JPS62241358A - ワンタイムプログラム型半導体装置 - Google Patents
ワンタイムプログラム型半導体装置Info
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- JPS62241358A JPS62241358A JP8411786A JP8411786A JPS62241358A JP S62241358 A JPS62241358 A JP S62241358A JP 8411786 A JP8411786 A JP 8411786A JP 8411786 A JP8411786 A JP 8411786A JP S62241358 A JPS62241358 A JP S62241358A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔Ｍ梁上の利用分野〕
本発明は、ワンタイムプログラム型中導体装置技術に関
し、竹に、光消去可能でデータ保持特性。
し、竹に、光消去可能でデータ保持特性。
書き込み特性などの評価が可能な結果高信頼性を確保で
きるワンタイムプログラム型ＩＣカードに有効な技術に
関する。
きるワンタイムプログラム型ＩＣカードに有効な技術に
関する。
近時、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ、消
去可能なＦＲＯＭ）を用いたワンタイムプログラム（Ｏ
ｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍ以下単にＯＴＰとい
う）型メモリカードが提案されている。
去可能なＦＲＯＭ）を用いたワンタイムプログラム（Ｏ
ｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍ以下単にＯＴＰとい
う）型メモリカードが提案されている。
しかし、従来の当該カードに組み込まれたＩＣバクケー
ジは、一般に、ＥＰＲＯＭ素子を、不透明レジンのボク
テイングにより抜機（封止）したものであるので、紫外
線照射により素子のセル中に捕獲されているチャージを
消すことができないために、書き込み特性をテストし、
それを保証し、あるいは、データの保持特性をテストし
、それを保証しようとしても、それができないという問
題があった。
ジは、一般に、ＥＰＲＯＭ素子を、不透明レジンのボク
テイングにより抜機（封止）したものであるので、紫外
線照射により素子のセル中に捕獲されているチャージを
消すことができないために、書き込み特性をテストし、
それを保証し、あるいは、データの保持特性をテストし
、それを保証しようとしても、それができないという問
題があった。
ＥＰＲＯＭにあっては、全ビット書き込みが可能で、全
ビットのデータ保持性能があることが、高信頼性の確保
のためには必要であり、消去ができず、製造工程で上記
のごとき評価ができないことは、高信頼性の確保という
面で問題がある。
ビットのデータ保持性能があることが、高信頼性の確保
のためには必要であり、消去ができず、製造工程で上記
のごとき評価ができないことは、高信頼性の確保という
面で問題がある。
なお、メモリカードなどのＩｃカードについて述べた特
許の例としてｔｊｆ！ｊ開昭５９−４８９８４号公報が
ある。
許の例としてｔｊｆ！ｊ開昭５９−４８９８４号公報が
ある。
本発明は、かかる従来技術の有する欠点を解消し、書き
込みｔ時性やデータ保持能力があるかどうかがＭ造過程
においてチェックでき、しかも、消去可能であるのでチ
ェック後に元の状態に戻すことができ、したがう曵、か
かる素子＊ｊ性をチェックできるので、高信頼性を確保
できる技術？：提供することを目的とする。
込みｔ時性やデータ保持能力があるかどうかがＭ造過程
においてチェックでき、しかも、消去可能であるのでチ
ェック後に元の状態に戻すことができ、したがう曵、か
かる素子＊ｊ性をチェックできるので、高信頼性を確保
できる技術？：提供することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
不明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
不明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
４７、偵において開示される発明のうち代表的なものの
概要？簡単に説明すれば、下記のとおりである。
概要？簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、不発明ではＥＰＲＯＭ素子のレジンモールド
に際し、先ず、紫外線透過型レジンをボッティングする
。次いで、紫外線非透過型レジンをその上にさらにボッ
ティングする。
に際し、先ず、紫外線透過型レジンをボッティングする
。次いで、紫外線非透過型レジンをその上にさらにボッ
ティングする。
上記のように、先ず、紫外線透過型レジンをボッティン
グによりモールドすると、レジンが紫外線透過型である
ので、素子時性をチェックでき、チェック後には消去を
行うことによ、り再び最初の状態に戻すことができ、次
いで、紫外線非透過型レジンをボッティングによりモー
ルドすることにより、消去できないＯＴＰ型の半導体装
