JPS58119200A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
- Publication number
- JPS58119200A JPS58119200A JP57001544A JP154482A JPS58119200A JP S58119200 A JPS58119200 A JP S58119200A JP 57001544 A JP57001544 A JP 57001544A JP 154482 A JP154482 A JP 154482A JP S58119200 A JPS58119200 A JP S58119200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holes
- ray
- generating device
- insulator
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発′―Ｏ技留分野
本発明は、ｘｌｌ！ｌＩ元等に用いられるＸｌｓ発生装
置Ｏ改良に調する。
置Ｏ改良に調する。
発明の技術的背景とそ０１ｓ１５１１１に点近時、半導
体ウェーハやマスク等に微細パターンを形成する技術と
して、光、紫外光、ＸＩＩ！或いは荷電ビームを用いる
各種の露光法が開発されている。仁れらの中でＸ＊＊元
法は、Ｘ線が紫外光よりも波長が短く回折効果が小さい
ことから、１〔μｍ〕以下の微細加工に極めて有効であ
ると考えられている。
体ウェーハやマスク等に微細パターンを形成する技術と
して、光、紫外光、ＸＩＩ！或いは荷電ビームを用いる
各種の露光法が開発されている。仁れらの中でＸ＊＊元
法は、Ｘ線が紫外光よりも波長が短く回折効果が小さい
ことから、１〔μｍ〕以下の微細加工に極めて有効であ
ると考えられている。
第１図はｘａｇ光法の原理を示す模式図である。Ｘ線発
生源１（Ｘ線発生装置）から放射されたＸＩＩは、Ｘ線
マスク２上Ｏ金パターン３Ｙｔシリコンウエーハ４上の
Ｘ線レジスト５に転写する。通常、Ｘ線発生＠１として
は、加速電子ビームをターゲットに衝突させることによ
ってＸ＠を励起する電子線励起型のものが用いられるが
、この場合Ｘ線の出力が小さく転写に長時間ｔ−要する
と云う欠点がある。
生源１（Ｘ線発生装置）から放射されたＸＩＩは、Ｘ線
マスク２上Ｏ金パターン３Ｙｔシリコンウエーハ４上の
Ｘ線レジスト５に転写する。通常、Ｘ線発生＠１として
は、加速電子ビームをターゲットに衝突させることによ
ってＸ＠を励起する電子線励起型のものが用いられるが
、この場合Ｘ線の出力が小さく転写に長時間ｔ−要する
と云う欠点がある。
そこで最近、Ｘ−発生源の低出力の間＠を解決するもの
として、屯細管型の放電プラズマＸ線発生源が開発され
ている。このＸＩ！発生発生源拡間２図す如く、例えは
直径１〔μｍ〕の屯細Ｗ（貫通孔）６を有するポリエチ
レン円筒７０両生ｒＩｎＫそれぞれ電極８．９【被着し
、電極８９間に″：ｌンデンｔｌＯｆ接続して構成され
る。
として、屯細管型の放電プラズマＸ線発生源が開発され
ている。このＸＩ！発生発生源拡間２図す如く、例えは
直径１〔μｍ〕の屯細Ｗ（貫通孔）６を有するポリエチ
レン円筒７０両生ｒＩｎＫそれぞれ電極８．９【被着し
、電極８９間に″：ｌンデンｔｌＯｆ接続して構成され
る。
そして、高圧電ｌｌｌｌ１１１にて；ンデ’／１ｌＯ１
−充電し、トリガ電極１２を用いてトリガｔかけること
Ｋよって、ポリエチレン円筒７の貫通孔６の内壁に沿っ
て沿面放電ｔｌ！発させ、この放電によ）プラズマが発
生してＸＩＩが放射されるものとなっている。こＯＸ＠
の発生効率は従来のもＯよ）２桁以上も高く高出方Ｘ線
として利用価値が高％／ｍ％のである。
−充電し、トリガ電極１２を用いてトリガｔかけること
Ｋよって、ポリエチレン円筒７の貫通孔６の内壁に沿っ
て沿面放電ｔｌ！発させ、この放電によ）プラズマが発
生してＸＩＩが放射されるものとなっている。こＯＸ＠
の発生効率は従来のもＯよ）２桁以上も高く高出方Ｘ線
として利用価値が高％／ｍ％のである。
しかしながら、このような放電プラズマＸＨ発生源では
、その放射角が狭く、大口径のシリコ゛ンウエーへ全１
１１−１度に照射できないと云う欠点がある。例えば、
前記ポリエチレン円筒７とシリフンウェーハ４と０距離
が１５（慣〕０場合、ｘ＊ｏ照射照射線８３〔１〕径と
な夛、３〔国〕径よ・夕大径０クエーハを１度Ｋｌｌ光
することはｉｌｍであった。
