JPS62280357A - 電子ビ−ム蒸発イオンプレ−テイングとその装置 - Google Patents
電子ビ−ム蒸発イオンプレ−テイングとその装置Info
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- JPS62280357A JPS62280357A JP12309986A JP12309986A JPS62280357A JP S62280357 A JPS62280357 A JP S62280357A JP 12309986 A JP12309986 A JP 12309986A JP 12309986 A JP12309986 A JP 12309986A JP S62280357 A JPS62280357 A JP S62280357A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(技術分野)
この発明は、金属、セラミックス、有機ポリマー等の蒸
発源物質の蒸発法に関するものである。
発源物質の蒸発法に関するものである。
ざらに詳しくは、ホロカソードまたはプラズマガンとと
もに電子ビームをこれら物質に照射して蒸発を行う電子
ビーム蒸発イオンプレーティングに関する。
もに電子ビームをこれら物質に照射して蒸発を行う電子
ビーム蒸発イオンプレーティングに関する。
(背景技術)
様々な形状と材質からなる物品の表面に、金属、合金、
無機物、カーボン、あるいは有機ポリマーなとの薄膜を
形成したものは、装飾、絶縁膜、保護膜、光学部品、電
子部品、半導体などの多様な分野への応用が期待されて
いるもので、すでに実用化されているものも少くない。
無機物、カーボン、あるいは有機ポリマーなとの薄膜を
形成したものは、装飾、絶縁膜、保護膜、光学部品、電
子部品、半導体などの多様な分野への応用が期待されて
いるもので、すでに実用化されているものも少くない。
このような薄膜を形成するための方法、装置としては、
真空蒸発装置内に置いた蒸発源からの蒸発粒子をグロー
放電によってイオン化して行う、イオンプレーティング
技術が知られている。
真空蒸発装置内に置いた蒸発源からの蒸発粒子をグロー
放電によってイオン化して行う、イオンプレーティング
技術が知られている。
このイオンプレーティングにはホロカソード型のものと
、高周波励起型のものとがあることも知られている。
、高周波励起型のものとがあることも知られている。
これらのイオンプレーティング法は、薄膜の形成技術と
しては浸れたものではめるが、生産効率、薄膜の性能の
両面において依然として多くの問題が未解決の状態にあ
る。
しては浸れたものではめるが、生産効率、薄膜の性能の
両面において依然として多くの問題が未解決の状態にあ
る。
また最近、圧力勾配型のプラズマガンを用いたイオンプ
レーティングも提案されているが、この方法についても
、実用技術としては改善すべき点が多い。
レーティングも提案されているが、この方法についても
、実用技術としては改善すべき点が多い。
特に、これまでのイオンプレーティング技術のうち、蒸
発粒子のイオン化率が高く、生産効率の面で優れている
といわれているホロカン−トイオンプレーティング、ま
た、これと類似していると考えられる圧力勾配型プラズ
マガンを用いてのイオンプレーティングには、プラズマ
の安定性に欠け、蒸発源物質の蒸発速度の制御が容易で
なく、このため、薄膜の性能の均一性を確実なものとす
ることが難しいという問題がおった。
発粒子のイオン化率が高く、生産効率の面で優れている
といわれているホロカン−トイオンプレーティング、ま
た、これと類似していると考えられる圧力勾配型プラズ
マガンを用いてのイオンプレーティングには、プラズマ
の安定性に欠け、蒸発源物質の蒸発速度の制御が容易で
なく、このため、薄膜の性能の均一性を確実なものとす
ることが難しいという問題がおった。
また、近年の薄膜形成技術の発展とあいまって、薄膜の
種類やその性能へのニーズは高まっているが、従来のイ
オンプレーティング技術においては、薄膜材料として関
心の高いプラスチック、セラミックスなどの絶縁性物質
の薄膜を形成することが容易ではなかった。
種類やその性能へのニーズは高まっているが、従来のイ
オンプレーティング技術においては、薄膜材料として関
心の高いプラスチック、セラミックスなどの絶縁性物質
の薄膜を形成することが容易ではなかった。
これまでのイオンプレーティングでは、蒸発源物質の蒸
発に抵抗加熱や高周波誘導加熱の手段を用いたものか多
いが、これら手段の場合には蒸発速度の制御が困難であ
り、この問題を解決するために、ホロカソードプラズマ
ガン、あるいは圧力勾配型プラズマガンのように、アル
ゴン(ハr)などの不活性ガスをイオン化し、このイオ
ン粒子を蒸発源物質に照射して、蒸発物質の蒸発とイオ
ン化を行っていた。
発に抵抗加熱や高周波誘導加熱の手段を用いたものか多
いが、これら手段の場合には蒸発速度の制御が困難であ
り、この問題を解決するために、ホロカソードプラズマ
ガン、あるいは圧力勾配型プラズマガンのように、アル
ゴン(ハr)などの不活性ガスをイオン化し、このイオ
ン粒子を蒸発源物質に照射して、蒸発物質の蒸発とイオ
ン化を行っていた。
しかしながら、このような手段は、蒸発源物質として絶
縁性物質を用いる場合には、アルゴン等のプラズマイオ
ンが絶縁物表面にチャージアップされてしまうために、
蒸発が困難でおった。
縁性物質を用いる場合には、アルゴン等のプラズマイオ
ンが絶縁物表面にチャージアップされてしまうために、
蒸発が困難でおった。
このため、抵抗、加熱等の外部手段を設けtことしても
、優れた性能の薄膜を均一に形成するだめの必須の条件
である蒸発速度の均一制御はできなかった。
、優れた性能の薄膜を均一に形成するだめの必須の条件
である蒸発速度の均一制御はできなかった。
(発明の目的)
この発明は、以上のような事情を鑑みてなされたもので
