JPS62254426A - 平行出し装置 - Google Patents

平行出し装置

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JPS62254426A
JPS62254426A JP61096744A JP9674486A JPS62254426A JP S62254426 A JPS62254426 A JP S62254426A JP 61096744 A JP61096744 A JP 61096744A JP 9674486 A JP9674486 A JP 9674486A JP S62254426 A JPS62254426 A JP S62254426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mask
chuck
leaf spring
paralleling
Prior art date
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Pending
Application number
JP61096744A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Yoshida
実 吉田
Tsutomu Tanaka
勉 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61096744A priority Critical patent/JPS62254426A/ja
Publication of JPS62254426A publication Critical patent/JPS62254426A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 χ    g寡0日R/A骨嘘立咀−一 置す日B〔産
業上の利用分野〕 本発明はプロキシミティ半導体焼付機におけるマスクと
ウェハのアライメント装置に係り、特に密着式マスクア
ライナのウスクとウェハを精密に平行出しするのく好適
な平行出し装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の密着式マスクアライナのマスクとウェハの平行出
し方法は、例えば特開昭54−53968号公報に記載
のよう忙、ある間隙を設定するためKこの間Pl(の厚
みを持ったキャリブレイタをマスクペースの基準面とウ
ェハ表面に押し当てて行うものが開示されている。平行
出しはウェハチャック下面が球面形状をなしてお9ここ
に空圧でフロート状態にしてキャリブレイクの形状にな
られし、球面座部分を真空吸着して固定する方法である
しかし、ウニへ表面忙異物が付着して問題となることが
らシ、またキャリブレイタを使用する間接的な平行出し
方法であるため高精度な平行出しに1%11−で配慮が
7)されでい7)≠為う斧へ〔発明が解決しようとする
問題点〕 マスクとウェハを平行出しする方法の前記した従来の技
術では、キャリブレイタにマスクとウェハを押し当て、
ウェハチャックに球面座を用いるため、キャリブレイタ
の精度が平行出し精度となシ、球面座を用いるため球面
の精度不良や球面使用時の摩耗等によって平行出し精度
が悪化する。
また球面座の固定時にニアギャップ分だけ平行出しがず
れる等の問題かあ)、高精度の平行出しを実現すること
が困難であった。
本発明の目的は、前記の従来技術の問題点を解決し高精
度忙設定可能な平行出し装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は前記目的を達成するため、ウェハを載置したチ
ャックに係合する部材であって、前記チャックが上下動
してマスクとウェハが近接又は離隔する方向に沿って移
動可能に形成され、前記チャックの円周に沿って少くも
ほぼ3等分される位置に設けられる移動部材を設けると
共に、マスクとウェハのそれぞれのマークのコントラス
量の最大値から前記マスクとウェハ間の距離を検出すべ
く形成される検出手段と前記移動部材間に介設され、前
記検出手段の信号により前記移動部材を移動させるチル
ト移動回路と、前記チャックと装置の不動側とに弾性部
材を介して連結され前記移動部材を載置して前記方向に
沿って移動可能に形成される案内部材とを設けてなる平
行出し装置を構成する。
〔作用〕
前記検出手段は、従来の技術においても用いられる対物
レンズとこれに連接する光学系検出回路であって、3箇
の前記移動手段の位置の上方側からマスクとウェハのそ
れぞれのマークのコントラスト量を検出する。
前記ウェハを載置するチャックには、弾性部材を介して
ガイドパが連結され空圧によって上下動されるとともに
、前記ガイドパに載置された移動部材が前記チャックに
係合し、前記検出手段に連接したチルト移動回路により
前記移動部材を移動させ、係合する前記チャックをチル
ト移動することにより、前記マスクとウニへ間の距離を
3箇の位置で任意に、かつ高精度に変えて、前記マスク
とウェハを精密に平方出しを行う。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面忙基づき説明する。
先づ全体の構成を第3図、第4図により説明する。
