JPS6224498A - メモリ読出し方式 - Google Patents

メモリ読出し方式

Info

Publication number
JPS6224498A
JPS6224498A JP60162100A JP16210085A JPS6224498A JP S6224498 A JPS6224498 A JP S6224498A JP 60162100 A JP60162100 A JP 60162100A JP 16210085 A JP16210085 A JP 16210085A JP S6224498 A JPS6224498 A JP S6224498A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information
read
circuit
latched
control clock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60162100A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Baba
馬場 竜雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP60162100A priority Critical patent/JPS6224498A/ja
Publication of JPS6224498A publication Critical patent/JPS6224498A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、読出し専用メモリ (ROMメモリ)等にお
いて、信軌度の高い読出し動作が行えるようにしたメモ
リ読出し方式に関するものである。
〔従来の技術〕
従来ROMにおいて読出し動作を行うときは、指定され
たセルに記憶されている情報をビット線上に取り出し、
マルチプレクサ、アンプ、出カバソファを介して・外部
に読出していた。ROMメモリの読出し動作は非破壊動
作であり、読出し動作でセルに記憶されている情報が破
壊されることはない。また記憶している情報が、RAM
メモリのように、雑音電流等の要因で失われてしまうこ
ともない。
従ってセルに記憶されている情報そのものが失われるこ
とはないが、読出し動作中に、各種の電気的雑音ばより
、アンプやラッチ回路が誤動作すれば、誤った情報が読
出される危険性(以後、誤読出しと呼ぶ)がある。特に
高密度化のため、セルに記憶される情報を多値化した場
合などは、アンプに入力される信号振幅が小さくなるた
め誤動作し易くなる。
このような誤動作を防ぐ一手法として複数セル1ビツト
方弐が知られている。この方式では、複数個のセルに同
一の情報を記憶させ、読出し時には各セルからの情報の
多数決を採って出力を決める。このため過半数のセルか
らの情報が誤っていない限り、誤読出しは起こらない。
従ってこの方式は誤読出しを防ぐ上では効果的であるが
、1ビツトに対し複数個のセルを割り当てなければなら
ないため、ビット密度(記憶容量/チップサイズ)が大
きく低下するという問題があった。
また他の手法として記憶情報に対し誤り検出・訂正用の
情報を付加する方式も知られている。この場合も、読出
し情報において多くの情報の誤り検出・訂正を行おうと
すると、必要な誤り検出・訂正用の情報が増大し、やは
りビット密度が大幅に低下するという問題があった。ま
たROMの設計時に、誤り検出・訂正用の情報を付加す
る工程が追加されるため、それだけROMの設計が複雑
になるという欠点があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
そこで本発明においては、メモリ読出しに際し、ビット
密度を低下させることなく、またメモリの設計を複雑に
することなしに、電気的雑音により生じる誤読出しを防
止すること、を解決すべき問題点としている。従って本
発明は、上述のことを可能にするメモリ読出し方式を提
供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段および作用〕上記目的を
達成するため、本発明は、メモリ内部で自動的に、同一
のセルから複数回連続して情報を読出し、それらの結果
を比較して出力情報を決定するようにしており、そして
このことを特徴とするものである。
〔実施例〕
次に図を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。同
図に見られるように、本発明による読出し方式は、3個
のラッチ回路1〜3、多数決回路4.4個の制御クロッ
クφ1〜φ4、出カバソファ (制御端子がハイレベル
なら入力信号を増幅して出力し、ロウレベルなら出力端
子をハイインピーダンスに保つという機能を持つものと
する)5を用い、ラッチ回路1〜3の各入力端子を相互
に接続してノードN1とし、またラッチ回路1〜3の各
制御端子にそれぞれ制御クロックφ1〜φ3を接続し、
ラソ、チ回路1〜3の各出力端子を多数決回路4の第1
〜第3の入力端子に接続し、多数決回路4の出力端子を
出カバソファ5の入力端子に接続し、出力バノファ5の
制御端子に制御クロックφ4を接続する。
なお、多数決回路4は、図示の如く3個のアンド回路A
1〜A3と1個のオア回路ORから成り、その第1〜第
3の入力端子の過半数(本例では2)に入力された情報
と同じ情報を出力するようになっている。
第2図は、第1図に示した回路における各部信号の動作
タイミング図である。
第1図、第2図を参照して回路動作を説明する。
読出し動作は、同期式の場合はチップイネイブルクロッ
クなどの外部クロックが立ち上がることにより、また非
同期式の場合はアドレス信号の変化を内部で検出するこ
とにより始まる。
まずチップ内部で発生させた基本クロックφ0(このク
ロックは従来のROMで使われるチップセレクトクロッ
クに相当するもので、第1図には図示していない)が立
ち上がることにより回路が活性化され、指定されたセル
(図示せず)の情報が、図示せざるビット線、マルチプ
レクサ、アンプを介してノードN1へ読出される。
この情報は、制御クロックφ1をハイレベルにすること
