JPS62256962A - 光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材 - Google Patents
光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光磁気記録材料として最近注目されている
希土類元素と鉄族元素とを主成分とする薄膜をス・ぐツ
タリングによシ製造する際に用いられるターゲツト材に
関するものである。
希土類元素と鉄族元素とを主成分とする薄膜をス・ぐツ
タリングによシ製造する際に用いられるターゲツト材に
関するものである。
希土類元素と鉄族元素とを主成分とし、これにTiのよ
うな耐食性を向上させるだめの元素が添加された光磁気
記録媒体は、書き換え可能な高濃度2碌媒体として現在
注目を集めており、このような記録媒体をス・ぐツタリ
ングによって製造する際に用いられるターゲツト材また
はターゲットとして、既に (1)所定割合の希土類金属、鉄族金属お↓び添加元素
を真空中または不活性ガス雰囲気中で完全にアーク溶解
して固化した合金インゴットを切断、研削等によって所
定寸法に仕上げた合金ターゲツト材、および (2)鉄族金属板上に希土類金属チップおよび添加元素
チップを置くか、あるいは希土類金属板上に鉄族金属チ
ップおよび添加金属チップを置くことによって、3種の
ターデッド材を組み合わせた複合、ターゲット、 が提案されている。
うな耐食性を向上させるだめの元素が添加された光磁気
記録媒体は、書き換え可能な高濃度2碌媒体として現在
注目を集めており、このような記録媒体をス・ぐツタリ
ングによって製造する際に用いられるターゲツト材また
はターゲットとして、既に (1)所定割合の希土類金属、鉄族金属お↓び添加元素
を真空中または不活性ガス雰囲気中で完全にアーク溶解
して固化した合金インゴットを切断、研削等によって所
定寸法に仕上げた合金ターゲツト材、および (2)鉄族金属板上に希土類金属チップおよび添加元素
チップを置くか、あるいは希土類金属板上に鉄族金属チ
ップおよび添加金属チップを置くことによって、3種の
ターデッド材を組み合わせた複合、ターゲット、 が提案されている。
しかしながら、前記(1)の合金ターゲツト材では、1
)それから得られるターゲットの寸法が溶解炉の大きさ
に依存するために大径のターゲットが得られず、 11)ターゲツト材中の酸素含有量が0.5〜3.0重
量%と高いために、この合金ターゲツト材から得られた
ス・ぐツタリング膜は、光磁気記録のために必要な垂直
磁化膜となりにくく、 l11)靭性が低い(抗折カニ2にり/mm’以下)た
めに割れ易く、 1■)耐熱衝撃性に乏しいため、ス・にツタリング中の
熱衝撃によって割れることが多く、V) 一般に、そ
の合金ターゲツト材をスパッタリングして得られた膜の
中の希土類元素の割合がターケ°ット中心直上から周辺
に同って著しく変化して均一とならず、特にこの合金タ
ーゲツト材にTiのような比較的少量の添加元素が混入
しているときには、この添加元素が合金中で均一に分布
しないで偏析する結果、スパッタリング膜中で添加元素
の組成むらを生じ、 また、前記(2)の複合ターゲットでは、1)回転や反
転させることができない上に、チップを均一な分布状態
として使用することができず、さらに、希土類金属、鉄
族金属および添加元素が元来大きな塊りとなって分布し
、しかもこれらの希土類金属、鉄族金属および添加元素
のス・ぐツタリング速度が相違しているだめに、スパッ
タリング膜上で各成分の分布が均一とならず、11)板
とチップとの間で異常放電を起し易く、またチップが存
在するために、磁力線が板肉には入シ易くなるが、板表
面には出にくくなシ、かつ磁界が均一でなくなる結果、
スパッタリングの効率が低下するとともに、ターゲット
が部分的に消耗され易くなる、 という問題があった。
)それから得られるターゲットの寸法が溶解炉の大きさ
に依存するために大径のターゲットが得られず、 11)ターゲツト材中の酸素含有量が0.5〜3.0重
量%と高いために、この合金ターゲツト材から得られた
ス・ぐツタリング膜は、光磁気記録のために必要な垂直
磁化膜となりにくく、 l11)靭性が低い(抗折カニ2にり/mm’以下)た
めに割れ易く、 1■)耐熱衝撃性に乏しいため、ス・にツタリング中の
熱衝撃によって割れることが多く、V) 一般に、そ
の合金ターゲツト材をスパッタリングして得られた膜の
中の希土類元素の割合がターケ°ット中心直上から周辺
に同って著しく変化して均一とならず、特にこの合金タ
ーゲツト材にTiのような比較的少量の添加元素が混入
しているときには、この添加元素が合金中で均一に分布
しないで偏析する結果、スパッタリング膜中で添加元素
の組成むらを生じ、 また、前記(2)の複合ターゲットでは、1)回転や反
転させることができない上に、チップを均一な分布状態
として使用することができず、さらに、希土類金属、鉄
