JPS62281397A - ハイブリツドｉｃの製造方法 - Google Patents
ハイブリツドｉｃの製造方法Info
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- JPS62281397A JPS62281397A JP12411886A JP12411886A JPS62281397A JP S62281397 A JPS62281397 A JP S62281397A JP 12411886 A JP12411886 A JP 12411886A JP 12411886 A JP12411886 A JP 12411886A JP S62281397 A JPS62281397 A JP S62281397A
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
金あるいは銅を構成材料としてパターン形成したＩＣ基
板上に密着性よくポリイミドを被覆する方法として、ポ
リイミドをＩＣ基板上に被覆してプリベーク処理後に除
去し、再度被覆する工程をとるハ・ｆブリッドＩｃの製
造方法。
板上に密着性よくポリイミドを被覆する方法として、ポ
リイミドをＩＣ基板上に被覆してプリベーク処理後に除
去し、再度被覆する工程をとるハ・ｆブリッドＩｃの製
造方法。
本発明は金あるいは銅を用いて形成されたＩＣ／φター
ン上に密着性よくポリイミドを被覆したハイブリッドＩ
Ｃの製造方法に関する。
ン上に密着性よくポリイミドを被覆したハイブリッドＩ
Ｃの製造方法に関する。
情報処理技術の進歩と共に、半導体ＩＣは単位素子の小
形化と大容量化が進んでいるが、アナログ回路や大電流
が消費されるような回路には薄膜や厚膜からなるハイブ
リッドＩＣが使用さている。
形化と大容量化が進んでいるが、アナログ回路や大電流
が消費されるような回路には薄膜や厚膜からなるハイブ
リッドＩＣが使用さている。
ここで、薄膜ＩＣは電子ビーム蒸着法やスパック法など
の薄膜形成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）
を用いてアルミナなどの絶縁基板上に電子回路をパター
ン形成したものであり、一方厚膜ＴＣは絶縁基板上にス
クリーン印刷法を用いてペースト状の導体、抵抗体、誘
電体などを印刷した後に焼成して電子回路を形成したも
のである。
の薄膜形成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）
を用いてアルミナなどの絶縁基板上に電子回路をパター
ン形成したものであり、一方厚膜ＴＣは絶縁基板上にス
クリーン印刷法を用いてペースト状の導体、抵抗体、誘
電体などを印刷した後に焼成して電子回路を形成したも
のである。
これらのハイブリッドＩＣは機械的保護と耐候性付与の
ため保護被覆が必要であるが、特に薄膜１ｃはパターン
の膜厚が薄いことから長期に互って特性を維持するため
には回路全域上への保護皮膜の形成が必要である。
ため保護被覆が必要であるが、特に薄膜１ｃはパターン
の膜厚が薄いことから長期に互って特性を維持するため
には回路全域上への保護皮膜の形成が必要である。
薄膜ＩＣにおいて、導体パターン幅は数μｍ〜数１０μ
ｍは極めて細いものが使用されるため、できるだけ導体
抵抗を下げることが必要であり、このため金（Ａｕ）や
銅（Ｃｕ）のように抵抗率の低い金属を用いてパターン
形成が行われている。
ｍは極めて細いものが使用されるため、できるだけ導体
抵抗を下げることが必要であり、このため金（Ａｕ）や
銅（Ｃｕ）のように抵抗率の低い金属を用いてパターン
形成が行われている。
また保護皮膜としては耐湿性が優れ、透湿性が少なく、
また基板との密着性の優れた材料が必要である。
また基板との密着性の優れた材料が必要である。
かかる見地から例えばバイブリソｌ−１（Ｊ５板上にエ
ポキシ系樹脂またはシリコーン系樹脂をスクリーン印刷
し、またポリイミド系樹脂をスピンナーなどを用いて塗
布し、熱硬化させて使用することが行われている。
ポキシ系樹脂またはシリコーン系樹脂をスクリーン印刷
し、またポリイミド系樹脂をスピンナーなどを用いて塗
布し、熱硬化させて使用することが行われている。
然し、終端抵抗など発熱素子を含む回路においては、耐
熱性の点からエポキシ樹脂の使用は不適当であり、また
耐薬品性の点からシリコーン系樹脂の使用は不適当であ
る。
熱性の点からエポキシ樹脂の使用は不適当であり、また
耐薬品性の点からシリコーン系樹脂の使用は不適当であ
る。
またスクリーン印刷にてエポキシ系またはシリコーン系
の樹脂を印刷する場合、基板に設けたポンディングパッ
ドあるいは電極端子に熱圧着法によりリード線あるいは
リード端子を接着する際に、接着面に残存するエポキシ
樹脂が原因して良い接着強度が得られないと云う問題が