により、ラッチ回路lに取り込まれてラッチされる。次
に基本クロックφ0が一端降下してから再び立ち上がる
ことにより、再度同じセルからの読出し動作が行われ、
読出し情報が制御クロックφ2によりラッチ回路2にラ
ッチされる。
更に同様の読出し動作がもう一度繰り返され、同じセル
から読出された情報が制御クロックφ3によりラッチ回
路3にラッチされる。
次に多数決回路4により、ラッチされた3つの情報の多
数決を採り、結果を出力バッファ5を介して外部へ読出
す。なお出力バッファ5では、読出し動作が開始されて
から、連続して読出された情報の多数決が採られるまで
、制御クロックφ4がロウレベルとなって出力端子をハ
イインピーダンス状態に保っている。この制御クロック
φ4は、制御クロックφ1.φ3を入力とするR−Sフ
リップフロップ回路を用いれば容易に発生できる。
本実施例の読出し方式では、同一のセルから3回繰り返
して読出しを行い、得られた結果の多数決を採って出力
情報を決定する。このためソフトエラー等の一時的な雑
音により生じる誤読出しを防ぐ上で極めて効果的であり
、しかも1ビツト/1セルであるから、複数セル1ビッ
ト方式のようにビット密度を大幅に低下させることもな
い。本実施例では、読出し回数を3回に設定しているが
、読出しの回数を増やせば、アクセス時間は長(なるも
のの、それだけ信頼性を上げることができる。
また本実施例では、読出し回数を3回と奇数に設定して
いるが、もし情報の誤読出しに一定の傾向があれば、読
出し回数は偶数であってもよい。
たとえば誤読出しのほとんどが、情報「0」を情報「1
」と読んでしまう場合であるなら、多数決の結果として
rOJ、rlJ同数が得られたときは「0」を読出し情
報と決定するような構成にすればよい。こうすれば本実
施例を使うことによって得られる高い信頼性をほとんど
失うことなく、読出し時間を短縮できるなどの利点が得
られる。
第3図は、本発明の他の実施例を示す回路図である′。
同図に示す実施例は、2個のラッチ回路1゜2、オア回
路OR1、排他的ノア回路(X N OR)、インバー
タNOT、出カバソファ5.2個のトランジスタQl、
Q2、制御クロックφATD、  φATDB (φA
TDの相補信号)、φ5.φ6を用い、ラッチ回路1の
入力端子、出カバソファ5の入力端子、インバータNO
Tの入力端子、トランジスタQ1のソースを相互接続し
てノードN1とし、インバータNOTの出力端子をトラ
ンジスタQ2のソ、−スと接続し、トランジスタQ1の
ドレインとトランジスタQ2のドレインとラッチ回路2
の入力端子とを相互接続し、トランジスタQ1のゲート
に制御クロックφATDを接続し、オア回路ORIの第
1の入力端子とトランジスタQ2のゲートに制御クロッ
クφATDBを入力し、ラッチ回路1の制御端子に制御
クロックφ5を入力し、オア回路ORの第2の入力端子
に制御クロックφ6を入力し、オア回路’ORの出力端
子をラッチ回路2の制御端子に接続し、ラッチ回路1゜
2の出力端子をそれぞれ排他的ノア回路XNORの2つ
の入力端子に接続し、排他的ノア回路XNOR回路の出
力端子と出力バッファ5の制御端子を接続してノードN
2としている。
第4図は、第3図に示した回路における各部信号のタイ
ミング図である。
第3図、第4図を参照して回路動作を説明する。
読出し動作は、図示せざるチップ内部でアドレス信号の
変化を検出し、制御クロックφATDがハイレベルから
ロウレベルへ変化することにより始まる。制御クロック
φATDがロウレベルになると基本クロックφOがハイ
レベルになり、内部回路が活性化されて、指定されたセ
ルの情報が、図示せざるビット線、マルチプレクサ、ア
ンプを介してノードN1へ読出される。この情報は制御
クロックφ5によりラッチ回路1にラッチされる。
またこのとき制御クロックφATDBがハイレベルであ
るためトランジスタQ2が導通し、制御クロックφAT
DがロウレベルにあることからトランジスタQ1がカッ
トオフする。このためインバータNOTを介してラッチ
回路2にはラッチ回路1におけるのと相補的な信号が書
き込まれラッチされる。従ってノードN2(排他的ノア
回路XNORの出力端子)がロウレベルとなり、出力バ
ッファ5の出力端子はハイインピーダンス状態となる。
次に基本クロックφ0が一端降下してから再び立ち上が
ることにより、再度同じセルから情報が続出され、この
情報が制御クロックφ6によりラッチ回路2にラッチさ
れる。前回ラッチ回路1にラッチされた情報と今回ラッ
チ回路2にラッチされた情報が排他的ノア回路XNOR
で比較され、等しければノードN2がハイレベルとなり
、出力バッファ5を介して、セル情報が読出される。ま
た、これらラッチ回路1.2にラッチされている情報が
等しくなければノードN2はロウレベルのまま留まり、
出力バッフ−ア5の出力端子はハイインピーダンス状態
に保たれる。
そして更にもう一度同一のセルからの読出しが行われて
結果が制御クロックφ5によりラッチ回路1にラッチさ
れ、排他的ノア回路XNORにより、ラッチ回路2に前
回からラッチされている情報と比較される。
この様にしてラッチ回路1,2内の情報が一致するまで
、同一のセルからの読出しが繰り返され、一致した時点
で出力バッファ5を介してセル情報が外部へ読出される
。なお第4図では、最初に読出した情報と2回目に読出
した情報が異なり、2回目に読出した情報と3回目に読
出した情報とが等しくて、出力バッファ5から情報力S
出力した場合を例にとって示しである。
このように本実施例では、同一セルから読出された情報
が2度続けて同一である場合のみ外部へ情報を読出す。
このためソフトエラー等の一時的な雑音により生じる誤
動作を防ぐ上で極めて効果的であり、しかも1ビツト/
1セルであるから、複数セル1ビツト方弐のようにビッ
ト密度を低下させることもない。
本実施例で使っている基本クロックφ0は、内部で読出
し動作を繰り返すための基本クロックとして使われ、ラ
ッチ回路1.2にラッチされている情報が等しいことを
確認してから、別番地のセルに対する読出し動作が開始
されるまではロウレベルに固定される。このような動作
タイミングをもつ基本クロックφ0を発生させるために
