JPS62242323A - チツプコンデンサ− - Google Patents
チツプコンデンサ−Info
- Publication number
- JPS62242323A JPS62242323A JP8533886A JP8533886A JPS62242323A JP S62242323 A JPS62242323 A JP S62242323A JP 8533886 A JP8533886 A JP 8533886A JP 8533886 A JP8533886 A JP 8533886A JP S62242323 A JPS62242323 A JP S62242323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- chip capacitor
- layer
- silver
- external electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はリードレスタイプのチップコンデンサー、とり
わけ積層型セラミックコンデンサーに関するものである
。
わけ積層型セラミックコンデンサーに関するものである
。
従来の技術
近年、電子機器の軽薄短小化にともない、これら電子機
器回路の高密度化が必要不可欠々要件と2 ・6 なっている。
器回路の高密度化が必要不可欠々要件と2 ・6 なっている。
このよう寿中にあって、昨今電子機器回路を構成する各
種回路素子のチップ化が急速に進んでおり、とりわけチ
ップコンデンサーの需要は著しく増加している。
種回路素子のチップ化が急速に進んでおり、とりわけチ
ップコンデンサーの需要は著しく増加している。
従来のチップコンデンサーは積層型セラミックコンデン
サーがもっとも多く使われているが、このチップコンデ
ンサーは第2図に示すような構成に力っていた。
サーがもっとも多く使われているが、このチップコンデ
ンサーは第2図に示すような構成に力っていた。
第2図において、1はセラミック誘電体層、2は内部電
極層、3は外部電極端子であり、この外部電極端子3は
銀−ガラスの焼結体3aの表面にめっき処理によってニ
ッケル金属層3bと最外層と酸化防止効果とはんだづけ
性を良好に保つためにはんだ金属層3Cを被覆した3層
の金属膜によって構成されたものである。
極層、3は外部電極端子であり、この外部電極端子3は
銀−ガラスの焼結体3aの表面にめっき処理によってニ
ッケル金属層3bと最外層と酸化防止効果とはんだづけ
性を良好に保つためにはんだ金属層3Cを被覆した3層
の金属膜によって構成されたものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらこのような従来例によるチップコンデンサ
ーの外部電極端子3では、電極端子の形晟゛・・□にお
い−C2回、、)や、き工程を必要とし、しかもニッケ
ルとはんだめっき浴はいずれも強い酸性を有する液であ
るため、銀−ガラス焼結体のガラス成分がめつき液中に
溶出して外部電極端子3の強度が低下することや、セラ
ミック誘電体層1の表面が浸侵されてコンデンサー素子
の特性劣化が生じるなどの問題点があった。
ーの外部電極端子3では、電極端子の形晟゛・・□にお
い−C2回、、)や、き工程を必要とし、しかもニッケ
ルとはんだめっき浴はいずれも強い酸性を有する液であ
るため、銀−ガラス焼結体のガラス成分がめつき液中に
溶出して外部電極端子3の強度が低下することや、セラ
ミック誘電体層1の表面が浸侵されてコンデンサー素子
の特性劣化が生じるなどの問題点があった。
本発明はこのような問題点を解消するものであり、1回
のめっき工程で特性の劣化がないチップコンデンサーを
提供するものである。
のめっき工程で特性の劣化がないチップコンデンサーを
提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、セラミック誘電
体と内部電極端子を交互に積層した個片状の焼結体の相
対する一対の両端部に内部電極端子の破断面と接触する
ように銀−ガラスフリットの焼結体から成る銀−ガラス
焼結体を形成した表面に銅めっきにより金属銅層を形成
し、さらに金属銅層の表面に酸化防止膜として銅の錯体
を被覆した構成とするものである。
体と内部電極端子を交互に積層した個片状の焼結体の相
対する一対の両端部に内部電極端子の破断面と接触する
ように銀−ガラスフリットの焼結体から成る銀−ガラス
焼結体を形成した表面に銅めっきにより金属銅層を形成
し、さらに金属銅層の表面に酸化防止膜として銅の錯体
を被覆した構成とするものである。
作用
このチップコンデンサーの外部電極端子により、外部電
極端子の強度の低下がなく、かつコンデンサー素子の電
気特性の劣化のない信頼性にすぐれたチップコンデンサ
ーが得られることとなる。
極端子の強度の低下がなく、かつコンデンサー素子の電
気特性の劣化のない信頼性にすぐれたチップコンデンサ
ーが得られることとなる。
実施例
第1図は本発明の一実施例によるチップコンデンサーの
断面図であり、第1図において4は七ラミック誘電体、
5は内部電極層、6は外部電極端子、6aは銀−ガラス
焼結体、6bは銅金属層。
断面図であり、第1図において4は七ラミック誘電体、
5は内部電極層、6は外部電極端子、6aは銀−ガラス
焼結体、6bは銅金属層。
6Cは銅の錯体である。
以上のような構成から成るチップコンデンサーについて
以下にその外部電極端子6の形成方法を詳細に説明する
こととする。
以下にその外部電極端子6の形成方法を詳細に説明する
こととする。
本発明によるチップコンデンサーは第1図に示すように
チタン酸バリウムなどのセラミック誘電体4の表面に内
部電極層5として白金やパラジウム々との貴金属系のメ
タルグレーズペーストをスクリーン印刷法により塗布し
、これを複数枚積層した後で相対する一対の両側面部に
内部電極層6の破断面が露出するように個片状に切断加
工してから130℃の高温中で焼成することによって、
焼結体を作り、この焼結体の内部電極層5が露出しだ相
対する一対の両端部に外部電極端子6として銀粉末とガ