族金属および添加元素が元来大きな塊りとなって分布し
、しかもこれらの希土類金属、鉄族金属および添加元素
のス・ぐツタリング速度が相違しているだめに、スパッ
タリング膜上で各成分の分布が均一とならず、11)板
とチップとの間で異常放電を起し易く、またチップが存
在するために、磁力線が板肉には入シ易くなるが、板表
面には出にくくなシ、かつ磁界が均一でなくなる結果、
スパッタリングの効率が低下するとともに、ターゲット
が部分的に消耗され易くなる、 という問題があった。
そこで、本発明者等は、光磁気記録媒体形成用のスパッ
タリングターゲツト材またはターゲットにおける上述の
問題を解決するために種々研究を重ねた結果、 (11Tb 、 Cd 、 Dy 、 Ho 、 Tr
nおよびErからなる群より選ばれた希土類元素1種ま
たは2種以1:15〜35条、 Ti:0.01〜5チ、 Fe 、 CoおよびNiからなる群より選ばれた鉄族
元素1種まだは2種以上と不可避不純物:残り、 からなる組成(以上原子%)と、前記希土類元素、鉄族
元素およびチタンのうちのいずれか1種以上からなる単
体金属粒子および合金粒子より選ばれた2種以上の粒子
が焼結により結合して、これらの粒子の界面に、その粒
子間の反応によって生成した反応拡散相が介在している
微細な混合組織とを有するターゲツト材では、その中に
不可避不純物として含まれる酸素の量が、従来の合金タ
ーゲツト材よりも大巾に低減して0.3重量係以下とな
り、その結果このようなターゲツト材から得られたス・
ぐツタリング膜は、光磁気記録に必要な垂直磁化特性を
十分に示すこと、 (2)前記ターゲツト材においては、Ti単体およびT
i合金のうちのいずれか一方または双方が微細な粒子の
形で他の粒子の間に混在し、かつこのようなTi以外の
残シのTiを含む反応拡散相が各粒子の界面の間に介在
してTiの分布を一層平均化するために、Tiの偏析が
抑えられ、その結果このターゲツト材中のTiは、その
添加量が上記のように僅かであっても、ターゲツト材中
に均一に分布でき、これはス・ぞツタリング膜において
Tiの分布を均一にするのに貢献すること、 (3)前記ターケ゛ット材においては、前記反応拡散相
の存在割合、すなわち任意の断面または表面において占
めるこの反応拡散相の面積の割合が、スパッタリング膜
全体にわたる膜の組成の均一性を左右すること、 (4) 前記任意の断面または表面において占める反
応拡散相の面積の割合を、その断面または表面全体の面
積の15〜50チとすると、このよう−なターゲツト材
によって、中心から周辺に至るまで各成分が均一に分布
したスパッタリング膜が生成すること、 (5) 前記ターゲツト材において、反応拡散相の前記
面積割合が上記範囲内に入ると、そのターケ゛ット材は
、靭性と耐熱衝撃性が比較的高くなって、割れにくくな
ること、 を見出した。
タリングターゲツト材またはターゲットにおける上述の
問題を解決するために種々研究を重ねた結果、 (11Tb 、 Cd 、 Dy 、 Ho 、 Tr
nおよびErからなる群より選ばれた希土類元素1種ま
たは2種以1:15〜35条、 Ti:0.01〜5チ、 Fe 、 CoおよびNiからなる群より選ばれた鉄族
元素1種まだは2種以上と不可避不純物:残り、 からなる組成(以上原子%)と、前記希土類元素、鉄族
元素およびチタンのうちのいずれか1種以上からなる単
体金属粒子および合金粒子より選ばれた2種以上の粒子
が焼結により結合して、これらの粒子の界面に、その粒
子間の反応によって生成した反応拡散相が介在している
微細な混合組織とを有するターゲツト材では、その中に
不可避不純物として含まれる酸素の量が、従来の合金タ
ーゲツト材よりも大巾に低減して0.3重量係以下とな
り、その結果このようなターゲツト材から得られたス・
ぐツタリング膜は、光磁気記録に必要な垂直磁化特性を
十分に示すこと、 (2)前記ターゲツト材においては、Ti単体およびT
i合金のうちのいずれか一方または双方が微細な粒子の
形で他の粒子の間に混在し、かつこのようなTi以外の
残シのTiを含む反応拡散相が各粒子の界面の間に介在
してTiの分布を一層平均化するために、Tiの偏析が
抑えられ、その結果このターゲツト材中のTiは、その
添加量が上記のように僅かであっても、ターゲツト材中
に均一に分布でき、これはス・ぞツタリング膜において
Tiの分布を均一にするのに貢献すること、 (3)前記ターケ゛ット材においては、前記反応拡散相
の存在割合、すなわち任意の断面または表面において占
めるこの反応拡散相の面積の割合が、スパッタリング膜
全体にわたる膜の組成の均一性を左右すること、 (4) 前記任意の断面または表面において占める反
応拡散相の面積の割合を、その断面または表面全体の面
積の15〜50チとすると、このよう−なターゲツト材
によって、中心から周辺に至るまで各成分が均一に分布
したスパッタリング膜が生成すること、 (5) 前記ターゲツト材において、反応拡散相の前記
面積割合が上記範囲内に入ると、そのターケ゛ット材は
