JPS62238649A - 配線構造体及びその製法 - Google Patents
配線構造体及びその製法Info
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- JPS62238649A JPS62238649A JP8247286A JP8247286A JPS62238649A JP S62238649 A JPS62238649 A JP S62238649A JP 8247286 A JP8247286 A JP 8247286A JP 8247286 A JP8247286 A JP 8247286A JP S62238649 A JPS62238649 A JP S62238649A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 135
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 257
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 102100026630 Aurora kinase C Human genes 0.000 description 1
- 101100094922 Caenorhabditis elegans rft-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001662103 Cryptocarya corrugata Species 0.000 description 1
- 101100218333 Homo sapiens AURKC gene Proteins 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、パターン化Alff1を有する配線(7,r
造体、及びその製法に関1Jる。
造体、及びその製法に関1Jる。
従来の技術
従来、第2図に示すように、絶縁性表面をイ1づる基板
1土に、Δ1居2を形成する工程(第2図Δ及びB)と
、上記Al12土に、第1、第2及び第3のマスク材膚
3△、3B及び3Cを、それらの順に積層して形成する
工程(第2図C)と、上記第3のマスク材層3Cかち、
741〜リソグラフイ法ににって、第3のマスク層3
G’を形成する]7稈く第2 II D )と、1記第
2のマスク材層3Bに対する上記第3のマスク材e3c
’ を7スクど・するドライエツチング処理にJ、・)
で、上記第2のマスク(A利3Bかち、第2のマスク層
3B’を形成する工程(第2図[)と、L2第1のマス
ク材層3Aに対する上記第2のマスク143 B ’
をマスツノと・Jるドライエツチング処理によって、上
記第1のンスク材層3Aかち、第1のマスク層3Δ′を
形成する工程(第2図「)と、 上記AlG2に対する上記第1のマスク層3A′をマス
クどするエツチング5+!111’I!によって、上記
A I 苦2かち、パターン化Al層2′を、配線居と
して形成する工程(第2図F−1)とを含む配線構造体
の¥!法が提案されている。
1土に、Δ1居2を形成する工程(第2図Δ及びB)と
、上記Al12土に、第1、第2及び第3のマスク材膚
3△、3B及び3Cを、それらの順に積層して形成する
工程(第2図C)と、上記第3のマスク材層3Cかち、
741〜リソグラフイ法ににって、第3のマスク層3
G’を形成する]7稈く第2 II D )と、1記第
2のマスク材層3Bに対する上記第3のマスク材e3c
’ を7スクど・するドライエツチング処理にJ、・)
で、上記第2のマスク(A利3Bかち、第2のマスク層
3B’を形成する工程(第2図[)と、L2第1のマス
ク材層3Aに対する上記第2のマスク143 B ’
をマスツノと・Jるドライエツチング処理によって、上
記第1のンスク材層3Aかち、第1のマスク層3Δ′を
形成する工程(第2図「)と、 上記AlG2に対する上記第1のマスク層3A′をマス
クどするエツチング5+!111’I!によって、上記
A I 苦2かち、パターン化Al層2′を、配線居と
して形成する工程(第2図F−1)とを含む配線構造体
の¥!法が提案されている。
この場合、マスク層3A’の形成時、オーバーエツチン
グによる、Alの再fJ i 層が形成されるので、こ
れを除去する(第2図G)。
グによる、Alの再fJ i 層が形成されるので、こ
れを除去する(第2図G)。
発明が解【胚Ll旦工A旦I掴
しかしながち、このような配線IM jn休の製法の場
合、マスク層3Δ′の側面のAl酸化物層が、化学的に
安定なため、それを除去するとき、Al一層2やマスク
層3Δ′及び3 B′ に損1カを与え、このため、パ
ターン化Al層を高精度に微細に形成することができな
い、という欠点を白していた。
合、マスク層3Δ′の側面のAl酸化物層が、化学的に
安定なため、それを除去するとき、Al一層2やマスク
層3Δ′及び3 B′ に損1カを与え、このため、パ