あり、近年、そのニーズが高まっている絶縁物簿膜の形
成を含めた、優れた性能のa膜を均一に、かつ効率的に
形成するためのイオンプレーティングとそのための装置
を提供することを目的としている。
あり、近年、そのニーズが高まっている絶縁物簿膜の形
成を含めた、優れた性能のa膜を均一に、かつ効率的に
形成するためのイオンプレーティングとそのための装置
を提供することを目的としている。
さらに詳しくは、蒸発物質の予熱、蒸発速度の制御と、
絶縁物の蒸発をも容易としたイオンプレーティングにお
ける蒸発手段を提供することを目的としている。
絶縁物の蒸発をも容易としたイオンプレーティングにお
ける蒸発手段を提供することを目的としている。
(発明の構成)
この発明の方法は、上記の目的を達成するために、蒸発
粒子をイオン化することによって薄膜を形成するイオン
プレーティングにおいて、蒸発源物質にホロカソードま
たはプラズマガンとともに電子ビームを照射して蒸発を
行うことを特徴としている。またこの発明の装置は、こ
のイオンプレーティングのための電子ビームの照射手段
を設けたことを特徴としている。
粒子をイオン化することによって薄膜を形成するイオン
プレーティングにおいて、蒸発源物質にホロカソードま
たはプラズマガンとともに電子ビームを照射して蒸発を
行うことを特徴としている。またこの発明の装置は、こ
のイオンプレーティングのための電子ビームの照射手段
を設けたことを特徴としている。
添附した図面に沿って、この発明の方法と装置について
説明する。
説明する。
第1図は従来のホロカソードプラズマガンによる蒸発部
を示したものである。また第2図は、これと類似の圧力
勾配型のプラズマガンを用いた蒸発部を示している。こ
れらの方法と装置においては、ベルジャ(1)によって
真空に保った真空雫(2)内に、ハース(3)に保持さ
れた蒸発源物質(4〉に対してアルゴン(△r)、ヘリ
ウム(He ) ’、;;どの不活性ガスのイオン化粒
子(5)を照射するようにホロカソードプラズマガン(
6)または圧力勾配型プラズマガン(7)を設けている
。
を示したものである。また第2図は、これと類似の圧力
勾配型のプラズマガンを用いた蒸発部を示している。こ
れらの方法と装置においては、ベルジャ(1)によって
真空に保った真空雫(2)内に、ハース(3)に保持さ
れた蒸発源物質(4〉に対してアルゴン(△r)、ヘリ
ウム(He ) ’、;;どの不活性ガスのイオン化粒
子(5)を照射するようにホロカソードプラズマガン(
6)または圧力勾配型プラズマガン(7)を設けている
。
これに対して、この発明は、第3図に示しLこように、
電子ビーム発生装置(8)によって生成させた電子ビー
ム(9)を電界もしくは磁界の印haによって偏向ざゼ
で蒸発源物質(4)に照射覆る。
電子ビーム発生装置(8)によって生成させた電子ビー
ム(9)を電界もしくは磁界の印haによって偏向ざゼ
で蒸発源物質(4)に照射覆る。
あるいは第4図に示したように、電子ビーム発生装置(
8)から、電子ピームシAlツーとして蒸発源物質に電
子ビーム(9)を照射する。
8)から、電子ピームシAlツーとして蒸発源物質に電
子ビーム(9)を照射する。
この電子ビームの照射については、格別、通常のイオン
プレーティングの際の条件変更は必要ない。真空゛至内
の圧力(よ10−2〜10’Torr程度とし、アルゴ
ン、ヘリウム、あるいは水素、右機モツマ−1酸素など
の不活性または反応性のガスを導入することができる。
プレーティングの際の条件変更は必要ない。真空゛至内
の圧力(よ10−2〜10’Torr程度とし、アルゴ
ン、ヘリウム、あるいは水素、右機モツマ−1酸素など
の不活性または反応性のガスを導入することができる。
基板には加速電界を加えてもよいし、加えなくてもよい
。
。
電子ビームのパワーは、たとえば1 KW〜数1数量0
間い範囲とすることができる。
間い範囲とすることができる。
ホロカソードプラズマ、圧力勾配型プラズマ、あるいは
ざらに高周波励起プラズマイオンプレーティングもしく
はこれらの複合方法の適宜なものに、この電子ビーム蒸
発法を用いることができることはいうまでもない。
ざらに高周波励起プラズマイオンプレーティングもしく
はこれらの複合方法の適宜なものに、この電子ビーム蒸
発法を用いることができることはいうまでもない。
操作条件は通常の範囲から、薄膜形成材料の種類、装置
の能力に応じて、適宜に定めることができる。
の能力に応じて、適宜に定めることができる。
また、たとえば、絶縁物によるチャージアップをざらに
効果的に防ぐために、被処理物と蒸発源との間にグリッ
ドを置いてもよい。
効果的に防ぐために、被処理物と蒸発源との間にグリッ
ドを置いてもよい。
蒸発源物質としては、金属、合金、セラミックス、金属
化合物、有機プラスチック等の良導性の、おるいは絶縁
性の物質のいずれのものも使用することができる。
化合物、有機プラスチック等の良導性の、おるいは絶縁
性の物質のいずれのものも使用することができる。
(発明の効果)
この発明の方法、装置によって、蒸発物質の蒸発速度の
制御が著しく容易になり、その予熱も可能となる。また
、なによりも、蒸発源物質が絶縁物の場合であっても、
イオンのみによるチャージアップを防ぐことができるの
で、その蒸発を可能とする。
制御が著しく容易になり、その予熱も可能となる。また
、なによりも、蒸発源物質が絶縁物の場合であっても、
イオンのみによるチャージアップを防ぐことができるの
で、その蒸発を可能とする。
このような優れた効果は、電子ビーム蒸発法を併用する
この発明によってはじめて実現することができる。
この発明によってはじめて実現することができる。
第1図および第2図は、従来のイオンプレーティングの
場合の蒸発部を示したものである。 第3図および第4図は、この発明の電子ビーム蒸発の例