、靭性と耐熱衝撃性が比較的高くなって、割れにくくな
ること、 を見出した。
この発明は、上記知見に基づいて発明されたもので、耐
食性を高めるために添加されるチタンが希土類元素とと
もに鉄族元素中に均一に分散され、かつ光磁気記録媒体
として利用される希土類元素、鉄族元素およびチタンか
らなる薄膜を製造する場合、広い面積にわたって均一な
組成を有する前記記録媒体を生成できるターケ゛ット材
を提供することを目的とし、 Tb 、 Gd 、 Dy、 Ho、TmおよびErか
らなる群より選ばれた希土類元素1種まだは2種以上=
15〜35%、 Ti : 0.01〜5チ、 Fe 、 CoおよびNiからなる群より選ばれた鉄族
元素1種または2種以上と不可避不純物:残り、からな
る組成(以上原子%)、および 前記希土類元素、鉄族元素およびチタンのうちのいずれ
か1種以上からなる単体金属粒子および合金粒子よシ選
ばれた2種以上の粒子が焼結により結合して、これらの
粒子界面に、その粒子間の反応によって生成した反応拡
散相が介在している微細な混合組織を有し、さらに、 任意の断面または表面において占める前記反応拡散相の
面積の割合が、その断面または表面全体の面積の15〜
50チであることを特徴とする、光磁気記録媒体形成用
ス・母ツタリングターゲット材、 に係るものである。
食性を高めるために添加されるチタンが希土類元素とと
もに鉄族元素中に均一に分散され、かつ光磁気記録媒体
として利用される希土類元素、鉄族元素およびチタンか
らなる薄膜を製造する場合、広い面積にわたって均一な
組成を有する前記記録媒体を生成できるターケ゛ット材
を提供することを目的とし、 Tb 、 Gd 、 Dy、 Ho、TmおよびErか
らなる群より選ばれた希土類元素1種まだは2種以上=
15〜35%、 Ti : 0.01〜5チ、 Fe 、 CoおよびNiからなる群より選ばれた鉄族
元素1種または2種以上と不可避不純物:残り、からな
る組成(以上原子%)、および 前記希土類元素、鉄族元素およびチタンのうちのいずれ
か1種以上からなる単体金属粒子および合金粒子よシ選
ばれた2種以上の粒子が焼結により結合して、これらの
粒子界面に、その粒子間の反応によって生成した反応拡
散相が介在している微細な混合組織を有し、さらに、 任意の断面または表面において占める前記反応拡散相の
面積の割合が、その断面または表面全体の面積の15〜
50チであることを特徴とする、光磁気記録媒体形成用
ス・母ツタリングターゲット材、 に係るものである。
以下、この発明の構成および付帯事項について具体的に
説明する。
説明する。
1、組成
ターゲツト材を構成する一方の主要成分となるTbr
Gd、Dy l Ho 、 ’I’mおよびErのうち
のいずれか1種以上からなる希土類元素の含有量が15
at、%(原子チ)未満になるか、あるいは35at
、%を越すと、そのターゲツト材は、光磁気記録媒体と
して利用するのに適した磁気特性を有する膜を生成しな
くなるので、この発明ではターゲツト材中に含有させる
希土類元素の量を15〜35 at、% と定めだ。
Gd、Dy l Ho 、 ’I’mおよびErのうち
のいずれか1種以上からなる希土類元素の含有量が15
at、%(原子チ)未満になるか、あるいは35at
、%を越すと、そのターゲツト材は、光磁気記録媒体と
して利用するのに適した磁気特性を有する膜を生成しな
くなるので、この発明ではターゲツト材中に含有させる
希土類元素の量を15〜35 at、% と定めだ。
ット材中に添加されるTiの含有量が0.01 at、
%未満になると、所望の耐食性向上効果が得られず、一
方それが5 at、% を越えると、スパッタリング膜
において磁気光学効果としてのカー回転角が小さくなシ
、必要な光磁気特性が得られなくなることから、Tiの
含有量を0.01〜5at、%と定めた。
%未満になると、所望の耐食性向上効果が得られず、一
方それが5 at、% を越えると、スパッタリング膜
において磁気光学効果としてのカー回転角が小さくなシ
、必要な光磁気特性が得られなくなることから、Tiの
含有量を0.01〜5at、%と定めた。
この発明のターゲツト材中に上記範囲内の希土類元素と
Tiを含有させ、その残シを鉄族元素と不可避不純物と
で構成させるために使用される、これらの元素からなる
金属または合金中にもともと不可避的に随伴していた不
純物、例えばSi+ AA’ +Ca t C+ P
t S + Ta 、 Mn 、 O等がターゲツト材
の特性に悪影響を及ぼさない範囲で微量台まれることは
許容される。
Tiを含有させ、その残シを鉄族元素と不可避不純物と
で構成させるために使用される、これらの元素からなる
金属または合金中にもともと不可避的に随伴していた不
純物、例えばSi+ AA’ +Ca t C+ P
t S + Ta 、 Mn 、 O等がターゲツト材
の特性に悪影響を及ぼさない範囲で微量台まれることは
許容される。
2、組織
