JPS62238649A - 配線構造体及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、パターン化Ａｌｆｆ１を有する配線（７，ｒ
造体、及びその製法に関１Ｊる。

従来の技術 従来、第２図に示すように、絶縁性表面をイ１づる基板
１土に、Δ１居２を形成する工程（第２図Δ及びＢ）と
、上記Ａｌ１２土に、第１、第２及び第３のマスク材膚
３△、３Ｂ及び３Ｃを、それらの順に積層して形成する
工程（第２図Ｃ）と、上記第３のマスク材層３Ｃかち、
７４１〜リソグラフイ法ににって、第３のマスク層３　
Ｇ’を形成する］７稈く第２　ＩＩ　Ｄ　）と、１記第
２のマスク材層３Ｂに対する上記第３のマスク材ｅ３ｃ
’　を７スクど・するドライエツチング処理にＪ、・）
で、上記第２のマスク（Ａ利３Ｂかち、第２のマスク層
３Ｂ’を形成する工程（第２図［）と、Ｌ２第１のマス
ク材層３Ａに対する上記第２のマスク１４３　Ｂ　’　
をマスツノと・Ｊるドライエツチング処理によって、上
記第１のンスク材層３Ａかち、第１のマスク層３Δ′を
形成する工程（第２図「）と、 上記ＡｌＧ２に対する上記第１のマスク層３Ａ′をマス
クどするエツチング５＋！１１１’Ｉ！によって、上記
Ａ　Ｉ　苦２かち、パターン化Ａｌ層２′を、配線居と
して形成する工程（第２図Ｆ−１）とを含む配線構造体
の￥！法が提案されている。

この場合、マスク層３Ａ’の形成時、オーバーエツチン
グによる、Ａｌの再ｆＪ　ｉ　層が形成されるので、こ
れを除去する（第２図Ｇ）。

発明が解【胚Ｌｌ旦工Ａ旦Ｉ掴 しかしながち、このような配線ＩＭ　ｊｎ休の製法の場
合、マスク層３Δ′の側面のＡｌ酸化物層が、化学的に
安定なため、それを除去するとき、Ａｌ一層２やマスク
層３Δ′及び３　Ｂ′　に損１カを与え、このため、パ
ターン化Ａｌ層を高精度に微細に形成することができな
い、という欠点を白していた。

、！１題点を解決するための手段 よって、本発明は上述した欠点のない、新規な配線構造
体の製法、及びそれによって１７られる配線打４漬休を
提案Ｕんどするものぐある。

火災３ 第１図（よ、本発明による配線描ｊΔ体の製法の実施例
を示り゛。

本発明による配ｔＱ構造体の製法は、第２図で上述した
配線！苫造体の製法において、上記Ａ（心ｊ２上に、上
記第１、第２及び第３のマスクＭ層３△、３Ｂ及び３Ｃ
をそれらの順に積層しＣ形成するのに先立ち、上記へ１
層２上に、Ｓ１配化物、Ｓｉ窒１ヒ物、ｓ　ｒ　、！、
たは高融点金属Ｃなる４４　Ｆ１層４４・形成する■稈
（第１図Ｂ）と、上記第１のマスク層３Δ′を形成１Ｊ
る工程後、上記Ａｌ配ｆ！１１層２′を■う成づるＴ稈
萌において、Ｌ配材１唐４に対・ノる１記第１のマスク
層３Ａ′を＼ｌｌスフづ゛るドライエツチング処理にＪ
、って、１記材料層４かち、パターン生材ｉｉ層４′を
形成する工程（第１図１１）とをｆｌする。

効　　１１ 本発明による配線構造体によれば、パターン化（４１”
１府４′が、パターン化材ＲＦｔ２’を、ぞのエレクト
ロマイグレーシ」ンから保ａツる。

本発明による配線構造体によれば、マスク層３△′及び
３Ｂ＋の側面の再付着層６が、（４１１層４の材料のス
パッタによっ°Ｃ形成されたものであるため、その再付
着β６を、プラズマ１−ツチングによって、容易に除去
することができる。

また、パターン化材料層４′を、パターン化ＡＩＶＩ２
’　の場合に比し、低いイオンエネルギのエツチングで
形成することができるので、パターン化材料層４′の側
面に、Ａｌの再ｆｌ　Ａ　Ｆ４を実質的に形成さＵむい
ですむ。