ある。
の樹脂を印刷する場合、基板に設けたポンディングパッ
ドあるいは電極端子に熱圧着法によりリード線あるいは
リード端子を接着する際に、接着面に残存するエポキシ
樹脂が原因して良い接着強度が得られないと云う問題が
ある。
そのために、熱分解温度が４００℃以上と高く、また熱
圧着においても高い接着強度を示すポリイミド樹脂の使
用が賞揚されている。
圧着においても高い接着強度を示すポリイミド樹脂の使
用が賞揚されている。
然し、ポリイミド樹脂（以下略してポリイミド）の接着
性はアルミニウム（ｉ）やクロー１、（Ｃｒ）のような
金属に対しては優れているもの＼、ＡｕやＣｕに対して
は不良であり、またカップリング剤を塗布しても接着性
はそれほど向上させることはできない。
性はアルミニウム（ｉ）やクロー１、（Ｃｒ）のような
金属に対しては優れているもの＼、ＡｕやＣｕに対して
は不良であり、またカップリング剤を塗布しても接着性
はそれほど向上させることはできない。
そこで、従来はＡｕやＣｕパターンの上にＣｒ膜等を被
覆する二層構造をとり、この上に溶剤により粘度調節し
たポリイミドを塗布して焼成する工程がとられていた。
覆する二層構造をとり、この上に溶剤により粘度調節し
たポリイミドを塗布して焼成する工程がとられていた。
然し、かかる二層構造をとる工程は煩雑であり、Ｂ華な
処理で苫着性よくポリイミドを被覆する方法の実用化が
望まれていた。
処理で苫着性よくポリイミドを被覆する方法の実用化が
望まれていた。
以上記したように？＆ Ｉｌｌパターンを形成した薄膜
ハイブリッドＩＣの導体材料として抵抗率の小さいＣｕ
やＡｕが使用されるが、これと絶縁被覆を行うポリイミ
ドとは接着性が良くない。
ハイブリッドＩＣの導体材料として抵抗率の小さいＣｕ
やＡｕが使用されるが、これと絶縁被覆を行うポリイミ
ドとは接着性が良くない。
そこで、筒車な方法で良い接着性を得る方法を見出すこ
とが課題である。
とが課題である。
上記の問題は耐熱性絶縁基板上に形成した薄膜ハイブリ
ッドＩＣにおいて、金あるいは洞を構成材料としてパタ
ーン形成した電極を含むＩＣ回路上にポリイミド膜を被
覆する際に、ポリイミドをＩＣ基板の全域に亙って被覆
し、プリベーク処理後に除去し、再度被覆してパターン
形成するハイブリッドＩＣの製造方法により解決するこ
とができる。
ッドＩＣにおいて、金あるいは洞を構成材料としてパタ
ーン形成した電極を含むＩＣ回路上にポリイミド膜を被
覆する際に、ポリイミドをＩＣ基板の全域に亙って被覆
し、プリベーク処理後に除去し、再度被覆してパターン
形成するハイブリッドＩＣの製造方法により解決するこ
とができる。
ポリイミドの接着性には選択性があり、Ａ！。
Ｃｒなどの金属には優れた密着性を示すが、Ａｕ、（：
ｕなどの金属に対しては密着性が劣る。
ｕなどの金属に対しては密着性が劣る。
この理由は未だ明らかにされていないが、優れた接着強
度を示す金属が何れも不動態金属であることからポリイ
ミドと接着金属とが０−０ ＜酸素−酸素）結合をもつ
ことが良い接着性を保つ条件と考えられている。
度を示す金属が何れも不動態金属であることからポリイ
ミドと接着金属とが０−０ ＜酸素−酸素）結合をもつ
ことが良い接着性を保つ条件と考えられている。
発明者はこの条件には必ずしも合致しないが、偶然の機
会から、ポリイミドをＡｕｇ着膜が形成されているアル
ミナ基板上に塗布し、１００°Ｃ未満の温度でプリベー
クした後に除去し、再び塗布して被覆すると優れた接着
性を示すことを発見した。
会から、ポリイミドをＡｕｇ着膜が形成されているアル
ミナ基板上に塗布し、１００°Ｃ未満の温度でプリベー
クした後に除去し、再び塗布して被覆すると優れた接着
性を示すことを発見した。
この理由は明確ではないが、ヒドラジンなどの溶剤を用
いてポリイミド皮膜を除去する際に、ポリイミド分子が
化学吸着された状態で付着しており、このポリイミド分
子と後で塗布したポリイミドとがＯ−Ｏ結合することに
より高い接着性を示すと思われる。
いてポリイミド皮膜を除去する際に、ポリイミド分子が
化学吸着された状態で付着しており、このポリイミド分
子と後で塗布したポリイミドとがＯ−Ｏ結合することに
より高い接着性を示すと思われる。
終端抵抗の被覆に本発明を使用した場合について説明す
る。
る。
図は本発明を適用した終端抵抗用ハイブリッドｌＣの断
面図で、純度９９．５％のアルミナ基板１の上に高周波
スパック法を用いて約７００ 人の厚さに窒化タンタル
（ＴａｚＮ）抵抗膜２を形成した後、この上に同様に高
周波スパッタ法を用いて約２００人の厚さのニクロム（
Ｎｉ Ｃｒ）膜３と約１μｍの厚さのＡｕ膜４とを形成
し、写真蝕刻技術とプラズマエツチング技術を用いてＡ
ｕ膜４とＮｉ Ｃｒ膜３とを選択エツチングして電極部
を形成した。