この発明のターゲツト材は、実質的に、希土類元素、鉄
族元素およびチタンのうちのいずれか1種からなる単体
金属粒子、例えばTb 、 Co 、 Ti 金属粒
子、およびこれらの金属から構成された合金鯖、7
魚1ΔIAIφに一ハA 苧h−ρ^ p^−ρ^ 口
^−甲;合金粒子、よシ選ばれた2種以上の粒子が焼結
により結合し、かつこれらの粒子界面に、これらの粒子
間の反応によって生成した反応拡散相が介在して、この
反応拡散相と前記各種粒子とが均一に混ざシ合った微細
な混合組織を形成している。
族元素およびチタンのうちのいずれか1種からなる単体
金属粒子、例えばTb 、 Co 、 Ti 金属粒
子、およびこれらの金属から構成された合金鯖、7
魚1ΔIAIφに一ハA 苧h−ρ^ p^−ρ^ 口
^−甲;合金粒子、よシ選ばれた2種以上の粒子が焼結
により結合し、かつこれらの粒子界面に、これらの粒子
間の反応によって生成した反応拡散相が介在して、この
反応拡散相と前記各種粒子とが均一に混ざシ合った微細
な混合組織を形成している。
3、反応拡散相の面積比
希土類元素、鉄族元素およびチタンからなシ、かつ任意
の断面または表面において前記反応拡散相が種々の面積
比で存在しているターゲツト材をそれぞれス・ぐツタリ
ングして、光磁気記録媒体として利用すべき種々の薄膜
を基体上に付着させ、これらの薄膜について、そのター
デッド中心直上からターゲット外周直上に至る間の数個
所において、希土類元素とTlの含有量を調べることに
よって、この種ターゲット材の前記断面または表面にお
ける反応拡散相の面積比と、前記薄膜の半径方向におけ
る希土類元素およびTiの含有量との関係を実験によっ
て求めたところ、前記面積比が小さければ、薄膜中の希
土類元素含有量は、ターゲット中心直上で最も多くなっ
て、その端部へ至るにしたがって少なくなるとともに、
Ti含有量は、ターゲット中心直上付近で少なくなって
、その端部で多くなるが、この面積比が15係に達する
と、希土類元素とTiはいずれも薄膜のほぼ全面にわた
って均一に分布するようになって、その状態は面積比5
0チまで保たれ、さらに面積比が50%を越すと、希土
類元素含有量は、ターゲット面上中心部では少なく、端
部に近づくにつれて多くなるとともに、Ti含有量は、
ターゲツト中氾・直上部で多くなって、その端部で少な
くなることがわかったので、この発明では、ターゲツト
材の任意の断面または表面において占める前記反応拡散
相の面積の割合を、前記断面または表面全体の面積の1
5〜50%と定めた。
の断面または表面において前記反応拡散相が種々の面積
比で存在しているターゲツト材をそれぞれス・ぐツタリ
ングして、光磁気記録媒体として利用すべき種々の薄膜
を基体上に付着させ、これらの薄膜について、そのター
デッド中心直上からターゲット外周直上に至る間の数個
所において、希土類元素とTlの含有量を調べることに
よって、この種ターゲット材の前記断面または表面にお
ける反応拡散相の面積比と、前記薄膜の半径方向におけ
る希土類元素およびTiの含有量との関係を実験によっ
て求めたところ、前記面積比が小さければ、薄膜中の希
土類元素含有量は、ターゲット中心直上で最も多くなっ
て、その端部へ至るにしたがって少なくなるとともに、
Ti含有量は、ターゲット中心直上付近で少なくなって
、その端部で多くなるが、この面積比が15係に達する
と、希土類元素とTiはいずれも薄膜のほぼ全面にわた
って均一に分布するようになって、その状態は面積比5
0チまで保たれ、さらに面積比が50%を越すと、希土
類元素含有量は、ターゲット面上中心部では少なく、端
部に近づくにつれて多くなるとともに、Ti含有量は、
ターゲツト中氾・直上部で多くなって、その端部で少な
くなることがわかったので、この発明では、ターゲツト
材の任意の断面または表面において占める前記反応拡散
相の面積の割合を、前記断面または表面全体の面積の1
5〜50%と定めた。
また、反応拡散相の面積比が上記範囲内にあると、この
発明のターゲツト材では、この反応拡散相を構成する金
属間化合物が適度に含有されるために、靭性と耐熱衝撃
性がともに高くなシ、それによって、取シ扱い中または
加工中の破損やス・ぐツタリング中の熱衝撃によるひび
割れの発生が防止されるという長所も生ずる。
発明のターゲツト材では、この反応拡散相を構成する金
属間化合物が適度に含有されるために、靭性と耐熱衝撃
性がともに高くなシ、それによって、取シ扱い中または
加工中の破損やス・ぐツタリング中の熱衝撃によるひび
割れの発生が防止されるという長所も生ずる。
4、ターゲツト材の製造方法
上記のようなターゲツト材は、例えば下記のような一連
の工程を経て製造される。
の工程を経て製造される。
a)まず最初に、微細に分割された、例えば粉末、小粒
または小片状のTb 、 Gd 、 Dy 、 Ho
、 Trnおよびprのうちの1種からなる単体金属並
びに同2種以上からなる合金と、Fe 、 Coおよび
