JPS62256512A - Surface acoustic wave element - Google Patents
Surface acoustic wave elementInfo
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- JPS62256512A JPS62256512A JP9977186A JP9977186A JPS62256512A JP S62256512 A JPS62256512 A JP S62256512A JP 9977186 A JP9977186 A JP 9977186A JP 9977186 A JP9977186 A JP 9977186A JP S62256512 A JPS62256512 A JP S62256512A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、弾性表面波が伝搬する圧電基板上に、金属ス
トリップによる反射器、すだれ状電極等を有する共振子
、フィルター、遅延線等の弾性表面波素子に間する。Detailed Description of the Invention [Technical Field] The present invention relates to surface acoustic wave resonators, filters, delay lines, etc., which have metal strip reflectors, interdigital electrodes, etc. on a piezoelectric substrate through which surface acoustic waves propagate. between the elements.
「従来技術およびその問題点」
弾性表面波素子は、従来軍需用の特殊な用途に使用され
ていたが、近年、FMチューナ、TV等の民生用機器に
も使用され始め、にわかに脚光を浴びるようになってき
た。゛弾性表面波素子は、具体的には遅延素子、発振子
、フィルタなどとして製品化されている。これら各種の
弾性表面波素子の特徴は、小型、軽量で、信頼性が高い
こと、およθその製造工程が集積回路と類似しており、
量産性に冨むことなどである。そして、現在では欠くべ
からざる電子部品として量産されるに至っている。"Prior art and its problems" Surface acoustic wave elements have traditionally been used for special purposes in military applications, but in recent years they have begun to be used in consumer equipment such as FM tuners and TVs, and have suddenly come into the spotlight. It has become. Specifically, surface acoustic wave elements are commercialized as delay elements, oscillators, filters, etc. The characteristics of these various surface acoustic wave devices are that they are small, lightweight, and highly reliable, and that their manufacturing process is similar to that of integrated circuits.
This includes improving mass production. Nowadays, it is mass-produced as an indispensable electronic component.
圧電体媒体表面を伝搬する仲′注表面波には才1々ある
が、一般的に利用されているのはレイリー(Rayle
ic+h)波とよばれるものである。ところで、圧電基
板の性能を評価する指標として、結合係数と温度係数と
がある。結合係数は、電気エネルギーが振動エネルギー
に変換される効率を表わす指標であり、温度係数は圧電
媒体を伝搬する弾性表面波の伝搬遅延時閉の温度係数を
示す指標である。また、弾性表面波には弾性表面波が伝
搬する圧電基板の表層内において、弾性表面波の伝搬す
る方向と直交する方向に粒子変位をなすシアーホリゾン
タル型の弾性表面波があり、前記結合係数が大きいこと
等で注目されはしめている。There are various techniques for surface waves that propagate on the surface of a piezoelectric medium, but the one that is commonly used is Rayleigh.
ic+h) wave. Incidentally, there are a coupling coefficient and a temperature coefficient as indicators for evaluating the performance of a piezoelectric substrate. The coupling coefficient is an index representing the efficiency with which electrical energy is converted into vibration energy, and the temperature coefficient is an index representing the temperature coefficient of closure during propagation delay of a surface acoustic wave propagating through a piezoelectric medium. Furthermore, surface acoustic waves include a shear horizontal type surface acoustic wave in which particles are displaced in a direction perpendicular to the direction in which the surface acoustic waves propagate within the surface layer of the piezoelectric substrate through which the surface acoustic waves propagate, and the coupling coefficient is It is attracting attention due to its large size.
最近の弾性表面波共子の用途に、自動車電話等の移動無
線器の高周波化に伴い、電圧制御発振器等に弾性表面波
共振子が用いられ、小型、軽量、低コスト化に役立っで
いるが、周波数可変幅が狭いという問題がある。In recent years, surface acoustic wave resonators have been used in voltage-controlled oscillators, etc., as mobile radios such as car phones use higher frequencies, and are helping to reduce size, weight, and cost. , there is a problem that the frequency variable width is narrow.