碑［１ 片１Ｂ 才２−口 ｊ？′！−因 手続補正書 昭和６１年６月７日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 ３、補讐Ｉ三を１６者 事１′１との関係　特許出願人 住　所　東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名　称　
（４２２）　Ｅ１本電信電話株式会朽代表者　真　　藤
　　　恒 ４、代理人 （１所　〒１０２東京都千代田区麹町５丁目７　′ＫＩ
ｌｌ！ｌ　　秀和紀属１［町ＴＢＲ８２０号電話０３−
２３０−１１６４４ 氏　　名　　（６４４５）　　弁理±　　［１中　　正
　　冶　　　　・′５、補正命令の日付　自発補正 明　細　用（全文訂正） １、発明の名称　　配線構造体及びその製法２、特許請
求の範囲 １、配Ｆｉｔ層としてのパターン化Ａｌ１ｍと、該パタ
ーン化へ！層上に形成された、Ｓ（酸化物、Ｓｉ窒化物
、Ｓｉまたは高融点金属の材料でなるパターン化材料層
とを右することを特徴とする配線構造体。

２、絶れ性表面を有する基板上に、Ａｌ１ｍを形成する
工程と、 上記Ａｌ層上に、第１、第２及び第３のマスク材層を、
それらの順に積層して形成する工程と、 上記第３のマスク材層かち、）、ｉ　ｌ−リソグラフィ
法によって、第３のマスク層を形成する工程と、 上記第２のマスク材層に対する上記第３のマスク材層を
マスクとするドライエツヂング処理にＪ：って、上記第
２のマスク材ｒ１かち、第２のマスク層を形成する工程
と、 上記第１のマスク材層に対する上記第２のマスク層をマ
スクとするドライエツチング処ｙ１１ににって、上記第
１のマスク材層かち、第１のマスク層を形成する工程と
、 上記Ａｌ層に対する上記第１のマスク層をマスクどづる
エツチング処理によって、上記Ａｌｌ！６かち、パター
ン化Ａｌ層を、配線層として形成する工程とを有する配
線構造体の製法にＪ３いて、 上記Ａｌ層上に、上記第１、第２及び第３のマスク材層
をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記Ａｌ
層上に、Ｓｉ配化物、Ｓｉ窒化物、Ｓ：または高融点金
属でなる材Ｆ１居を形成する工程と、 。上記第１のマスク層を形成する工程後、上記ＡＩ配線
層を形成する工程前において、上記材料層に対する上記
第１のマスク層をマスクとするドライエツチング処理に
Ｊ：って、上記材ｒＮ１層かち、パターン化材料層を形
成する工程とを有することを特徴とする配線構造体の製
法。

３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、配線層としてのパターン化Ａｌ層を有する配
線構造体、及びその製法に関する。

【夏立且韮 従来、第２図を伴なって次に述べる配Ｉ！２横漬休の製
法が提案されている。

すなわち、絶縁性表面を右する基板１を予め用意する（
第２図Ａ）。

しかして、その基板１上に、Ａｌ層２を形成する（第２
図Ｂ）。

次に、Ａｌｆｆ１２上に、例えばフォＩ−レジストでな
る第１、第２及び第３のマスク材ｆｆ１３Ａ。

３Ｂ及び３Ｃを、それらの順に積層して形成する（第２
図Ｃ）。

次に、第３のマスク［）３Ｃかち、フォトリソグラフィ
法によって、第３のマスクＦＭ　３　Ｇ　’を形成する
（第２図Ｄ）。

次に、第２のマスク材層３Ｂに対する第３のマスク材層
３Ｃ’　をマスクとするドライエツチング処理によって
、第２のマスク材料３Ｂかち、第２のマスクＦＸ３　Ｂ
’を形成する（第２図Ｅ）。

次に、第１のマスク＠層３Ａに対する第２のマ、スク１
３　Ｂ’　をマスクとするドライエツチング処理によっ
て、第１のマスクＵｌｆｉ２３Ａかち、第１のマスク１
３Ａ’を形成する（第２図Ｆ）。