Niのうちの1種からなる単体金属並びに同2種以上か
らなる合金と、Tiと、あるいは上記のような希土類金
属、鉄族金属およびTiのうちのいずれか2種以上を組
み合わせてなる合金を用意し、これらを所定割合に配合
したものを不活性雰囲気において、例えばボールミルに
よシ密に混合して、希土類元素=15〜35%、Ti
: 0.01〜5チ、および鉄族元素十不町避不純物:
残υ、からなる組成(以上原子係)を有する混合物を形
成させ、b)ついで、この混合物に、一般に圧カニ 0
.01〜10−6Torrの真空中またはアルゴンガス
のような不活性ガス雰囲気中で、前記混合物中に存在す
る金属成分系の液相発現未満の温度、すなわち前記金属
成分系の共融点よシも例えば300〜50’C低い温度
において熱間パック圧延、ホットプレス、熱間静水圧プ
レス(HIP)、熱間鍛造等による熱開成形を施して、
前記混合物中の各粒子の塑性変形、各粒子間の部分的な
固相拡散、およびその結果としての粒子界面における反
応拡散相の形成と粒子の接合を起して、前記混合物から
高密度、すなわち一般に95〜100%の相対密度を有
する緻密で強度の高い成形体を形成させ、 C)その後、同じく真空中または不活性ガス雰囲気中で
、前記成形体中に存在する成分系の液相発現温度以下の
温度、例えば前記成分系の共融点直下ないしこれよシも
200℃低い温度に、その成形体を長時間(例えば数十
時間)加熱する熱処理を施して、この成形体中の各粒子
界面間で、金属間化合物からなる反応拡散相を生成、生
長させ、そしてこの熱処理の温度と時間を適宜調整する
ことによって、任意の断面または表面における反応拡散
相の面積比が所定の値となったターゲット材が得られる
。
または小片状のTb 、 Gd 、 Dy 、 Ho
、 Trnおよびprのうちの1種からなる単体金属並
びに同2種以上からなる合金と、Fe 、 Coおよび
Niのうちの1種からなる単体金属並びに同2種以上か
らなる合金と、Tiと、あるいは上記のような希土類金
属、鉄族金属およびTiのうちのいずれか2種以上を組
み合わせてなる合金を用意し、これらを所定割合に配合
したものを不活性雰囲気において、例えばボールミルに
よシ密に混合して、希土類元素=15〜35%、Ti
: 0.01〜5チ、および鉄族元素十不町避不純物:
残υ、からなる組成(以上原子係)を有する混合物を形
成させ、b)ついで、この混合物に、一般に圧カニ 0
.01〜10−6Torrの真空中またはアルゴンガス
のような不活性ガス雰囲気中で、前記混合物中に存在す
る金属成分系の液相発現未満の温度、すなわち前記金属
成分系の共融点よシも例えば300〜50’C低い温度
において熱間パック圧延、ホットプレス、熱間静水圧プ
レス(HIP)、熱間鍛造等による熱開成形を施して、
前記混合物中の各粒子の塑性変形、各粒子間の部分的な
固相拡散、およびその結果としての粒子界面における反
応拡散相の形成と粒子の接合を起して、前記混合物から
高密度、すなわち一般に95〜100%の相対密度を有
する緻密で強度の高い成形体を形成させ、 C)その後、同じく真空中または不活性ガス雰囲気中で
、前記成形体中に存在する成分系の液相発現温度以下の
温度、例えば前記成分系の共融点直下ないしこれよシも
200℃低い温度に、その成形体を長時間(例えば数十
時間)加熱する熱処理を施して、この成形体中の各粒子
界面間で、金属間化合物からなる反応拡散相を生成、生
長させ、そしてこの熱処理の温度と時間を適宜調整する
ことによって、任意の断面または表面における反応拡散
相の面積比が所定の値となったターゲット材が得られる
。
ついで、この発明を実施例により、比較例および従来例
と対比しながら説明する。
と対比しながら説明する。
実施例
a)平均粒径:100μmを有する純度:99.8係の
Tb粉末と、同100μmを有する純度: 99.9係
のFe74 CO26(重量係)合金粉末と、同80
/jmヲ有する純度: 99.8%のFe94,56
Tie、44 (重量係)合金粉末とを、Tb:Fe7
4−CO24” Fe94,56−Ti5.44の配合
割合が41.50:11.80:46.67(重量%)
となるように所定量秤量したものをボールミルを用いて
アルゴンガス中で2時間乾式混合して、総重量270y
の混合粉末を調製した。
Tb粉末と、同100μmを有する純度: 99.9係
のFe74 CO26(重量係)合金粉末と、同80
/jmヲ有する純度: 99.8%のFe94,56
Tie、44 (重量係)合金粉末とを、Tb:Fe7
4−CO24” Fe94,56−Ti5.44の配合
割合が41.50:11.80:46.67(重量%)
となるように所定量秤量したものをボールミルを用いて
アルゴンガス中で2時間乾式混合して、総重量270y
の混合粉末を調製した。
b)ついで、肉厚:1,218を有し、かつ内部に直径
:120gX厚さ:4.0IEIの円板状の空間を有す
るステンレス缶の中央に、外径:12,7mx長さ:5