、その放射角が狭く、大口径のシリコ゛ンウエーへ全１
１１−１度に照射できないと云う欠点がある。例えば、
前記ポリエチレン円筒７とシリフンウェーハ４と０距離
が１５（慣〕０場合、ｘ＊ｏ照射照射線８３〔１〕径と
な夛、３〔国〕径よ・夕大径０クエーハを１度Ｋｌｌ光
することはｉｌｍであった。
発明の目的
本発明の目的は、ＸＩＩの高出方化をはか夛得て、かつ
大面積を１度に照射することのできるＸＩＩ発生装置を
提供することＫある。
大面積を１度に照射することのできるＸＩＩ発生装置を
提供することＫある。
発明の概要
本発明は、貫通孔が形成され定結縁体の両生面に電極【
被着すると共に、これらの電極間に；ンデン？！−１１
続し、この＝ンデンサを充電したのちトリガをかけ上記
貫通孔の内壁に沿って沿面放電を誘発させてプラズマを
発生させ、このプラズマによってＸ５ｔ−放射せしめる
毛細管型の放電プラズマＸ線発生装置において、上記貫
通孔を複数個設けるようにしたものである。
被着すると共に、これらの電極間に；ンデン？！−１１
続し、この＝ンデンサを充電したのちトリガをかけ上記
貫通孔の内壁に沿って沿面放電を誘発させてプラズマを
発生させ、このプラズマによってＸ５ｔ−放射せしめる
毛細管型の放電プラズマＸ線発生装置において、上記貫
通孔を複数個設けるようにしたものである。
発明の効果
本発明によれば、ＸＩｌ！０高出力化ｔはか９得ゐのは
勿論のこと被数個の貫通孔？Ｗ＆けたことによ５、Ｘｌ
ｉ！の照射箱８を大輪に増大することができる。このた
め、Ｘ線Ｉ光法に用いた場合、大面積のウェーハ＠：１
度に、かつ短時間で露光し得る等の効果を奏する。
勿論のこと被数個の貫通孔？Ｗ＆けたことによ５、Ｘｌ
ｉ！の照射箱８を大輪に増大することができる。このた
め、Ｘ線Ｉ光法に用いた場合、大面積のウェーハ＠：１
度に、かつ短時間で露光し得る等の効果を奏する。
発１ｉ４の実施例
第３図は本！１１１の一実施例に係わるＸ線発生装置を
用いたＸ＠露光法を示す模式図である。
用いたＸ＠露光法を示す模式図である。
なお、第１図および第２図と同一部分に蝶同−符号を付
して、そＯ評しい説Ｗｉ４は省略する。こＯ実施例が第
２図に示したｘｉｉｎ光法と異なる点ｔＬ ｘｌ１発生
源の絶縁体に設ける貫通孔１ｗ数個にし九ことにあゐ。
して、そＯ評しい説Ｗｉ４は省略する。こＯ実施例が第
２図に示したｘｉｉｎ光法と異なる点ｔＬ ｘｌ１発生
源の絶縁体に設ける貫通孔１ｗ数個にし九ことにあゐ。
すなわち、長さ２〔帰〕のポジエチレン円柱ｚ１（絶縁
体）には、第４図にそＯ平面図【示す如（３〔菌〕の間
隔で４債Ｏ貫通孔１１ｍ 、１１ｂ、Ｉｌｃ 、２２ｄ
が設けられている８貫通孔２２１〜２２ｄはその断面形
状が正方形で、−辺の長さをそれぞれ１〔−〕とした。
体）には、第４図にそＯ平面図【示す如（３〔菌〕の間
隔で４債Ｏ貫通孔１１ｍ 、１１ｂ、Ｉｌｃ 、２２ｄ
が設けられている８貫通孔２２１〜２２ｄはその断面形
状が正方形で、−辺の長さをそれぞれ１〔−〕とした。
また、貫通孔２２１〜ｊｆｆｄの上方はそれぞれトリガ
が電極ＸＳＳ〜２３４が設けられてｉる。なお、電極８
．９はグラファイトで形成し＋、ｔ＋、＝ｒンデンｆｌ
ＩＣ）静電容量はＺｏｏＣμ！〕、高圧電源１１の電
圧は５０〔Ｋマ〕とした。
が電極ＸＳＳ〜２３４が設けられてｉる。なお、電極８
．９はグラファイトで形成し＋、ｔ＋、＝ｒンデンｆｌ
ＩＣ）静電容量はＺｏｏＣμ！〕、高圧電源１１の電
圧は５０〔Ｋマ〕とした。
このよう＆ＸＩ１発生装置を用いることによって、貫通
孔が１個の゛従来のものに比してＸ＠０照射面積ｔ１従
来面積に貫通孔の数ｔ−ｉけた面積近くまで拡大するこ
とが可能となる。例えばポリエチレン円柱２１とシリフ
ンウェーハ５との距離ｔ−１５（ｆｆｉ）とすると、６
ｍ５ｍ）角の面積を１度に照射することができる。
孔が１個の゛従来のものに比してＸ＠０照射面積ｔ１従
来面積に貫通孔の数ｔ−ｉけた面積近くまで拡大するこ
とが可能となる。例えばポリエチレン円柱２１とシリフ
ンウェーハ５との距離ｔ−１５（ｆｆｉ）とすると、６
ｍ５ｍ）角の面積を１度に照射することができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記ポリエチレン０代ＣＫは、絶縁体であ
れば用ｉてもよい。また、絶縁体に設ける貫通孔の数は
４１１Ｋｌｌるものではなく、必要とするＸ線照射面積
に応じて適宜変更すればよい。さらに、貫通孔の形状は
正方形に限るものではなく、矩形、円形成いは吻円形郷
