JPS62249435A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62249435A JPS62249435A JP9204286A JP9204286A JPS62249435A JP S62249435 A JPS62249435 A JP S62249435A JP 9204286 A JP9204286 A JP 9204286A JP 9204286 A JP9204286 A JP 9204286A JP S62249435 A JPS62249435 A JP S62249435A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に、そのテープキャリア
におけるリード部の錫(Sn)メッキのホイスカー現象
の発生を防止する技術に関する。
におけるリード部の錫(Sn)メッキのホイスカー現象
の発生を防止する技術に関する。
半導体素子の実装方式の一つに、テープキャリア方式と
かT A B (Tape Automated Bo
nding )方式とかフィルムキャリア方式と呼ばれ
ている方式がある。この方式はフィルムテープの縁に、
映画用フィルムと同様のスプロケットホールなあけ、こ
れをフィルムテープの送りと位置合せに用いて、半導体
素子(チップ)の自動組立や樹脂封止などを行なうもの
である。
かT A B (Tape Automated Bo
nding )方式とかフィルムキャリア方式と呼ばれ
ている方式がある。この方式はフィルムテープの縁に、
映画用フィルムと同様のスプロケットホールなあけ、こ
れをフィルムテープの送りと位置合せに用いて、半導体
素子(チップ)の自動組立や樹脂封止などを行なうもの
である。
その−例は、接着剤付きポリイミドフィルムを適宜幅に
形成し、それにスプロケットホールおよびデバイスホー
ルをパンチングし、銅箔をその上にラミネートし、ホト
レジスト技術、エツチング技術を用いて所望のリードパ
ターンを有するリードを形成し、デバイスホール内に突
出したフィンガー状のリード(フィンガーリード)の端
部に、半導体チップをフェイスアップで位置合せしてボ
ンディングし、このように、半導体チップを当該テープ
に連続して組み込んだ半導体組立品をボッティング樹脂
で封止、切断する主要工程を得る。
形成し、それにスプロケットホールおよびデバイスホー
ルをパンチングし、銅箔をその上にラミネートし、ホト
レジスト技術、エツチング技術を用いて所望のリードパ
ターンを有するリードを形成し、デバイスホール内に突
出したフィンガー状のリード(フィンガーリード)の端
部に、半導体チップをフェイスアップで位置合せしてボ
ンディングし、このように、半導体チップを当該テープ
に連続して組み込んだ半導体組立品をボッティング樹脂
で封止、切断する主要工程を得る。
上記方式において、テープキャリア用チップには、一般
に突起電極(バンプ)を有しており、この突起電極を溶
融させて、リードフレームとの接続(インナーリードボ
ンディング)を行なう。この突起電極の構造の一例は、
半導体チップのアルミニウム(A2)’l極上に、クロ
ム/銅(Cr/Cu)などのバリヤ金属層を介して、金
(人U)バンプ金属層が形成されている。
に突起電極(バンプ)を有しており、この突起電極を溶
融させて、リードフレームとの接続(インナーリードボ
ンディング)を行なう。この突起電極の構造の一例は、
半導体チップのアルミニウム(A2)’l極上に、クロ
ム/銅(Cr/Cu)などのバリヤ金属層を介して、金
(人U)バンプ金属層が形成されている。
一方、リードには、半導体チップとのポンディング性を
確保するために、一般にメッキによる表面処理が施され
ている。メッキは例えば、無電解錫(Sn)メッキや電
解Auメッキが用いられているう半導体チップのAuバ
ンブ電極とこの無電解Snメッキ層はボンディングによ
ってAu−Sn合金を形成する。
確保するために、一般にメッキによる表面処理が施され
ている。メッキは例えば、無電解錫(Sn)メッキや電
解Auメッキが用いられているう半導体チップのAuバ
ンブ電極とこの無電解Snメッキ層はボンディングによ
ってAu−Sn合金を形成する。
この場合、Snメッキ層を全体に薄く施すと、Snのホ
イスカー現象が生起されやすい。そして、このホイスカ
ーにより、リード間において短絡(ショート)が引き起
こされる。すなわち、Snメッキリードフレームは、長
時間の常温常湿での放置により、その表面に数ミクロン
太さのヒゲのような針状結晶であるホイスカー(Whi
sker)が成長してきて、−のリードに生じたホイス
カーが隣接するリードに接触し、リードショートを起こ
し、このホイスカーはメッキの際のSn層に残留する応
力が駆動力となるためメッキ層が薄いと起り易い。そこ
で、Snメッキ層を、厚く形成すると、ボンディングに
よって形成されるAu−Sn合金が過剰となり、隣接す
る電極間でショートを起しやす(なる。
イスカー現象が生起されやすい。そして、このホイスカ
ーにより、リード間において短絡(ショート)が引き起