密着式アライナあるいはプロキシミテイアライナのマス
ク29は、マーク32を配設してマスクホルダ30上に
装着され、ウェハ1はマーク23を配設してチャック2
上に真空吸着により装置される。マスク29の上方側に
マーク52.25のコンストラスト量を検出する検出手
段が配設される。
検出手段は詳細は後記するが、対物レンズ18、ハーフ
ミラ20、照明レンズ22、光源21、光電変換器19
、A/D変換器24、演算回路25等によ)構成される
4−− +l /) 9け四;佃1細1引戊り7 玖齢
H旗つAによって上下動されると共に、チャック2には
本実施例の平行出し装置17内に設けられる移動部材で
あるビ1エゾ素子11が係合し、ピエゾ素子11はピエ
ゾ素子制御回路28、移動判定回路26で構成されるチ
ルト移動回路に連結される。チルト移動回路と空圧制御
回路27は前記の検出手段に連接され、チャック2は検
出信号により自動的に精密忙上下動される。
次に本実施例の構成を説明する。
第1図、第2図および第3図に示す如く、移動部材であ
るピエゾ素子11は少くも3箇あって、一端側を後記す
るガイドパ6に載置され他端側の先端部はボール12を
介しチャック2に当接し、チャック2に載置されるウェ
ハ1をマスク29に近接又は離隔する方向に移動可能に
している。またピエゾ素子11はチャック2の円周に沿
って3等分される位置に当接する如く配設される。チル
ト移動回路はピエゾ素子制御回路28と移動判定回路2
6とで構成されてピエゾ素子11と前記検出手段に連結
され、検出手段の信号によりピエゾ素子11を移動制御
する〇 適宜の長さのガイドパ6は一端側に弾性部材である第1
0板バネ8の中央部をチャックホルダ10で固定し、他
端側に第2の板バネ4をキャップ7で固定する。
装置の不動側であるハウジング3は中空形に形成されて
ガイドパ6と、ガイドパ6に連結されるチャックホルダ
10を収納しチャック下方側に配設される。第1の板バ
ネ8の先端側円周部はホルダ9によりハウジング3の上
部側壁に固定され。
第2の板バネ4の先端側円周部はホルダ5によりハウジ
ング3の下部側壁に固定される。すなわち、ガイドパ6
とチャックホルダ10は板バネ8と板バネ4を介して移
動可#IKハウジング!I/c支持されておシ、また板
バネ4とホルダ5の間は密閉状の空圧室16を形成する
。空圧室16に空圧制御回路27が連通する。
ガイドパ6の軸方向の、中央部近傍の外側にピエゾ素子
11の一端側を載置する。ピエゾ素子11の他端側は第
1の板バネ8及びチャックホルダ10に設けられ3箇の
貫通穴を貫通して先端部のボール12をチャック2の支
持側に当接しチルト移動自在に配設される。
チャックホルダ10のチャック2と相対向する側に板バ
ネ13が設けられてチャック2と連結され、チャック2
は板バネ13を介してチャックホルダ10およびガイド
パ6によりて移動可能となる。弾性部材である板バネ1
3はピエゾ素子11の貫通穴の中間位置に3箇設けられ
、板バネ13の一端側をチャックホルダ10の中心側に
板14で固定され、他端側をチャック2に板15によっ
て固定され、チャック2とチャックホルダ10が間隙を
保持して連結されるとともに、チャックホルダ10の横
方向の移動を抑制するべく配設される。
次に本実施例の平行出し作用を説明する。
第3図に示す如く、検出手段によってマスクとウェハの
マークのコントラスト量を検出し、板バネ4の下部の空
圧室16に空圧を与えると、板バネ4の受圧面積と空圧
力により板バネ4が撓み、さらに板バネ8も同時に撓む
。これによりガイドバ6とチャックホルダ10が上昇す
る。マークの検出をピエゾ素子11の3箇所の位置で行
ってマスクとウェハの平行量を示すコントラスト量の検
出信号により3箇のピエゾ素子11は異なる移動量で3
点自在にチルト移動し、マスクとウェハに他の物体を触
れることなく精密にかつ容易にマスクとウェハの平行出
しを行う。これくついてさらに詳細に図面に基づき説明
する。
第4図は密着式アライナあるいはプロキシミテイアライ
ナに本発明を適用した一実施例を示す。
対物レンズ18は無限遠補正塵が用いられ、結像レンズ
51により光電変換器191C結像する。対物レンズ1
8は図示しない方法で対物レンズ駆動回路33により光
軸方向に移動可能である。マスク、ウェハ検出判定回路
34は、マスク29あるいはウェハ1の一方を検出する
ために対物レンズ駆動回路33を制御し対物レンズ18
を光軸方向に移動させる。対物レンズ18の結像光路途
中忙ハーフミラ20を配置し、光源21の光をレンズ2
21Cよシ対物レンズ18に照明する。対物レンズ1B
が受ける検出物の反射光は光電変換器19に結像されA
/D変換器24、演算回路25によりコントラスト量を
演算し、移動判定回路26により空圧制御回路27、ピ
エゾ素子制御回路28を制御する。
前記の検出手段を用いて平行出し装置17によりマスフ
29とウェハ1の平行出しをするKは、先づ対物レンズ
1Bによりマスフ29のマーク32を検出して合焦点位
置を見つけ出す。対物レンズ18をΔX下降しクエンS
1のマーク23を検出する。前記の如くウェハ1の合焦
点位置を見つけ出し、この動作をピエゾ素子11の位置
の3箇所で行ってウェハ1をマスク29に対し平行出し
させる。
前記の合焦点位置を見つけ出す方法について第5図、第
6図に基づいて説明する。第5図は第3図による検出原
理説明図、第6図は平行出しの概念説明図である。
第5図(a)に示す如く、対物レンズ18の位置によっ
て光電変換器19のコントラスト量の変化があることが
わかる。対物レンズ18が第5図(b)の如く上方にピ
ントがある場合、マーク25のコントラスト量は短く、
tas図(0)の如く合焦点位置の場合はコントラスト
量は最大となル、第5図(a)の如く下方になるとコン
トラスト量は再び低くなる。
このようにコントラスト量が最大になるように対物レン
ズ18あるいはウェハ1を上下すればピント位置がわか
る。
第6図(a)においては平行出し装置17とピエゾ素子
11の配置は模式化して示しである。
3対の対物レンズ19,18.18の位置を基準として
平行高さ出しを行いたい場合を想定する。
ウェハ1は図に示す如く厚さむらがあるものとする。ピ
エゾ素子11..11 .11  を駆動しながらそれ
ぞれのマーク25.25.23  のコントラスト量が
最大値になるようにすればよい。しかしながらピエゾ素
子11のストロークが不足した場合、第6図(b)に示
す如く空圧室16に空圧を供給し対物レンズ18.18
’、18″の内いづれか1箇のコントラスト量が最大に
なるまで上昇させる。空圧力を保持し、他の2箇のピエ
ゾ素子を駆動して3箇のピエゾ素子のコントラスト量が
最大になれば平行出しは完了する。
以上説明した如く、本実施例忙よる平行出しはマスクと
ウェハを同一の場所に動かすことなく配設したまま、少
くも3箇所以上で位置でマスクとウェハのマークを検出
するため、高精度にかつ容易に平行出しすることが可能
となる。
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかの如く、本発明によれば、キャリブ
レイクの如き他の物体をマスクあるいはウェハに接触す
ることなく平行出しを行い、また平行出し装置は簡単な
構造であるため故障や誤差の発生することが少く、容易
な作業で任意の間隙を変えて高精度の平行出しを行い、
作業能率を向上するととも忙 品歩留シを向上する効果
を上げることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明一実施例の全体構成図、第2図は第1図
のA−A矢視図、第3図は本実施例を用いたアライナ構
成図、第4図は密着式アライナに本実施例を用いた構成
図、1g5図は第3図の検出原理説明図、第6図は平行
出しの概念説明図である。 1・・・ウェハ、2・・・チャック、3・・・ハクジy
グ。 4・・・第2の板バネ、5,9・・・ホルダ、6・・・
ガイドパ、7・・・キャップ、8・・・第2の板バネ、
10・・・チャックホルダ、11・・・ピエゾ素子、i
2・・・ボール、13・・・板バネ、14.15・・・
板、16・・・空圧室、17・・・平行出し装置、18
・・・対物レンズ、19・・・光電変換器、20・・・
ハーフミラ、21・・・光源、22・・・照明レンズ、
25.52・・・マーク%24・・・A/D変換器、2
5・・・演算回路、26・・・移動回路、27・・・空
圧制御回路、28・・・ピエゾ素子制御回路、29・・
・マスク、30・・・マスクホルダ、31・・・結像レ
ンズ、33・・・対物レンズ移動回路、54・・・マス
ク、ウェハ検出判定回路。 系 1 図  ′ 未ルダー 第20 +13      、、:  ビエブ゛素手!3: +
ヤツフルに〆ネ、 晃30 第4図 3F15図 (d)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マスクとウェハのそれぞれのマークのコントラスト量の
    最大値から前記マスクとウェハ間の距離を検出すベく形
    成される検出手段を用い、前記ウェハを載置したチャッ
    クを上下動させて前記マスクとウェハ間の平行出しをす
    る平行出し装置において、前記チャックに係合して前記
    マスクとウェハが近接又は離隔する方向に沿って移動可
    能に形成され前記チャックの円周に沿って少くもほぼ3
    等分される位置に設けられる複数個の移動部材と、該移
    動部材と前記検出手段間に介設され前記検出手段の信号
    により前記移動部材を移動させるチルト移動回路と、前
    記チャックと装置の不動側とに弾性部材を介して連結さ
    れ、前記移動部材を載置して前記方向に沿って移動可能
    に形成される案内部材を設けることを特徴とする平行出
    し装置。
JP61096744A 1986-04-28 1986-04-28 平行出し装置 Pending JPS62254426A (ja)

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JP61096744A JPS62254426A (ja) 1986-04-28 1986-04-28 平行出し装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294515A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Canon Inc 露光方法
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