QQglX厚さ:1.Omのステンレス管を垂直に取シ
付けて、前記円板状の空間内に前記混合粉末を充填して
から、前記ステンレス缶の内部を排気して真空度: l
X IQ Torrまで真空引きした後、前記ステン
レス缶の根もとをガスバーナーで加熱圧着して前記混合
粉末を前記ステンレス缶内に密封した。このようにステ
ンレス缶内に真空・セックされた混合粉末に、通常の圧
延機によシ、温度:600℃および1回当りの圧下率:
10%において缶全体の厚みが4.5 M程度に圧縮さ
れるまで熱間・ぐツク圧延を施して、缶内部に圧延され
た成形体を形成させた。
:120gX厚さ:4.0IEIの円板状の空間を有す
るステンレス缶の中央に、外径:12,7mx長さ:5
QQglX厚さ:1.Omのステンレス管を垂直に取シ
付けて、前記円板状の空間内に前記混合粉末を充填して
から、前記ステンレス缶の内部を排気して真空度: l
X IQ Torrまで真空引きした後、前記ステン
レス缶の根もとをガスバーナーで加熱圧着して前記混合
粉末を前記ステンレス缶内に密封した。このようにステ
ンレス缶内に真空・セックされた混合粉末に、通常の圧
延機によシ、温度:600℃および1回当りの圧下率:
10%において缶全体の厚みが4.5 M程度に圧縮さ
れるまで熱間・ぐツク圧延を施して、缶内部に圧延され
た成形体を形成させた。
C)このように缶内に閉じ込められた7安形体を熱処理
炉中に装入し、圧カニ I X 10−5Torr以下
の高真空の下に、700°C/hrの昇温速度で室温か
ら650℃まで加熱して、この温度に50時間保持する
熱処理を施し、ついで室温まで冷却してから外側のステ
ンレス缶を旋盤によシ取り除いて、その内部からTb1
9,9Fe72,09CO3,97Tt4,04 (原
子%)の組成を有するターゲツト材を取シ出した。
炉中に装入し、圧カニ I X 10−5Torr以下
の高真空の下に、700°C/hrの昇温速度で室温か
ら650℃まで加熱して、この温度に50時間保持する
熱処理を施し、ついで室温まで冷却してから外側のステ
ンレス缶を旋盤によシ取り除いて、その内部からTb1
9,9Fe72,09CO3,97Tt4,04 (原
子%)の組成を有するターゲツト材を取シ出した。
このようにして得られたターゲツト材を顕微鏡によって
組織観察したところ、このターゲツト材では、第1図の
顕微鏡写真図(400倍)およびこの図に示された金属
組織をわかシ易くするための模式的な説明図である第1
図のaに示されるように、一部原料粉末の組成のまま残
ったTb (白色部分)、Fe−Co合金(黒色部分)
およびl;’e −’l’i合金(黒色部分)の間に、
原料粉末どうしの拡散反応によって生じたTb5g F
’e3Sco14Til I ’rb5□Fe41)T
17 。
組織観察したところ、このターゲツト材では、第1図の
顕微鏡写真図(400倍)およびこの図に示された金属
組織をわかシ易くするための模式的な説明図である第1
図のaに示されるように、一部原料粉末の組成のまま残
ったTb (白色部分)、Fe−Co合金(黒色部分)
およびl;’e −’l’i合金(黒色部分)の間に、
原料粉末どうしの拡散反応によって生じたTb5g F
’e3Sco14Til I ’rb5□Fe41)T
17 。
Fe、oC06Ti4およびTb98CO2のような金
属間化合物(灰色部分)が均一に分布した微細な混合組
織が形成され、この拡散反応相の面積比は20%であっ
た。
属間化合物(灰色部分)が均一に分布した微細な混合組
織が形成され、この拡散反応相の面積比は20%であっ
た。
つぎに、このターゲツト材の性能を評価するために、こ
れを加工して直径:127mx厚さ:21CIの円板状
のターゲットとし、これを基にして、アルゴン分圧:
5 X 10−2Torr でグリスバッタを1時間
施した後、バイアス電圧:0■、スノぐツタ電カニ20
0Wと一定に保ち、第2図に示されるように、ターゲッ
トのスパッタリング面から70膓の間隔をあけて、その
ターゲット中心直上よシ径方向へ直線状に208間隔で
配置した11個のスライドガラスを基体とし、マグネト
ロンスパッタリングによって、この基体表面に膜を付着
させた。
れを加工して直径:127mx厚さ:21CIの円板状
のターゲットとし、これを基にして、アルゴン分圧:
5 X 10−2Torr でグリスバッタを1時間
施した後、バイアス電圧:0■、スノぐツタ電カニ20
0Wと一定に保ち、第2図に示されるように、ターゲッ
トのスパッタリング面から70膓の間隔をあけて、その
ターゲット中心直上よシ径方向へ直線状に208間隔で
配置した11個のスライドガラスを基体とし、マグネト
ロンスパッタリングによって、この基体表面に膜を付着
させた。
このようにして生成した各スライドガラス上の膜中のT
i量とTb量(at、%で示す)を分析によって求め、
これらのTi量およびTb量のターゲット中心直上を通
る直径方向に沿った変化を第3図に示した。
i量とTb量(at、%で示す)を分析によって求め、