置が可能となる。
グによりモールドすると、レジンが紫外線透過型である
ので、素子時性をチェックでき、チェック後には消去を
行うことによ、り再び最初の状態に戻すことができ、次
いで、紫外線非透過型レジンをボッティングによりモー
ルドすることにより、消去できないＯＴＰ型の半導体装
置が可能となる。
〔実施例１〕
次に、不発明を、図面に示す実施例に基づいて説明する
。
。
第１図は不発明に用いるＩＣバクケージの断面を示す。
このバクケージは、ガラスエポキシ基板に、所望の配線
パターンにされたｇ４箔から成るような導体層２を形成
し、該導体層２と上記と同様な鋼箔から構成された下部
電極としての導体層３とをスルーホール導体層形成技術
によって形成される導体層４によって電気的に接続する
。この導体層２上の所定位置にＥＰＲＯＭ素子５ｆｔダ
イボンデイングし、該素子５上の電極６と導体層２とを
コネクタ用ワイヤ７によりワイヤボンディング方式によ
り接続する。当該ワイヤボンディング後、レジンポツテ
ィング時の流れ止め用に、刀ラスエポキシなどの材質で
成るボッティング砕８をエポキシ系の接着剤などでガラ
スエポキシフィルム基板１に取付け、最初に、紫外線透
過型レジン９ｆｊｔボツテイングし、それを硬化させる
ことによっ℃、ＥＰＲＯＭ素子５をモールドする。この
段階で全バイト書き込ろテストを行ない、書き込みがで
きるかどうかをチェックする。
パターンにされたｇ４箔から成るような導体層２を形成
し、該導体層２と上記と同様な鋼箔から構成された下部
電極としての導体層３とをスルーホール導体層形成技術
によって形成される導体層４によって電気的に接続する
。この導体層２上の所定位置にＥＰＲＯＭ素子５ｆｔダ
イボンデイングし、該素子５上の電極６と導体層２とを
コネクタ用ワイヤ７によりワイヤボンディング方式によ
り接続する。当該ワイヤボンディング後、レジンポツテ
ィング時の流れ止め用に、刀ラスエポキシなどの材質で
成るボッティング砕８をエポキシ系の接着剤などでガラ
スエポキシフィルム基板１に取付け、最初に、紫外線透
過型レジン９ｆｊｔボツテイングし、それを硬化させる
ことによっ℃、ＥＰＲＯＭ素子５をモールドする。この
段階で全バイト書き込ろテストを行ない、書き込みがで
きるかどうかをチェックする。
次に、当該電子組立品を高温下に置くことによってエー
ジングを行なう。その後データ保持能力をチェックする
。チェック後、紫外線照射によりデータを消去する。こ
れによって、ＥＰＲＯＭ素子の記憶状態は、一番最初の
状態すなわち書き込みが行なわれ℃いない状態に戻る。
ジングを行なう。その後データ保持能力をチェックする
。チェック後、紫外線照射によりデータを消去する。こ
れによって、ＥＰＲＯＭ素子の記憶状態は、一番最初の
状態すなわち書き込みが行なわれ℃いない状態に戻る。
従って後の書き込みが可能である。
次いで、消去できないように、上記紫外線透過型レジン
９の異面に、さらに、紫外線透過型レジン１（ｌボッチ
インクしてモールドする。
９の異面に、さらに、紫外線透過型レジン１（ｌボッチ
インクしてモールドする。
紫外線透過型レジン９には、ＥＰＲＯＭ素子５のセル中
に捕獲され℃いる電荷（チャージ）がディスチャージ
できるようなエネルギーをもった光が透過するレジンが
使用され、透明レジンであって、例えばアクリル系レジ
ンなどが使用される。
に捕獲され℃いる電荷（チャージ）がディスチャージ
できるようなエネルギーをもった光が透過するレジンが
使用され、透明レジンであって、例えばアクリル系レジ
ンなどが使用される。
一方、紫外線透過型レジン１０には、ＤＩＬ（デエアル
インライン）プラスチックパッケージなどの１］！１脂
封止型半導体装置のモールドレジンとして使用されてい
るエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などが使用される。
インライン）プラスチックパッケージなどの１］！１脂
封止型半導体装置のモールドレジンとして使用されてい
るエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などが使用される。
〔実施例２〕
第２図はＩＣカードの一例平面図であり、第３図は第２
図Ｉ−Ｉ？ｆＪ断面図である。
図Ｉ−Ｉ？ｆＪ断面図である。
第２図に示すようなＩＣカードにおいて、上記と同様に
して得られたＩＣモジュール１１が組み込みされる。図
示していないが、カード基材には当該モジー−ル埋設用
の凹部が設けられており、そこにＩＣモジュール１１が
第３図に示すように埋設される。
して得られたＩＣモジュール１１が組み込みされる。図
示していないが、カード基材には当該モジー−ル埋設用
の凹部が設けられており、そこにＩＣモジュール１１が
第３図に示すように埋設される。
カード基材は、例えば硬質塩化ビニールより成るセンタ
コア１２に、オフセント印刷などで表裏に所望の絵柄１
３を印刷した後、透明硬質塩化ビニールで成るオーバー
シート１４を表裏に当てがい、ステンレスなどの鏡面に
仕上げられた２枚の金楓板に挾持せしめ加熱加圧し、所
望の積層体を得、上記した凹部な形成する。そして接着
剤１５によってＩＣモジュール１１がセンターコア１２
に密着したＩＣカードを得る。なお、第２図にて、１６