この場合、Ａｌ層２が表面に段差を有していれば、π１
のマスク材層３Ａに厚ざむらを有する。このため、上述
したドライエツチング処理ににす、第１のマスク材層３
Ａから第１のマスク層３Δ′を形成するとき、第１のマ
スク材層３Ａの厚さむらを児込んで、第１のマスクＦＩ
３△′を、オ′−バードライエツヂングによって形成す
る。このようなオーバードライエツヂングを行えば、Ａ
ｌ層２の表面がドライエツヂングされる。その結果、第
１及び第２のマスク層３△′及び３Ｆ’３’の側面に、
Ａｌでなる付着層が形成される。この付着層は、第１の
マスク層３Ａ′を形成して後、基板１を人気中に取出し
／ｊとき、その大気中の酸木によって酸化される。

従って、第１及び第２のマスク層３Ａ’及び３Ｂ′の側
面には、第２図Ｆに示すように、Ａｌ酸化物層でなる付
着層５が形成されている。

次に、いま述べた理由で、第１及び第２のマスクｆｉ３
Ａ’及び３Ｂ’の側面にＡｌ酸化物層でなる付着層５が
形成されているので、ぞれを除去する（第２図Ｇ）。

次に、Ａｌ層２に対する第１のマスク層３Δ′をマスク
とするエツチング処理によって、Ａｌ層２かち、パター
ン化Ａｌ層、２′を、配線層として形成する（第２図１
−１）。

次に、必要に応じ、第２のマスクｆｆ３Ｂ’を、第１の
マスク層３Ａ’上から除去り“る（第２図Ｉ）。

以上が、従来提案されている配線構造体の製法である。

このような配線構造体の製法の場合、１．ル仮１が、表
面に、図示のＪ：うに、犬なる段差を有していても、第
１のマスク材層３Ａを厚く形成することによって、その
第１のマスクＵｌｌ！７３Ａを、表面に段差を右ｕしめ
ることなしに、従って平らな表面を右Ｊるｂのとして形
成することができる。従って、第２及び第３のマスク材
層３Ｂ及び３Ｃを、表面に段差を有せしめることなしに
、従って、平らな表面を右するものとして、打つ−１分
薄い厚さをｎ１るものとして形成することができる。ま
た、第３のマスク材ｆｆ１３ｃとＡｌ１ｍ２との闇に第
１及び第２のマスク材層３Ａ及び３Ｂが形成されている
ので、第３のマスク４４　ｍ　３　Ｃかち、リソゲラブ
イ法によって、第３のマスク層３Ｃ’を形成する工程に
おいて行う、紫外線、ＸＦＡ、電子ビームなど第３のマ
スク材層３Ｃに対する露光時、第３のマスク材層３Ｃが
、紫外線、Ｘ線、電子ビームなどのＡｌ層２からの反射
の彩管を受けることを回避することができる。このため
、上述したように、第３のマスク材ｆｆ１３ｃを平らな
平面を有し且つ十分薄い厚さを右するものとして形成す
ることができることと相俟って、第３のマスク層３Ｃ’
を、第３のマスク材１ｉＷ３ｃかち、微細、高精度に形
成することができる。

また、上述したように、第２のマスク材層３Ｂを平らな
平面を有し且つ十分博い厚さを右づるらのどして形成す
ることができることかち、第２のマスク層３Ｂ’を、第
２のマスク材層３Ｂかｌう、第３のマスクＩ！！７３Ｇ
’のパターンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に
形成することができる。

ざらに、第１のマスク材ｆ’４３Ａかち、第１のマスク
層３Ａ’　を形成するときに、第３のマスク１ｍ３ｃ’
が、第２のマスク［３Ｂ’上から除去されても、第２の
マスクＦＩ３　［３’を、第３のマスク層３Ｇ’のパタ
ーンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に形成する
ことができることかち、第１のマスクＦｉ３Ａ’を、第
３のマスクＦ３Ｇ’　のパターンに忠実なパターンを以
て、微細、ｉ！′ｌｉ精麿に形成することができる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながち、第２図で上述した従来の配線構造体の製
法の場合、第１のマスク層３Ａ’　を形成して優、それ
をマスクとして、ＡｌｌＩ２からパターン化Ａｌ層２′
を形成１°る前において、第１及び第２のマスクｆｆ）
３Ａ’及び３Ｂ’の側面の（Ｊ　’６　Ｌ、でいるＡｌ
酸化物でなる付着層５を除去づる工程を必要とするとと
もに、その第１及び第２のマスクＷ！Ｊ３Ａ′及び３Ｂ
’の側面に（４着しているＡＩ酸化物でなる付着層５が
、その材質上、化学的に安定なため、Ａｌ酸化物でなる
イ・Ｊ着Ｆ１５を第１及び第２のマスクＦＩＪ３Ａ’の
側面上から除去するとき、第１及び第２のマスク層３Δ
′及び３Ｂ’　に大なるＩｌｍを与えるおそれを有して
いた。

