JPS62256776A - ウイスカ強化コ−デイエライトセラミツク製品およびその製造方法 - Google Patents
ウイスカ強化コ−デイエライトセラミツク製品およびその製造方法Info
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- C04B2235/6567—Treatment time
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はウィスカ強化コープイエライ1〜セラミツク製
品J5よびその製造方法に関する。
品J5よびその製造方法に関する。
(従来の技術とその問題点)
長い間、ガラス、ガラスセラミックス、焼結セラミック
ス、プラスチックス、および金属を強化するため、無別
ウィスカJ5よびファイバの使用が行われてさ゛た。通
常、ウィスカの語は長い単結晶ファイバに使用される。
ス、プラスチックス、および金属を強化するため、無別
ウィスカJ5よびファイバの使用が行われてさ゛た。通
常、ウィスカの語は長い単結晶ファイバに使用される。
一般に、ウィスカは厚さが約100ミクロン以下で長さ
と直径の比が少なくとも100のものである。
と直径の比が少なくとも100のものである。
ウィスカは、その固有の形状、高り弾性率、および高い
引張張力のため1種々のは材の強IL材として広範囲に
使用されてきた。例えば、結晶母材に分散する場合、1
クイスカは結晶の粒界に治つlζ位置を占め、材料のク
リープ抵抗をかなり改善することができる。これは例え
ば、見11トクリープを生じるために必要な剪断長さa
5よび/または追加された剪断の複雑さの増加に依るも
のである。
引張張力のため1種々のは材の強IL材として広範囲に
使用されてきた。例えば、結晶母材に分散する場合、1
クイスカは結晶の粒界に治つlζ位置を占め、材料のク
リープ抵抗をかなり改善することができる。これは例え
ば、見11トクリープを生じるために必要な剪断長さa
5よび/または追加された剪断の複雑さの増加に依るも
のである。
また、多種のウィスカの高弾性率および引張張力は、優
れた強度対重量および剛性対重量を示す複合製品を形成
することができる。例えば、炭化物、窒化物および酸化
物のような非常に硬い低ボ度共有結合化合物から調製さ
れたウィスカは、大抵の金属よりも高い弾性率を示し、
多くの場合。
れた強度対重量および剛性対重量を示す複合製品を形成
することができる。例えば、炭化物、窒化物および酸化
物のような非常に硬い低ボ度共有結合化合物から調製さ
れたウィスカは、大抵の金属よりも高い弾性率を示し、
多くの場合。
その型苗に比例して考えられる鋼よりも強い。
ウィスカと比較すると、一般にファイバは多結晶または
ア〔ルファスであると見なされる。ファイバによって与
えられる複合体を強化する改良の基礎的手段を理解する
ための広範囲の研究では、そのtFIM4は剪断による
ファイバに対する母材の荷重移動であることを示した。
ア〔ルファスであると見なされる。ファイバによって与
えられる複合体を強化する改良の基礎的手段を理解する
ための広範囲の研究では、そのtFIM4は剪断による
ファイバに対する母材の荷重移動であることを示した。
この荷重移動は応力を比較的長い高率のファイバに移し
、さらにファイバは母材中の割れ目の伝搬を妨げるよう
に働く。
、さらにファイバは母材中の割れ目の伝搬を妨げるよう
に働く。
基礎的な強化d構は、ウィスカ含有複合体における機構
と同じであるが、母材によってウィスカに移された荷重
量はウィスカの長さとアスペクトの比に依存する。従っ
て、ウィスカが矩いと破断応力に荷重をかけることがな
く、その結果、強化能力の十分な長所を得ることができ
ない。
と同じであるが、母材によってウィスカに移された荷重
量はウィスカの長さとアスペクトの比に依存する。従っ
て、ウィスカが矩いと破断応力に荷重をかけることがな
く、その結果、強化能力の十分な長所を得ることができ
ない。
・ライス力の長さとアスペク)・の比のほかに、加えら
れた応ノ〕に関連したウィスカの配向と、ウィスカの端
部での応力集中が、ファイバを用いると可能となるよう
な強度よりも低い強度にする。従って、ウィスカ強化複
合体は、(諸性質をファイバ軸に治って測定する場合)
類似の成分から製造された単一方向に配向した連続ファ
イバ複合体よりib、t!!ましい傭械的性質が低いこ
とが一般に明らかである。しかし、ウィスカ含有複合体
は、連続ファイバ含有複合体よりも利点を有し、殆ど肉
眼で等り性である。
れた応ノ〕に関連したウィスカの配向と、ウィスカの端
部での応力集中が、ファイバを用いると可能となるよう
な強度よりも低い強度にする。従って、ウィスカ強化複
合体は、(諸性質をファイバ軸に治って測定する場合)
類似の成分から製造された単一方向に配向した連続ファ
イバ複合体よりib、t!!ましい傭械的性質が低いこ
とが一般に明らかである。しかし、ウィスカ含有複合体
は、連続ファイバ含有複合体よりも利点を有し、殆ど肉
眼で等り性である。
SICファイバおよびウィスカは多数の金属J5よσ非
金属母材の強化材どして示された。例えば、米国特許第
4.324,843号は、ガラスセラミック母材をアル
ミノシリケート、リチウムアルミノシリケート、マグネ
シウムアルミノシリケートおよびこれらの組合ゼの組成
系から選択されるSiCファイバ強化ガラスセラミック
複合体の製造を記載している。米国特許第4,464,
475号は、バリウムオスミライトが優れた結晶相を構
成するSiCファイバ強化ガラスセラミック複合体の製
造を開示している。米国特許第4,464,192号は
、ガラスセラミック母材がリチウムアルミノシリケート
、7グネシウムアルミノシリケート、アルミノシリケー
ト、およびこれらの組合せの群から選ばれるSICウィ
スカ強化ガラスとガラスセラミックの複合体を記載して
いる。
金属母材の強化材どして示された。例えば、米国特許第
4.324,843号は、ガラスセラミック母材をアル
ミノシリケート、リチウムアルミノシリケート、マグネ
シウムアルミノシリケートおよびこれらの組合ゼの組成
系から選択されるSiCファイバ強化ガラスセラミック
複合体の製造を記載している。米国特許第4,464,
475号は、バリウムオスミライトが優れた結晶相を構
成するSiCファイバ強化ガラスセラミック複合体の製
造を開示している。米国特許第4,464,192号は
、ガラスセラミック母材がリチウムアルミノシリケート
、7グネシウムアルミノシリケート、アルミノシリケー
ト、およびこれらの組合せの群から選ばれるSICウィ
スカ強化ガラスとガラスセラミックの複合体を記載して
いる。
前記母材は約1300℃までの温度を使用するために適
している。この温度範囲を超えると、これらの組成では
、強化71イバとウィスカに荷重を伝えるために十分な
高い粘度を与える程、耐火性が十分でない。従って、母
材は過度に変形し、複合体は荷重を受ける能力を喪失す
る。
している。この温度範囲を超えると、これらの組成では
、強化71イバとウィスカに荷重を伝えるために十分な
高い粘度を与える程、耐火性が十分でない。従って、母
材は過度に変形し、複合体は荷重を受ける能力を喪失す
る。
ファイバ強化ガラス複合体の分野では、米国特許第4.