こされる。すなわち、Snメッキリードフレームは、長
時間の常温常湿での放置により、その表面に数ミクロン
太さのヒゲのような針状結晶であるホイスカー(Whi
sker)が成長してきて、−のリードに生じたホイス
カーが隣接するリードに接触し、リードショートを起こ
し、このホイスカーはメッキの際のSn層に残留する応
力が駆動力となるためメッキ層が薄いと起り易い。そこ
で、Snメッキ層を、厚く形成すると、ボンディングに
よって形成されるAu−Sn合金が過剰となり、隣接す
る電極間でショートを起しやす(なる。
なお、テープキャリアについて述べた文献の例として、
■工業調査会1980年1月15日発行rIC化実装技
術J P107〜113、P143〜144およびP1
75がある。
■工業調査会1980年1月15日発行rIC化実装技
術J P107〜113、P143〜144およびP1
75がある。
本発明はテープキャリアにおけるホイスカーの発生を防
止し、リードショートやバンプとのショートを防止し、
信頼性を向上させることの技術を提供することを目的と
する。
止し、リードショートやバンプとのショートを防止し、
信頼性を向上させることの技術を提供することを目的と
する。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明においては部分的にメッキ層厚を変え
、例えば、バンプにボンディングする部分のリードのメ
ッキ層厚を薄くし、それ以外の部分のリードのメッキ層
厚をそれよりも厚(する段差を設けたものである。
、例えば、バンプにボンディングする部分のリードのメ
ッキ層厚を薄くし、それ以外の部分のリードのメッキ層
厚をそれよりも厚(する段差を設けたものである。
半導体素子の電極にボンディングされる部分のリードの
メッキ層厚を薄(したので、電他間のショートは防止で
き、一方、当該ボンディング部゛(接合部)以外のメッ
キ層を厚くすることにより、メッキ層表面での応力が緩
和され、ホイスカーは発生しない。Au−Sn合金が過
剰に生成したとしても、当該リード部ではリードショー
トは起こり難い。
メッキ層厚を薄(したので、電他間のショートは防止で
き、一方、当該ボンディング部゛(接合部)以外のメッ
キ層を厚くすることにより、メッキ層表面での応力が緩
和され、ホイスカーは発生しない。Au−Sn合金が過
剰に生成したとしても、当該リード部ではリードショー
トは起こり難い。
第1図は本発明の実施例を示す要部断面図で、同図にて
、1は半導体チップ、2は突起電極、3はリードで、そ
の表面には表面処理金属層4が被覆され、突起電極2と
のボンディング部(接合部)には、薄い表面処理金属層
5が被覆され、当該接合部以外には厚手の表面処理金属
層6が被覆されている。
、1は半導体チップ、2は突起電極、3はリードで、そ
の表面には表面処理金属層4が被覆され、突起電極2と
のボンディング部(接合部)には、薄い表面処理金属層
5が被覆され、当該接合部以外には厚手の表面処理金属
層6が被覆されている。
突起電極2は、例えばAuバンプ金属により構成されて
いる。
いる。
表面処理金属層4は、例えば、SnやSn系合金例えば
5n−NiJPSn−Pb合金よりなるメッキ層により
形成されている。本発明は無電解Snメッキの場合に有
効であり、pbの添加によりホイスカーの発生をより一
層抑制することができる。
5n−NiJPSn−Pb合金よりなるメッキ層により
形成されている。本発明は無電解Snメッキの場合に有
効であり、pbの添加によりホイスカーの発生をより一
層抑制することができる。
Snメッキ層5の厚味は、例えば0.5〜1μmが好ま
しい。この範囲を逸脱すると、A u −S n合金が
過剰となり、パンダショートなどを生起する。
しい。この範囲を逸脱すると、A u −S n合金が
過剰となり、パンダショートなどを生起する。
一方、Snメッキ層6の厚味は、例えば8〜10μmが
好ましい。この範囲を逸脱するとメッキ表面での応力が
緩和され難く、ホイスカーを発生し易い。
好ましい。この範囲を逸脱するとメッキ表面での応力が
緩和され難く、ホイスカーを発生し易い。
半導体素子(チップ)1は、例えばシリコン単結晶基板
から成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の
回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられている
。回路素子の具体例は、例えばMOS)ランジスタから
成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路およ
びメモリの回路機能が形成されている。
から成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の
回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられている
。回路素子の具体例は、例えばMOS)ランジスタから
成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路およ