を示している。 図中の番号は次のものを示している。 1・・・ベルジャ 2・・・真空室 3・・・ハース 4・・・蒸発源物質 6・・・ホロカソードプラズマガン 7・・・圧力勾配型プラズマガン 8・・・電子ビーム発生装置 9・・・電子ビーム 代理人 弁理士 西 澤 利 夫第 1
図 第2図
場合の蒸発部を示したものである。 第3図および第4図は、この発明の電子ビーム蒸発の例
を示している。 図中の番号は次のものを示している。 1・・・ベルジャ 2・・・真空室 3・・・ハース 4・・・蒸発源物質 6・・・ホロカソードプラズマガン 7・・・圧力勾配型プラズマガン 8・・・電子ビーム発生装置 9・・・電子ビーム 代理人 弁理士 西 澤 利 夫第 1
図 第2図
Claims (2)
- (1)蒸発粒子をイオン化することによって薄膜を形成
するイオンプレーティングにおいて、蒸発源物質にホロ
カソードまたはプラズマガンとともに電子ビームを照射
して蒸発を行うことを特徴とする電子ビーム蒸発イオン
プレーティング。 - (2)ホロカソードまたはプラズマガンとともに、蒸発
源物質の蒸発のための電子ビーム照射手段を真空ベルジ
ャ内に設けたことを特徴とする電子ビーム蒸発イオンプ
レーティング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61123099A JPH0816263B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 電子ビ−ム蒸発イオンプレ−テイングとその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61123099A JPH0816263B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 電子ビ−ム蒸発イオンプレ−テイングとその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62280357A true JPS62280357A (ja) | 1987-12-05 |
JPH0816263B2 JPH0816263B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=14852174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61123099A Expired - Fee Related JPH0816263B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 電子ビ−ム蒸発イオンプレ−テイングとその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0816263B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290865A (ja) * | 1986-06-07 | 1987-12-17 | Kawasaki Steel Corp | イオンプレ−テイング装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5154143U (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-24 | ||
JPS5318615A (en) * | 1976-08-05 | 1978-02-21 | Ulvac Corp | Vacuum evaporation of transition metal carbide by hollow cathod discharge |
JPS6030114A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS6199670A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Jeol Ltd | イオンプレ−テイング装置 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61123099A patent/JPH0816263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5154143U (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-24 | ||
JPS5318615A (en) * | 1976-08-05 | 1978-02-21 | Ulvac Corp | Vacuum evaporation of transition metal carbide by hollow cathod discharge |
JPS6030114A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS6199670A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Jeol Ltd | イオンプレ−テイング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290865A (ja) * | 1986-06-07 | 1987-12-17 | Kawasaki Steel Corp | イオンプレ−テイング装置 |
JPH0258350B2 (ja) * | 1986-06-07 | 1990-12-07 | Kawasaki Steel Co |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0816263B2 (ja) | 1996-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |