管手段の長さ方向に
   存在する開口を有し、そして交互する導管手段が前記平
   らな表面と前記フォトレジストとの間の空間に前記流体
   を供給する手段を構成し、そして前記交互する導管手段
   の間に位置する導管手段が流体を前記空間から排出する
   手段を構成する特許請求の範囲第１１項記載の装置。 １３、フォトレジストが回転される特許請求の範囲第２
   項記載の装置。 １４、幅の狭いギャップをつくる前記手段はテーパーを
   もつ部材を含み、前記部材は中央付近で広い幅のギャッ
   プをつくりかつ外側付近で狭い幅のギャップをつくる特
   許請求の範囲第３項記載の装置。 １５、フォトレジスト層をその上に配置して有する異な
   る物質から構成された支持体からフォトレジスト層を迅
   速に剥離する装置であって、前記支持体を３００℃以上
   の温度に加熱する手段、 フォトレジスト層を酸化性流体にさらすと同時にそれを
   少なくとも約８００ミリワット／ｃｍ＾２の放射照度の
   紫外輻射に暴露させる手段、および前記支持体の３００
   ℃以上の温度を、前記比較的高い温度と前記比較的高い
   暴露強度の紫外輻射との組み合わせが前記フォトレジス
   トを剥離するに必要な比較的短い時間だけの間維持し、
   これにより過度の加熱による前記支持体の損傷を回避す
   る手段、からなることを特徴とする装置。