このため、第１及び第２のマスクＷＪ３Ａ’及び３　Ｂ
′を、△ＩＭ化物でなる付￥Ｊ層５を除去Ｊる１γＩま
で、第３のマスク１ｆｆｉ３ｃ’のパターンに忠実なパ
ターンを以て、微細、高精度に形成することかできても
、Ａｌ酸化物でなる付着層５を除去して後、第１及び第
２のマスクＦｉ３Ａ′及び３［３’をマスクどして、Δ
１層２からパターン化Ａｌ層２’を形成するとき、第１
及び第２のマスクｆｆ１３Ａ’及び３［３’が、第３の
マスクＦ１３０′のパターンに忠実なパターンを以て、
微細、高精度に形成されている状態を保っていないおそ
れを有していた。

従って、第２図で上述した従来の配線構造体の製法の場
合、パターン化Ａｌ層を、微細に、高精度に形成するの
に一定の限度を右する、という欠点を有していた。

また、第２図で上述した従来の配線構造体の製法におい
ては、第３のマスク材層３Ｃが）Ａトレジス１〜でなる
場合、その第３のマスク材層３Ｃから第３のマスク１ｌ
ｎ３ｃ’を形成して後、第２のマスク材ｆｆ３［３から
第２のマスク層３１３′を形成する前において、第３の
マスクｇＪ　３　Ｃ′を熱処理によって硬化されるのを
可とするが、このような熱処理を行った場合、Δ１層２
にボイドや、ヒロックを発生さぼるおそれを有していた
。そして、このような、ＡＩＡ’４２にボイドや、ヒロ
ックを発生さμ′るＪ３ぞれは、△１層２上に、ｒ１接
接触して形成されている第１のマスクＮ　Ｅ’ｉ　３　
ＡにＪ：つては、それがフＡｌ〜レジス１へでなる場合
、はとんど回避されない。また、第１のマスク材層３Ａ
かち、第１のマスク層３△′を、ドライエツチング処理
によって形成するとき、そのドライエツチング処理に用
いるイオンによって、Ａｌｆｆ１２が、直接、衝撃を受
けるため、そのＡＩ［２に、ボイドや、ヒロックを発生
さ口るＪ３それを有していた。このため、パターン化さ
れたＡｌ層２′が、上述したボイドや、ヒロックの影響
を受けて形成されるおそれを右していた。

従って、第２図で上述した従来の配線構造体の製法の場
合、パターン化Ａｌ１１’！２’を、第１のマスク層３
Ｃ’のパターンに忠実なパターンを以て、微細、高精痕
に形成するのに一定の限麿をイｉする、という欠点を有
していた。

また、第２図で上述した従来の配線構造体の製法にＪ：
って製造された配線４ｉ１造体の場合、パターン化Ａｌ
層２’　上に第１のマスクｆｆ３Ａ’が残されていると
しても、パターン化Ａｌｆｆ１２′に直接接触している
層が、第１のマスク層３△′であるので、その第１のマ
スク層３△′が）Ａｌ−レジストでなる場合、その第１
のマスク層３Ａ’　は、パターン化Ａｌ層２′の通電に
よって生ずるおそれのあるエレクトマイグレーションを
抑止する作用を右さず、しちるん、パターン化△１層り
′上から第１のマスク層３Ａ’を除去した場合、上述し
たエレクトロマイグレーションを抑止するなにものｂ有
していないので、パターン化Ａｌｌ＆２’　が通電によ
ってエレクトロマイグレーションを生ずるおそれを有し
ていた。

問題点を解決するための手段 Ｊ：って、本発明は上述した欠点のない、新規な配線構
造体、及びその製法を提案りんとするものである。

本願第１番目の発明にＪ、る配ｒＩ構造体は、配線層と
してのパターン化Ａｌ層と、ぞのパターン化△１層上に
形成された、Ｓｉ配化物、Ｓｉ窒化物、Ｓｉまたは高融
点金属の材料でなるパターン化材料層とを有している、
という構成を右する。