従来技術における金属ストリップを用いた反射器を有す
る弾性表面波素子の一例とlノで、弾性表面波共振子の
一例を第3図に示す。すなわち、この弾性表面波共振子
は、弾性表面波が伝搬する圧電基板1の上に弾性表面波
励振用のすたれ状電極2と、弾性表面波の伝搬方向に直
角に多数本の金、富ストリップを周期的に配列した反射
器3.3“を形成しで構成されている。そして、すだれ
状電極2に特定周波数の電圧を印加すると、すだれ状電
場2の間隙の圧電基板1表面に電芥かかかり、圧電基板
1の圧電性により電圧に比例したひすみか王し、そのひ
ずみが圧電基板1の材料によって定まった音速で表面波
として両側に伝搬する。この表面波は、両側の格子状反
射器3.3°によって反射され、再びすだれ状電極2に
帰還()で共振がなされるようになっている。An example of a surface acoustic wave resonator is shown in FIG. 3 as an example of a conventional surface acoustic wave element having a reflector using a metal strip. That is, this surface acoustic wave resonator has a piezoelectric substrate 1 on which surface acoustic waves propagate, a sagging electrode 2 for excitation of surface acoustic waves, and a large number of gold and gold strips arranged perpendicularly to the propagation direction of the surface acoustic waves. When a voltage of a specific frequency is applied to the interdigital electric field 2, an electric current is generated on the surface of the piezoelectric substrate 1 in the gap between the interdigital electric fields 2. Due to the piezoelectricity of the piezoelectric substrate 1, a strain proportional to the voltage is generated, and this strain propagates to both sides as a surface wave at a sound speed determined by the material of the piezoelectric substrate 1.This surface wave is caused by the lattice reflection on both sides. It is reflected by the angle of 3.3 degrees and returns to the interdigital electrode 2 again ( ), causing resonance.
なあ、第3図に示されたものは、金属ストリップか互い
に接続されていない開放型の反射器を有するものである
が、弾性表面波共振子としては、第4図に示すように、
金属ストリップが互いに接続された短絡型の反射器3.
3°を有するものもある。The one shown in Figure 3 has metal strips or open reflectors that are not connected to each other, but as a surface acoustic wave resonator, as shown in Figure 4,
Short-circuit reflector with metal strips connected to each other3.
Some have 3°.
このような弾性表面波共振子は電気的等価回路で表わす
と、水晶振動子の場合と同様に第6図のように表わすこ
とかできる。第6図において、COはすだれ状電極2の
静電容量であり、インダクタンスL、容量Cおよび抵抗
Rの直列共振回路は、共振子の共振現象を表わしでいる
。子だ、COとCとの比Go/Cを容量比といい、γで
表わす。容量比γは、共振子の共振周波数特性等を決定
する重大なパラメータの一つであり、γが小さいと電圧
制御発振器に用いた場合、広い周波数範囲にわたり、発
振周波数を可変することができる。When such a surface acoustic wave resonator is expressed as an electrical equivalent circuit, it can be expressed as shown in FIG. 6, similar to the case of a crystal resonator. In FIG. 6, CO is the capacitance of the interdigital electrode 2, and the series resonant circuit of inductance L, capacitance C and resistance R represents the resonance phenomenon of the resonator. The ratio Go/C between CO and C is called the capacitance ratio and is expressed as γ. The capacitance ratio γ is one of the important parameters that determines the resonant frequency characteristics of a resonator, and when γ is small, the oscillation frequency can be varied over a wide frequency range when used in a voltage controlled oscillator.
従来の反射器の部分拡大図を第5図に示す。すなわち、
反射器に用いる金属ストリップ幅と、金属ストlリッツ
周温が大旨等しく、反射器の線幅比n、がnR二〇、5
となるように作られている。これか反射器の性能、具体
的には反射率を本来の特性から劣化させ、反射器全体の
反射率を上げるためには多数本の金属ストリップを用い
なければならないので素子か大型化し、また、容量比γ
も小さくならないという欠点となっていた。A partially enlarged view of a conventional reflector is shown in FIG. That is,
The width of the metal strip used in the reflector and the ambient temperature of the metal strip are roughly equal, and the line width ratio n of the reflector is nR20.5.
It is made to be. Either this will degrade the reflector's performance, specifically its reflectance, from its original characteristics, and in order to increase the reflectance of the entire reflector, it is necessary to use a large number of metal strips, which increases the size of the element. Capacity ratio γ
The disadvantage was that it did not become smaller.
