JPH0664735B2 - パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 - Google Patents
パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法Info
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- JPH0664735B2 JPH0664735B2 JP60163944A JP16394485A JPH0664735B2 JP H0664735 B2 JPH0664735 B2 JP H0664735B2 JP 60163944 A JP60163944 A JP 60163944A JP 16394485 A JP16394485 A JP 16394485A JP H0664735 B2 JPH0664735 B2 JP H0664735B2
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- permalloy
- perpendicular magnetic
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、２層膜垂直磁気記録媒体の作製方法に係わ
り、特に本発明は軟磁性パーマロイ層の作製方法に関す
るものである。
り、特に本発明は軟磁性パーマロイ層の作製方法に関す
るものである。
（従来の技術） 近年垂直磁気記録方式が高密度磁気記録に適した記録方
式として注目されている。この記録方式に好都合な記録
媒体としてパーマロイなどの軟磁性層とCo−Crなどの垂
直磁化膜層からなる２層膜媒体が知られている。そして
軟磁性層としては保磁力が小さく、透磁率の高い程記録
感度は良くなり、又、再生出力も大きくなる。ただし、
あまりにも軟磁性が良好になり過ぎるとスパイク状のノ
イズを発生して好ましくなく、ノイズ発生を抑えるため
の大よその目安として保磁力は２〜３エルステツド以上
であることが知られている。
式として注目されている。この記録方式に好都合な記録
媒体としてパーマロイなどの軟磁性層とCo−Crなどの垂
直磁化膜層からなる２層膜媒体が知られている。そして
軟磁性層としては保磁力が小さく、透磁率の高い程記録
感度は良くなり、又、再生出力も大きくなる。ただし、
あまりにも軟磁性が良好になり過ぎるとスパイク状のノ
イズを発生して好ましくなく、ノイズ発生を抑えるため
の大よその目安として保磁力は２〜３エルステツド以上
であることが知られている。
軟磁性層としてはパーマロイやCo系のアモルフアス磁性
膜が知られているが、経済性などの点から多く用いられ
ているのはパーマロイである。
膜が知られているが、経済性などの点から多く用いられ
ているのはパーマロイである。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、パーマロイ薄膜の場合には基板面に垂直な磁気
異方性が発生し易く、保磁力は10エルステツド以上にも
なるので２層膜垂直媒体としての性能を悪くしていた。
異方性が発生し易く、保磁力は10エルステツド以上にも
なるので２層膜垂直媒体としての性能を悪くしていた。
本発明は前記従来の垂直磁気記録媒体のパーマロイ軟磁
性層が有する垂直磁気異方性を抑制して保磁力の小さい
優れた軟磁気特性を有する垂直磁気記録媒体用の軟磁性
層の作製方法を提供することを目的とするものであり、
特許請求の範囲に記載の方法を提供することによつて、
前記目的を達成することができる。
性層が有する垂直磁気異方性を抑制して保磁力の小さい
優れた軟磁気特性を有する垂直磁気記録媒体用の軟磁性
層の作製方法を提供することを目的とするものであり、
特許請求の範囲に記載の方法を提供することによつて、
前記目的を達成することができる。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、非磁性基板上にパーマロイ層およびCo−Cr垂
直磁化膜層をスパツタ法により順次形成するパーマロイ
薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法にお