464.192号は、ガラス母材に埋め込まれたウィス
カまた1よ切断ファイバから成る強化複合体製品の調製
を611示している。この特許は、注入成型によって、
高シリノJガラス、ホウ珪M塩ガラスまたはアルミノシ
リケートガラスの丹材内にアルミナ、黒鉛、炭化珪素お
よび/または窒化物を分散させたり西ファイバ(長さが
約1.9cm (0,75インチ)、平均直径が=5〜
50ミクロン)から成る複合体製品の製造を詳細に記載
している。米国特許第4,314,852号(ま、高シ
ワ力ガラス、ホ・ン珪酸ガラスJ3よびアルミノシリケ
ートの群から選ばれるガラス母材に埋め込まれた連続S
iCファイバから成る強化複合体製品の製造を記載して
いる。
464.192号は、ガラス母材に埋め込まれたウィス
カまた1よ切断ファイバから成る強化複合体製品の調製
を611示している。この特許は、注入成型によって、
高シリノJガラス、ホウ珪M塩ガラスまたはアルミノシ
リケートガラスの丹材内にアルミナ、黒鉛、炭化珪素お
よび/または窒化物を分散させたり西ファイバ(長さが
約1.9cm (0,75インチ)、平均直径が=5〜
50ミクロン)から成る複合体製品の製造を詳細に記載
している。米国特許第4,314,852号(ま、高シ
ワ力ガラス、ホ・ン珪酸ガラスJ3よびアルミノシリケ
ートの群から選ばれるガラス母材に埋め込まれた連続S
iCファイバから成る強化複合体製品の製造を記載して
いる。
全セラミック母材、すなわち、殆どガラス買の相がない
セラミック母材の強化榔構は、アール・ダブリュ・ライ
スによる「ビラミンク母材の強イヒR@J (cer
l!、En(1,SCi、 Pr0C,、2(7〜8)
661〜701 (1981) )によって明らかにさ
れた。
セラミック母材の強化榔構は、アール・ダブリュ・ライ
スによる「ビラミンク母材の強イヒR@J (cer
l!、En(1,SCi、 Pr0C,、2(7〜8)
661〜701 (1981) )によって明らかにさ
れた。
これらのセラミックスのファイバに対する強化門構は、
荷重移動、予備応力、亀裂障害、亀裂撓みJ3よびファ
イバ引出しを含む。しかし、また特に、強化のため複合
体に組み込まれた第2の相は、局所的な応力と割れ目の
成長に対して多くの位置源と好ましい経路を与える。従
って、若干の複合体は、純粋なセラミック母材自体より
もかなり低い圧縮力を示し、引張力の減少となる圧縮荷
重下に、損傷を受けることになる。
荷重移動、予備応力、亀裂障害、亀裂撓みJ3よびファ
イバ引出しを含む。しかし、また特に、強化のため複合
体に組み込まれた第2の相は、局所的な応力と割れ目の
成長に対して多くの位置源と好ましい経路を与える。従
って、若干の複合体は、純粋なセラミック母材自体より
もかなり低い圧縮力を示し、引張力の減少となる圧縮荷
重下に、損傷を受けることになる。
セラミック母材と強化相との間の化学的相溶性は、勿論
、複合体セラミック系の基本的な要求である。米国特許
第4,485,179号は、炭化珪素ファイバが特に一
定のガラスセラミック母材材料に対して高い反応性を示
すことをn0示している。この特許は、この反応性を和
らげるために使用される母材相の化学的な改良を記述し
ている。この特許が承りように、相溶性は使用条件下だ
けでなく、複合体製造の工程で出合う条件下でも必要で
ある。
、複合体セラミック系の基本的な要求である。米国特許
第4,485,179号は、炭化珪素ファイバが特に一
定のガラスセラミック母材材料に対して高い反応性を示
すことをn0示している。この特許は、この反応性を和
らげるために使用される母材相の化学的な改良を記述し
ている。この特許が承りように、相溶性は使用条件下だ
けでなく、複合体製造の工程で出合う条件下でも必要で
ある。
例えば、炭化ケイ素は米国特許第4,297.140号
に示されるように、コーディエライト製造のための一定
のセラミックパッチで泡立ちを促すことを示した。
に示されるように、コーディエライト製造のための一定
のセラミックパッチで泡立ちを促すことを示した。
コーディエライトはむしろ広い温度範囲にわたって低い
熱膨張率を示すことが知られている結晶のマグネシウム
アルミニウムメタシリケート材料<2MgO・2A9J
zO3・5SiO2)である。
熱膨張率を示すことが知られている結晶のマグネシウム
アルミニウムメタシリケート材料<2MgO・2A9J
zO3・5SiO2)である。
従ってセラミック体におけるこの相の主要部は本体に優
れた耐熱′fi+2性を与える。
れた耐熱′fi+2性を与える。
この優れた耐熱極i!!性と耐火性によって、主結晶相
としてコーディエライトまたは置換コーディエライトか
ら成る押出した単一体のセラミックハニカム構造は、モ
ーター乗物や薪ストーブによる燃焼排気ガスの処理の触
媒担体やフィルタとして広範囲の用途が見出された。米
国特許第3,885,977丹は、クレー、タルクおよ
びアルミナの押出しできるバッチ混合物からこのような
本体を製造することを記述しており、これらの成分は反
応してコーディエライトを形成し、押出された本体は成
形後焼成する。
としてコーディエライトまたは置換コーディエライトか
ら成る押出した単一体のセラミックハニカム構造は、モ
ーター乗物や薪ストーブによる燃焼排気ガスの処理の触
媒担体やフィルタとして広範囲の用途が見出された。米
国特許第3,885,977丹は、クレー、タルクおよ
びアルミナの押出しできるバッチ混合物からこのような
本体を製造することを記述しており、これらの成分は反
応してコーディエライトを形成し、押出された本体は成
形後焼成する。
この特許に記載されたようなコーディエライト製品は、
多くの応用に対して十分な強度と耐熱衝撃性を示したが
、モーター乗物に使用するような一定の用途では、繰り
返し広範囲にわたる物理的熱的衝撃が含まれる。従って
、製品が損@する範囲を最小にするためには注息深い包
装が必要である。これらの応用のため特に、モノリシッ
クコーディエライト@通の強度および/または耐熱衝撃
性の改善が有利である。
多くの応用に対して十分な強度と耐熱衝撃性を示したが
、モーター乗物に使用するような一定の用途では、繰り
返し広範囲にわたる物理的熱的衝撃が含まれる。従って