一方、すだれ状電極で励振される弾性表面波は、反射器
によって反射され共振を起こすのであるが、反射器によ
って反射される際に、波動エネルギーの一部はモード変
換によりバルク波等になつ、エネルギー損失となる。と
ころか、従来の弾性表面波素子においでは、反射器の線
幅比nRが全て一定となるように設定されていたので、
反射器のすだれ状電極に近い部分の金属ストリップにお
けるモード変換が大きく、全体としてのエネルギー損失
も大きなっていた。このため、弾性表面波共振子などに
適用した際に、大きなQ(クォリティファクタ)を得る
ことができなかった。On the other hand, the surface acoustic wave excited by the interdigital electrode is reflected by the reflector and causes resonance, but when reflected by the reflector, a part of the wave energy becomes a bulk wave etc. due to mode conversion. This results in energy loss. On the other hand, in conventional surface acoustic wave elements, the line width ratio nR of the reflector is all set to be constant.
The mode conversion in the metal strip near the interdigital electrode of the reflector was large, and the overall energy loss was large. For this reason, when applied to a surface acoustic wave resonator or the like, a large Q (quality factor) could not be obtained.
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、金属
ストリップを用いた反射器の反射率を向上させ、かつ、
全体としてのモード変換をできるだけ小ざ〈押えで、弾
性表面波共振子などに適用した際にQを向上させること
ができるようにした弾性表面波素子を提供することにあ
る。"Objective of the Invention" The object of the present invention is to solve the problems of the prior art described above, improve the reflectance of a reflector using a metal strip, and
It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave element that can improve Q when applied to a surface acoustic wave resonator, etc. by minimizing the overall mode conversion.
「発明の構成」
本発明の弾性表面波素子は、弾性表面波が伝搬する圧電
基板上に、少なくとも一組のすだれ状電極と、複数の金
属ストリ・ンプからなる反射器とを備え、前記反射器の
金属ストリップのピッチをり、1.金属ストリップ幅を
lRとし、線幅比n、=β7/L、で表わした場合、前
記金属ストリップのピッチLRを変化させずに、前記線
幅比n、を前記すだれ状電極から離れるにしたがって反
射効果が大きくなるように変化させたことを特徴とする
。"Structure of the Invention" The surface acoustic wave element of the present invention includes, on a piezoelectric substrate through which surface acoustic waves propagate, at least one set of interdigital electrodes and a reflector made of a plurality of metal strips, and Adjust the pitch of the metal strips on the container.1. When the metal strip width is lR and the line width ratio n is expressed as β7/L, the line width ratio n is reflected as the distance from the interdigital electrode increases without changing the pitch LR of the metal strip. It is characterized by changes that have been made to increase the effect.
このように、反射器の線幅比をすだれ状電極から離れる
にしたがって反射効果が大きくなるように変化させたこ
とにより、反射器のすだれ状電極に近い金属ストリップ
部分におけるモード変換を減少させ、全体としてのエネ
ルギーの損失を低く抑えることができる。したがって、
弾性表面波共振子に適用した際に、大きな無負荷Qを得
ることができる。In this way, by changing the line width ratio of the reflector so that the reflection effect increases as the distance from the interdigital electrode increases, mode conversion in the metal strip portion of the reflector near the interdigital electrode is reduced, and the overall energy loss can be kept low. therefore,
When applied to a surface acoustic wave resonator, a large no-load Q can be obtained.
ところで、弾性表面波素子においては、茶3図に示した
ような開放型の反射器を何するものと、第4図に示した
ような短絡型の反射器を有するものとが知られている。By the way, as for surface acoustic wave elements, there are two known types: one with an open type reflector as shown in Figure 3, and one with a short circuit type reflector as shown in Figure 4. .
開放型の反射器を宵するものにおいては、すだれ状電極
から離れるにしたがって反射器の線幅比n、壱大きくす
ることにより、反射効果を高めることができる。この場
合、より好ましくは、nlRlを0.5未満から1.0
に近づけるようにする。また、短絡型の反射器を有する
ものにおいては、すだれ状電極から離れるにしたがって
反射器の線幅比nut小さくすることにより、反射効果
を高めることができる。この場合、より好ましくは、n
*を0.5以上から0.0に近づける。In the case of an open type reflector, the reflection effect can be enhanced by increasing the line width ratio n of the reflector as the distance from the interdigital electrode increases. In this case, more preferably nlRl is less than 0.5 to 1.0
Try to get it close to. In addition, in a device having a short-circuit type reflector, the reflection effect can be enhanced by decreasing the line width ratio nut of the reflector as the distance from the interdigital electrode increases. In this case, more preferably n
* from 0.5 or more to close to 0.0.