は磁気ストライプを示す。
コア１２に、オフセント印刷などで表裏に所望の絵柄１
３を印刷した後、透明硬質塩化ビニールで成るオーバー
シート１４を表裏に当てがい、ステンレスなどの鏡面に
仕上げられた２枚の金楓板に挾持せしめ加熱加圧し、所
望の積層体を得、上記した凹部な形成する。そして接着
剤１５によってＩＣモジュール１１がセンターコア１２
に密着したＩＣカードを得る。なお、第２図にて、１６
は磁気ストライプを示す。
この第２実施例のＩＣモジュール１１は、第３図のよう
な構成にされている。すなわち、基板１の一衣面に導体
層２とともに、Ｅ Ｐ ｒｔＯＭ素子５、該素子５上の
電極６と導体層２とのコネクタ用ワイヤ７、ボクテイン
グ枠８、紫外線透過型レジン９、及び紫外線非透過型レ
ジン１０が設けられている。基板１の他の表面には、Ｉ
Ｃカードにおける外部電極として機能する導体層３が設
けられており、この導体層３は、基板１の頁通導体層４
？！′介して導体層２に電気的に結合されている。
な構成にされている。すなわち、基板１の一衣面に導体
層２とともに、Ｅ Ｐ ｒｔＯＭ素子５、該素子５上の
電極６と導体層２とのコネクタ用ワイヤ７、ボクテイン
グ枠８、紫外線透過型レジン９、及び紫外線非透過型レ
ジン１０が設けられている。基板１の他の表面には、Ｉ
Ｃカードにおける外部電極として機能する導体層３が設
けられており、この導体層３は、基板１の頁通導体層４
？！′介して導体層２に電気的に結合されている。
本発明によれば、紫外線透過型レジン（透明レジン）９
をボッティング後、データリチンシラン（保持）など通
常のＤＩＬＧ（デュアルインラインガラス）パッケージ
並のチェックを行ない、後に紫外線非透過型（不透明レ
ジン）１（１’ボクテイングするので、製造工程におい
てＥ Ｆ ＲＯＭ素子５の素子特性をチェックすること
ができ、また、紫外線非透過型レジン１０でコートしで
あるので消去不可のＯＴＰ型Ｉ型上Ｃモジュールし、Ｏ
ＴＰ型ＩＣカードを得ることができ、これらは上記のご
と（チェック可能であり、また、チェック済であるので
信願度の高いものである。
をボッティング後、データリチンシラン（保持）など通
常のＤＩＬＧ（デュアルインラインガラス）パッケージ
並のチェックを行ない、後に紫外線非透過型（不透明レ
ジン）１（１’ボクテイングするので、製造工程におい
てＥ Ｆ ＲＯＭ素子５の素子特性をチェックすること
ができ、また、紫外線非透過型レジン１０でコートしで
あるので消去不可のＯＴＰ型Ｉ型上Ｃモジュールし、Ｏ
ＴＰ型ＩＣカードを得ることができ、これらは上記のご
と（チェック可能であり、また、チェック済であるので
信願度の高いものである。
以上不発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で捌々変史ｈ
１能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で捌々変史ｈ
１能であることはいうまでもない。
例えば、上記実施例では紫外線透過型レジンの上に紫外
線非透過型レジンをポツティングし、コートする例を示
したが、紫外線透過型レジンによりモールドされた当該
素子組豆品を外部からの紫外線の侵入を阻止できる容器
内に収納してもよく、その他、紫外線により消去できな
いように、キャップを使用するなどの消去不可の形態に
するものであれば何でもよい。
線非透過型レジンをポツティングし、コートする例を示
したが、紫外線透過型レジンによりモールドされた当該
素子組豆品を外部からの紫外線の侵入を阻止できる容器
内に収納してもよく、その他、紫外線により消去できな
いように、キャップを使用するなどの消去不可の形態に
するものであれば何でもよい。
以上の説明では本発明のＩＣモジュールについてＰＬＣ
Ｃ（プラスチック・リードレス嗜チップ・キャリア）パ
ッケージに適用した場合について説明したが、セラミッ
クを使用するＬＣＣバクケージにも適用でざる。
Ｃ（プラスチック・リードレス嗜チップ・キャリア）パ
ッケージに適用した場合について説明したが、セラミッ
クを使用するＬＣＣバクケージにも適用でざる。
また、本発明におけるＩＣカードとは、マイクロコンビ
エータ、メモリなどのＩＣモジュール（チップ）？：装
着もしくは内蔵したチップカード、メモリカード、マイ
コンカード、電子カードなどと称されるカード類を総称
したもので、メモリカードの他各種のカード類を包含す
る。
エータ、メモリなどのＩＣモジュール（チップ）？：装
着もしくは内蔵したチップカード、メモリカード、マイ
コンカード、電子カードなどと称されるカード類を総称
したもので、メモリカードの他各種のカード類を包含す
る。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明においてはレジンを内外層２層構造とするなどに
より消去可能となり、高信頼性のＯＴＰ型半導体装置が
得られた。
より消去可能となり、高信頼性のＯＴＰ型半導体装置が
得られた。
第１図は本発明の実施例を示すバクケージの一例を示す
断面構造図、 第２図はＩＣカードの一例を示す平面図、第３図は第２
図Ｉ−Ｉ線断面図である。 １・・・基板、２・・・導体層、３・・・下部電極、４
・・・スルーホール、５・・・Ｅ Ｌ？ ＲＯＭ素子、
