JPS58115821A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS58115821A JPS58115821A JP56210905A JP21090581A JPS58115821A JP S58115821 A JPS58115821 A JP S58115821A JP 56210905 A JP56210905 A JP 56210905A JP 21090581 A JP21090581 A JP 21090581A JP S58115821 A JPS58115821 A JP S58115821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- positive
- potential
- plasma
- negative potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＸ線源を用いるＸ線露光装置に係り、
プラズマから照射面へ飛来するイオン、電子の荷電粒子
ｔａ蔽する方式に関する。
プラズマから照射面へ飛来するイオン、電子の荷電粒子
ｔａ蔽する方式に関する。
放電プラズマＸ線発生装置をＸ線源として使用し発生す
る大気などに比較的吸収され易い軟Ｘ＊ｔ−用いて。
る大気などに比較的吸収され易い軟Ｘ＊ｔ−用いて。
微細なマスクパターンをウェーハに投影転写することが
開発されている。
開発されている。
第１図に放電プラズマＸ線発生装置の概念図を示す。
図において、スイッチ１ｔ−閉じ、スイッチ２を開にし
た状態で、負の高電圧を−ＨＶ点に印加すると、抵抗ｔ
ｔｉｔ通してコンデンサＣＩ、Ｃ２に電気的エネルギが
蓄積される。そのエネルギが所定値に達した後、スイッ
チ１を開にして、スイッチ２ｔ−閉じると、コンデンサ
ＣＩに蓄えられたエネルギ（電荷）が第１電極３゜第２
電極４間での放電という形で消費される。この時インシ
ユレータ５の材料（ポリエチレン等）が蒸発し。
た状態で、負の高電圧を−ＨＶ点に印加すると、抵抗ｔ
ｔｉｔ通してコンデンサＣＩ、Ｃ２に電気的エネルギが
蓄積される。そのエネルギが所定値に達した後、スイッ
チ１を開にして、スイッチ２ｔ−閉じると、コンデンサ
ＣＩに蓄えられたエネルギ（電荷）が第１電極３゜第２
電極４間での放電という形で消費される。この時インシ
ユレータ５の材料（ポリエチレン等）が蒸発し。
プラダ１状態Ｐになる。この放電による第１電極３カソ
ード６の電位の変化、またプラズマの発生による電界分
布の変化などにより１次にコンデンサＣ２に蓄えられた
電荷の放電をカソード６より発生する。これが電子ビー
ムとなりプラズマとのカップリングを引き起す。このカ
ップリングによりプラズマイオンのエネルギが上昇し、
かつプラズマ密度も上昇し、その結果として赤外光、紫
外光に加えＸ線の放出となる。
ード６の電位の変化、またプラズマの発生による電界分
布の変化などにより１次にコンデンサＣ２に蓄えられた
電荷の放電をカソード６より発生する。これが電子ビー
ムとなりプラズマとのカップリングを引き起す。このカ
ップリングによりプラズマイオンのエネルギが上昇し、
かつプラズマ密度も上昇し、その結果として赤外光、紫
外光に加えＸ線の放出となる。
第２図は第１図の放電プラズマＸ線発生装置をＸ線源と
して使用したＸ線転写装置の構成を示す。
して使用したＸ線転写装置の構成を示す。
図において、基板７上ＫＸ線感光レジスト８ｔ−塗布し
た試料ａとＸ線域９との間にＸ線の透過性の高い支持体
１０．Ｘ線の透過性の低い吸収体１１及び支持体１０を
支持する支持枠１２から成るＸ線マスクｂを配瀘する。
た試料ａとＸ線域９との間にＸ線の透過性の高い支持体
１０．Ｘ線の透過性の低い吸収体１１及び支持体１０を
支持する支持枠１２から成るＸ線マスクｂを配瀘する。
ＸＳｔマスクｂ上に照射すると、吸収体１１のない部分
を透過し九ｘｍによりＸ線レジスト８に吸収体１１パタ
ーンの潜像が形成される。これがＸ線露光であり、この
後レジストに対して現像処理を施すことにより基板７上
にレジストパターンが形成される。
を透過し九ｘｍによりＸ線レジスト８に吸収体１１パタ
ーンの潜像が形成される。これがＸ線露光であり、この
後レジストに対して現像処理を施すことにより基板７上
にレジストパターンが形成される。
上記Ｘ４ｉ！照射において、使用されるＸ線源９よりは
プラズマ物質であるイオン、電子、中性原子及び電子ビ
ームが放出されており、マスク露光の場合に何度もマス
クｂｖ＋−使用していると、マス２５表面にそれら物質
が積り、マスクｂのＸ線透過率を悪くしている。そのた
め従来より高分子材料からなるＸ線透過薄膜Ｃ１−Ｘ線
照射面（マスクｂ）とＸ＠源９の間に配置しているもの
がある。ところがこの薄膜Ｃはｘｓｒ通すとは言え透過
率１００％のものはなく、実際の透過率は数十−位であ
るので、Ｘ線の強度が小さくなる。又薄膜Ｃをそのまま
にして、何度も露光作業していると、上述したマスクと
同様にプラズマ物質が付着し、照射面で１ の
Ｘ＠量の減衰という欠点がある。
プラズマ物質であるイオン、電子、中性原子及び電子ビ
ームが放出されており、マスク露光の場合に何度もマス
クｂｖ＋−使用していると、マス２５表面にそれら物質
が積り、マスクｂのＸ線透過率を悪くしている。そのた
め従来より高分子材料からなるＸ線透過薄膜Ｃ１−Ｘ線
照射面（マスクｂ）とＸ＠源９の間に配置しているもの