本発明において、反射器の特性、プロセスの容易性、コ
スト等の面から、金属ストリップからなる反射器やすだ
れ状電極は同一の金属で形成することが好ましく、金属
としてはAIまたはA1合金が好ましく、あるいはAl
またはA1合金と高融点金属との多層膜構造とすること
が好ましい。In the present invention, from the viewpoint of reflector characteristics, ease of process, cost, etc., it is preferable that the reflector made of a metal strip and the interdigital electrode be formed of the same metal, and the metal is preferably AI or A1 alloy. , or Al
Alternatively, it is preferable to have a multilayer structure of an A1 alloy and a high melting point metal.
「発明の実施例」
実施例1
第1図には本発明を開放型の反射器を有する弾性表面波
共振子に適用した例が示されている。Embodiments of the Invention Example 1 FIG. 1 shows an example in which the present invention is applied to a surface acoustic wave resonator having an open reflector.
すなわち、128度回転Y軸カットのニオブ酸リチウム
を基板1として用い、厚さ100OAのAI膜により対
数10組のすだれ状電極2を形成した。そして、すだれ
状電極2の両側に、上記と同様なAI膜からなる互いに
接続されていない各200本の金属ストリップからなる
開放型の反射器31v形成した(第1図には一方の反射
器3のみが部分的に示されでいる)、こうして、450
MHz帯の1ポート共振子を作製した。That is, lithium niobate rotated by 128 degrees and cut on the Y axis was used as the substrate 1, and 10 log pairs of interdigital electrodes 2 were formed from an AI film having a thickness of 100 OA. Then, on both sides of the interdigital electrode 2, open reflectors 31v each consisting of 200 unconnected metal strips made of the same AI film as above were formed (in Fig. 1, one reflector 31v is formed). only partially shown), thus 450
A one-port resonator in the MHz band was fabricated.
この場合、すだれ状電極2のとツチLy、反射器3の金
属ストリップのビ・シチL+は、全て一定の長さとした
。また、すだれ状電極2の幅β1も一定の長さとした。In this case, the lengths Ly of the interdigital electrodes 2 and the lengths L+ of the metal strips of the reflector 3 were all set to constant lengths. Furthermore, the width β1 of the interdigital electrode 2 was also set to a constant length.
しかし、この実施例においては、反射器3の金属ストリ
ップの幅β07、l1m2)β113、j2 *a、1
2 R5・・・を、すだれ状電極2かう離れるにしたが
って、その線幅比rlRが0.3から0.7になるよう
に順次変化させた。However, in this example, the width β07,l1m2) of the metal strip of the reflector 3 β113,j2 *a,1
2 R5... were successively changed so that the line width ratio rlR was changed from 0.3 to 0.7 as the interdigital electrode 2 moved away from each other.
こうして得られた弾性表面波共振子は、反射器3の金属
ストリップの線幅比n1.lが大きいほど反射効果が高
くなるので、すだれ状電極2から離れるほど反射効果が
高くなっている。このため、すだれ状電極2に近い、バ
ルク波などへのモード変換の大きい個所における反射を
少なくしで、その部分のモード変換を低く抑え、すだれ
状電極2から離れた、比較的モード変換の小さい個所に
おける反射を多くして、モード変換を低く抑えつつ反射
率を高めることができる。したがって、全体としてはモ
ード変換によるエネルギーの損失Nを少なくすることが
でき、無負荷Qを高めることができる。The surface acoustic wave resonator thus obtained has a line width ratio n1 of the metal strip of the reflector 3. Since the reflection effect becomes higher as l becomes larger, the reflection effect becomes higher as the distance from the interdigital electrode 2 increases. Therefore, by reducing the reflection at a location near the interdigital electrode 2 where the mode conversion to bulk waves is large, the mode conversion at that part is kept low, and at a location far from the interdigital electrode 2 where the mode conversion is relatively small. By increasing reflection at certain points, it is possible to increase reflectance while keeping mode conversion low. Therefore, as a whole, the energy loss N due to mode conversion can be reduced, and the no-load Q can be increased.