ターン化Al層を高精度に微細に形成することができな
い、という欠点を白していた。
、!1題点を解決するための手段
よって、本発明は上述した欠点のない、新規な配線構造
体の製法、及びそれによって17られる配線打4漬休を
提案Uんどするものぐある。
体の製法、及びそれによって17られる配線打4漬休を
提案Uんどするものぐある。
火災3
第1図(よ、本発明による配線描jΔ体の製法の実施例
を示り゛。
を示り゛。
本発明による配tQ構造体の製法は、第2図で上述した
配線!苫造体の製法において、上記A(心j2上に、上
記第1、第2及び第3のマスクM層3△、3B及び3C
をそれらの順に積層しC形成するのに先立ち、上記へ1
層2上に、S1配化物、Si窒1ヒ物、s r 、!、
たは高融点金属Cなる44 F1層44・形成する■稈
(第1図B)と、上記第1のマスク層3Δ′を形成1J
る工程後、上記Al配f!11層2′を■う成づるT稈
萌において、L配材1唐4に対・ノる1記第1のマスク
層3A′を\llスフづ゛るドライエツチング処理にJ
、って、1記材料層4かち、パターン生材ii層4′を
形成する工程(第1図11)とをflする。
配線!苫造体の製法において、上記A(心j2上に、上
記第1、第2及び第3のマスクM層3△、3B及び3C
をそれらの順に積層しC形成するのに先立ち、上記へ1
層2上に、S1配化物、Si窒1ヒ物、s r 、!、
たは高融点金属Cなる44 F1層44・形成する■稈
(第1図B)と、上記第1のマスク層3Δ′を形成1J
る工程後、上記Al配f!11層2′を■う成づるT稈
萌において、L配材1唐4に対・ノる1記第1のマスク
層3A′を\llスフづ゛るドライエツチング処理にJ
、って、1記材料層4かち、パターン生材ii層4′を
形成する工程(第1図11)とをflする。
効 11
本発明による配線構造体によれば、パターン化(41”
1府4′が、パターン化材RFt2’を、ぞのエレクト
ロマイグレーシ」ンから保aツる。
1府4′が、パターン化材RFt2’を、ぞのエレクト
ロマイグレーシ」ンから保aツる。
本発明による配線構造体によれば、マスク層3△′及び
3B+の側面の再付着層6が、(411層4の材料のス
パッタによっ°C形成されたものであるため、その再付
着β6を、プラズマ1−ツチングによって、容易に除去
することができる。
3B+の側面の再付着層6が、(411層4の材料のス
パッタによっ°C形成されたものであるため、その再付
着β6を、プラズマ1−ツチングによって、容易に除去
することができる。
また、パターン化材料層4′を、パターン化AIVI2
’ の場合に比し、低いイオンエネルギのエツチングで
形成することができるので、パターン化材料層4′の側
面に、Alの再fl A F4を実質的に形成さUむい
ですむ。
’ の場合に比し、低いイオンエネルギのエツチングで
形成することができるので、パターン化材料層4′の側
面に、Alの再fl A F4を実質的に形成さUむい
ですむ。
碑[1
片1B
才2−口
j?′!−因
手続補正書
昭和61年6月7日
特許庁長官 宇 賀 道 部 殿
3、補讐I三を16者
事1′1との関係 特許出願人
住 所 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号名 称
(422) E1本電信電話株式会朽代表者 真 藤
恒 4、代理人 (1所 〒102東京都千代田区麹町5丁目7 ′KI
ll!l 秀和紀属1[町TBR820号電話03−
230−11644 氏 名 (6445) 弁理± [1中 正
冶 ・′5、補正命令の日付 自発補正 明 細 用(全文訂正) 1、発明の名称 配線構造体及びその製法2、特許請
求の範囲 1、配Fit層としてのパターン化Al1mと、該パタ
ーン化へ!層上に形成された、S(酸化物、Si窒化物
、Siまたは高融点金属の材料でなるパターン化材料層
とを右することを特徴とする配線構造体。
(422) E1本電信電話株式会朽代表者 真 藤
恒 4、代理人 (1所 〒102東京都千代田区麹町5丁目7 ′KI
ll!l 秀和紀属1[町TBR820号電話03−
230−11644 氏 名 (6445) 弁理± [1中 正
冶 ・′5、補正命令の日付 自発補正 明 細 用(全文訂正) 1、発明の名称 配線構造体及びその製法2、特許請
求の範囲 1、配Fit層としてのパターン化Al1mと、該パタ
ーン化へ!層上に形成された、S(酸化物、Si窒化物
、Siまたは高融点金属の材料でなるパターン化材料層
とを右することを特徴とする配線構造体。
2、絶れ性表面を有する基板上に、Al1mを形成する
工程と、 上記Al層上に、第1、第2及び第3のマスク材層を、
それらの順に積層して形成する工程と、 上記第3のマスク材層かち、)、i l−リソグラフィ
法によって、第3のマスク層を形成する工程と、 上記第2のマスク材層に対する上記第3のマスク材層を
マスクとするドライエツヂング処理にJ:って、上記第
2のマスク材r1かち、第2のマスク層を形成する工程