は、例えば第5図に示すような回路を用いればよい。
この回路ではナンド回路NAND、2個のインバータN
0TE、N0T2.2個のトランジスタQ3.Q4、遅
延回路6、制御クロックφATD、第3図におけるノー
ドN2のノード電圧VN2を使い、ナンド回路NAND
の2つの入力端子に制御クロックφATD、ノード電圧
VN2を接続し、ナンド回路NANDの出力端子をトラ
ンジスタQ3のゲートと第1のインバータN0T1の入
力端子とに接続し、第1のインバータN0T1の出力端
子をトランジスタQ4のゲートに接続し、トランジスタ
Q3のソースと第2のインバータN0T2の出力端子と
を接続し、トランジスタQ3のドレインと遅延回路6の
一方の端子とを接続し、トランジスタQ4のドレインと
第2のインバータN0T2の入力端子と遅延回路6の他
方の端子を相互接続して出力端子としている。
動作原理を述べる。読出し動作が開始されてからラッチ
回路1.2にラッチされている情報が一致するまでは、
制御クロックφATD、ノード電圧VN2のどちから一
方が第4図に見られる如くロウレベルであるためトラン
ジスタQ3が導通し、トランジスタQ3、遅延回路6、
第2のインバータN0T2によりループが形成れる。こ
のループにより出力端子からは、一定の周期でロウレベ
ル。
ハイレベルを繰り返すクロックφOが得られる。
またラッチ回路1,2にラッチされている情報が一致し
て、外部に情報が読出された後は、制御クロックφAT
D、ノード電圧VN2が共にハイレベルになることから
、トランジスタQ3がカットオフとなってこのループが
切断されると共に、トランジスタQ4が導通ずることに
より基本クロックφOはロウレベルに固定される。
〔発明の効果〕
以上説明したことから分かるように、本発明による読出
し方式を使えば、ROMメモリに小規模の回路を付加す
るのみでほとんどドツト密度を低下させることなく、ソ
フトエラー等の一時的な雑音により生じる誤読出しを防
ぐことができ、極めて信頬性の高い読出し動作が行える
という利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図の回路における各部信号の動作タイミングを示す波形
図、第3図は本発明の他の実施例を示す回路図、第4図
は第3図の回路における各部信号の動作タイミングを示
す波形図、第5図は第3図に示した実施例で使用する基
本クロックの発生回路例を示した回路図、である。 符号の説明 1〜3・・・ラッチ回路、4・・・多数決回路、5・・
・出カバソファ、6・・・遅延回路 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎   清 ムoln δ≠ −(It−−8−参  ÷ 参 歳     9月

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)読出し専用メモリにおいて、セルに記憶されている
    情報を読出す場合、N個(Nは奇数とする)のラッチ回
    路と1個の多数決論理回路を用い、メモリ内部で同一の
    セルから連続してN回情報を読出し、n番目(N≧n≧
    1)の読出し結果を上記n番目のラッチ回路に取り込ん
    でラッチし、上記多数決論理回路により、上記N個のラ
    ッチ回路にラッチされている情報の多数決を採って出力
    情報を決定することを特徴とするメモリ読出し方式。 2)読出し専用メモリにおいて、セルに記憶されている
    情報を読出す場合、I個のラッチ回路と1個の比較回路
    を用い、メモリ内部で同一のセルから連続してI回情報
    を読出し、i番目(I≧i≧1)の読出し結果を上記i
    番目のラッチ回路に取り込んでラッチし、上記I個のラ
    ッチ回路にラッチされている全情報を上記比較回路によ
    り比較して、全てが一致したときはその情報を外部に読
    出し、一致しないときは更に読出し動作を繰り返しj番
    目(但しj=i+I×k、またI≧i≧1、に=1、2
    、…)に読出した結果をi番目のラッチ回路に取り込ん
    でラッチし、上記I個のラッチ回路にラッチされている
    情報が全て一致していることを、上記比較回路により確
    認してからその情報を外部に読出すことを特徴とするメ
    モリ読出し方式。
JP60162100A 1985-07-24 1985-07-24 メモリ読出し方式 Pending JPS6224498A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60162100A JPS6224498A (ja) 1985-07-24 1985-07-24 メモリ読出し方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60162100A JPS6224498A (ja) 1985-07-24 1985-07-24 メモリ読出し方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6224498A true JPS6224498A (ja) 1987-02-02

Family

ID=15748054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60162100A Pending JPS6224498A (ja) 1985-07-24 1985-07-24 メモリ読出し方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6224498A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004084233A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-30 Arm Limited Momory system having fast and slow data reading mechanisms
GB2402309A (en) * 2003-05-08 2004-12-01 Hewlett Packard Development Co Voting circuit