上記の弾性表面波共振子について、寅際に無負荷C1測
定したところ、反射器3の金属ストリップの線幅比nR
を0.5と一定にした従来の弾性表面波共振子に比べで
、無負荷Qの(!Wを約1.5倍に ゛することが
できた。When measuring the above surface acoustic wave resonator without a load, the line width ratio nR of the metal strip of the reflector 3 was found to be
Compared to a conventional surface acoustic wave resonator in which Q is kept constant at 0.5, we were able to increase the unloaded Q (!W) by approximately 1.5 times.
実施例2
舅2図には本発明を短絡型の反射器を何する弾性表面波
共振子に適用した例が示されでいる。Embodiment 2 Figure 2 shows an example in which the present invention is applied to a surface acoustic wave resonator using a short-circuit type reflector.
すなわち、128度回転Y軸カットのニオブ酸署ノチウ
ムを基板1として用い、厚ざ100OAのAl膜により
対数10組のすたれ状電極2を形成した。そして、すだ
れ状電極2の両側に、上記と同様なA1膜からなる互い
に接続されている各200本の金属ストリップからなる
短絡型の反射器3を形成した(第2図には一方の反射器
3のみが部分的に示されている)、こうして、450M
Hz帯の1ボート共振子を作製した。That is, using a niobium acid-signaled notium substrate 1 that was rotated by 128 degrees and cut on the Y axis, 10 logarithmic pairs of sagging electrodes 2 were formed from an Al film having a thickness of 100 OA. Then, on both sides of the interdigital electrode 2, short-circuit reflectors 3 were formed, each consisting of 200 interconnected metal strips made of the same A1 film as described above (FIG. 2 shows one reflector). 3 only partially shown), thus 450M
A one-boat resonator in the Hz band was fabricated.
この場合、すだれ状電極2のどツチLT、反射器3の金
属ストリップのピッチし、は、全て一定の長さとした。In this case, the throat LT of the interdigital electrode 2 and the pitch of the metal strip of the reflector 3 were all set to constant lengths.
また、すだれ状電極2の幅β1も一定の長さとした。し
かし、この実施例においては、反射器3の金属ストリッ
プの幅β8、ρR2,12R3、β□、!R5・・・を
、すプどれ状電極2から離れるにしたがって、その線幅
比nRが0.7から0.3になるように順次変化させた
。Furthermore, the width β1 of the interdigital electrode 2 was also set to a constant length. However, in this embodiment, the width of the metal strip of the reflector 3 β8, ρR2, 12R3, β□,! R5 .
こうしで得られた弾性表面波共振子は、反射器3の金属
ストリップの線幅比n、か小さいほど反射効果が高くな
るので、すだれ状電極2から離れるほど反射効果か高く
なっている。このため、実施例1と同様に、全体として
のモード変換(こよるエネルギー損失を少なくすること
かでき、無負荷Q%高めることかできる。In the surface acoustic wave resonator thus obtained, the reflection effect becomes higher as the line width ratio n of the metal strip of the reflector 3 is smaller, so the reflection effect becomes higher as the distance from the interdigital electrode 2 increases. Therefore, as in the first embodiment, the energy loss due to mode conversion as a whole can be reduced, and the no-load Q% can be increased.
上記の弾性表面波共振子について、実際に無負荷Qを測
定したところ、反射器3の金属ストリップの線幅比n6
を0.5と一定にした従来の弾性表面波共振子に比べて
、無1ij−荷Qの偵を約1.4倍にすることができた
。When we actually measured the no-load Q of the above surface acoustic wave resonator, we found that the line width ratio n6 of the metal strip of the reflector 3
Compared to a conventional surface acoustic wave resonator in which Q is kept constant at 0.5, the value of the unloaded Q can be increased approximately 1.4 times.
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、反射器の金1ス
トリップをすだれ状電極から離れるにしたかって反射率
の大きい線幅比としたので、全体とL)でのモード変換
ロスを少なくすることができる。したかっで、弾性表面
波共振子などに適用した際に01高めることかできる。"Effects of the Invention" As explained above, according to the present invention, the gold strip of the reflector is made to have a line width ratio with a large reflectance as it moves away from the interdigital electrode, so that the overall mode and L) Conversion loss can be reduced. Therefore, when applied to surface acoustic wave resonators, etc., it is possible to increase the 01 value.