と、 上記第1のマスク材層に対する上記第2のマスク層をマ
スクとするドライエツチング処y11ににって、上記第
1のマスク材層かち、第1のマスク層を形成する工程と
、 上記Al層に対する上記第1のマスク層をマスクどづる
エツチング処理によって、上記All!6かち、パター
ン化Al層を、配線層として形成する工程とを有する配
線構造体の製法にJ3いて、 上記Al層上に、上記第1、第2及び第3のマスク材層
をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記Al
層上に、Si配化物、Si窒化物、S:または高融点金
属でなる材F1居を形成する工程と、 。上記第1のマスク層を形成する工程後、上記AI配線
層を形成する工程前において、上記材料層に対する上記
第1のマスク層をマスクとするドライエツチング処理に
J:って、上記材rN1層かち、パターン化材料層を形
成する工程とを有することを特徴とする配線構造体の製
法。
工程と、 上記Al層上に、第1、第2及び第3のマスク材層を、
それらの順に積層して形成する工程と、 上記第3のマスク材層かち、)、i l−リソグラフィ
法によって、第3のマスク層を形成する工程と、 上記第2のマスク材層に対する上記第3のマスク材層を
マスクとするドライエツヂング処理にJ:って、上記第
2のマスク材r1かち、第2のマスク層を形成する工程
と、 上記第1のマスク材層に対する上記第2のマスク層をマ
スクとするドライエツチング処y11ににって、上記第
1のマスク材層かち、第1のマスク層を形成する工程と
、 上記Al層に対する上記第1のマスク層をマスクどづる
エツチング処理によって、上記All!6かち、パター
ン化Al層を、配線層として形成する工程とを有する配
線構造体の製法にJ3いて、 上記Al層上に、上記第1、第2及び第3のマスク材層
をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記Al
層上に、Si配化物、Si窒化物、S:または高融点金
属でなる材F1居を形成する工程と、 。上記第1のマスク層を形成する工程後、上記AI配線
層を形成する工程前において、上記材料層に対する上記
第1のマスク層をマスクとするドライエツチング処理に
J:って、上記材rN1層かち、パターン化材料層を形
成する工程とを有することを特徴とする配線構造体の製
法。
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、配線層としてのパターン化Al層を有する配
線構造体、及びその製法に関する。
線構造体、及びその製法に関する。
【夏立且韮
従来、第2図を伴なって次に述べる配I!2横漬休の製
法が提案されている。
法が提案されている。
すなわち、絶縁性表面を右する基板1を予め用意する(
第2図A)。
第2図A)。
しかして、その基板1上に、Al層2を形成する(第2
図B)。
図B)。
次に、Alff12上に、例えばフォI−レジストでな
る第1、第2及び第3のマスク材ff13A。
る第1、第2及び第3のマスク材ff13A。
3B及び3Cを、それらの順に積層して形成する(第2
図C)。
図C)。
次に、第3のマスク[)3Cかち、フォトリソグラフィ
法によって、第3のマスクFM 3 G ’を形成する
(第2図D)。
法によって、第3のマスクFM 3 G ’を形成する
(第2図D)。
次に、第2のマスク材層3Bに対する第3のマスク材層
3C’ をマスクとするドライエツチング処理によって
、第2のマスク材料3Bかち、第2のマスクFX3 B
’を形成する(第2図E)。
3C’ をマスクとするドライエツチング処理によって
、第2のマスク材料3Bかち、第2のマスクFX3 B
’を形成する(第2図E)。
次に、第1のマスク@層3Aに対する第2のマ、スク1
3 B’ をマスクとするドライエツチング処理によっ
て、第1のマスクUlfi23Aかち、第1のマスク1
3A’を形成する(第2図F)。
3 B’ をマスクとするドライエツチング処理によっ
て、第1のマスクUlfi23Aかち、第1のマスク1
3A’を形成する(第2図F)。
この場合、Al層2が表面に段差を有していれば、π1
のマスク材層3Aに厚ざむらを有する。このため、上述
したドライエツチング処理ににす、第1のマスク材層3
Aから第1のマスク層3Δ′を形成するとき、第1のマ
スク材層3Aの厚さむらを児込んで、第1のマスクFI
3△′を、オ′−バードライエツヂングによって形成す
る。このようなオーバードライエツヂングを行えば、A
l層2の表面がドライエツヂングされる。その結果、第
1及び第2のマスク層3△′及び3F’3’の側面に、
Alでなる付着層が形成される。この付着層は、第1の
マスク層3A′を形成して後、基板1を人気中に取出し
/jとき、その大気中の酸木によって酸化される。
のマスク材層3Aに厚ざむらを有する。このため、上述
したドライエツチング処理ににす、第1のマスク材層3
Aから第1のマスク層3Δ′を形成するとき、第1のマ