びメモリの回路機能が形成されている。
なお、第1図にて、7はテープ(フィルム)を示し、例
えばポリイミド系合成樹脂により構成されている。
えばポリイミド系合成樹脂により構成されている。
第2図は、テープキャリアの一例平面図を示し、同図に
て、8はスプロケットホール(パー7オレーシMノホー
ル)、9はデバイスホール、10はテスト用パッドであ
る。
て、8はスプロケットホール(パー7オレーシMノホー
ル)、9はデバイスホール、10はテスト用パッドであ
る。
第1図や第2図に示すように、半導体チップ1の突起電
極2とリード3とを例えば熱圧着によりボンディングし
た後に、樹脂封止を行なう。この樹脂封止は、例えばエ
ポキシ樹脂組成物溶液をボッティングして形成すること
ができる。樹脂封止後に、第2図に示すような切断線1
1に沿い、適宜フィルム7からの切断を行なう。
極2とリード3とを例えば熱圧着によりボンディングし
た後に、樹脂封止を行なう。この樹脂封止は、例えばエ
ポキシ樹脂組成物溶液をボッティングして形成すること
ができる。樹脂封止後に、第2図に示すような切断線1
1に沿い、適宜フィルム7からの切断を行なう。
リード3は、この樹脂封止の行われているところ、行わ
れていないところを境として、その封止樹脂部内部をイ
ンナーリード、その外部をアウターリードと称され、ま
た、同様に、チップボンディング用フィンガ、外部接続
用フィンガと称される。
れていないところを境として、その封止樹脂部内部をイ
ンナーリード、その外部をアウターリードと称され、ま
た、同様に、チップボンディング用フィンガ、外部接続
用フィンガと称される。
第3図は、樹脂封止後のテープキャリアを示し、同図に
て、12は封止樹脂部、13はアウターリードである。
て、12は封止樹脂部、13はアウターリードである。
また、第4図は当該テープキャリア14を、基板例えば
プリント配線基板15の導体パターン16に、そのアウ
ターリード13の端部を、半田17により実装してなる
断面図を゛示す。
プリント配線基板15の導体パターン16に、そのアウ
ターリード13の端部を、半田17により実装してなる
断面図を゛示す。
なお、これら第3図および第4図にて、第1図および第
2図と共通する符号は同一の機能を示す。
2図と共通する符号は同一の機能を示す。
本発明によれば、リード3の、突起電極2とボンディン
グする部分のSnメッキ層5の厚味を薄くしても、当該
突起電極2のAuバ/プ金属と、当該Snメッキ層5の
Snとの間で熱圧着によるボンディングが行われるので
、−ホイスカーの発生が阻止され、したがって、ホイス
カーの成長によるリードフレーム3のリード同志のシ1
−トが回避さ゛れ、また、その厚味を薄くしたので過剰
のAu−Sn合金の生成が抑制され、したがって、バン
プ2との間の当該合金によるシ讐−トが防止された。一
方、Snメッキ層6の厚味を厚くすることにより、当該
メッキ層6表面での応力が緩和され、ホイスカーの発生
が防止され、同様にリードショートを防止することがで
き、信頼性の向上した半導体装置を得ることができた。
グする部分のSnメッキ層5の厚味を薄くしても、当該
突起電極2のAuバ/プ金属と、当該Snメッキ層5の
Snとの間で熱圧着によるボンディングが行われるので
、−ホイスカーの発生が阻止され、したがって、ホイス
カーの成長によるリードフレーム3のリード同志のシ1
−トが回避さ゛れ、また、その厚味を薄くしたので過剰
のAu−Sn合金の生成が抑制され、したがって、バン
プ2との間の当該合金によるシ讐−トが防止された。一
方、Snメッキ層6の厚味を厚くすることにより、当該
メッキ層6表面での応力が緩和され、ホイスカーの発生
が防止され、同様にリードショートを防止することがで
き、信頼性の向上した半導体装置を得ることができた。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施例ではリード表面全体に表面処理金属
層を被覆する例を示したが、その片面のみとするなど適
宜変更可能である。
層を被覆する例を示したが、その片面のみとするなど適
宜変更可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるテープキャリア使用
の半導体装置適用した場合について説明したが、Snホ
イスカー現象を防止することの必要な分野に本発明を適
用することもできる。
をその背景となった利用分野であるテープキャリア使用
の半導体装置適用した場合について説明したが、Snホ
イスカー現象を防止することの必要な分野に本発明を適
用することもできる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
すなわち、本発明によればホイスカーの成長によるリー
ドショートを防止し、また、パップとのショートもなく
、高信頼度の半導体装置を得ることができる。
ドショートを防止し、また、パップとのショートもなく
、高信頼度の半導体装置を得ることができる。
第1図は本発明の実施例の一例を示す要部断面図、
第2図はテープキャリアの一例の平面図、第3図はテー
