JPS62278473A - 半導体電子回路 - Google Patents

半導体電子回路

Info

Publication number
JPS62278473A
JPS62278473A JP61121090A JP12109086A JPS62278473A JP S62278473 A JPS62278473 A JP S62278473A JP 61121090 A JP61121090 A JP 61121090A JP 12109086 A JP12109086 A JP 12109086A JP S62278473 A JPS62278473 A JP S62278473A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
circuits
switches
signal
semiconductor electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61121090A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayoshi Suzuki
鈴木 政善
Junichi Owada
淳一 大和田
Masaaki Kitajima
雅明 北島
Masaru Takahata
勝 高畠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61121090A priority Critical patent/JPS62278473A/ja
Publication of JPS62278473A publication Critical patent/JPS62278473A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体電子回路に関するものである。
〔従来の技術〕
従来試験あるいに診断を考慮したLSIの構底法につい
てに電子通信学会誌6/81 617頁「超LSIのた
めの試験機と試験技術」等に示すように、LSI内部に
試験が容易になるような回路を積砥的に付加する方法が
とられている。この方法で代表的なものにスキャンパス
法がある。
これαL8Iffiのすべてのフリツプフロツプの前段
に本来の論理機能に影響を与えないような付加回路を設
は機能試験を実行するときにこれらの7リツプフロツプ
をシフトレジスタとして動hgせることにより、被試験
LSI(順序回路)を等価的に組合わせ回路に分割して
試験を容易にする方法である。
〔発明が解決しようとする問題点] 上記従来技術汀試験のための回路規模が大きくなり、ま
た回路のどの部分が故障状態にあるかを容易に診断する
ことは困鮨であった。
本発明の目的riL3I内部の回路を幾つかに分割して
試験、診断できる半導体電子回路を提案するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的に、LSIの内部回路を幾つかの回路に分け、
それらの回路の電源11fiを検出判定することで達成
される。
〔作用〕
つ1り、LSI回路を幾つかの回路に分割してその電源
電流を検出し観測Tれば、回路が動作するとき特有の電
流が流れるため、この判定を行えば該当する回路の試験
診断ができる。
第1図に本考案の原理を示す。回路2A、2B。
・・・、2Zt:I共通の接地点IBを有しており、そ
の対の電源@端子にスイッチ3A、3B、・・・、3Z
に接続ばれており、スイッチの他端にまとめられてt流
検出回路4に接続されている。
回路に電圧、電流を与える電圧源11通常、電池等で代
表される)は接地点IAと検出回路4との間に印加され
る。スイッチ3A、3B・・・、 3Zには制御回路5
より信号がそれぞれ与えられ、制御回路5の信号は検出
回路4にも与えられている。
今・回路2人の動作状態を検ffる場合にスイッチ3A
のみを制御信号によって閉じ、他のスイッチは開状態と
しておく。この状態でに回路2人のみに電圧#1の電圧
が印加され、他の回路2B。
・・・、2Zに全てオフ状態となる。この状態で回路2
人を動作状態としく動作状態とするには外部等より回路
2人に対しクロックパルス等の信号を与えるか、あるい
に磁気、光等の結合手段によって信号を与えればよめ)
、そのときのt流検出回路4に流れる電流をチェックす
ることで、回路2人の動作が正常であるか否かが判定で
きる。
回路2Bを検査する場合にスイッチ3Bのみを閉状態と
し、他のスイッチを開として、上記の動作を行えばよい
。このスイッチの開閉に制御回路5の出力信号を変える
ことで行ない得る。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を@2図により説明する。図中
、第1図中の主要部分と同じ機能のもの    ″に対
しては同一の番号を付してlる。第1図中の回路2人α
本例ではゲート回路13に、回路2B框フリツプフaツ
ブ回路14に、それぞれ対応している。スイッチ3A、
3Bは金属酸化膜電界効果トランジスタc以下MOSト
ランジスタと略す)38人、30Bを用いている。電流
検出に抵抗7を電圧源1に直列に接続し、抵抗の電圧を
検出することで実現Tる(このとき、抵抗値を低くして
電圧1の電圧がほとんどこの抵抗両端に加えられないよ
うに工夫Tる)。この検出された電圧vla判定回路6
に送られる。制御回路5はカウンタ8及びデコーダ9よ
り構成され、カウンタ8に入力端子10を有している。
!!3図に第2図の実施例における各部の代表的波形で
ある。クロックパルスCP1i入力端子11に与えられ
る。信号81n端子lOに与えられるキャリパルスであ
り、このパルスの到来毎にカウンタ8の内容が1ずつ増
加(あるいに減少コし、デコーダ9の出力信号Gl、G
2が変わる。
信号1iti2rtゲ一ト回路13及びフリップ7aツ
ブ回路14を、それぞれ流れる電流である。
時刻toにおいてはカウンタ8の内容がOとなっており
、このとき出力Gl、G2共0レベル(OV)であり%
スイッチ30A、308rXオフで開放状態である。ゆ
えにこのとき回路に流れるttv、aOであり、信号v
1にa回路13.14に流れる電流は表わtlない。時
刻tl でキャリパルスS1が1個加えられるとカウン
タはその内容を1だけ増やし、信号Glがルベル(数V