ラスフリットを混合した導電ペーストを塗布し、850
℃で焼成することにより両端に銀−ガラスの焼結体6a
を備えだチップコンデンサーを作った。
チタン酸バリウムなどのセラミック誘電体4の表面に内
部電極層5として白金やパラジウム々との貴金属系のメ
タルグレーズペーストをスクリーン印刷法により塗布し
、これを複数枚積層した後で相対する一対の両側面部に
内部電極層6の破断面が露出するように個片状に切断加
工してから130℃の高温中で焼成することによって、
焼結体を作り、この焼結体の内部電極層5が露出しだ相
対する一対の両端部に外部電極端子6として銀粉末とガ
ラスフリットを混合した導電ペーストを塗布し、850
℃で焼成することにより両端に銀−ガラスの焼結体6a
を備えだチップコンデンサーを作った。
そして、このチップコンデンサーの外部電極端子6の形
成にあたり、銀−ガラス焼結体6aの表面にバレルめっ
き法により金属銅層6bを析出させた。
成にあたり、銀−ガラス焼結体6aの表面にバレルめっ
き法により金属銅層6bを析出させた。
この場合、銅めっき浴はセラミック誘電体4や外部電極
端子6の銀−ガラス焼結体6aに悪影響を及ぼすことの
々い弱アルカリ浴を使用する必要があるが、本実施例で
はピロリン酸銅浴を用い下記する組成のめっき浴により
電流密度5 A / d m”で約3o分間めっきを行
い約6μの金属銅層6bを析出させた。
端子6の銀−ガラス焼結体6aに悪影響を及ぼすことの
々い弱アルカリ浴を使用する必要があるが、本実施例で
はピロリン酸銅浴を用い下記する組成のめっき浴により
電流密度5 A / d m”で約3o分間めっきを行
い約6μの金属銅層6bを析出させた。
ビロリン酸銅 63〜105q/Aピロリン酸カ
リウム 240〜470 g /β゛アンモニア水
2〜6ml/16ベー ゛ 砧酸カリウム 8〜16q/llpH8,2〜
8.8 それから、この金属銅6bの表面にイミダゾール処理を
行い金属銅層6bとイミダゾールの反応により金属銅層
6bの表面層に酸化防止膜として銅の錯体6Cを被覆す
ることにより、耐蝕性にすぐれた外部電極端子6を備え
だチップコンデンサーを作った。
リウム 240〜470 g /β゛アンモニア水
2〜6ml/16ベー ゛ 砧酸カリウム 8〜16q/llpH8,2〜
8.8 それから、この金属銅6bの表面にイミダゾール処理を
行い金属銅層6bとイミダゾールの反応により金属銅層
6bの表面層に酸化防止膜として銅の錯体6Cを被覆す
ることにより、耐蝕性にすぐれた外部電極端子6を備え
だチップコンデンサーを作った。
尚この外部電極端子6の形成方法にあたって、銅めっき
処理やイミダゾール処理による端子強度の劣化やコンデ
ンサー素子の特性の劣化はほとんど々く、良好な耐食性
とはんだづけ性を有するチップコンデンサーを得ること
ができた。
処理やイミダゾール処理による端子強度の劣化やコンデ
ンサー素子の特性の劣化はほとんど々く、良好な耐食性
とはんだづけ性を有するチップコンデンサーを得ること
ができた。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によるチップコ
ンデンサーは、銀−ガラス焼結体の表面に銅めっきを施
こし、この金属銅層の表面にイミダゾール処理によって
錯体を形成することによって酸化防止した構成のもので
ある。
ンデンサーは、銀−ガラス焼結体の表面に銅めっきを施
こし、この金属銅層の表面にイミダゾール処理によって
錯体を形成することによって酸化防止した構成のもので
ある。
従って、外部電極端子は1回のめっき処理でよいので製
造工程が簡単となるばかりでなく、弱アルカリ浴の銅め
っきを行うので銀−ガラス焼結体のガラス分の溶出が防
止でき、しかもセラミック誘電体層の浸侵もなく々るの
で、外部電極端子の強度の劣化やコンデンサーの特性劣
化が皆無となり信頼性にすぐれたチップコンデンサーが
得られるという効果がある。
造工程が簡単となるばかりでなく、弱アルカリ浴の銅め
っきを行うので銀−ガラス焼結体のガラス分の溶出が防
止でき、しかもセラミック誘電体層の浸侵もなく々るの
で、外部電極端子の強度の劣化やコンデンサーの特性劣
化が皆無となり信頼性にすぐれたチップコンデンサーが
得られるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例によるチップコンデンサーの
断面図、第2図は従来のチップコンデンサーの断面図で
ある。 4・・・・・・セラミック誘電体、5・・・・・・内部
電極層、6・・・・・・外部電極端子、6a・・・・・
・銀−ガラス焼結体、6b・・・・・金属鋼層、6C・
・・・・錯体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図
断面図、第2図は従来のチップコンデンサーの断面図で
ある。 4・・・・・・セラミック誘電体、5・・・・・・内部
電極層、6・・・・・・外部電極端子、6a・・・・・
・銀−ガラス焼結体、6b・・・・・金属鋼層、6C・
・・・・錯体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図
Claims (1)
- セラミック誘電体層と内部電極層を交互に積層して高
温焼成することにより得られた個片状の焼結体の相対す
る一対の両端部に前記内部電極層の露出した破断面に接
触するように外部電極端子としての銀−ガラス焼結体を
形成し、前記銀−ガラス焼結体の表面に銅めっきを施こ
して金属銅層を設け、この金属銅層の表面に酸化防止膜