これらのTi量およびTb量のターゲット中心直上を通
る直径方向に沿った変化を第3図に示した。
ついで、上記の膜の耐食性を評価するために、これらの
膜を温度:40℃および相対湿度二80チの雰囲気に保
たれている恒温恒湿槽内に入れて長時間保存し、その間
に膜の変化を観察する耐食試験を実施したところ、その
膜は10日経過した後でも変化がなく、一方、比較のた
め、Tiを含有させなかったこと以外は上記の方法と同
様な方法によって製造したTb2□Fe74Co4(、
原子係)の組成を有するターゲツト材から、上記と同じ
方法で形成させたスパッタリング膜について、上記と同
じ耐食試験を実施すると、Tiを含まない比較用の膜で
は2日後に部分的な変色を生じた。
膜を温度:40℃および相対湿度二80チの雰囲気に保
たれている恒温恒湿槽内に入れて長時間保存し、その間
に膜の変化を観察する耐食試験を実施したところ、その
膜は10日経過した後でも変化がなく、一方、比較のた
め、Tiを含有させなかったこと以外は上記の方法と同
様な方法によって製造したTb2□Fe74Co4(、
原子係)の組成を有するターゲツト材から、上記と同じ
方法で形成させたスパッタリング膜について、上記と同
じ耐食試験を実施すると、Tiを含まない比較用の膜で
は2日後に部分的な変色を生じた。
従来例1
実施例で使用した原料粉末と同じ原料粉末を、実施例と
同じ配合割合で混合して得た混合粉末、すなわち実施例
で調製した混合粉末と同様な混合粉末をアーク溶解炉で
完全に溶解混和して、実施例のターゲツト材と同じ組成
を有する合金ターゲツト材を製造し、これを加工して所
定寸法のターケ゛ットとした後、このターゲツト材基に
して前記実施例と同様なスパッタリング実験を実施し、
それによって得られた膜中のTi含有量の変化を、前記
実施例において得られた膜中のTi含有量の変化と対比
して、第4図に示した。
同じ配合割合で混合して得た混合粉末、すなわち実施例
で調製した混合粉末と同様な混合粉末をアーク溶解炉で
完全に溶解混和して、実施例のターゲツト材と同じ組成
を有する合金ターゲツト材を製造し、これを加工して所
定寸法のターケ゛ットとした後、このターゲツト材基に
して前記実施例と同様なスパッタリング実験を実施し、
それによって得られた膜中のTi含有量の変化を、前記
実施例において得られた膜中のTi含有量の変化と対比
して、第4図に示した。
従来例2
直径:127鵡×厚さ:21Bの寸法を有するFe75
−CO25(原子比)合金板上に、3鶏角×厚さ:2賜
の寸法を有するTiチップを直径方向に409ずつ離し
て、全体で12個配置するとともに、5gm角×厚さ=
21u&の寸法を有するTbチップ100個を一様に配
置することによシ、全体で前記実施例のターケ゛ット材
と同一の組成となる複合ターゲットを用意し、この複合
ターゲットを使用して前記と同様なス・ぐツタリング実
験を実施し、それによって得られた膜中のTi含有量の
変化を第4図に示した。
−CO25(原子比)合金板上に、3鶏角×厚さ:2賜
の寸法を有するTiチップを直径方向に409ずつ離し
て、全体で12個配置するとともに、5gm角×厚さ=
21u&の寸法を有するTbチップ100個を一様に配
置することによシ、全体で前記実施例のターケ゛ット材
と同一の組成となる複合ターゲットを用意し、この複合
ターゲットを使用して前記と同様なス・ぐツタリング実
験を実施し、それによって得られた膜中のTi含有量の
変化を第4図に示した。
第4図に示された結果から明らかなように、実施例のタ
ーゲツト材では、前述のように、Ti 含有量が広範
囲にわたって極めて均一に分布している膜が得られるの
に対して、従来例1および2のターゲツト材では、Ti
含有量が著しく変動した膜を生成することがわかる。
ーゲツト材では、前述のように、Ti 含有量が広範
囲にわたって極めて均一に分布している膜が得られるの
に対して、従来例1および2のターゲツト材では、Ti
含有量が著しく変動した膜を生成することがわかる。
比較例1
熱処理において、650°Cに3時間保持の条件を採用
して、反応拡散相の面積比を10.3 %とした以外は
実施例と同様な方法によって、実施例の前記ターゲツト
材と同一組成のターゲツト材を製造し、このターゲツト
材を加工して得たターゲットについて、前記と同様なス
・ぐツタリング実験を実施し、それによって生成した膜
中のTiおよびTbの濃度変化を第5図に示した。
して、反応拡散相の面積比を10.3 %とした以外は
実施例と同様な方法によって、実施例の前記ターゲツト
材と同一組成のターゲツト材を製造し、このターゲツト
材を加工して得たターゲットについて、前記と同様なス
・ぐツタリング実験を実施し、それによって生成した膜
中のTiおよびTbの濃度変化を第5図に示した。
比較例2
熱処理において、650°Cに110時間保持の条件を
採用して、反応拡散相の面積比を61.7%とした以外
は実施例と同様な方法によって、前記実施例のターケ゛
