JPS622700B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS622700B2 JPS622700B2 JP55019996A JP1999680A JPS622700B2 JP S622700 B2 JPS622700 B2 JP S622700B2 JP 55019996 A JP55019996 A JP 55019996A JP 1999680 A JP1999680 A JP 1999680A JP S622700 B2 JPS622700 B2 JP S622700B2
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- Japan
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- ray
- plasma
- high voltage
- deflection plate
- electrode
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放電プラズマX線発生装置に係り、特
に照射面へのプラズマイオン、中性原子の衝撃、
付着ならびに電子の衝撃の防止あるいは減少させ
る装置に関する。
に照射面へのプラズマイオン、中性原子の衝撃、
付着ならびに電子の衝撃の防止あるいは減少させ
る装置に関する。
最近放電プラズマX線発生装置をX線源として
使用し、発生する大気などに比較的吸収され易い
軟X線を用いて、微細なマスクパターンをウエー
ハに投影転写することが開発されている。
使用し、発生する大気などに比較的吸収され易い
軟X線を用いて、微細なマスクパターンをウエー
ハに投影転写することが開発されている。
第1図に放電プラズマX線発生装置の概念図を
示す。
示す。
図において、スイツチ1を閉じ、スイツチ2を
開にした状態で、負の高電圧を−HV点に印加す
ると、抵抗R1を通してコンデンサC1,C2に
電気的エネルギが蓄積される。そのエネルギが所
定値に達した後、スイツチ1を開にして、スイツ
チ2を閉じると、コンデンサC1に蓄えられたエ
ネルギ(電荷)が第1電極3、第2電極4間での
放電という形で消費される。この時インシユレー
タ5の材料(ポリエチレン等)が蒸発し、プラズ
マ状態Pになる。この放電による第1電極3およ
びカソード6の電位の変化、またプラズマの発生
による電界分布の変化などにより、次にコンデン
サC2に蓄えられた電荷の放電をカソード6より
発生する。これが電子ビームとなりプラズマとの
カツプリングを引き起す。このカツプリングによ
りプラズマイオンのエネルギが上昇し、かつプラ
ズマ密度も上昇し、その結果として赤外光、紫外
光に加えX線の放出となる。
開にした状態で、負の高電圧を−HV点に印加す
ると、抵抗R1を通してコンデンサC1,C2に
電気的エネルギが蓄積される。そのエネルギが所
定値に達した後、スイツチ1を開にして、スイツ
チ2を閉じると、コンデンサC1に蓄えられたエ
ネルギ(電荷)が第1電極3、第2電極4間での
放電という形で消費される。この時インシユレー
タ5の材料(ポリエチレン等)が蒸発し、プラズ
マ状態Pになる。この放電による第1電極3およ
びカソード6の電位の変化、またプラズマの発生
による電界分布の変化などにより、次にコンデン
サC2に蓄えられた電荷の放電をカソード6より
発生する。これが電子ビームとなりプラズマとの
カツプリングを引き起す。このカツプリングによ
りプラズマイオンのエネルギが上昇し、かつプラ
ズマ密度も上昇し、その結果として赤外光、紫外
光に加えX線の放出となる。
第2図は第1図の放電プラズマX線発生装置を
X線源として使用したX線転写装置の構成を示
す。
X線源として使用したX線転写装置の構成を示
す。
図において、基板7上にX線感光レジスト8を
塗布した試料aとX線源9との間にX線の透過性
の高い支持体10、X線の透過性の低い吸収体1
1及び支持体10を支持する支持枠12から成る
X線マスクbを配置する。X線をマスクb上に照
射すると、吸収体11のない部分を透過したX線
によりX線レジスト8に吸収体11パターンの潜
像が形成される。これがX線露光であり、この後
レジストに対して現像処理を施すことにより基板
7上にレジストパターンが形成される。
塗布した試料aとX線源9との間にX線の透過性
の高い支持体10、X線の透過性の低い吸収体1
1及び支持体10を支持する支持枠12から成る
X線マスクbを配置する。X線をマスクb上に照
射すると、吸収体11のない部分を透過したX線
によりX線レジスト8に吸収体11パターンの潜
像が形成される。これがX線露光であり、この後
レジストに対して現像処理を施すことにより基板
7上にレジストパターンが形成される。
上記X線照射において、使用されるX線源9よ
りはプラズマ物質であるイオン、電子、中性原子
及び電子ビームが放出されており、マスク露光の
場合に何度もマスクbを使用していると、マスク
b表面にそれら物質が積り、マスクbのX線透過
率を悪くしている。そのため従来より高分子材料
からなるX線透過薄膜CをX線照射面(マスク
b)とX線源9の間に配置しているものがある。
ところがこの薄膜CはX線を通すとは言え透過率
100%のものはなく、実際の透過率は数十%位で
あるので、X線の強度が小さくなる。又薄膜Cを
そのままにして、何度も露光作業していると、上
述したマスクと同様にプラズマ物質が付着し、照
射面でのX線量の減衰という欠点がある。
りはプラズマ物質であるイオン、電子、中性原子
及び電子ビームが放出されており、マスク露光の
場合に何度もマスクbを使用していると、マスク
b表面にそれら物質が積り、マスクbのX線透過
率を悪くしている。そのため従来より高分子材料
からなるX線透過薄膜CをX線照射面(マスク
b)とX線源9の間に配置しているものがある。
ところがこの薄膜CはX線を通すとは言え透過率
100%のものはなく、実際の透過率は数十%位で
あるので、X線の強度が小さくなる。又薄膜Cを
そのままにして、何度も露光作業していると、上
述したマスクと同様にプラズマ物質が付着し、照
射面でのX線量の減衰という欠点がある。
本発明の目的はX線源と照射面間にX線透過率
を低下せしめるような物を置くことなく、プラズ
マ物質の照射面への衝撃,付着を防止、あるいは
減少させる装置を提供するにある。
を低下せしめるような物を置くことなく、プラズ
マ物質の照射面への衝撃,付着を防止、あるいは
減少させる装置を提供するにある。
本発明の特徴はX線発生装置と、該X線発生装
置とX線照射面との間に、高周波の高電圧を導入
すると電極と高電圧を印加する偏向板又は磁界に
よる偏向器を備え、該高周波の高電圧を導入する
電極によりプラズマ中にある中性原子をイオン化
し、一方高電圧を印加する偏向板又は磁界による
偏向器により前記イオン化された原子及びプラズ
マからのイオン、電子を前記照射面から外れた位
置へ向わせるようにして上述の目的を達してい
る。
置とX線照射面との間に、高周波の高電圧を導入
すると電極と高電圧を印加する偏向板又は磁界に
よる偏向器を備え、該高周波の高電圧を導入する
電極によりプラズマ中にある中性原子をイオン化
し、一方高電圧を印加する偏向板又は磁界による
偏向器により前記イオン化された原子及びプラズ
マからのイオン、電子を前記照射面から外れた位
置へ向わせるようにして上述の目的を達してい
る。
以下、本発明について、実施例により説明する
と、第3図は本発明によるX線転写装置に適用し
た偏向板による荷電粒子の進路を変更する1実施
例を示したものである。
と、第3図は本発明によるX線転写装置に適用し
た偏向板による荷電粒子の進路を変更する1実施
例を示したものである。
図において、X線源9と照射面(マスクb)の
間に偏向板13を設け、さらにマスクbの外周囲
にトラツプ14を設けている。
間に偏向板13を設け、さらにマスクbの外周囲
にトラツプ14を設けている。
X線源9より放出される放電プラズマX線には
プラズマ物質であるイオン、電子、中性原子及び
電子ビームが線源から放出されている。これらイ
オン、電子を偏向板13により光軸と垂直方向の
運動エネルギを与えてそれら粒子の進路を曲げて
マスクb面に向わせずにトラツプ14に向ける。
プラズマ物質であるイオン、電子、中性原子及び
電子ビームが線源から放出されている。これらイ
オン、電子を偏向板13により光軸と垂直方向の
運動エネルギを与えてそれら粒子の進路を曲げて
マスクb面に向わせずにトラツプ14に向ける。
しかし中性原子は電荷を持つていないため、偏
向板13は作用しないので、そこで第4図に示す
ように高周波導入電極15を偏向板13と共に設
け、該高周波導入電極15により中性原子をイオ
ン化する。イオン化する原理は次の通りである。
該中性原子に高周波が作用すると、電子とイオン
(中性原子から電子を取り除いた部分)は各々電
場に対する応答速度が異なるため異なつた振動モ
ードとなり、その結果中性原子は電子とイオンに
分離する。このようにイオン化された中性原子の
進路を偏向板13で曲げトラツプ14に向ける。
向板13は作用しないので、そこで第4図に示す
ように高周波導入電極15を偏向板13と共に設
け、該高周波導入電極15により中性原子をイオ
ン化する。イオン化する原理は次の通りである。
該中性原子に高周波が作用すると、電子とイオン
(中性原子から電子を取り除いた部分)は各々電
場に対する応答速度が異なるため異なつた振動モ
ードとなり、その結果中性原子は電子とイオンに
分離する。このようにイオン化された中性原子の
進路を偏向板13で曲げトラツプ14に向ける。
以上説明した高周波導入電極と偏向板の構成の
斜視図を第5図に示す。
斜視図を第5図に示す。
また、高周波導入電極と偏向板との関係は第6
図に示すように偏向板13を照射面側(マスク
b)を配置してもよい。
図に示すように偏向板13を照射面側(マスク
b)を配置してもよい。
なお、偏向板13の代りに磁界による偏向器を
用いてもよい。
用いてもよい。
本発明ではプラズマイオン,中性原子,電子の
マスクへの衝撃付着の防止のために、X線源9と
マスクbとの間にX線透過薄膜を配置しないで、
高周波導入電極14と偏向板13を配置し、プラ
ズマイオン,中性原子,電子の進路を変更し、マ
スクbに向わないようにしているので、X線量を
減衰させることなく、線量の有効利用,露光量の
変動の減少がはかれる。
マスクへの衝撃付着の防止のために、X線源9と
マスクbとの間にX線透過薄膜を配置しないで、
高周波導入電極14と偏向板13を配置し、プラ
ズマイオン,中性原子,電子の進路を変更し、マ
スクbに向わないようにしているので、X線量を
減衰させることなく、線量の有効利用,露光量の