、製品が損@する範囲を最小にするためには注息深い包
装が必要である。これらの応用のため特に、モノリシッ
クコーディエライト@通の強度および/または耐熱衝撃
性の改善が有利である。
従って、本発明の主要な目的は、改良された強度および
/または耐熱衝撃性を提供する強化コーディエライトセ
ラミック体を提供することである。
/または耐熱衝撃性を提供する強化コーディエライトセ
ラミック体を提供することである。
さらに本発明の目的はクレー含有バッチ材料から強化コ
ーディエライトセラミックを与える方法を提供すること
である。
ーディエライトセラミックを与える方法を提供すること
である。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、改良された強度と耐熱衝撃性を示すウィスカ
強化コーディエライトセラミック体と、その製造方法を
提供する。本発明によって提供されるコーディエライト
セラミックスは、従来の押出または他の成形ブO17ス
によって製造され、その結果、現在利用されているあら
ゆる形状で、しかし改善された物理的熱的性質を示すセ
ラミック製品を提供することができる。
強化コーディエライトセラミック体と、その製造方法を
提供する。本発明によって提供されるコーディエライト
セラミックスは、従来の押出または他の成形ブO17ス
によって製造され、その結果、現在利用されているあら
ゆる形状で、しかし改善された物理的熱的性質を示すセ
ラミック製品を提供することができる。
本発明によって4足供されるウィスカ強化セラミック体
は、主相(少なくとも約50容吊%)がコーディエライ
トである約60〜95重量%の酸化物結晶相を有する多
結晶コーディエラ・イトセラミックスである。さらにセ
ラミック体は、強化炭化珪素ウィスカ相を有し、この相
はセラミック体の約5〜40中吊%を偶成する。
は、主相(少なくとも約50容吊%)がコーディエライ
トである約60〜95重量%の酸化物結晶相を有する多
結晶コーディエラ・イトセラミックスである。さらにセ
ラミック体は、強化炭化珪素ウィスカ相を有し、この相
はセラミック体の約5〜40中吊%を偶成する。
本発明によるウィスカ強化コーディエライトセラミック
の製造は、必要なコーディエライト結晶相を、強化炭化
珪素ウィスカ相を破壊せずに選ばれた原料のセラミック
パッチ材料から発現させることができる。まずセラミッ
クパッチをMgO1A免z 03 、S: Ozおよび
、任意に選ばれた他の酸化物から成る通常の原料から配
合し、炭化珪素のウィスカをその中に均一に分散させる
。バッチを以下に述べるように、焼成後、重量パーセン
トr−1約5〜40%ノSiC、25〜54%(7)S
iOz、18〜48%のA9J203、および5〜19
%のMgOまたは同市の酸化物を主成分とする混合した
酸化物一炭化物組成を生成するa’1合で、配合づ′る
。
の製造は、必要なコーディエライト結晶相を、強化炭化
珪素ウィスカ相を破壊せずに選ばれた原料のセラミック
パッチ材料から発現させることができる。まずセラミッ
クパッチをMgO1A免z 03 、S: Ozおよび
、任意に選ばれた他の酸化物から成る通常の原料から配
合し、炭化珪素のウィスカをその中に均一に分散させる
。バッチを以下に述べるように、焼成後、重量パーセン
トr−1約5〜40%ノSiC、25〜54%(7)S
iOz、18〜48%のA9J203、および5〜19
%のMgOまたは同市の酸化物を主成分とする混合した
酸化物一炭化物組成を生成するa’1合で、配合づ′る
。
均一に分散させた炭化珪素ウィスカを有する配合バッチ
を1次に押出、乾燥圧縮、スリップキャスティングまた
は加熱圧縮のような適当なセラミック成形プロセスによ
って製品予備成形体に成形する。好適例では、弾性混合
物を形成するために適するビヒクルとバッチをブレンド
して、この混合物を押出および乾燥によって製品予備成
形体に成形する。
を1次に押出、乾燥圧縮、スリップキャスティングまた
は加熱圧縮のような適当なセラミック成形プロセスによ
って製品予備成形体に成形する。好適例では、弾性混合
物を形成するために適するビヒクルとバッチをブレンド
して、この混合物を押出および乾燥によって製品予備成
形体に成形する。
1!7られた多面成形体を次に焼成して、吸収された水
分や一時的なビヒクル成分をそこから除去する。この焼
成は、セラミック体に存在する有機物を酸化するために
十分な温度で、しかちバッチ原料をコーディエライトに
変化させるためには不十分な温度で、酸化条件下で行わ
れる。
分や一時的なビヒクル成分をそこから除去する。この焼
成は、セラミック体に存在する有機物を酸化するために
十分な温度で、しかちバッチ原料をコーディエライトに
変化させるためには不十分な温度で、酸化条件下で行わ
れる。
最後に、予備成形体を非酸化雰囲気で、その中のマグネ
シウム、アルミニウムおよび珪素源の物質を結晶コーデ
ィエライトに変化させるために十分な温度まで焼成する
。この最後の焼成は、酸化も還元もない窒素のような中
性のr:(!11気で行う場合、強化炭化珪素ウィスカ
に支障のある損傷を与えることなく、高結晶性のコーデ
ィエライトを発現させることができる。従って、バッチ
原料と炭化珪素ウィスカとの間の重大な有害な相互作用
、またはコーディエライト相がこれらのバッチ原料から
発現づる反応経路との相互作用ツメ化められない。
シウム、アルミニウムおよび珪素源の物質を結晶コーデ
ィエライトに変化させるために十分な温度まで焼成する
。この最後の焼成は、酸化も還元もない窒素のような中
性のr:(!11気で行う場合、強化炭化珪素ウィスカ
に支障のある損傷を与えることなく、高結晶性のコーデ
ィエライトを発現させることができる。従って、バッチ
原料と炭化珪素ウィスカとの間の重大な有害な相互作用
、またはコーディエライト相がこれらのバッチ原料から
発現づる反応経路との相互作用ツメ化められない。
本発明によって提供される強化コーアイエライトセラミ
ックスの¥IJ 33に有用なビラミックバッチの原料
は、適当に選択することができる。高純度クレー、クル
り、シリカ、アルミナ、水酸1ヒアルミニウムおよびマ
グネシア(MgO)生成原料が、このようなセラミック