、目的に応じて各程の形状【用いればよい。
い。例えば、前記ポリエチレン０代ＣＫは、絶縁体であ
れば用ｉてもよい。また、絶縁体に設ける貫通孔の数は
４１１Ｋｌｌるものではなく、必要とするＸ線照射面積
に応じて適宜変更すればよい。さらに、貫通孔の形状は
正方形に限るものではなく、矩形、円形成いは吻円形郷
、目的に応じて各程の形状【用いればよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
第１図は従来のＸ線露光法の原理を示す模式図、第２図
は従来の毛細管型の放電プラズマＸ線発生装置を用いｔ
Ｘ線島元法１）午模式図、第３図は本発明Ｏ−笑施例に
係わ、６ＸＩｌ１発生装置を用いたｘｓ！露光法を示す
潰式図、第４図は上記実施例装置を上方から見た平面図
てあゐ。 ８．９・・・電極、１０・−；ンデンサ、１１・・・高
圧電−１ｊ１・・・ポリエチレン円柱（絶縁体）、ｘｘ
ａ−ｘｘａ−・・貫通孔、２３ａ ＃ｊＪｄ・・・）リ
ガ電極。 出願人代理人 弁理土鈴 圧式 彦 １［３真 第１図 第２図
は従来の毛細管型の放電プラズマＸ線発生装置を用いｔ
Ｘ線島元法１）午模式図、第３図は本発明Ｏ−笑施例に
係わ、６ＸＩｌ１発生装置を用いたｘｓ！露光法を示す
潰式図、第４図は上記実施例装置を上方から見た平面図
てあゐ。 ８．９・・・電極、１０・−；ンデンサ、１１・・・高
圧電−１ｊ１・・・ポリエチレン円柱（絶縁体）、ｘｘ
ａ−ｘｘａ−・・貫通孔、２３ａ ＃ｊＪｄ・・・）リ
ガ電極。 出願人代理人 弁理土鈴 圧式 彦 １［３真 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）両生Ｉ！ｆｉｔ貫通して複数の貫通孔が形成され
た絶縁体と、この絶縁体の両主面にそれぞれ被着され友
電極と、これらの電極間にＷ！続された；ンデンナと、
このコンデンｔＫ接続された高圧電源と、前虻絶縁体の
一方の主面側に前記各貫通孔に対応して設けられたトリ
ガ電極とを具備してなることを特徴とするＸ、！１発生
装置。 ＠ 前記各貫通孔は、その断面形状が正方形であること
ｔ４Ｉ微とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001544A JPS58119200A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001544A JPS58119200A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119200A true JPS58119200A (ja) | 1983-07-15 |
Family
ID=11504457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001544A Pending JPS58119200A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119200A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122036A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Nichicon Capacitor Ltd | Ｘ線発生装置 |
| JPS62254349A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-11-06 | Nichicon Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57001544A patent/JPS58119200A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122036A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Nichicon Capacitor Ltd | Ｘ線発生装置 |
| JPS62254349A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-11-06 | Nichicon Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
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