として銅の錯体を形成したチップコンデンサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8533886A JPS62242323A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | チツプコンデンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8533886A JPS62242323A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | チツプコンデンサ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62242323A true JPS62242323A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13855856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8533886A Pending JPS62242323A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | チツプコンデンサ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62242323A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0312423U (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-07 | ||
JP2002100529A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
JP2006269829A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | セラミック電子部品 |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP8533886A patent/JPS62242323A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0312423U (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-07 | ||
JPH0741146Y2 (ja) * | 1989-06-21 | 1995-09-20 | ティーディーケイ株式会社 | セラミック電子部品 |
JP2002100529A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
JP4556312B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2010-10-06 | 株式会社村田製作所 | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
JP2006269829A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | セラミック電子部品 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8631549B2 (en) | Method for manufacturing multilayer electronic component | |
US8547683B2 (en) | Laminated ceramic electronic component with directly plated external terminal electrodes and manufacturing method therefor | |
JPS63169014A (ja) | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 | |
JP2001307947A (ja) | 積層チップ部品及びその製造方法 | |
JP2830456B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
JP2020161785A (ja) | 積層型キャパシタ | |
JPS63300507A (ja) | 積層型セラミック電子部品の電極形成方法 | |
JPS5830194A (ja) | セラミック多層配線基板の製造法 | |
JPS63104314A (ja) | チツプコンデンサの電極端子の形成方法 | |
JPH0630318B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2000182883A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JPS62242323A (ja) | チツプコンデンサ− | |
JPS5874030A (ja) | 電子部品、導電皮膜組成物及び製造方法 | |
US20050229388A1 (en) | Multi-layer ceramic chip varistor device surface insulation method | |
JPH01289231A (ja) | リードレスチップ部品の製造方法 | |
JPS63146421A (ja) | 積層型セラミツクチツプコンデンサ−の製造方法 | |
JPS62242324A (ja) | チツプコンデンサ− | |
JP2000299243A (ja) | 積層チップ型電子部品 | |
JPH0897075A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2662003B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサーの製造方法 | |
JPH0864029A (ja) | 端子電極用ペースト | |
JP3391286B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JPH06342734A (ja) | セラミック電子部品 | |
JPH0494517A (ja) | 積層インダクタの製造方法 | |
JP2000306763A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |