JP2644847B2 - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

多層配線基板及びその製造方法

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JP2644847B2 JP63241006A JP24100688A JP2644847B2 JP 2644847 B2 JP2644847 B2 JP 2644847B2 JP 63241006 A JP63241006 A JP 63241006A JP 24100688 A JP24100688 A JP 24100688A JP 2644847 B2 JP2644847 B2 JP 2644847B2
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尚哉 諌田
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文雄 片岡
中 横野
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子計算機などに利用される、LSIを搭載
した多層配線基板及びその製造方法に係り、特に、配線
部と絶縁層の段差を解消するのに好適な多層配線基板及
びその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
配線層と絶縁層を交互に積層して成る多層配線基板に
おいては、絶縁層上に形成された配線層によって、凸の
段差が発生する。一方、配線層どうしの接続を行うスル
ーホール部において、凹の段差が発生する。配線基板の
高精度化および高機能化に伴い、配線の高アスペクト比
化、絶縁層の厚さおよび配線層数の増大が要求される。
この結果、上記段差が大きくなり、配線層の形成やスル
ーホールの形成の高精度化が困難となる。
例えば特開昭59−227140号公報には、絶縁層段差を解
消する方法が提案されている。この発明では、下層配
線層上に形成された段差を有する層間絶縁層上にホトレ
ジスト層を塗布し、上記段差上のホトレジスト層の開
口を形成し、該開口部における上記層間絶縁層の段差部
分をウェットエッチングによって除去し、上記ホトレ
ジスト層を除去した後、上記層間絶縁層上に新たな層間
絶縁層を形成する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、ホトレジスト層によるマスクを用い
て絶縁層のウェットエッチングを行うこととにより、段
差を解消する方法をとる。そのため、ホトレジスト層の
塗布・乾燥・露光・現像・ポストキュア・ウェットエッ
チング・ホトレジスト剥離と、多くの工程を必要とす
る。また、ウェットエッチング後に、マスクの位置ずれ
やオーバーエッチングによる欠陥が発見された場合、平
坦化絶縁層を選択的に除去することが困難であるため、
欠陥の修正が困難であった。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、工程数
が少なく、欠陥修正が容易であり、配線層およびスルー
ホールにより発生した段差を容易に解消できる多層配線
基板及びその製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、スルーホールと、配線層により、段差の
生じた基板表面に、上記段差が埋まるように感光性を持
つ絶縁層を形成し、これを露光・現像することにより、
凸となった配線層上の絶縁層を除去した後、新たに絶縁
層を形成することにより、また、一定の方法により、絶
縁層に対し、選択的に除去できる感光性絶縁層を使用す
ることにより達成できる。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、基板上
に配線層と絶縁層とを交互に積層して成る多層配線基板
を、下層の配線層上に形成されこの下層の配線層の所望
の部分の上部にスルーホールが形成された第1の絶縁層
と、この第1の絶縁層上にあってスルーホールの側面を
介して下層の配線と電気的に接続する配線パターンが形
成された配線層と、第1の絶縁層上及びスルーホール上
にあって表面の高さが配線パターンの表面とほぼ同じ高
さの第2の絶縁膜層と、この表面の高さがほぼ同じ第2
の絶縁膜層と配線パターンとの上に表面がほぼ平坦に形
成された第3の絶縁膜層とを積層する構成とした。
また、基板上に配線層と絶縁層とを交互に積層して成
る多層配線基板の製造方法を、下層の配線層上に第1の
絶縁層を形成し、この第1の絶縁層にスルーホールを形
成して下層の配線層の所望の部分を露出させ、この露出
させた下層の配線及びスルーホールの側面と第1の絶縁
層上に導体膜を成膜し配線パターンを形成して配線層を
形成し、この配線層上に感光性絶縁材料を塗布して感光
性絶縁膜層を形成し、この感光性絶縁膜層を露光・現像
してスルーホールの上部を除く配線パターンの上部の感
光性絶縁膜層を除去し、除去されなかった感光性絶縁膜
層を熱処理して感光性絶縁膜層の表面を感光性絶縁膜層
が除去された配線パターンの表面とほぼ同じ高さにし、
この表面の高さがほぼ同じになった熱処理された感光性
絶縁膜層と配線パターンとの上に第2の絶縁膜層を形成
して行うようにした。
〔作 用〕
本発明においては、配線層とスルーホールにより、段
差の生じた基板表面上に、感光性絶縁層を段差を埋めら
れるでけの厚さに形成する。この際周囲より凹となった
スルーホール部には、該感光性絶縁層が他の部分より厚
く形成され、スルーホール部の凹の段差が解消される。
次に、この感光性絶縁層を、露光・現像することによ
り、配線層上の、凸となった感光性絶縁層を選択的に除
去することにより、配線層の凸の段差が解消できる。
この際に欠陥が発見された場合、所定のエッチング液
または剥離液を用いて、感光性絶縁層を選択的に除去
し、新たに感光性絶縁層を形成することにより、修正を
容易に行うことができる。
この後、新たな絶縁層を、所定の厚さに形成し、スル
ーホール加工を行った後、上層配線層を形成する。以上
の工程を繰り返して、必要層数の多層配線基板を形成す
る。
このように本発明では、ホトレジスト工程に変えて、
感光性絶縁層を用いるので、工程数を削減することがで
き、また、平坦化工程での欠陥の修正を容易に行うこと
ができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。第1
図(a)〜(e)は、本発明の一実施例の多層配線基板
の製造方法を示す工程断面図である。
第1図(a)に示すように、セラミック基板もしくは
厚膜多層配線板等の基板1上に、例えば、日立化成株式
会社製のピー・アイ・キユー(PIQ)(商品名)をスピ
ンナにより均一に回転塗布した後、熱処理して、ポリイ
ミド膜からなる層間絶縁層2を形成し、これに、通常の
ホトエッチング工程により、スルーホール3を形成す
る。次に、銅または、銅およびクロムから成る導体層を
蒸着法により層間絶縁層2上に成膜し、通常のホトエッ
チング工程により、配線層4として形成する。この際ス
ルーホール部3上に凹部5が発生する。
次に、同図(b)に示すように、例えば、日立化成工
業化美式会社製のホトパル(Photo−Pal)(商品名)
を、スピンナにより、全面に回転塗布した後、85℃30分
間熱処理し、感光性絶縁層6を形成する。この際、図示
のごとく、スルーホール部上の凹部5では、感光性絶縁
層6は、他の部分より厚く形成される。
次に、同図(c)に示すように、感光性絶縁層6をホ
トマスクを用いて、露光・現像し、配線層上の感光性絶
縁層6を除去する。この際、マスクの位置ずれ等によ
り、平坦化に欠陥が発見された場合、70℃のN−メチル
−2−ピロリドン中で、超音波洗浄を行うことにより、
感光性絶縁層6を選択的に除去することができる。
次に、200℃・30分、350℃・60分の熱処理を、窒素気
流中で行い、感光性絶縁層6を、同図(d)に示す、ポ
リイミド膜より成る平坦化絶縁層7と成す。
次に、同図(e)に示すように、新たな層間絶縁層8
を形成する。以降、必要層数まで上記工程を繰り返し、
多層配線基板を形成する。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、層間絶縁層上
の配線層および、スルーホールによる段差を、ホトレジ
ストを用いた工程に比べ、少ない工程数で解消でき、ま
た、平坦化時の欠陥の修正も容易なため、信頼性の高
い、高機能の多層配線基板を実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(e)は、本発明の一実施例の多層配線
基板の製造方法を示す断面図である。 1……厚膜多層配線板等の基板,2……層間絶縁層,3……
スルーホール,4……配線層,5……スルーホール部の凹
部、6……感光性絶縁膜,7……平坦化絶縁層,8……上層
の層間絶縁層。
フロントページの続き (72)発明者 片岡 文雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 横野 中 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−74608(JP,A) 特開 昭62−266540(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に配線層と絶縁層とを交互に積層し
    て成る多層配線基板の製造方法であって、 下層の配線層上に第1の絶縁層を形成し、 該第1の絶縁層にスルーホールを形成して前記下層の配
    線層の所望の部分を露出させ、 該露出させた下層の配線及び前記スルーホールの側面と
    前記第1の絶縁層上に導体膜を成膜し配線パターンを形
    成して配線層を形成し、 該配線層上に感光性絶縁材料を塗布して感光性絶縁膜層
    を形成し、 該感光性絶縁膜層を露光・現像して前記スルーホールの
    上部を除く前記配線パターンの上部の前記感光性絶縁膜
    層を除去し、 前記除去されなかった感光性絶縁膜層を熱処理して該感
    光性絶縁膜層の表面を前記感光性絶縁膜層が除去された
    配線パターンの表面とほぼ同じ高さにし、 該表面の高さがほぼ同じになった前記熱処理された感光
    性絶縁膜層と前記配線パターンとの上に第2の絶縁膜層
    を形成する ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
  2. 【請求項2】基板上に配線層と絶縁層とを交互に積層し
    て成る多層配線基板であって、下層の配線層上に形成さ
    れ該下層の配線層の所望の部分の上部にスルーホールが
    形成された第1の絶縁層と、 該第1の絶縁層上にあって前記スルーホールの側面を介
    して前記下層の配線と電気的に接続する配線パターンが
    形成された配線層と、 前記第1の絶縁層上及び前記スルーホール上にあって表
    面の高さが前記配線パターンの表面とほぼ同じ高さの第
    2の絶縁膜層と、 該表面の高さがほぼ同じ前記第2の絶縁膜層と前記配線
    パターンとの上に表面がほぼ平坦に形成された第3の絶
    縁膜層と を積層して形成したことを特徴とする多層配線基板。
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JPS5974608A (ja) * 1982-10-21 1984-04-27 Hitachi Ltd 配線構造体の成形方法
JPS62266540A (ja) * 1986-05-14 1987-11-19 Asahi Chem Ind Co Ltd 平坦化パタ−ンの形成方法

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