がある。ところがこの薄膜Ｃはｘｓｒ通すとは言え透過
率１００％のものはなく、実際の透過率は数十−位であ
るので、Ｘ線の強度が小さくなる。又薄膜Ｃをそのまま
にして、何度も露光作業していると、上述したマスクと
同様にプラズマ物質が付着し、照射面で１ の
Ｘ＠量の減衰という欠点がある。
本発明は上述の点に鑑みてなされれえもので、プラズマ
Ｘ線源を用いるＸ線露光装置において、プラズマＸ線源
とＸ線照射面との間に正及び負の電位網を介在させるこ
とを特徴とする。
Ｘ線源を用いるＸ線露光装置において、プラズマＸ線源
とＸ線照射面との間に正及び負の電位網を介在させるこ
とを特徴とする。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第３図は本発明の実施例であり、Ｘ線源とＸ線照射面と
の間にメック１状、コイル状、平行線状の電位網を設け
るものである。
の間にメック１状、コイル状、平行線状の電位網を設け
るものである。
電位網に＃ｉ、プラズマで生ずる電子、又はイオンの運
動エネルギーより大なる電位障壁が形成される如く正及
び負の電圧を印加する。
動エネルギーより大なる電位障壁が形成される如く正及
び負の電圧を印加する。
第３図では負の電位網３６がＸ線源側に設けられ。
正の電位網３７がＸ線照射面側に設けられている。
電子は負の電位網によ）反射される。またプラズマで発
生した正イオンは負の電位網では加速されるが。
生した正イオンは負の電位網では加速されるが。
Ｘ線照射面側の正の電位網の電位障壁を正イオンのもつ
運動エネルギーより高くする如く、電位を印加しておく
ととくより１反射させる。
運動エネルギーより高くする如く、電位を印加しておく
ととくより１反射させる。
なお、金属線として０，１ｍ真を用いて第４図に示す如
く平行線状＆）（ｂ）、メッシ為状（Ｃ）、同心円状０
）、渦巻き状伽）等の如く電位網を形成できる。正及び
負の電位網に印加する電圧としては、電子を遮蔽する負
の電位Ｎ４ＫＦｉ−６０ＫＶ−７０ＫＶニー（６０＋ｇ
）ＫＶ 正ｆ）イをンを遮蔽する正の電位網には＋１２
０〜Ｈ３０ＫＶ：（１２０＋ｚ）ＫＶ（ｇ、／は０〜１
０の正数）を印加した。
く平行線状＆）（ｂ）、メッシ為状（Ｃ）、同心円状０
）、渦巻き状伽）等の如く電位網を形成できる。正及び
負の電位網に印加する電圧としては、電子を遮蔽する負
の電位Ｎ４ＫＦｉ−６０ＫＶ−７０ＫＶニー（６０＋ｇ
）ＫＶ 正ｆ）イをンを遮蔽する正の電位網には＋１２
０〜Ｈ３０ＫＶ：（１２０＋ｚ）ＫＶ（ｇ、／は０〜１
０の正数）を印加した。
なお、第３図で３１ＦｉＡＩ金属性のカッド、３２は接
地され九アノード、３３はトソが電極、３４はプラズマ
、３５Ｉ／ｉ放射プラズマＸ線、３６＃ｉ負の電位網。
地され九アノード、３３はトソが電極、３４はプラズマ
、３５Ｉ／ｉ放射プラズマＸ線、３６＃ｉ負の電位網。
３７は正の電位網、３８はＸ線マスク、３９Ｆｉ吸収体
。
。
４０はレジスト、４１＃Ｊｉウエハである。本発明によ
り荷電ビームを除去したＸ線露光を行うことができる０
り荷電ビームを除去したＸ線露光を行うことができる０
第４図は放電プラズーｖＸ線発生装置の概念図、第２図
ＦｉＸ線露光装置の構成を示す図、第３図社本発明のＸ
ＩＩ露光装置の構成を示す図、第４図は電位網の形状を
示す図である。 第 ２１！ｌ 第３図
ＦｉＸ線露光装置の構成を示す図、第３図社本発明のＸ
ＩＩ露光装置の構成を示す図、第４図は電位網の形状を
示す図である。 第 ２１！ｌ 第３図
Claims (1)
- プラ（マＸ線源を用いるＸ線露光装置において、Ｘ線点
対面とプラズマＸ線源との間にコイル状、メツシー状、
平行線状又は同心円状の正及び負電位網を有すること全
特徴とするＸｇｓ露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56210905A JPS58115821A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56210905A JPS58115821A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115821A true JPS58115821A (ja) | 1983-07-09 |
Family
ID=16597008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56210905A Pending JPS58115821A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006520107A (ja) * | 2003-03-08 | 2006-08-31 | サイマー インコーポレイテッド | 放電生成プラズマｅｕｖ光源 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54146969A (en) * | 1978-05-08 | 1979-11-16 | Rockwell International Corp | Method of fabricating high resolution fine line lithographic structure |