US6944067B2 (en) 2003-03-20 2005-09-13 Arm Limited Memory system having fast and slow data reading mechanisms
US7320091B2 (en) 2003-03-20 2008-01-15 Arm Limited Error recovery within processing stages of an integrated circuit
JP2008257850A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Samsung Electronics Co Ltd フラッシュメモリ装置及びその駆動方法
JP2008287788A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Sharp Corp 半導体記憶装置および電子機器
JP2009087453A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 情報記憶回路
JP2010537360A (ja) * 2007-08-20 2010-12-02 マーベル ワールド トレード リミテッド 閾値がプログラム可能なトランジスタアレイ用の閾値電圧デジタル化装置
US8060814B2 (en) 2003-03-20 2011-11-15 Arm Limited Error recovery within processing stages of an integrated circuit
JP2011238346A (ja) * 2011-06-16 2011-11-24 Sandisk Il Ltd フラッシュメモリ内のエラーから復旧するための方法
US8164961B2 (en) * 2009-01-14 2012-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device which can electrically rewrite data and system therefor
US8171386B2 (en) 2008-03-27 2012-05-01 Arm Limited Single event upset error detection within sequential storage circuitry of an integrated circuit
JP2012198586A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Fujitsu Telecom Networks Ltd 誤り訂正回路およびメモリ装置、並びに誤り訂正方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6020398A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Nec Corp メモリ装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6020398A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Nec Corp メモリ装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7337356B2 (en) 2003-03-20 2008-02-26 Arm Limited Systematic and random error detection and recovery within processing stages of an integrated circuit
US6944067B2 (en) 2003-03-20 2005-09-13 Arm Limited Memory system having fast and slow data reading mechanisms
WO2004084233A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-30 Arm Limited Momory system having fast and slow data reading mechanisms
US8060814B2 (en) 2003-03-20 2011-11-15 Arm Limited Error recovery within processing stages of an integrated circuit
US7072229B2 (en) 2003-03-20 2006-07-04 Arm Limited Memory system having fast and slow data reading mechanisms
US7162661B2 (en) 2003-03-20 2007-01-09 Arm Limited Systematic and random error detection and recovery within processing stages of an integrated circuit
US7650551B2 (en) 2003-03-20 2010-01-19 Arm Limited Error detection and recovery within processing stages of an integrated circuit
US7278080B2 (en) 2003-03-20 2007-10-02 Arm Limited Error detection and recovery within processing stages of an integrated circuit
CN100449651C (zh) * 2003-03-20 2009-01-07 Arm有限公司 具有快速和慢速数据读取机构的存储***
US7320091B2 (en) 2003-03-20 2008-01-15 Arm Limited Error recovery within processing stages of an integrated circuit