また、本願第２番目の発明による配線構造体の製法は、
第２図で上述した従来の配線構造体の製法と同様に、絶
縁性表面を有する基板上に、Ａｌ層を形成する工程と、
そのＡｌ層上に、第１、第２及び第３のマスク材層を、
それらの順に積層して形成する工程と、上記第３のマス
ク材層かち、フォトリソグラフィ法によって、第３のマ
スク層を形成する工程と、上記第２のマスク材層に対す
る上記第３のマスク材層をマスクとするドライエツチン
グ処理によって、上記第２のマスク材料かち、第２のマ
スク層を形成１°る工程と、上記第１のマスク材層に対
する上記第２のマスク層をマスクとするドライエツチン
グ処理によって、上記第１のマスク材層かち、第１のマ
スク層を形成する工程と、上記Ａｌ層に対１°る上記第
１のマスク層をマスクと１６エツヂング処理にＪ：つて
、上記ＡＩＥＷかち、パターン化Ａｌ層を、配Ｉ！ｉｌ
［とじて形成する工程とを有している。

しかしながち、本願′７５２番目の発明による配線構造
体の製法ｔユ、このような配線構造体の製法において、
上記Ａｌ層上に、上記第１、第２及び第３のマスク材層
をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記Ａ　
Ｉ　ｋ＜上に、Ｓｉ配化物、Ｓｉ窒化物、Ｓｉまたは高
融点金属でなる材料層を形成する工程と、−上記第１の
マスク層を形成する工程後、上記Ａｌ配線層を形成り゛
る工程前において、上記４４料層に対する上記第１のマ
スク層をマスクとするドライエッチング処理によって、
上記′４４ｆ３１層かち、パターン化材料層を形成する
工程とを有する。

ｎｍ・効果 本発明による配線構造体によれば、配線層としてのパタ
ーン化Ａ　Ｉ　層上に形成されているパターン化材料層
によって、配線層としてのパターン化ＡＩＪＭにエレク
トマイグレーションが生ぜ／υとしてｂｌそれを抑圧さ
せることができるととｂに、パターン化４１２１３＋　
ｆｆがＳｉまたはｇ融点金属の材料でなる場合、パター
ン化材料層も配線層として１］効に作用するので、配線
層としての抵抗が低い。

また、本発明による配線構造体の製法によれば、第２図
で上述した従来の配線構造体の製法の場合と同様に、基
板が、表面に、大なる段差を右していても、第１のマス
ク材層を厚く形成することによって、第２及び第３のマ
スク材層を、表面に段差を右せしめることなしに、従っ
て、平らな表面を右するものとして、且つ十分薄い厚さ
を有するものとして形成することができる。また、第２
図で上述した従来の配線構造体の製法の場合と同様に、
第１及び第２のマスク（４層を有するため、第３のマス
ク層を、第３のマスク材層かち、フォトリソグラフィ法
によって形成する工程において、第３のマスク層を紫外
線、Ｘ線、電子ビームなどによって露光さけるときに、
それら紫外線、Ｘ線、電子ビームなどがＡｌ層から反射
することの影響を有効に回避さけることができ、従って
、第３のマスク層を微細に、高精度に形成Ｊることがで
きる。

さらに、第２図で上述した従来の配線構造体の製法の揚
台と同様に、第２のマスク材層を十分薄い厚ざを右する
ものとして形成することができるので、第２のマスク層
を、第２のマスク材層かち、第１のマスク層のパターン
に忠実なパターンに、微細に高精度に形成することがで
きる。また、第２図で上述した従来の配線構造体の製法
の場合と同様に、第２のマスク層を第３のマスク層のパ
ターンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に形成す
ることができるので、第１のマスク層を、第１のマスク
材層かち、第３のマスク層のパターンに忠実なパターン
に、微細、高精度に形成することができる。