| JPS56116622A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Fujitsu Ltd | X-ray transcriber |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP56210905A patent/JPS58115821A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54146969A (en) * | 1978-05-08 | 1979-11-16 | Rockwell International Corp | Method of fabricating high resolution fine line lithographic structure |
| JPS56116622A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Fujitsu Ltd | X-ray transcriber |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006520107A (ja) * | 2003-03-08 | 2006-08-31 | サイマー インコーポレイテッド | 放電生成プラズマｅｕｖ光源 |
| JP4638867B2 (ja) * | 2003-03-08 | 2011-02-23 | サイマー インコーポレイテッド | 放電生成プラズマｅｕｖ光源 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1488184A (en) | X-ray mask structures and methods for making the same | |
| JPS6222527B2 (ja) | ||
| US5327475A (en) | Soft x-ray submicron lithography using multiply charged ions | |
| US2748288A (en) | Electron photography plate construction | |
| US3940620A (en) | Electrostatic recording of X-ray images | |
| US4746587A (en) | Electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask | |
| EP0182665B1 (en) | Method of projecting a photoelectron image | |
| JPS58115821A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| US5686733A (en) | Megavoltage imaging method using a combination of a photoreceptor with a high energy photon converter and intensifier | |
| Murata et al. | A three-dimensional study of the absorbed energy density in electron-resist films on substrates | |
| JPH0361303B2 (ja) | ||
| PL79941B1 (ja) | ||
| JPS622700B2 (ja) | ||
| US4129779A (en) | Photocontrolled ion-flow electron radiography apparatus with multi-layered mesh structure | |
| US3831027A (en) | Imaging gas for improved resolution in imaging chamber of electron radiography system | |
| JPS592324A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| US2879400A (en) | Loaded dielectric x-ray detector | |
| US3880513A (en) | Electrophotography with a photoconductor coated fine mesh | |
| RU218186U1 (ru) | Устройство электронной литографии | |
| JPS586945B2 (ja) | イオノグラフイ− | |
| GB1448986A (en) | Formation of electorstatic charge patterns | |
| JPS5863943A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US3896310A (en) | Field control in imaging systems | |
| Fenster et al. | Closed‐system ionography for diagnostic radiology | |
| JPS6142852B2 (ja) |