)となり、スイッチ30Aは閉状態となる。とれてより
、回路13が動作し、電Ritが抵抗7に流れ、これは
電圧v1となって判定回路6に送り込まれる。判定回路
ではカウンタ8よりの信号を参照して電流11が回路1
3の正常動作の電流波形かどうかを判定して(ゲート回
路の場合にクロックに同規して図中11のパルス電流が
流れる)合否判定信号NGを発生する。
時刻t!において@2のキャリパルスが加わると今[t
lG I K代って02がルベルとなりスイッチ30B
を閉状態とする。それゆえ、時刻t2以降はフリップ7
aツブ回路特有の電流iz (クロック信号CPIの同
期の172のパルス状′を流涙形)が抵抗7に流れこれ
を、判定回路6で判定する。
但し、この場合にクロックパルスCPIがゲート回路1
3を通してフリップ7aツブ14に与えられないので、
別の平段でこのパルスを与える必要がある。例えば、図
中点線の配線を行っておき、別のクロックパルスCP2
を与える等の手段である。
本実施例では相当複雑な回路でも実施できる特長がある
第4図は本考案の別の実施例である。この例に回路15
,16.17.18をその電源側と接地側とで選択して
おり、スイッチ30A、30B。
40A、40Bがこの選択の機能を果す。例えば回路1
6を選択したい場合は端子31Aのゲート信号C8Iを
ルベルとしてスイッチ30Aを閉じ、端子41Aのゲー
ト[号CG1もルベルトしてスイッチ40Aを閉じ、回
路15に電圧を与える。この状態としておけば回路15
のみが動作状態となり、検査を行うたとができる。この
実施例でに回路の規模が大きくなった場合スイッチ、制
御回路の規模を少なくできるとの効果がある。
第5図に本考案の更に別の実施例を示T0本実施例では
回路選択用のスイッチを特に設けず既存の被検査回路の
一部の素子を用いて実現する。図においてこれまでの回
路2A、2B、・・・、2Z*MO8)ランラスタ2A
A、3A人、28B、3BB、・・・、・・・、2ZZ
、3ZZで構成される。このような回路は通常のMO8
IC,MO8LSI等の内部でよく用いられる。図にお
いてMOSトランジスタ3AA、38B、−,3ZZ等
1’!MO8トランジスタ2AA、28B、・・・、2
ZZ等の負荷用として動作し、通常負荷MOSトランジ
スタと呼ばれている。このトランジスタに図の点線のよ
うに電源側に結ばれて動P):fるが、本案では電源に
結ぶ前例端子20A、20B、・・・、202に選択用
の信号(これまでのGl、G2に相当する)を加え、こ
れまで通りの検査を実施し然る後に電源側に結ぶという
方法をとる。この方法でクスイッチを新たに設ける必要
がなくなる。
第6図に本考案の更に他の実施例を示T0この場合は回
路36A、36B1’!同一であり、回路上に並列の接
続となっている。スイッチ35A、35Bのいずれかを
閉じて検査する手法はこれまでと同じであるが、本実施
例ではこの検査の結果をふまえて、若し、36A、36
Bのどちらかが不良と判定された場合に、スイッチを常
に開状態として良品のみを使用することを特長としてい
る。例えば、36Aが正常、36Bが不良と判定された
場合にデコーダ回路9を制御して出力信号を設定してG
Al″11レベル、GB#’lOレベルとして固定し、
以後t’1t36Aのみを活用する。
この方法にゲートアレイ等の回路に冗長ヰのある場合に
有効であり、同じ回路を2個並列にすることを必らずし
も必要としない。つまり、正常に動作している回路のみ
を用いて全体回路を構成できる特長を持ち得る。
第7図に本考案の更に別の実施例を示す。この例でに回
路2A、2Bを活すのに特別の工夫をとっており、これ
までの実施例でに回路に対して電気的に動作のための入
力信号を加えていたが、この場合に光を用いて信号を加
える。ダイオード70A、70Bに発光用であり、これ
より放射された光束a仝闇を介して回路2A、2Bに加
えられる。通常回路2A、28μトランジスタ61゜6
2等のアクティブ素子を會んでいるのでこの接合に九を
照射丁れは外部よりりaツク等の信号を与えることがで
きる。この方法に入力信号印加のための特別な回路をI
C内に包含しなくともよいので回路構成が藺単になる。
〔発明の効果〕
本発明によれば半導体電子回路内部を比較的簡単な回路
構成で検査診断できるので半導体素子の信穎度を上げ、
経済的にも多大の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図に本発明の半導体電子回路の原理説明図、第2図
に本発明の半導体電子回路の実施例の回路図、第3図に
第2図の回路における代浅的波形説明図、第4図、第5
図、第6図、第7図にそれぞれ本発明の半導体電子回路
の他の実施例の回路図である。 l・・・電圧源、2人・・・回路、3人・・・スイッチ
、4・・・第 1 図 〆5 3A・・スイ1+ 4・電人&trgJ路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体電子回路において、回路を幾つかに分割し、
    その一部を該幾つかに分割された回路に直列に設けたス
    イッチを制御回路よりの信号によって開閉せしめること
    で動作せしめ、電圧源に流れる電流を検出回路により検
    出し、その波形より該分割された回路の試験、診断、修
    複を行うように構成したことを特徴とする半導体電子回
    路。
JP61121090A 1986-05-28 1986-05-28 半導体電子回路 Pending JPS62278473A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61121090A JPS62278473A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 半導体電子回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61121090A JPS62278473A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 半導体電子回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62278473A true JPS62278473A (ja) 1987-12-03

Family

ID=14802623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61121090A Pending JPS62278473A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 半導体電子回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62278473A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6239604B1 (en) 1996-10-04 2001-05-29 U.S. Philips Corporation Method for inspecting an integrated circuit by measuring a voltage drop in a supply line of sub-circuit thereof
US7812628B2 (en) 2006-12-13 2010-10-12 Renesas Electronics Corporation Method of on-chip current measurement and semiconductor IC

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6239604B1 (en) 1996-10-04 2001-05-29 U.S. Philips Corporation Method for inspecting an integrated circuit by measuring a voltage drop in a supply line of sub-circuit thereof
US7812628B2 (en) 2006-12-13 2010-10-12 Renesas Electronics Corporation Method of on-chip current measurement and semiconductor IC
US8030956B2 (en) 2006-12-13 2011-10-04 Renesas Electronics Corporation Method of on-chip current measurement and semiconductor IC

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2561164B2 (ja) 半導体集積回路
US6593765B1 (en) Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit
US6173428B1 (en) Apparatus and method for testing using clocked test access port controller for level sensitive scan designs
JP2000503124A (ja) 集積回路を検査する方法
US5736849A (en) Semiconductor device and test method for connection between semiconductor devices
JPH10111343A (ja) 集積回路
JPS62278473A (ja) 半導体電子回路
JPH0120700Y2 (ja)
US6865703B2 (en) Scan test system for semiconductor device
US5412337A (en) Semiconductor device providing reliable conduction test of all terminals
Sachdev Transforming sequential logic in digital CMOS ICs for voltage and I/sub DDQ/testing
US4263545A (en) Method of testing pulse delay time
JP3586972B2 (ja) 半導体集積回路及びそのテスト方法
JP4034242B2 (ja) オープン検査回路を備えた半導体装置及び該検査回路を用いたオープン検査方法
KR100614646B1 (ko) 내장형 전류 감지 회로 및 그것의 전류 테스팅 방법
JP2972515B2 (ja) 入出力バッファテスト回路
JP2963234B2 (ja) 高速デバイス試験方法
JP2001147254A (ja) 半導体集積回路のテスト装置とそのテスト方法
JPS631248Y2 (ja)
JP3104739B2 (ja) Lsiの不良解析に用いるlsiテスター
JPH0526981A (ja) 半導体集積回路のテスト用回路
JP2000046896A (ja) 半導体cmos集積回路の試験装置
JPH04172273A (ja) 半導体集積回路
JPS63313080A (ja) 論理装置
JPH10288650A (ja) 半導体集積回路