いて： 下記（ａ），（ｂ）および（ｃ）工程のシーケンスから
なることを特徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を有する
垂直磁気記録媒体の作製方法： （ａ）非磁性基板を真空槽内で熱処理する工程； （ｂ）真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程；および （ｃ）真空槽内を真空排気した後アルゴンガスを導入し
て、スパツタ法によりパーマロイ層を形成する工程。
直磁化膜層をスパツタ法により順次形成するパーマロイ
薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法にお
いて： 下記（ａ），（ｂ）および（ｃ）工程のシーケンスから
なることを特徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を有する
垂直磁気記録媒体の作製方法： （ａ）非磁性基板を真空槽内で熱処理する工程； （ｂ）真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程；および （ｃ）真空槽内を真空排気した後アルゴンガスを導入し
て、スパツタ法によりパーマロイ層を形成する工程。
に関するものである。
本発明者らは、パーマロイ薄膜層の垂直磁気異方性はス
パツタ室のバツクグランドの真空状態を良好にすると出
現し易いことから、高分子フイルム基板を真空槽中で熱
処理後、真空槽内を大気に開放し、しかる後に再び真空
槽を真空排気してアルゴンガスを導入し、スパツタを開
始することによつて垂直磁気異方性の出現を抑制し得る
ことを新規に知見し、本発明を完成した。
パツタ室のバツクグランドの真空状態を良好にすると出
現し易いことから、高分子フイルム基板を真空槽中で熱
処理後、真空槽内を大気に開放し、しかる後に再び真空
槽を真空排気してアルゴンガスを導入し、スパツタを開
始することによつて垂直磁気異方性の出現を抑制し得る
ことを新規に知見し、本発明を完成した。
本発明において、上記（ａ）の熱処理工程は、非磁性基
板表面の洗浄と熱収縮とを目的として行われるものであ
る。即ち、ポリイミドやポリエステルなどの高分子フィ
ルム基板を、フィルムに付着した水分や不純物を脱ガス
除去するためと、磁性膜の成膜時に熱収縮を起こして変
形（カーリング）しないように予め熱収縮させて安定化
させるために行うものである。この熱処理の温度として
は、基板として使用するフィルムの耐熱温度未満を上限
として、成膜時の基板表面温度以上で行うことが好まし
い。
板表面の洗浄と熱収縮とを目的として行われるものであ
る。即ち、ポリイミドやポリエステルなどの高分子フィ
ルム基板を、フィルムに付着した水分や不純物を脱ガス
除去するためと、磁性膜の成膜時に熱収縮を起こして変
形（カーリング）しないように予め熱収縮させて安定化
させるために行うものである。この熱処理の温度として
は、基板として使用するフィルムの耐熱温度未満を上限
として、成膜時の基板表面温度以上で行うことが好まし
い。
なお、非磁性基板を真空槽中で熱処理した後に真空槽内
を大気に開放することとした理由は、明瞭ではないが、
大気成分のいずれか（Ｎ２,O２,H２など）が基板表面に
付着し、その後、この大気成分が磁性膜をスパツターし
ている際に再放出されることにより、これが膜成長に好
影響を及ぼして垂直磁気異方性の出現を抑制するからで
あると考えられる。
を大気に開放することとした理由は、明瞭ではないが、
大気成分のいずれか（Ｎ２,O２,H２など）が基板表面に
付着し、その後、この大気成分が磁性膜をスパツターし
ている際に再放出されることにより、これが膜成長に好
影響を及ぼして垂直磁気異方性の出現を抑制するからで
あると考えられる。
次に本発明を実験データについて詳しく説明する。
従来の軟磁性パーマロイ層の作製方法を下記比較例１〜
３について説明する。
３について説明する。
〔比較例１〕 バツチ式スパツタ装置中にポリイミド基板をセツトし、
10− ６Torr程度で200℃で30分間熱処理し、３×10− ７T
orrまで真空排気後、アルゴンガスを導入し、以下の条