スに常用されるが、ここでもこれで十分である。しかし
、良く知られているように、コーディエライト製品の熱
膨張と耐火性は、カルシア(cab)や、ソーダや荷性
カリのようなアルカリのような不純物の存在によって逆
に影響を受ける。従って、最適な耐火性や耐熱衝撃性が
製品に要求される場合、Ca、Naj>よびKを殆に3
まないバッチ原料が利用される。゛極めて低い膨張の押
出コーディエライトセラミック体の製造のIこめ市販さ
れている好ましいバッチ材料は、クレー、タルクおよび
アルミナであり、クレーは一般に積層されたものよりも
平板のカオリナイトクレーを構成する。平板カオリンは
fJ@カオリナイトクレーの多面処理によって製造でき
、あるいtよりレーを含む原料バッチは結晶積層を平板
に破砕する方法で処理できる。
ックスの¥IJ 33に有用なビラミックバッチの原料
は、適当に選択することができる。高純度クレー、クル
り、シリカ、アルミナ、水酸1ヒアルミニウムおよびマ
グネシア(MgO)生成原料が、このようなセラミック
スに常用されるが、ここでもこれで十分である。しかし
、良く知られているように、コーディエライト製品の熱
膨張と耐火性は、カルシア(cab)や、ソーダや荷性
カリのようなアルカリのような不純物の存在によって逆
に影響を受ける。従って、最適な耐火性や耐熱衝撃性が
製品に要求される場合、Ca、Naj>よびKを殆に3
まないバッチ原料が利用される。゛極めて低い膨張の押
出コーディエライトセラミック体の製造のIこめ市販さ
れている好ましいバッチ材料は、クレー、タルクおよび
アルミナであり、クレーは一般に積層されたものよりも
平板のカオリナイトクレーを構成する。平板カオリンは
fJ@カオリナイトクレーの多面処理によって製造でき
、あるいtよりレーを含む原料バッチは結晶積層を平板
に破砕する方法で処理できる。
原料バッチへの炭化珪素ウィスカの導入は、ウィスカの
形態によって複雑になる。これらのウィスカの市販品と
して入手できる形状は、極めて小さい断面の高アスペク
ト比結晶ファイバであり、例えば、一般的には直径が1
00ミクロン以下であり、長さ対直径のアスペクト比が
少なくとも5:1である。市場の供給者から受けとった
とき、これらのファイバは一般に集塊状であり、ファイ
バの塊りをセラミック体に直接添加すると、不適当な配
合になり、複合体の弱点になる。
形態によって複雑になる。これらのウィスカの市販品と
して入手できる形状は、極めて小さい断面の高アスペク
ト比結晶ファイバであり、例えば、一般的には直径が1
00ミクロン以下であり、長さ対直径のアスペクト比が
少なくとも5:1である。市場の供給者から受けとった
とき、これらのファイバは一般に集塊状であり、ファイ
バの塊りをセラミック体に直接添加すると、不適当な配
合になり、複合体の弱点になる。
セラミックパッチにSiC「ウィスカを適当に配合する
には、ファイバの関りを砕き、完全に均一にウィスカを
分散させる必要がある。これを完全に行うために必要な
技術は、まず水のような適当な液体の中で、ボールミル
またはシェアミキサーを用いてウィスカを分散させて、
ウィスカスラリーを形成することぐある。次に°クレー
、タルクおよびアルミナのようなセラミックパッチ材料
を剪断混合しながらウィスカに添加して、均一に湿らせ
、材料を分散させる。
には、ファイバの関りを砕き、完全に均一にウィスカを
分散させる必要がある。これを完全に行うために必要な
技術は、まず水のような適当な液体の中で、ボールミル
またはシェアミキサーを用いてウィスカを分散させて、
ウィスカスラリーを形成することぐある。次に°クレー
、タルクおよびアルミナのようなセラミックパッチ材料
を剪断混合しながらウィスカに添加して、均一に湿らせ
、材料を分散させる。
得られたスラリーは、最終生成物においてコーディエラ
イトを形成するために必要なM(] 0.AQ<03J
jよび5iOzの割合を生じる吊でセラミックパッチ材
料と共にSiCウィスカを含み、好ましくは、次に乾燥
させて、均一に分散させたSiCウィスカを含む乾燥バ
ッチ混合物を与える。
イトを形成するために必要なM(] 0.AQ<03J
jよび5iOzの割合を生じる吊でセラミックパッチ材
料と共にSiCウィスカを含み、好ましくは、次に乾燥
させて、均一に分散させたSiCウィスカを含む乾燥バ
ッチ混合物を与える。
スプレー乾燥は、スラリーを乾燥し、バッチ中に均一に
ウィスカを分散ぜさる適当な技術である。
ウィスカを分散ぜさる適当な技術である。
焼成によってコーディエライトに変化させるために適し
ている予備成形体に乾燥バッチを成形するには、多くの
既知の技術の中から行うことができる。コーディエライ
ト製品において望まれる多孔率によって、バッチを適当
なバインタと混合し、予備成形体の形状に圧縮し、ある
いは、加熱圧縮方法によって成形することかできる。
ている予備成形体に乾燥バッチを成形するには、多くの
既知の技術の中から行うことができる。コーディエライ
ト製品において望まれる多孔率によって、バッチを適当
なバインタと混合し、予備成形体の形状に圧縮し、ある
いは、加熱圧縮方法によって成形することかできる。
セラミックハニカムのような平担またtよ薄壁コーディ
エライトセラミック製品を製造販売するために、好まし
い成形技術は押出である。押出に適しているバッチ混合
物は、バッチを適当な液体ビヒクルと混合して乾燥ウィ
スカ含有バッチから調製することができる。ビヒクルは
、焼成曲に破損を妨げるように形成後、バッチ塑性形成
性と十分な生の強度を与えるために必要な押出助剤と水
を含む。また、押出助剤はウィスカスラリーに混入する
前にビラミックバッヂ材7斗と混合する。
エライトセラミック製品を製造販売するために、好まし
い成形技術は押出である。押出に適しているバッチ混合
物は、バッチを適当な液体ビヒクルと混合して乾燥ウィ
スカ含有バッチから調製することができる。ビヒクルは
、焼成曲に破損を妨げるように形成後、バッチ塑性形成
性と十分な生の強度を与えるために必要な押出助剤と水
を含む。また、押出助剤はウィスカスラリーに混入する
前にビラミックバッヂ材7斗と混合する。
進塁′、押出助剤はバインダと可塑剤を含み、メチルセ