６・・・１１極、７・・・コネクタ用ワイヤ、８・・・
ボクテイング枠、９・・・紫外線透過型レジン、１０・
・・紫外線非透過型レジン、１１・・・Ｉｃバクケージ
（モジュール）、１２・・・センタコア、１３・・・絵
柄、１４・・・オーバーシート、１５・・・接着剤、１
６・・・磁気ストライプ。
断面構造図、 第２図はＩＣカードの一例を示す平面図、第３図は第２
図Ｉ−Ｉ線断面図である。 １・・・基板、２・・・導体層、３・・・下部電極、４
・・・スルーホール、５・・・Ｅ Ｌ？ ＲＯＭ素子、
６・・・１１極、７・・・コネクタ用ワイヤ、８・・・
ボクテイング枠、９・・・紫外線透過型レジン、１０・
・・紫外線非透過型レジン、１１・・・Ｉｃバクケージ
（モジュール）、１２・・・センタコア、１３・・・絵
柄、１４・・・オーバーシート、１５・・・接着剤、１
６・・・磁気ストライプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＥＰＲＯＭ素子が紫外線透過型のレジンとその上に
形成された紫外線非透過型のレジンとによって覆かれて
なることを特徴とするワンタイムプログラム型半導体装
置。 ２、ＥＰＲＯＭ素子を紫外線透過型レジンにより被覆後
、当該素子組立品の素子特性をチェックし、次いで、紫
外線非透過型レジンでさらに前記紫外線透過型レジン表
面を被覆するかあるいは前記チェック後の当該素子組立
品を外部からの紫外線の侵入を阻止できる容器内に収納
して成るパッケージを用いたワンタイムプログラム型半
導体装置。 ３、各レジンの被覆が、それぞれボッティングにより行
われて成る、特許請求の範囲第２項記載のワンタイムプ
ログラム型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8411786A JPS62241358A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | ワンタイムプログラム型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8411786A JPS62241358A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | ワンタイムプログラム型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241358A true JPS62241358A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13821574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8411786A Pending JPS62241358A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | ワンタイムプログラム型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241358A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01145869A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 冗長回路付きｕｖｅｐｒｏｍの製造方法 |
| US5068713A (en) * | 1988-08-18 | 1991-11-26 | Seiko Epson Corporation | Solid state image sensing device |
| US5224021A (en) * | 1989-10-20 | 1993-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface-mount network device |
| WO1995028713A1 (fr) * | 1994-04-18 | 1995-10-26 | Gay Freres Vente Et Exportation S.A. | Dispositif a memoire electronique |
| US6246124B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-06-12 | International Business Machines Corporation | Encapsulated chip module and method of making same |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP8411786A patent/JPS62241358A/ja active Pending
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPH01145869A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 冗長回路付きｕｖｅｐｒｏｍの製造方法 |
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