件でモリブデンパーマロイ膜を形成した。
10− ６Torr程度で200℃で30分間熱処理し、３×10− ７T
orrまで真空排気後、アルゴンガスを導入し、以下の条
件でモリブデンパーマロイ膜を形成した。
スパツタ法 :RFマグネトロン ターゲツト :8インチの78Ni−Feターゲツト上にMo
ペレツト配置（面積比で４％） アルゴン圧 :0.6〜１×10− ３Torr 基板温度 :20〜90℃ スパツタ電力 :0.7W／cm２ スパツタレイト:0.017μｍ／min 膜厚約0.50μｍの膜の特性を第１表に示した。Hcは膜面
内の保磁力、△θ５ ０はＸ線回折ロツキング曲線による
（111）結晶軸の膜面法線方向からの配向角の半値幅で
ある。なお、保磁力Hcは振動試料型磁力計（VSM）にて
測定した。
ペレツト配置（面積比で４％） アルゴン圧 :0.6〜１×10− ３Torr 基板温度 :20〜90℃ スパツタ電力 :0.7W／cm２ スパツタレイト:0.017μｍ／min 膜厚約0.50μｍの膜の特性を第１表に示した。Hcは膜面
内の保磁力、△θ５ ０はＸ線回折ロツキング曲線による
（111）結晶軸の膜面法線方向からの配向角の半値幅で
ある。なお、保磁力Hcは振動試料型磁力計（VSM）にて
測定した。
同表に示した全ての場合にＭ−Ｈループの形状は第１図
（Ａ）に示したような形を示しており、垂直磁気異方性
が存在することを示す。そのために第１表に示されてい
るように保磁力Hcは多くの場合10エルステツド以上の大
きい値を示している。
（Ａ）に示したような形を示しており、垂直磁気異方性
が存在することを示す。そのために第１表に示されてい
るように保磁力Hcは多くの場合10エルステツド以上の大
きい値を示している。
〔比較例２〕 第２図に示す巻取式スパツター装置を用いてパーマロイ
膜を形成した。
膜を形成した。
第２図は装置の概要を示す説明図であり、１は真空槽、
２は排気系への連結口、3a,3bはそれぞれカソードであ
り、3aにパーマロイ、3bにCo−Crターゲツトが取り付け
られている。なおアノードは省略した。4aおよび4bは基
板フイルムのワインダーおよびアンワインダー、5a,5b,
6a,6bはガイドローラー、7a,7bはダンサーローラー、8
a,8bは冷却ローラー、９はキヤン、10はマスク、11はス
パツタガス吹出口、12は基板フイルム、13は基板加熱ヒ
ーターである。真空槽１を10− ６Torr台まで排気後、キ
ヤン９又は基板加熱ヒーター13によりポリイミドフイル
ム12を100〜190℃で加熱し、アンワインダー4bからワイ
ンダー4aにフイルムを巻き移した。加熱に用いたキヤン
９又は基板加熱ヒーター13を冷却し、真空槽内を0.75〜
１×10− ６Torrに排気後、スパツタガス吹出口11からア
ルゴンガスを導入し、所定のガス圧に保つてカソード3a
に取り付けられたモリブデンパーマロイターゲツトを用
いて、移動するポリイミド基板上に連続的に薄膜を形成
した。スパツタ条件は次のとおりである： スパツタ法 :DCマグネトロン法 ターゲツト組成:5重量％モリブデンパーマロイ アルゴンガス圧:0.5〜３×10− ３Torr スパツタ電力 ：約8.5W／cm２ スパツタレイト：約0.4μｍ／min 膜厚が0.45〜0.5μｍの膜において得られた結果を第３
図に示す。曲線ａは基板フイルムの長さ方向に測定した
保磁力Hc、曲線ｂは（111）結晶軸の配向角△θ５ ０を
それぞれアルゴン圧力に対して示す。基板の熱処理温度
による変化は小さかつた。Ｍ−Ｈループは全ての場合第
１図の（Ａ）に示したようなループ形状を示しており、
垂直磁気異方性が存在していた。又保磁力Hcも10Oe以上
と大きい値を示した。
２は排気系への連結口、3a,3bはそれぞれカソードであ
り、3aにパーマロイ、3bにCo−Crターゲツトが取り付け
られている。なおアノードは省略した。4aおよび4bは基
板フイルムのワインダーおよびアンワインダー、5a,5b,
6a,6bはガイドローラー、7a,7bはダンサーローラー、8
a,8bは冷却ローラー、９はキヤン、10はマスク、11はス
パツタガス吹出口、12は基板フイルム、13は基板加熱ヒ
ーターである。真空槽１を10− ６Torr台まで排気後、キ
ヤン９又は基板加熱ヒーター13によりポリイミドフイル
ム12を100〜190℃で加熱し、アンワインダー4bからワイ
ンダー4aにフイルムを巻き移した。加熱に用いたキヤン
９又は基板加熱ヒーター13を冷却し、真空槽内を0.75〜
１×10− ６Torrに排気後、スパツタガス吹出口11からア
ルゴンガスを導入し、所定のガス圧に保つてカソード3a
に取り付けられたモリブデンパーマロイターゲツトを用
いて、移動するポリイミド基板上に連続的に薄膜を形成
した。スパツタ条件は次のとおりである： スパツタ法 :DCマグネトロン法 ターゲツト組成:5重量％モリブデンパーマロイ アルゴンガス圧:0.5〜３×10− ３Torr スパツタ電力 ：約8.5W／cm２ スパツタレイト：約0.4μｍ／min 膜厚が0.45〜0.5μｍの膜において得られた結果を第３
図に示す。曲線ａは基板フイルムの長さ方向に測定した
保磁力Hc、曲線ｂは（111）結晶軸の配向角△θ５ ０を
それぞれアルゴン圧力に対して示す。基板の熱処理温度
による変化は小さかつた。Ｍ−Ｈループは全ての場合第
１図の（Ａ）に示したようなループ形状を示しており、
垂直磁気異方性が存在していた。又保磁力Hcも10Oe以上
と大きい値を示した。
〔比較例３〕 比較例２の場合と同じ装置および同じスパツタ条件でポ
リエステルフイルムを用いてモリブデンパーマロイ膜を
形成した。第４図はスパツタ時基板温度を80℃、アルゴ
ン圧を0.5×10− ３Torrとした時の基板の熱処理温度に
対するフイルム長さ方向の保磁力Hc（曲線ｃ）と結晶軸
の配向角△θ５ ０（曲線ｄ）を示す。これらの場合にも
垂直磁気異方性の出現による大きな保磁力を示してい
る。
リエステルフイルムを用いてモリブデンパーマロイ膜を
形成した。第４図はスパツタ時基板温度を80℃、アルゴ
ン圧を0.5×10− ３Torrとした時の基板の熱処理温度に
対するフイルム長さ方向の保磁力Hc（曲線ｃ）と結晶軸
の配向角△θ５ ０（曲線ｄ）を示す。これらの場合にも
垂直磁気異方性の出現による大きな保磁力を示してい
る。
第５図はスパツタ時基板温度を６℃以下とした時のスパ
ツタガス圧に対する保磁力Hc（曲線ｅ）と結晶配向角Δ
θ５ ０（曲線ｆ）の変化を示す図である。いずれの場合
にも垂直磁気異方性が出現しており、アルゴン圧が２×
10− ３Torr以下では大きな保磁力を示している。アルゴ
ン圧が２×10− ３Torrより大きい領域では保磁力Hcはか
なり小さくなつているが、この場合にも小さな垂直磁気
異方性が確認された。また、この領域では、第５図に示
すとおり、結小配向角Δθ５ ０が15゜以上とかなり大き
くなってしまった。いわゆるパーマロイ膜の結晶配向角
Δθ５ ０が大きくなると、この膜表面に形成するCo−Cr
膜の結晶性を害して垂直磁気異方性に悪影響を与えるよ
うになる。
ツタガス圧に対する保磁力Hc（曲線ｅ）と結晶配向角Δ
θ５ ０（曲線ｆ）の変化を示す図である。いずれの場合
にも垂直磁気異方性が出現しており、アルゴン圧が２×
10− ３Torr以下では大きな保磁力を示している。アルゴ
ン圧が２×10− ３Torrより大きい領域では保磁力Hcはか
なり小さくなつているが、この場合にも小さな垂直磁気
異方性が確認された。また、この領域では、第５図に示
すとおり、結小配向角Δθ５ ０が15゜以上とかなり大き
くなってしまった。いわゆるパーマロイ膜の結晶配向角
Δθ５ ０が大きくなると、この膜表面に形成するCo−Cr
膜の結晶性を害して垂直磁気異方性に悪影響を与えるよ
うになる。
次に本発明を実施例について説明する。
〔実施例１〕 比較例２の場合と同じスパツタ装置を用い、次の工程で
モリブデンパーマロイ膜を形成した。すなわちポリエス
テル基板を真空槽中にセツトした10− ６Torr台に排気
し、100℃でポリエステル基板を熱処理した。しかる後
に真空槽内を大気に開放し、再度１×10− ６Torrまで排
気してアルゴンガスを導入しスパツターを行つた。
モリブデンパーマロイ膜を形成した。すなわちポリエス
テル基板を真空槽中にセツトした10− ６Torr台に排気
し、100℃でポリエステル基板を熱処理した。しかる後
に真空槽内を大気に開放し、再度１×10− ６Torrまで排
気してアルゴンガスを導入しスパツターを行つた。
第２表はスパツター時基板温度を60℃以下とした時に膜
厚約0.45μｍの薄膜で得られた結果を示す。全ての場合
にＡ−Ｈループの形状は第１図（Ｂ）に示した如きルー
プを示し、垂直磁気異方性が存在しないことを示してい
る。そのため第２表で明らかな如くフイルム長さ方向の
保磁力Hcは小さい値を示している。
厚約0.45μｍの薄膜で得られた結果を示す。全ての場合
にＡ−Ｈループの形状は第１図（Ｂ）に示した如きルー
プを示し、垂直磁気異方性が存在しないことを示してい
る。そのため第２表で明らかな如くフイルム長さ方向の
保磁力Hcは小さい値を示している。
第６図はアルゴン圧を0.5×10− ３Torr、スパツタ電力
を8.5W／cm２とした時の保磁力Hc（曲線ｇ）と結晶配向
角△θ５ ０（曲線ｈ）のスパツター時基板温度に対する
変化を示す。基板温度が70℃以下では垂直磁気異方性は
出現せず、保磁力も10エルステツド以下となつている
が、70℃より高くすると垂直磁気異方性が出現して保磁
力が大きくなることを示している。
を8.5W／cm２とした時の保磁力Hc（曲線ｇ）と結晶配向
角△θ５ ０（曲線ｈ）のスパツター時基板温度に対する
変化を示す。基板温度が70℃以下では垂直磁気異方性は
出現せず、保磁力も10エルステツド以下となつている
が、70℃より高くすると垂直磁気異方性が出現して保磁
力が大きくなることを示している。
〔実施例２〕 比較例２と同じスパツター装置を用い、ポリイミド基板
を用いて実施例１とほぼ同じ工程でモリブデンパーマロ
イ膜をスパツターした。ただし、基板の熱処理温度は19
0℃とした。スパツター時基板温度を60℃以下、スパツ
ター電力を8.5W／cm２とした時の結果を第３表に示す。
この場合、極めて小さい垂直磁気異方性の存在が認めら
れたが、保磁力Hcは比較例１〜３の場合に比べて小さい
値となつている。
を用いて実施例１とほぼ同じ工程でモリブデンパーマロ
イ膜をスパツターした。ただし、基板の熱処理温度は19
0℃とした。スパツター時基板温度を60℃以下、スパツ
ター電力を8.5W／cm２とした時の結果を第３表に示す。
この場合、極めて小さい垂直磁気異方性の存在が認めら
れたが、保磁力Hcは比較例１〜３の場合に比べて小さい
値となつている。
以上に詳述した実施例から、２層膜垂直磁気記録媒体用
のパーマロイ軟磁性層の垂直磁気異方性の出現を抑制し
て結晶配向角Δθ５ ０が小さい状態において、保磁力Hc
を小さくするためには、本発明による作製工程すなわち
真空槽中で基板フイルムを熱処理した後、真空槽内を大
気開放する工程を入れて、しかる後に再び真空排気して
スパツターを行うことが非常に有効であることが明らか
である。
のパーマロイ軟磁性層の垂直磁気異方性の出現を抑制し
て結晶配向角Δθ５ ０が小さい状態において、保磁力Hc
を小さくするためには、本発明による作製工程すなわち
真空槽中で基板フイルムを熱処理した後、真空槽内を大
気開放する工程を入れて、しかる後に再び真空排気して
スパツターを行うことが非常に有効であることが明らか
である。
（発明の効果） 以上本発明によれば、垂直磁気異方性が極めて小さい
か、あるいは実質的に存在しない軟磁性パーマロイ薄膜
層が得られ、２層膜垂直磁気記録媒体用の軟磁性層とし
て優れたパーマロイ薄膜を作製することができる。
か、あるいは実質的に存在しない軟磁性パーマロイ薄膜
層が得られ、２層膜垂直磁気記録媒体用の軟磁性層とし
て優れたパーマロイ薄膜を作製することができる。
第１図はパーマロイ薄膜のＭ−Ｈループを示す図であ
り、同図（Ａ）は垂直磁気異方性が存在する場合、同図
（Ｂ）は垂直磁気異方性が存在しない場合のループ形状
をそれぞれ示す図、第２図はスパツター装置の概要を示
す説明図、第３図はアルゴン圧に対する保磁力と結晶配
向角を示す図、第４図は基板の熱処理温度に対する保磁
力と結晶配向角の変化を示す図、第５図はアルゴン圧に
対する保磁力と結晶配向角の依存性を示す図、第６図は
スパツター時基板温度に対する保磁力と結晶配向角の依
存性を示す図である。 １……真空槽、3a,3b……カソード、 5a,5b,6a,6b,7a,7b,8a,8b……ローラー、９……キヤ
ン、12……基板フイルム、 13……基板加熱ヒーター。
り、同図（Ａ）は垂直磁気異方性が存在する場合、同図
（Ｂ）は垂直磁気異方性が存在しない場合のループ形状
をそれぞれ示す図、第２図はスパツター装置の概要を示
す説明図、第３図はアルゴン圧に対する保磁力と結晶配
向角を示す図、第４図は基板の熱処理温度に対する保磁
力と結晶配向角の変化を示す図、第５図はアルゴン圧に
対する保磁力と結晶配向角の依存性を示す図、第６図は
スパツター時基板温度に対する保磁力と結晶配向角の依
存性を示す図である。 １……真空槽、3a,3b……カソード、 5a,5b,6a,6b,7a,7b,8a,8b……ローラー、９……キヤ
ン、12……基板フイルム、 13……基板加熱ヒーター。
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性基板上にパーマロイ層およびCo−Cr
垂直磁化膜層をスパッタ法により順次形成するパーマロ
イ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法に
おいて： 下記（ａ），（ｂ）および（ｃ）工程のシーケンスから
なることを特徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を有する
垂直磁気記録媒体の作製方法。 （ａ）非磁性基板を真空槽中で熱処理する工程； （ｂ）真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程；および （ｃ）真空槽内を真空排気した後、アルゴンガスを導入
してスパッタ法により60℃以下の前記基板上にパーマロ
イ槽を形成する工程。 - 【請求項２】非磁性基板が、ポリイミド，ポリエチレン
テレフタレートなどの高分子フィルムであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の垂直磁気記録媒体
の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163944A JPH0664735B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163944A JPH0664735B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226637A JPS6226637A (ja) | 1987-02-04 |
| JPH0664735B2 true JPH0664735B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=15783788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60163944A Expired - Lifetime JPH0664735B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | パ−マロイ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664735B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155520A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Akai Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222242A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60163944A patent/JPH0664735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222242A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6226637A (ja) | 1987-02-04 |
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