ルローズとアルカリステアレートは使用した押出助剤の
若干の例である。一般に25〜35%の水を合むこのタ
イプのバッチは充分に可塑性であるから、非常に薄いす
なわち1朋以下の壁寸法から成る予備成形体に押出して
容易に成形することができる。また可塑化したバッチを
圧延または圧縮(二よって手軽に成形し、次に圧延また
は圧縮した部材を直接使用し、または焼1ft、11′
1にさらに複雑な形状に組立てることができる。
ルローズとアルカリステアレートは使用した押出助剤の
若干の例である。一般に25〜35%の水を合むこのタ
イプのバッチは充分に可塑性であるから、非常に薄いす
なわち1朋以下の壁寸法から成る予備成形体に押出して
容易に成形することができる。また可塑化したバッチを
圧延または圧縮(二よって手軽に成形し、次に圧延また
は圧縮した部材を直接使用し、または焼1ft、11′
1にさらに複雑な形状に組立てることができる。
例えば米国特許第4,329,162号からも知られる
ように、焼成した生成物の多孔度を調整し、焼成時に空
隙を生じるように、燃焼するバッチ内で黒鉛のような桑
剤を含まぜて、高いまたは低い多孔率を達成することが
できる。このような添加は、炭化珪素ウィスカ用と反対
に作用しない本発明のプロセスにも用いることができる
。
ように、焼成した生成物の多孔度を調整し、焼成時に空
隙を生じるように、燃焼するバッチ内で黒鉛のような桑
剤を含まぜて、高いまたは低い多孔率を達成することが
できる。このような添加は、炭化珪素ウィスカ用と反対
に作用しない本発明のプロセスにも用いることができる
。
SiCウィスカ含有の未処理のセラミック体をコーディ
エライト含有セラミック製品に加工するために使用され
る焼成方法は、得られたセラミックの性り1に臨界的に
作用する。コーディエライトセラミックスのための進塁
゛の焼成プロセスは、未処理のセラミック体を空気中で
約1340”〜1450°Cの範囲内の温度まで、セラ
ミック体の枯品化を完了するために十分な浸透時間で焼
成することから成る。このような処理は、焼成プロセス
中に・ライス力と1仲または2種以上のバッチ材料との
間の強い相H作用が弱い変形した生成物を生じさせるの
で、SiCウィスカを含有する生成物の焼成には使用す
ることができない。
エライト含有セラミック製品に加工するために使用され
る焼成方法は、得られたセラミックの性り1に臨界的に
作用する。コーディエライトセラミックスのための進塁
゛の焼成プロセスは、未処理のセラミック体を空気中で
約1340”〜1450°Cの範囲内の温度まで、セラ
ミック体の枯品化を完了するために十分な浸透時間で焼
成することから成る。このような処理は、焼成プロセス
中に・ライス力と1仲または2種以上のバッチ材料との
間の強い相H作用が弱い変形した生成物を生じさせるの
で、SiCウィスカを含有する生成物の焼成には使用す
ることができない。
本発明方法によれば、望ましいウィスカ強化製品は、2
段階プロセスで得られ、このプロセスでは、セラミック
体に存在する有橢物を燃焼し、吸収した水を除去する温
度まで、空気中で未処理セラミック体を焼成する。これ
は、一般的には、約800〜900°Cの温度範囲まで
加熱する必要がある。
段階プロセスで得られ、このプロセスでは、セラミック
体に存在する有橢物を燃焼し、吸収した水を除去する温
度まで、空気中で未処理セラミック体を焼成する。これ
は、一般的には、約800〜900°Cの温度範囲まで
加熱する必要がある。
この最初の加熱段階の後に、未処理セラミック体をざら
に非酸化雰囲気で加熱し、冷却後点検し、望ましい場合
には、セラミック体を完全に結晶イヒさせるために十分
な最終温度まで冷却する。約1340〜1450℃の温
度範囲が一般に、このために適当である。
に非酸化雰囲気で加熱し、冷却後点検し、望ましい場合
には、セラミック体を完全に結晶イヒさせるために十分
な最終温度まで冷却する。約1340〜1450℃の温
度範囲が一般に、このために適当である。
木5℃明方法によるクレー含有体を焼成するために用い
られる好ましい非酸化雰囲気は、主として、あるいは全
部、窒素から成る。ヘリウムまたはアルゴンのような他
の不活性ガスを単独で使用する場合、劣った性質を与え
、炭化物ウィスカ相に損傷を与え、あるいは、あまり良
く焼結せずにセラミック体をコーディエライトに変化さ
せる。
られる好ましい非酸化雰囲気は、主として、あるいは全
部、窒素から成る。ヘリウムまたはアルゴンのような他
の不活性ガスを単独で使用する場合、劣った性質を与え
、炭化物ウィスカ相に損傷を与え、あるいは、あまり良
く焼結せずにセラミック体をコーディエライトに変化さ
せる。
以下、本発明をさらに実施例により説明する。
(実 施 例)
コーディエライト含有セラミックの製造に適しているセ
ラミックパッチを調製する。次にバッチの組成を重量品
で示す。
ラミックパッチを調製する。次にバッチの組成を重量品
で示す。
原 料 小
吊 部ジョーシアカオリンハイドライト MPクレー 19.30ジ
ヨージアカオリングロマツクス LLクレー 16.36フ
1イザ−MP96−28タルク 30.85ア
ルカン6701アルミナ 10.46
7スブリイ4012黒鉛 23.03
メチルセルロ一ス可塑剤/結合剤 4.0アルカ
リステアレート押出助剤 0.5これらを完全
に混合し、均一のバッチを形成する。
吊 部ジョーシアカオリンハイドライト MPクレー 19.30ジ
ヨージアカオリングロマツクス LLクレー 16.36フ
1イザ−MP96−28タルク 30.85ア
ルカン6701アルミナ 10.46
7スブリイ4012黒鉛 23.03
メチルセルロ一ス可塑剤/結合剤 4.0アルカ
リステアレート押出助剤 0.5これらを完全
に混合し、均一のバッチを形成する。
jr:1られた乾燥混合物を高速度で混合しながら、1
〜2重量%のSiCウィスカを含む水スラリーに添加す
る。ウィスカはアル]化学会社から市販されでd3つ、
長さが10〜30ミクロン、直径が1〜3ミクロンの寸
法が普通である。ウィスカスラリーを約10分間高速で
混合したあと、セラミックパッチを添加してウィスカ凝
集物を完全に分散さぜる。
〜2重量%のSiCウィスカを含む水スラリーに添加す