面図で、純度９９．５％のアルミナ基板１の上に高周波
スパック法を用いて約７００ 人の厚さに窒化タンタル
（ＴａｚＮ）抵抗膜２を形成した後、この上に同様に高
周波スパッタ法を用いて約２００人の厚さのニクロム（
Ｎｉ Ｃｒ）膜３と約１μｍの厚さのＡｕ膜４とを形成
し、写真蝕刻技術とプラズマエツチング技術を用いてＡ
ｕ膜４とＮｉ Ｃｒ膜３とを選択エツチングして電極部
を形成した。
かかる基板上に溶剤としてＮ−メチル−２ピロリドンを
用いて粘度を調節したポリイミドを全面に互ってスクリ
ーン印刷し、９０〜９５°Ｃの温度で１０分間に互って
プリベーク処理した。
用いて粘度を調節したポリイミドを全面に互ってスクリ
ーン印刷し、９０〜９５°Ｃの温度で１０分間に互って
プリベーク処理した。
次に、ヒドラジンに浸潤してポリイミド膜を総て溶解除
去し、乾燥後に再びポリイミドを１０μｍの厚さに塗布
し、先と同様に９０〜９５゛Ｃの温度で１０分間に互っ
てプレベークした。
去し、乾燥後に再びポリイミドを１０μｍの厚さに塗布
し、先と同様に９０〜９５゛Ｃの温度で１０分間に互っ
てプレベークした。
次に、３００°Ｃで３０分に互って加熱して硬化させた
後、写真蝕刻技術を用いて電用部の一部を含む終端抵抗
部にポリイミド層５を残した。
後、写真蝕刻技術を用いて電用部の一部を含む終端抵抗
部にポリイミド層５を残した。
次に、Ａｕ膜４からなる電極部にリードピン６を熱圧着
して終端抵抗が完成した。
して終端抵抗が完成した。
このようにしてポリイミド層５を形成すると電極部を構
成するＡｕ膜４とポリイミド層５とは強固な接着が得ら
れ、これにより信頼性の優れた終端抵抗を作ることがで
きる。
成するＡｕ膜４とポリイミド層５とは強固な接着が得ら
れ、これにより信頼性の優れた終端抵抗を作ることがで
きる。
なお、電極部をＡｕ膜４の代わりにＣｕ膜を用いて形成
した場合も全く同様な結果を得ることができた。
した場合も全く同様な結果を得ることができた。
以上記したように本発明の実施よりＡｕ膜やＣｕ膜につ
いてもポリイミド層との間に強固な接着が得られるので
、従来のように二層構造をとる必要がなくなり、これに
より工数の削減とコストの低減が可能となる。
いてもポリイミド層との間に強固な接着が得られるので
、従来のように二層構造をとる必要がなくなり、これに
より工数の削減とコストの低減が可能となる。
図は本発明を適用した終端抵抗用ハイブリッドＩＣの断
面図である。 図においで、 ２はＴａｚＮ抵抗膜、 ３はＮｉ Ｃｒ膜、４
はＡｕ膜、 ５はポリイミド層、であ
る。
面図である。 図においで、 ２はＴａｚＮ抵抗膜、 ３はＮｉ Ｃｒ膜、４
はＡｕ膜、 ５はポリイミド層、であ
る。
Claims (1)
- 耐熱性絶縁基板上に形成した薄膜ハイブリッドＩＣに
おいて、金あるいは銅を構成材料としてパターン形成し
た電極を含むＩＣ回路上にポリイミド膜を被覆する際に
、ポリイミドをＩＣ基板の全域に亙って被覆し、プリベ
ーク処理後に除去し、再度被覆してパターン形成するこ
とを特徴とするハイブリッドＩＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12411886A JPS62281397A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | ハイブリツドｉｃの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12411886A JPS62281397A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | ハイブリツドｉｃの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281397A true JPS62281397A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14877368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12411886A Pending JPS62281397A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | ハイブリツドｉｃの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281397A (ja) |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP12411886A patent/JPS62281397A/ja active Pending
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