しかしながち、本発明による配線構造体の製法の場合、
第１のマスク材層かち、ドライエツチング処理によって
、第１のマスク層を形成するとき、第２図で上述した従
来の配線構造体の製法の場合と同様に、ΔＩＦＪが表面
に８２差を右していれば、第１のマスク材層に厚さむら
を有することかち、その第１のマスク材層の厚さむらを
見込んで、第１のマスク材層かち、第１のマスク層をオ
ーバーエツチングによって形成するが、そのオーバーエ
ツチングが、第１のマスク材層が材料層上に形成されて
いる状態で行われる。このため、第２図で上述した従来
の配線構造体の製法の場合に準じて、第１及び第２のマ
スク層の側面上に、材ｒ３Ｉ　Ｊｆｆｉの材料でなる付
着層が形成される。しかしながち、その付着層は、第１
のマスク層を形成して後、基板を大気中に取出したとき
に、その人気中の酸素によって酸化さＵても、付着層の
材質上、Ａｌ酸化物でなる付ｎ層の場合に比し、容易に
、第１及び第２のマスク層の側面上から除去することが
でさる。

従って、第１のマスク層を形成して後、それをマスクと
して、△ＩＶ４からパターン化された△＋ＦＩを形成り
゛る前にａ３いて、第１及び第２のマスク層の側面に（
４着している付ＷＥを除去勺ろ工程を必要とするにして
も、その工程において、第１及び第２のマスク層にほど
Ｉυど１負傷を与えない。このため、Ａｌ１ｆｆｉから
パターン化Ａｌ層を形成するどき、第１及び第２のマス
ク層が、第３のマスク層のパターンに忠実なパターンを
以て、微細、高精度に形成されている状態を保っている
。

従って、本願第２番目の発明による配ｔｆＡ構造体の製
法によれば、パターン化へ１層を、第２図で上述した従
来の配線構造体の製法の場合に比し、Ｊ：り微細に、且
つＪ：り高精度に形成することができる。

また、本願第２番目の発明ににる配線構造体の製法の場
合、第３のマスク材層が〕Ａｌ−レジストでなる場合、
その第３のマスク４４層から第３のマスク層を形成して
後、第２のマスク材層から第２のマスク層を形成ザる【
）ｔｌ、：Ｊ３いて、第３のマスク層を熱処理によって
硬化ざＵるのを可どするが、このＪ、うな場合、Ａｌ層
に、ボイドや、ヒｌ］ツクを発生さμるおてれを右して
いても、そのＪ、うなおぞれ（、艮、Δ１層上に自接形
成されている祠ｖ１層によって、その材質からＳｉ酸化
物、Ｓｉ窒化物、Ｓｌまたは高融点金属でなるので、効
果的に回避される。また、第１のマスク材層かち、第１
のマスク層を、ドライエツヂング処Ｉｌｌによって形成
するとき、そのドライエツヂング処理に用いるイオンは
、Ａｌ層上に材料層が形成されているので、材料層を直
接１ｉｊ撃するとしても、Ａｌ１ｉを直接衝撃せず、従
って、Ａｌ１ｆｆｌに、ボイドや、ヒロックを発生させ
るおそれを有しない。このため、パターン化されたＡＩ
ＩＩＷが、ボイドや、ヒロックの影響を受けて形成され
るおそれを右さず、よって、パターン化Ａｌ１７！を、
第２図で上述した従来の配線構造体の製法の場合に比し
、より第１のマスク層のパターンに忠実なパターンを以
て、より微粗、より高精度に形成することができる。

実施例 次に、第１図を伴なって、本発明による配線構造体及び
その製法の実施例を、その製法の実施例で述べよう。

第１図Ａ〜Ｊにおいて、第２図Ａ〜■との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。

第１図Ａ、Ｂ、Ｃ，，Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧに示す工程は、
それぞれ第２図Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ。

Ｆ及びＧに示ず工程に対応し、また、第１図１及びＪに
示す工程は、それぞれ第２図１−１及びｌに示ず工程に
対応している。

第１図に示す本発明ににる配線構造体の製法は、第２図
で上述した従来の配線構造体の製法において、Ａｌ層２
上に、第１、第２及び第３のマスク材ＩＭ３Ａ、３Ｂ及
び３ｃをそれらの順に積層して形成する工程（第２図Ｂ
、第１図Ｂ）に先立ち、Ａｌｌ１ｍ２上に：、ｓｒ配化
物、３ｔＮ化物、Ｓｉまたは高融点金属でなる材料層４
を形成する工程（第１図Ｂ）と、第１のマスク層３Δ′
を形成する工程（第２図Ｆ、第１図Ｆ）侵、パターン化
Ａｌ１２’を形成する工程（第２図１１、第１図■）前
において、材料層４に対Ｊる第１のマスク１３Ａ’　を
マスクとするドライコーツヂング処狸によって、材料層
４かち、バクーン化材別層４′を形成する工程（第１図
Ｈ）とを右１゛ることを除いて、第２図で上述した従来
の配線構造体の製法と同様の工程によって、目的どする
配線構造体を製造する。

ただし、第１図に示す本発明による配線構造体の製法の
場合、Ａｌ層２上に、第１、第２及び第３のマスク材１
ｍ３Ａ、３Ｂ及び３Ｇをそれらの順に積層して形成する
工程に先立ち、△１層２上に材料層４を形成する工程〈
第１図Ｂ〉を右Ｊるので、第１、第２及び第３のマスク
材層３Ａｌ３Ｂ及び３Ｃを、材料層４上に、それらの順
に積層して形成する。

また、第１のマスク材層３Ａに対づ−る第２のマスクＤ
　３１３　’　をマスクとするドライエップーング処理
によって、第１のマスク材層３Ａかち、第１のマスク層
３Ａ’を形成する工程（第１図Ｆ）において、Ａｌ層２
が表面に段差を右していれば、第１のマスク材層３Ａに
厚さむらを右することかち、その第１のマスク材Ｆ１３
Ａの厚さむらを見込んで、′ＸＳ１のマスク材Ｆ９ｆｆ
３Ａかち、第１のマスク層３Ａ’　をオーバーエツチン
グによって形成するが、そのオーバーエツチングが、第
１のマスク材層３Ａが材料層４上に形成されている状態
で行われる。このため、第１及び第２のマスクｈｒＪ３
△′及び３［３’の側面上に、材料層４の材料でなる付
着層６が形成される（第１図Ｆ）。

このため、第１のマスクＵｆ？ｉ３Ａがち、第１のマス
ク層３Δ′を形成して後、上述し／ｊ付着Ｆｉ６を、そ
のＵ　１１によっては、第１のマスク層３Ａ’　を形成
して後、基板１を人気中に取出したとき、その大気中の
酸素によって酸化されてｂｌ例えばプラズマエツチング
処理によって、第１及び第２のマスク層３Ａ’及び３［
３’の側面上から除去する（第１図Ｇ）。

さらに、祠￥″Ｉ層４かち、パターン化材ＰＩＦ５７／
１′を形成する工程（第１図Ｌｌ　）において、第１の
マスク層３△′上かち、第２の半導体層３Ｂ′が除去さ
れる（第１図１１）、また、この月わ１尼ｉ　／Ｉかち
、パターン化材料層４′を形成する工程（第１　図１−
１　）　ニＪ３　イＴ、ソ（７）　ＪｔＡ２Ｆ＋　ｆｆ
　／ｌを、その材質上、第１のマスク層３△′を形成す
る場合に比し、低いエネルギを有するイオンを用いたド
ライエツチング処理によって形成することがでさ、また
、月＄３１層４が厚さむらを有していないことかち、パ
ターン化材料層４′をオーバードライエツチングによっ
て形成するとしても、僅かにオーバードライエツチング
するだけですむので、第１のマスク層３△′の側面にＡ
ＩｆＪ２の材料であるＡｌの付着層が、実質的に形成さ
れない。

以上が、本発明にＪ：る配線構造体の実施例、及びイの
製法の実施例である。

本発明による配線構造体（第１図Ｎ　）によれば、作用
・効果の項で詳述したので、重複詳細説明は省略するが
、パターン化Ａｌ１１Ｗ２’上に形成されているパター
ン化材料層４′によって、パターン化Ａｌ１ｆｆ１２’
　にエレク１−ロマイグレーションが生ぜんとしても、
それを抑圧させることができるとともに、パターン化材
料層４がＳｉまたは高融点金属の材ｖ１でなる場合、そ
のパターン化）ｔＡ　Ｉｆ　Ｋ４４が配線層として作用
し、従って、配線層としての抵抗が低い。