ット材と同一の組成を有するターゲツト材を製造し、こ
のターゲツト材を加工して得たターケ゛ットについても
、前記と同様なスパッタリング実験を実施し、それによ
って生成した膜中のTiおよびTbの濃度変化を第6図
に示した。
採用して、反応拡散相の面積比を61.7%とした以外
は実施例と同様な方法によって、前記実施例のターケ゛
ット材と同一の組成を有するターゲツト材を製造し、こ
のターゲツト材を加工して得たターケ゛ットについても
、前記と同様なスパッタリング実験を実施し、それによ
って生成した膜中のTiおよびTbの濃度変化を第6図
に示した。
第5図および第6図に示された結果から明らかなように
、ターゲツト材中の反応拡散相の面積比がこの発明の範
囲から外れると、ス・ぐツタリング膜中のTiおよびT
bの分布はいずれも不均一になる傾向を示し、その結果
広い範囲内で組成の安定した膜が得られなくなることが
わかる。
、ターゲツト材中の反応拡散相の面積比がこの発明の範
囲から外れると、ス・ぐツタリング膜中のTiおよびT
bの分布はいずれも不均一になる傾向を示し、その結果
広い範囲内で組成の安定した膜が得られなくなることが
わかる。
以上述べた説明から明らかなように、この発明によると
、広い面積にわたって均一な組成を有するとともに、す
ぐれた耐食性もそなえた光磁気記録媒体を形成できる、
強度の高いスノクツタリングターケ゛ット材を提供する
ことができる。
、広い面積にわたって均一な組成を有するとともに、す
ぐれた耐食性もそなえた光磁気記録媒体を形成できる、
強度の高いスノクツタリングターケ゛ット材を提供する
ことができる。
第1図は、本発明のターゲツト材の金属組織を示す顕微
鏡写真図、第1図のaは第1図に示された金属組織をわ
かシ易くするための模式的な説明図、第2図は、実施例
、従来例および比較例のス・ぐツタリング実験において
採用した、ターゲットに対する11個の基体の配置状態
を示す図、そして第3図〜第6図は、基体の位置に対す
るス・ぞツタリング膜中のTiまたはTbm度の変化を
示すグラフである。
鏡写真図、第1図のaは第1図に示された金属組織をわ
かシ易くするための模式的な説明図、第2図は、実施例
、従来例および比較例のス・ぐツタリング実験において
採用した、ターゲットに対する11個の基体の配置状態
を示す図、そして第3図〜第6図は、基体の位置に対す
るス・ぞツタリング膜中のTiまたはTbm度の変化を
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Tb、Gd、Dy、Ho、TmおよびErからなる群
より選ばれた希土類元素1種または2種以上:15〜3
5%、 Ti:0.01〜5%、 Fe、CoおよびNiからなる群より選ばれた鉄族元素
1種または2種以上と不可避不純物:残り、からなる組
成(以上原子%)、および前記希土類元素、鉄族元素お
よびチタンのうちのいずれか1種以上からなる単体金属
粒子および合金粒子より選ばれた2種以上の粒子が焼結
により結合して、これらの粒子界面に、その粒子間の反
応によつて生成した反応拡散相が介在している微細な混
合組織を有し、さらに、 任意の断面または表面において占める前記反応拡散相の
面積の割合が、その断面または表面全体の面積の15〜
50%であることを特徴とする、光磁気記録媒体形成用
スパツタリングターゲツト材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9980986A JPS62256962A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9980986A JPS62256962A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256962A true JPS62256962A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14257185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9980986A Pending JPS62256962A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 光磁気記録媒体形成用スパツタリングタ−ゲツト材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62256962A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP9980986A patent/JPS62256962A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
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