変動の減少がはかれる。
以上の本発明によればX線量の有効利用、露光
量の変動の少ないX線転写装置を提供でき、その
実用上の効果は大きい。
量の変動の少ないX線転写装置を提供でき、その
実用上の効果は大きい。
第1図は放電プラズマX線発生装置を説明する
ための概念図、第2図は第1図の放電プラズマX
線発生装置をX線源として使用した従来のX線転
写装置の構成を説明するための概念図。第3〜4
図は本発明によるX線転写装置の1実施例を説明
するための断面図、第5図は本発明による高周波
導入電極と偏向板の構成を示す斜視図、第6図は
本発明による高周波導入電極と偏向板の配置の別
の実施例を示す断面図。 図中、9はX線源、13は偏向板、14はトラ
ツプ、15は高周波導入電極を示す。
ための概念図、第2図は第1図の放電プラズマX
線発生装置をX線源として使用した従来のX線転
写装置の構成を説明するための概念図。第3〜4
図は本発明によるX線転写装置の1実施例を説明
するための断面図、第5図は本発明による高周波
導入電極と偏向板の構成を示す斜視図、第6図は
本発明による高周波導入電極と偏向板の配置の別
の実施例を示す断面図。 図中、9はX線源、13は偏向板、14はトラ
ツプ、15は高周波導入電極を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 2個の放電電極とその間にはさまれた絶縁物
とからなる管の中で、両電極による放電を生ぜし
め、そこに電子ビームを投入することにより、X
線を発生する放電プラズマX線発生装置と、該X
線発生装置とX線照射面との間に、高周波の高電
圧を導入する電極と高電圧を印加する偏向板又は
磁界による偏向器を備え、 該高周波の高電圧を導入する電極によりプラズ
マ中にある中性原子をイオン化し、一方高電圧を
印加する偏向板又は磁界による偏向器により前記
イオン化された原子及びプラズマからイオン,電
子を前記照射面から外れた位置へ向わせるように
したことを特徴とするX線転写装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1999680A JPS56116622A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | X-ray transcriber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1999680A JPS56116622A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | X-ray transcriber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56116622A JPS56116622A (en) | 1981-09-12 |
JPS622700B2 true JPS622700B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=12014764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1999680A Granted JPS56116622A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | X-ray transcriber |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS56116622A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57130351A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Seiko Epson Corp | X-ray device |
JPS58113899A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | 富士通株式会社 | エツクス線照射装置 |
JPS58115821A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Fujitsu Ltd | X線露光装置 |
JPS5913325A (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-24 | Nec Corp | プラズマx線露光装置 |
TWI255394B (en) | 2002-12-23 | 2006-05-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus with debris suppression means and device manufacturing method |
-
1980
- 1980-02-20 JP JP1999680A patent/JPS56116622A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56116622A (en) | 1981-09-12 |
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