また、本発明による配線構造体の製法によれば、同様に
、作用効果の項で訂）ホしたので、重複詳細説明は省略
するが、第１のマスク材層３Ａから第１のマスク層３△
′を形成する工程が、ＡＩ層２上に材［４が形成されて
いる状態で行われるので、第１及び第２のマスクＦＦｒ
　３　Ａ　’及び３Ｂ’の側面上には、材料層４の材料
でなる句ｆｔＦｉ６が形成されるとしても、Ａｌ１１Ｕ
２の材ＦＭであるＡｌでなる付着へ７は形成されず、一
方、材Ｆ１唐４の材料でなる付着層６は、その材質上、
ＡＩでなる付着層に比し、容易に、第１及び第２のマス
クＷ！Ｊ３Ａ’及び３Ｂ′の側面上かち、イれらに１０
傷を与えることなしに除去することができ、また、４４
料層４からパターン化材料層４′を形成する■稈におい
て、ぞの材料層４′を、第１のマスクＦｉ　３　Ａ　’
の側面上に、△１層２の材料であるＡｌの付着層を実質
的にイ＝ｊ着さ吐ることなしに、形成することができる
ので、パターン化Ａｌ層２′を、第２図で上述した従来
の配線構造体の製法の場合に比し、より微細に、■つＪ
：り高精度に形成Ｊることができる。

また、第３のマスク［３Ｇを形成して後、それを硬化す
るための熱処理を行った場合、Ａｉ層２にボイドや、ヒ
ロックを発生するＪ３それを右していても、そのにうな
おそれが、ＡＩＥ２土に形成されている＋、ｌ　Ｅ　ｆ
ｆｌ　４によって効果的に回避され、さらに、第１のマ
スク材ｍ３Ａかち、第１のマスク層３Ａ’　を、ドライ
エツチング処理ににって形成するとぎ、そのドライエツ
チング処理に用いるイオンが、Ａｉ層２を直接衝撃しな
いので、Ａｌ１１２にボイドや、ヒロックを発生しない
ので、パターン化Ａｌ層４′を、第２図で、上述した従
来の配線構造体の製法の場合に比し、より微細に、且つ
より高精度に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｊは、本発明による配線構造体の製法の実施
例を示す、順次の工程にＪ３ける路線的断面図である。 第２図Ａ〜■は、従来の配ｆｌＩ構造体の製法を示す、
順次の工程にお【プる路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・・・・Ａｌ層 ２′・・・・・・・・・パターン化Ａｌ１ｉ’；５３△
、３１３，３Ｇ ・・・・・・・・・マスク材層 ３Ａ’　、３Ｂ’　、３Ｇ’ ・・・・・・・・・マスク層 ４・・・・・・・・・・・・材料層 ４′・・・・・・・・・パターン化材１ｒ−１に？；５
．６・・・・・・・・・付着層 出願人　　１１木電ＩＪ電話株式会社 代理人　　弁理トＩ’ｌｌ　　中　正　治笛１図 第１回 第２図 第２図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、パターン化Ａｌ層と、該パターン化Ａｌ層上に形成
   された、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化物、Ｓｉまたは高融点金
   属の材料でなるパターン化材料層とを有することを特徴
   とする配線構造体。 ２、絶縁性表面を有する基板上に、Ａｌ層を形成する工
   程と、 上記Ａｌ層上に、第１、第２及び第３のマスク材層を、
   それらの順に積層して形成する工程と、 上記第３のマスク材層から、フォトリソグラフィ法によ
   って、第３のマスク層を形成する工程と、 上記第２のマスク材層に対する上記第３のマスク材層を
   マスクとするドライエッチング処理によつて、上記第２
   のマスク材料から、第２のマスク層を形成する工程と、 上記第１のマスク材層に対する上記第２のマスク層をマ
   スクとするドライエッチング処理によつて、上記第１の
   マスク材層から、第１のマスク層を形成する工程と、 上記Ａｌ層に対する上記第１のマスク層をマスクとする
   エッチング処理によって、上記Ａｌ層から、パターン化
   Ａｌ層を、配線層として形成する工程とを含む配線構造
   体の製法において、 上記Ａｌ層上に、上記第１、第２及び第３のマスク材層
   をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記Ａｌ
   層上に、Ｓｉ配化物、Ｓｉ窒化物、Ｓｉまたは高融点金
   属でなる材料層を形成する工程と、 上記第１のマスク層を形成する工程後、上記Ａｌ配線層
   を形成する工程前において、上記材料層に対する上記第
   １のマスク層をマスクとするドライエッチング処理によ
   つて、上記材料層から、パターン化材料層を形成する工
   程とを有することを特徴とする配線構造体の製法。