US7310755B2 (en) 2003-03-20 2007-12-18 Arm Limited Data retention latch provision within integrated circuits
US7225394B2 (en) 2003-05-08 2007-05-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Voting circuit
GB2402309A (en) * 2003-05-08 2004-12-01 Hewlett Packard Development Co Voting circuit
GB2402309B (en) * 2003-05-08 2006-03-15 Hewlett Packard Development Co Voting circuit
JP2008257850A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Samsung Electronics Co Ltd フラッシュメモリ装置及びその駆動方法
JP2008287788A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Sharp Corp 半導体記憶装置および電子機器
JP2010537360A (ja) * 2007-08-20 2010-12-02 マーベル ワールド トレード リミテッド 閾値がプログラム可能なトランジスタアレイ用の閾値電圧デジタル化装置
JP2009087453A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 情報記憶回路
US8171386B2 (en) 2008-03-27 2012-05-01 Arm Limited Single event upset error detection within sequential storage circuitry of an integrated circuit
US8164961B2 (en) * 2009-01-14 2012-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device which can electrically rewrite data and system therefor
JP2012198586A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Fujitsu Telecom Networks Ltd 誤り訂正回路およびメモリ装置、並びに誤り訂正方法
JP2011238346A (ja) * 2011-06-16 2011-11-24 Sandisk Il Ltd フラッシュメモリ内のエラーから復旧するための方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6224498A (ja) メモリ読出し方式
JP2780354B2 (ja) 半導体メモリ装置
US5016220A (en) Semiconductor memory device with logic level responsive testing circuit and method therefor
EP0162936B1 (en) Single error correction circuit for system memory
JPH11312396A (ja) マルチビット半導体メモリ装置及びその装置の誤り訂正方法
EP0090590A2 (en) Semiconductor memory device
EP0115170B1 (en) Apparatus for programming for programmable circuit in redundancy circuit system
US6061295A (en) Integrated circuit memory devices having time compensated column selection capability for improving write operation reliability
US4811292A (en) Semiconductor memory in which data readout operation is carried out over wide power voltage range
KR0148430B1 (ko) 반도체 기억장치
CN114270439B (zh) 存储器装置锁存器电路***
JP2015076711A (ja) 半導体装置
KR100546538B1 (ko) 시험 시간을 단축시키기 위한 내부 클럭 증대
US4027283A (en) Resynchronizable bubble memory
US20010048634A1 (en) Synchronous semiconductor memory device
JPH1055696A (ja) 半導体記憶装置
JPH0745096A (ja) ビットエラー訂正機能付き半導体メモリ
JPH10177496A (ja) エラー検出機能を有する論理回路およびエラー検出機能を有する論理回路を備えるプロセッサ
US4692635A (en) Self-timed logic level transition detector
JPH07201179A (ja) 半導体メモリ・システム
JPS58147900A (ja) ランダム・アクセス・メモリの冗長システム
US6041426A (en) Built in self test BIST for RAMS using a Johnson counter as a source of data
KR960002007B1 (ko) 불휘발성 메모리의 독출회로
TW497101B (en) Address transfer detecting circuit
JP3071435B2 (ja) 多ビット一致回路