プキャリア使用の半導体装置の断面図、 第4図は半導体装置の実装説明断面図である。 1・・・半導体チップ、2・・・突起電極、3・・・リ
ード、4・表面処理金属層、5・・・薄い表面処理金属
層、6・・・厚い表面処理金属層、7・・・テープ(フ
ィルム)、8・・・スプロケットホール、9・・・デバ
イスホール、10・・・テスト用パッド、11・・・切
断線、12・・・封止樹脂部、13・・・アウターリー
ド、14・・・テープキャリア、15・・・基板、16
・・・導体パターン、17・・・半田。 代理人 弁理士 小 川 勝 男′、第 2 図 グ
プキャリア使用の半導体装置の断面図、 第4図は半導体装置の実装説明断面図である。 1・・・半導体チップ、2・・・突起電極、3・・・リ
ード、4・表面処理金属層、5・・・薄い表面処理金属
層、6・・・厚い表面処理金属層、7・・・テープ(フ
ィルム)、8・・・スプロケットホール、9・・・デバ
イスホール、10・・・テスト用パッド、11・・・切
断線、12・・・封止樹脂部、13・・・アウターリー
ド、14・・・テープキャリア、15・・・基板、16
・・・導体パターン、17・・・半田。 代理人 弁理士 小 川 勝 男′、第 2 図 グ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、テープキャリア接続用電極付半導体チップと、テー
プキャリアにおける錫または錫系合金より成る表面処理
金属層を有するリードとを接続して成る半導体装置にお
いて、前記リードの前記電極と接合されるべき接合部の
表面処理金属層厚を薄くし、当該接合部以外の当該表面
処理金属層厚を厚くして成ることを特徴とする半導体体
装置。 2、表面処理金属層が、無電解錫メッキ層より成り、突
起電極が金により構成されて成る、特許請求の範囲第1
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9204286A JPS62249435A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9204286A JPS62249435A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62249435A true JPS62249435A (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=14043464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9204286A Pending JPS62249435A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62249435A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02119150A (ja) * | 1989-09-28 | 1990-05-07 | Casio Comput Co Ltd | キャリアフィルムの接合方法 |
JPH02121342A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Ibiden Co Ltd | フィルムキャリア |
US5345363A (en) * | 1993-04-07 | 1994-09-06 | Intel Corporation | Method and apparatus of coupling a die to a lead frame with a tape automated bonded tape that has openings which expose portions of the tape leads |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP9204286A patent/JPS62249435A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02121342A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Ibiden Co Ltd | フィルムキャリア |
JPH02119150A (ja) * | 1989-09-28 | 1990-05-07 | Casio Comput Co Ltd | キャリアフィルムの接合方法 |
US5345363A (en) * | 1993-04-07 | 1994-09-06 | Intel Corporation | Method and apparatus of coupling a die to a lead frame with a tape automated bonded tape that has openings which expose portions of the tape leads |
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