る。ウィスカはアル]化学会社から市販されでd3つ、
長さが10〜30ミクロン、直径が1〜3ミクロンの寸
法が普通である。ウィスカスラリーを約10分間高速で
混合したあと、セラミックパッチを添加してウィスカ凝
集物を完全に分散さぜる。
予備混合したセラミックパッチ材料を必要な酸化物含量
にするために十分な分母でウィスカスラ’) L a
加する。MQ O,A ’2.z 03 tjヨUs
iO2のためのSiCとセラミックパッチ萌駆体のに]
合は、コーディエライト生lfc物の15%のSiC濃
度となるようにザる。ウィスカバッチスラリーの高速混
合は、全バッチ材料が完全に湿り、均質に分散するまで
続ける。次に得られたスラリーをウィスカ含有粉末バッ
チ材料までスプレー乾燥する。
にするために十分な分母でウィスカスラ’) L a
加する。MQ O,A ’2.z 03 tjヨUs
iO2のためのSiCとセラミックパッチ萌駆体のに]
合は、コーディエライト生lfc物の15%のSiC濃
度となるようにザる。ウィスカバッチスラリーの高速混
合は、全バッチ材料が完全に湿り、均質に分散するまで
続ける。次に得られたスラリーをウィスカ含有粉末バッ
チ材料までスプレー乾燥する。
次に乾燥バッチにリトルフォードミキサーで水を添加し
て、乾燥バッチ材料がら押出バッチを調製する。水を全
バッチの約3唖1%の水準まで添加し、5分間混合して
バッチを均質にする。混合したバッチを約42.18
Kfi/ci (600psi )にて押出し、円形断
面の約0.8c、直径の押出0ツドを形成する。
て、乾燥バッチ材料がら押出バッチを調製する。水を全
バッチの約3唖1%の水準まで添加し、5分間混合して
バッチを均質にする。混合したバッチを約42.18
Kfi/ci (600psi )にて押出し、円形断
面の約0.8c、直径の押出0ツドを形成する。
このようにしてjqられた未処atラミック押出Oツド
を次に乾燥し、コーディエライトセラミックスに変える
ため焼成する。まずロッドを完全燃焼スケジュールで焼
成するが、これは空気中で室温から850 ′Cまでの
温度にて、約40時間焼成し、その後室温まで検査のた
めに冷却する。その後、ロッドを窒素雰囲気中で約10
時間加熱するように1400℃まで焼成し、1400℃
で10時間均熱し、次に約り00℃/時の炉冷FAN度
で室温まで冷1JJvる。
を次に乾燥し、コーディエライトセラミックスに変える
ため焼成する。まずロッドを完全燃焼スケジュールで焼
成するが、これは空気中で室温から850 ′Cまでの
温度にて、約40時間焼成し、その後室温まで検査のた
めに冷却する。その後、ロッドを窒素雰囲気中で約10
時間加熱するように1400℃まで焼成し、1400℃
で10時間均熱し、次に約り00℃/時の炉冷FAN度
で室温まで冷1JJvる。
約15重量%のSiCウィスカと残りの結晶コーディエ
ライトを含む得られたウィスカ強化ロッドは、同じ酸化
物組成を有するが、強化SICウィスカ添加を含まない
標準コーディエライトロッドと一緒に物理的性質を評価
する。数本の標準ロッドを通常のコーディエライト製品
の方法で、検査のための冷却なしで1400℃まで空気
中で焼成する。
ライトを含む得られたウィスカ強化ロッドは、同じ酸化
物組成を有するが、強化SICウィスカ添加を含まない
標準コーディエライトロッドと一緒に物理的性質を評価
する。数本の標準ロッドを通常のコーディエライト製品
の方法で、検査のための冷却なしで1400℃まで空気
中で焼成する。
残りの標準ロッドは、窒素中で行われる第2段階に用い
て、SiC強化製品のための上記2段階焼成によって処
]I!する。どの場合にも酸化物材料をコーディエライ
トに完全に変化して得られる。
て、SiC強化製品のための上記2段階焼成によって処
]I!する。どの場合にも酸化物材料をコーディエライ
トに完全に変化して得られる。
下の表1は、これら3群の各々の評価の結果を示す。各
市に対して表■には、破壊強度の平均係fi(MOR)
をKg/cti (1)Si )で、平均熱膨張係数(
cTE)25〜900℃で測定し決定しC−1で、弾性
率(E)をに’J/cti (psi )で表しテイル
。また焼成材料についての平均多孔度、各試料について
の熱ダウンショックにお【プる相対的な耐TII損性を
示す熱衝撃パラメーター(TSP)を各群について示し
ている。熱衝撃パラメーターの値は、一定の材料につい
て、破壊強度係数、弾性率、および熱膨張係数を、次式
から計nした。
市に対して表■には、破壊強度の平均係fi(MOR)
をKg/cti (1)Si )で、平均熱膨張係数(
cTE)25〜900℃で測定し決定しC−1で、弾性
率(E)をに’J/cti (psi )で表しテイル
。また焼成材料についての平均多孔度、各試料について
の熱ダウンショックにお【プる相対的な耐TII損性を
示す熱衝撃パラメーター(TSP)を各群について示し
ている。熱衝撃パラメーターの値は、一定の材料につい
て、破壊強度係数、弾性率、および熱膨張係数を、次式
から計nした。
0R
TSP=□
(E)(cTE)
表1に示すため、SiCウィスカ強化ロッドを製品タイ
プAとみなし、ウィスカを含まない窒素xFX焼ロッド
をタイプBと、ウィスカを含まない空気低炉ロッドをタ
イプCとした。
プAとみなし、ウィスカを含まない窒素xFX焼ロッド
をタイプBと、ウィスカを含まない空気低炉ロッドをタ
イプCとした。
表1−コーfイエライl−%u品の物理的性質製品
MORCTE E 822.5 0.24 x10’A
<11,700) 3.09 xlO’ <
3.3G x10’ ) 1128 7%108.9
0.17 x1068 <1
,550) 1.84x10−’ <2.45x
106) 342 56%144.1
0.1f3 x106C(2,05())
1.50x10−6(2,31x10’> 5
73 5G%前記f−夕から示されるように、比較的
熱膨張係数が高いSiCウィスカを混入したため、タイ
プへの製品はウィスカを含まない製品よりも若干高い熱
膨張係数を示すが、それにもかかわらず、タイプAの製
品は他のウィスカを含まない製品よりもかなり高い耐熱
衝撃性を示す。この結果は、ウィスカ強化製品の強度が
非常に高いことによるものであり、SiCウィスカを含
まないでFA製された他のコープイエライ[・製品と比
較した場合、約5倍の強度の増加を示す。
MORCTE E 822.5 0.24 x10’A
<11,700) 3.09 xlO’ <
3.3G x10’ ) 1128 7%108.9
0.17 x1068 <1
,550) 1.84x10−’ <2.45x
106) 342 56%144.1
0.1f3 x106C(2,05())
1.50x10−6(2,31x10’> 5
73 5G%前記f−夕から示されるように、比較的
熱膨張係数が高いSiCウィスカを混入したため、タイ
プへの製品はウィスカを含まない製品よりも若干高い熱
膨張係数を示すが、それにもかかわらず、タイプAの製
品は他のウィスカを含まない製品よりもかなり高い耐熱
衝撃性を示す。この結果は、ウィスカ強化製品の強度が
非常に高いことによるものであり、SiCウィスカを含
まないでFA製された他のコープイエライ[・製品と比
較した場合、約5倍の強度の増加を示す。
ウィスカ強化製品の多孔度の減少は注目されるが、この
変量は多孔度調整剤の使用によるだけでなく、バッチの
ウィスカ含量と焼成スケジュールによるものであり、製
品組成を極端に変更することなく、広い範囲内で調整す
ることができる。一般にこのような多孔度の変化はセラ
ミック体の熱膨張だけでなく材料の強度/弾性率比に殆
ど影響を与えない。従って、表1に示した熱!Ij 9
パラメーターは、材料内のウィスカの影響が大きいこと
を正確に反映しでいると考えられ、強度の増加が大きく
なる程、多孔度を減少させると考えることができる。
変量は多孔度調整剤の使用によるだけでなく、バッチの
ウィスカ含量と焼成スケジュールによるものであり、製
品組成を極端に変更することなく、広い範囲内で調整す
ることができる。一般にこのような多孔度の変化はセラ
ミック体の熱膨張だけでなく材料の強度/弾性率比に殆
ど影響を与えない。従って、表1に示した熱!Ij 9
パラメーターは、材料内のウィスカの影響が大きいこと
を正確に反映しでいると考えられ、強度の増加が大きく
なる程、多孔度を減少させると考えることができる。
本発明によって提供される好ましい製品は、10〜20
重量%のSiCウィスカと、残りの80〜901吊%を
構成するコーディエライトを含有する。従って製品は全
体の組成が10〜20%のSi C,9〜15%のMg
O,26〜37%のA9J205、および37〜48%
のSiO□を主成分とで・る。この組成範囲内では、3
51.57(!?/ ci (5,0OOpsi )を
超える破壊強度係数を有するウィスカ強化コーディエラ
イトセラミック製造は日常入手できるものである。
重量%のSiCウィスカと、残りの80〜901吊%を
構成するコーディエライトを含有する。従って製品は全
体の組成が10〜20%のSi C,9〜15%のMg
O,26〜37%のA9J205、および37〜48%
のSiO□を主成分とで・る。この組成範囲内では、3
51.57(!?/ ci (5,0OOpsi )を
超える破壊強度係数を有するウィスカ強化コーディエラ
イトセラミック製造は日常入手できるものである。
前記実施例は酸化物の殆ど全成分がコーディエライト結
晶に変化するコーディエライトセラミック製造について
述べているが、他の結晶相は、製品に(j在しても性質
に不利益を与えず、あるいは殆ど別の処理を必要としな
いようなウィスカとコーディエライト初晶とを相溶でき
ることが期待される。優勢な(50容吊%よりも大きい
)結晶相としてコーディエライトを含む製品に任意に存
在する追加の結晶相の例としては、ムライ1−(3/1
203 ・2SiO2)およびサフイリン(ML]aA
Q、+・SiO□3)がある。
晶に変化するコーディエライトセラミック製造について
述べているが、他の結晶相は、製品に(j在しても性質
に不利益を与えず、あるいは殆ど別の処理を必要としな
いようなウィスカとコーディエライト初晶とを相溶でき
ることが期待される。優勢な(50容吊%よりも大きい
)結晶相としてコーディエライトを含む製品に任意に存
在する追加の結晶相の例としては、ムライ1−(3/1
203 ・2SiO2)およびサフイリン(ML]aA
Q、+・SiO□3)がある。
同様に、セラミックパッチ組成中のMc+O,AQ、z
o、および5iOzとは別の酸化物は、このような添加
物が、コーディエライトが優85な結晶相を偶成する必
要性と両立できるならば、含まれてもよい。良く知られ
ているように、多くの二価の金兄カチオンは、その結晶
構造を不当に変えることなく、コーディエライト結晶中
にマグネシウムを置換することができる。このようなカ
チオンはMn、Ni、l”eおよσCOを含む。従って
、本発明によって提供されるウィスカ強化セラミックス
は、MgOの全合同のうち、モルに対してモルを基準に
して、表示されたモル数まで、すなわら、MnOは約0
.98まで、NiOは約0.25まで、Cooは約0.
15まで、そしてFeOは約0.40までMgOの全合
同を一部置換することができる。Mn O+Ni O+
−Co O+Fe Oの全合同は、全RO含ffi <
Mv Oプラス他の酸化物)の0.98七ルを超えず、
残りはMgOである。従って、本文中で使用するコーデ
ィエライトの語は、一般にマグネシウムコーディエライ
トだけでなく、マンガンコーディエライトのような置換
されたコーディエライト、J3よび良く知られた構造の
普通のコーディエライト結晶の類似物のようなものを指
す。
o、および5iOzとは別の酸化物は、このような添加
物が、コーディエライトが優85な結晶相を偶成する必
要性と両立できるならば、含まれてもよい。良く知られ
ているように、多くの二価の金兄カチオンは、その結晶
構造を不当に変えることなく、コーディエライト結晶中
にマグネシウムを置換することができる。このようなカ
チオンはMn、Ni、l”eおよσCOを含む。従って
、本発明によって提供されるウィスカ強化セラミックス
は、MgOの全合同のうち、モルに対してモルを基準に
して、表示されたモル数まで、すなわら、MnOは約0
.98まで、NiOは約0.25まで、Cooは約0.