第1図は本発明を開放型反射器を有する弾性表面波共振
子に適用した一実施例を示す部分断面図、第2図は本発
明を短絡型反射器を有する弾性表面波共振子に通用した
他の実施例を示す部分断面図、M3図は開放型反射器を
有する従来の弾性表面波共振子を示す平面図、第4図は
短絡型反射器を有する従来の弾性表面波共振子を示す平
面図、第5図は従来の弾性表面波共振子の反射器部分を
示す断面図、第6図は弾性表面波素子の電気的等価回路
図である。
図中、1は圧電基板、2はすだれ状電極、3は反射器、
LRは反射器の金属ストリップのピッチ、ff II+
、!R2)β、3.1,14、uR5・・・は反射器の
金属スト1リツプの幅である。
特許出願人 アルプス電気株式会社
3′23
第4因
第5図
第6図Fig. 1 is a partial sectional view showing an embodiment in which the present invention is applied to a surface acoustic wave resonator having an open reflector, and Fig. 2 is a partial cross-sectional view showing an embodiment in which the present invention is applied to a surface acoustic wave resonator having a short-circuit reflector. Figure M3 is a plan view showing a conventional surface acoustic wave resonator with an open type reflector, and Figure 4 shows a conventional surface acoustic wave resonator with a short-circuit type reflector. 5 is a sectional view showing a reflector portion of a conventional surface acoustic wave resonator, and FIG. 6 is an electrical equivalent circuit diagram of the surface acoustic wave element. In the figure, 1 is a piezoelectric substrate, 2 is an interdigital electrode, 3 is a reflector,
LR is the pitch of the metal strip of the reflector, ff II+
,! R2) β, 3.1, 14, uR5... are the widths of the metal strips of the reflector. Patent applicant Alps Electric Co., Ltd. 3'23 Cause 4 Figure 5 Figure 6
Claims (3)
一組のすだれ状電極と、複数の金属ストリップからなる
反射器とを備えた弾性表面波素子において、前記反射器
の金属ストリップのピッチをL_R、金属ストリップ幅
をl_Rとし、線幅比n_R=l_R/L_Rで表わし
た場合、前記金属ストリップのピッチL_Rを変化させ
ずに、前記線幅比n_Rを前記すだれ状電極から離れる
にしたがって反射効果が大きくなるように変化させたこ
とを特徴とする弾性表面波素子。(1) In a surface acoustic wave element comprising at least one set of interdigital electrodes and a reflector consisting of a plurality of metal strips on a piezoelectric substrate through which surface acoustic waves propagate, the pitch of the metal strips of the reflector is L_R, the metal strip width is l_R, and the line width ratio n_R=l_R/L_R, the reflection effect increases as the line width ratio n_R moves away from the interdigital electrode without changing the pitch L_R of the metal strip. 1. A surface acoustic wave element characterized in that the surface acoustic wave element is changed so that the .
いに接続されていない金属ストリップからなり、前記線
幅比n_Rを前記すだれ状電極から離れるにしたがって
大きくなるように変化させた弾性表面波素子。(2) In claim 1, the reflector is made of metal strips that are not connected to each other, and the surface acoustic wave has the line width ratio n_R changed so as to increase as the distance from the interdigital electrode increases. element.
いに接続している金属ストリップからなり、前記線幅比
n_Rを前記すだれ状電極から離れるにしたがって小さ
くなるように変化させた弾性表面波素子。(3) In claim 1, the reflector is composed of metal strips connected to each other, and the surface acoustic wave is configured such that the line width ratio n_R is changed to become smaller as the distance from the interdigital electrode increases. element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9977186A JPS62256512A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9977186A JPS62256512A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Surface acoustic wave element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256512A true JPS62256512A (en) | 1987-11-09 |
Family
ID=14256230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9977186A Pending JPS62256512A (en) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | Surface acoustic wave element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62256512A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE39538E1 (en) * | 1998-10-28 | 2007-04-03 | Epcos Ag | Surface acoustic wave arrangement with a junction region between surface acoustic wave structures having a decreasing then increasing finger period |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP9977186A patent/JPS62256512A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE39538E1 (en) * | 1998-10-28 | 2007-04-03 | Epcos Ag | Surface acoustic wave arrangement with a junction region between surface acoustic wave structures having a decreasing then increasing finger period |
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