15まで、そしてFeOは約0.40までMgOの全合
同を一部置換することができる。Mn O+Ni O+
−Co O+Fe Oの全合同は、全RO含ffi <
Mv Oプラス他の酸化物)の0.98七ルを超えず、
残りはMgOである。従って、本文中で使用するコーデ
ィエライトの語は、一般にマグネシウムコーディエライ
トだけでなく、マンガンコーディエライトのような置換
されたコーディエライト、J3よび良く知られた構造の
普通のコーディエライト結晶の類似物のようなものを指
す。
Claims (9)
- (1)(a)製品の60〜95重量%を構成し、少なく
ともコーディエライトを優位に含む酸化物結晶相、およ
び (b)製品の5〜40重量%を構成する炭化珪素ウィス
カ相から成るウイスカ強化コーディエライトセラミック
製品。 - (2)重量%で、5〜40%のSiC、25〜54%の
SiO_2、18〜48%のAl_2O_3、および5
〜19%のROを主成分とし、ROはMgOを主成分と
し、随意に、ROの全含量のうち表示されたモル数まで
、すなわちMnOは0.98まで、NiOは0.25ま
で、CoOは0.15まで、そしてFeOは0.40ま
でから成り、しかもMnO+NiO+CoO+FeOの
全量が0.98を超えない群から選ばれたMgOを一部
置換する1種または2種以上の酸化物を含有する組成で
ある特許請求の範囲第1項記載のセラミック製品。 - (3)ROがMgOを主成分とし、酸化物結晶相がマグ
ネシウムコーディエライト(2MgO・2Al_2O_
3・5SiO_2)を主成分とする特許請求の範囲第2
項記載のセラミック製品。 - (4)重量%で、10〜20%のSiCウイスカ、9〜
15%のMgO、26〜37%のAl_2O_3、およ
び37〜48%のSiO_2を主成分とし、351.5
Kg/cm^2(5000psi)より多い破壊強度係
数を有する、ウイスカ強化コーディエライト材料から形
成された特許請求の範囲第3項記載のセラミック製品。 - (5)(a)酸化物のSiO_2、Al_2O_3およ
びRO(ROはMgOおよび、随意に、MnO、CoO
、FeOおよびNiOの1種または2種以上である)の
ための原料と共に炭化珪素を含むセラミックパッチを配
合し、このパッチは、焼成後、重量%で、5〜40%の
SiC、25〜45%のSiO_2、18〜48%のA
l_2O_3および5〜19%のROを主成分とし、R
OはMgOを主成分とし、随意に、ROの全含量のうち
表示されたモル数まで、すなわちMnOは0.98まで
、NiOは0.25まで、CoOは0.15まで、そし
てFeOは0.40までから成り、しかもMnO+Ni
O+CoO+FeOの全量が0.98を超えない群から
選ばれたMgOを一部置換する1種または2種以上の酸
化物を含有する酸化物一炭化物組成を生成するために有
効な割合で配合し、 (b)セラミックパッチを、セラミック製品のための予
備成形体に形成し、 (c)予備成形体を、酸化物のための原料をコーディエ
ライト結晶相に初期転化するために少なくとも十分な温
度まで焼成し、予備成形体をコーディエライトの形成を
完了するために十分な時間、前記温度に維持すると共に
、予備成形体を焼成している間に約900℃を超える焼
成温度まで成形体の周囲を非酸化焼成雰囲気にする各工
程から成るウィスカ強化コーディエライトセラミック製
品の製造方法。 - (6)セラミックパッチを配合する工程が、 (a)水性スラリー中で炭化珪素ウィスカを分散し、 (b)酸化物のための原料をスラリーに添加し、原料中
に均一に分散し、そして (c)炭化珪素が均一に分散して含まれるセラミックパ
ッチを与えるようにスラリーを乾燥する各工程から成る
特許請求の範囲第5項記載の方法。 - (7)セラミックパッチをセラミック製品に対する予備
成形体に形成する工程が、 (a)セラミックパッチを水性ビヒクルと混合し、押出
しできる混合物に形成し、そして (b)混合物を押出してセラミック製品のための予備成
形体を与える 各工程から成る特許請求の範囲第5項記載の方法。 - (8)予備成形体を焼成する工程が、 (a)予備成形体を、中に存在するビヒクル成分を酸化
するために十分で、しかも酸化によつてSiCウィスカ
にロスを生じない程度の温度まで酸化雰囲気で焼成し、 (b)その後に予備成形体を、中に少なくとも優位にコ
ーディエライトを含む結晶相を発現させるために十分な
温度と時間で、非酸化雰囲気で焼成する 各工程から成る特許請求の範囲第5項記載の方法。 - (9)酸化雰囲気が空気であり、非酸化雰囲気が100
%窒素である特許請求の範囲第8項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/855,687 US4673658A (en) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | Cordierite ceramics containing silicon carbide whisker reinforcement |
US855687 | 2004-05-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256776A true JPS62256776A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=25321846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62101129A Pending JPS62256776A (ja) | 1986-04-25 | 1987-04-23 | ウイスカ強化コ−デイエライトセラミツク製品およびその製造方法 |
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---|---|
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JP (1) | JPS62256776A (ja) |
KR (1) | KR870009967A (ja) |
AT (1) | ATE70527T1 (ja) |
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CA (1) | CA1272741A (ja) |
DE (1) | DE3775264D1 (ja) |
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JP2009542569A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-03 | コーニング インコーポレイテッド | 低マイクロクラックの多孔質セラミックハニカム、およびその製造方法 |
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- 1987-04-06 AT AT87302973T patent/ATE70527T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-04-06 EP EP87302973A patent/EP0244101B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-21 AU AU71791/87A patent/AU589764B2/en not_active Ceased
- 1987-04-23 JP JP62101129A patent/JPS62256776A/ja active Pending
- 1987-04-25 KR KR870003987A patent/KR870009967A/ko not_active Application Discontinuation
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CA1272741A (en) | 1990-08-14 |
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