スク材層3Aの厚さむらを児込んで、第1のマスクFI
3△′を、オ′−バードライエツヂングによって形成す
る。このようなオーバードライエツヂングを行えば、A
l層2の表面がドライエツヂングされる。その結果、第
1及び第2のマスク層3△′及び3F’3’の側面に、
Alでなる付着層が形成される。この付着層は、第1の
マスク層3A′を形成して後、基板1を人気中に取出し
/jとき、その大気中の酸木によって酸化される。
従って、第1及び第2のマスク層3A’及び3B′の側
面には、第2図Fに示すように、Al酸化物層でなる付
着層5が形成されている。
面には、第2図Fに示すように、Al酸化物層でなる付
着層5が形成されている。
次に、いま述べた理由で、第1及び第2のマスクfi3
A’及び3B’の側面にAl酸化物層でなる付着層5が
形成されているので、ぞれを除去する(第2図G)。
A’及び3B’の側面にAl酸化物層でなる付着層5が
形成されているので、ぞれを除去する(第2図G)。
次に、Al層2に対する第1のマスク層3Δ′をマスク
とするエツチング処理によって、Al層2かち、パター
ン化Al層、2′を、配線層として形成する(第2図1
−1)。
とするエツチング処理によって、Al層2かち、パター
ン化Al層、2′を、配線層として形成する(第2図1
−1)。
次に、必要に応じ、第2のマスクff3B’を、第1の
マスク層3A’上から除去り“る(第2図I)。
マスク層3A’上から除去り“る(第2図I)。
以上が、従来提案されている配線構造体の製法である。
このような配線構造体の製法の場合、1.ル仮1が、表
面に、図示のJ:うに、犬なる段差を有していても、第
1のマスク材層3Aを厚く形成することによって、その
第1のマスクUll!73Aを、表面に段差を右uしめ
ることなしに、従って平らな表面を右Jるbのとして形
成することができる。従って、第2及び第3のマスク材
層3B及び3Cを、表面に段差を有せしめることなしに
、従って、平らな表面を右するものとして、打つ−1分
薄い厚さをn1るものとして形成することができる。ま
た、第3のマスク材ff13cとAl1m2との闇に第
1及び第2のマスク材層3A及び3Bが形成されている
ので、第3のマスク44 m 3 Cかち、リソゲラブ
イ法によって、第3のマスク層3C’を形成する工程に
おいて行う、紫外線、XFA、電子ビームなど第3のマ
スク材層3Cに対する露光時、第3のマスク材層3Cが
、紫外線、X線、電子ビームなどのAl層2からの反射
の彩管を受けることを回避することができる。このため
、上述したように、第3のマスク材ff13cを平らな
平面を有し且つ十分薄い厚さを右するものとして形成す
ることができることと相俟って、第3のマスク層3C’
を、第3のマスク材1iW3cかち、微細、高精度に形
成することができる。
面に、図示のJ:うに、犬なる段差を有していても、第
1のマスク材層3Aを厚く形成することによって、その
第1のマスクUll!73Aを、表面に段差を右uしめ
ることなしに、従って平らな表面を右Jるbのとして形
成することができる。従って、第2及び第3のマスク材
層3B及び3Cを、表面に段差を有せしめることなしに
、従って、平らな表面を右するものとして、打つ−1分
薄い厚さをn1るものとして形成することができる。ま
た、第3のマスク材ff13cとAl1m2との闇に第
1及び第2のマスク材層3A及び3Bが形成されている
ので、第3のマスク44 m 3 Cかち、リソゲラブ
イ法によって、第3のマスク層3C’を形成する工程に
おいて行う、紫外線、XFA、電子ビームなど第3のマ
スク材層3Cに対する露光時、第3のマスク材層3Cが
、紫外線、X線、電子ビームなどのAl層2からの反射
の彩管を受けることを回避することができる。このため
、上述したように、第3のマスク材ff13cを平らな
平面を有し且つ十分薄い厚さを右するものとして形成す
ることができることと相俟って、第3のマスク層3C’
を、第3のマスク材1iW3cかち、微細、高精度に形
成することができる。
また、上述したように、第2のマスク材層3Bを平らな
平面を有し且つ十分博い厚さを右づるらのどして形成す
ることができることかち、第2のマスク層3B’を、第
2のマスク材層3Bかlう、第3のマスクI!!73G
’のパターンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に
形成することができる。
平面を有し且つ十分博い厚さを右づるらのどして形成す
ることができることかち、第2のマスク層3B’を、第
2のマスク材層3Bかlう、第3のマスクI!!73G
’のパターンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に
形成することができる。
ざらに、第1のマスク材f’43Aかち、第1のマスク
層3A’ を形成するときに、第3のマスク1m3c’
が、第2のマスク[3B’上から除去されても、第2の
マスクFI3 [3’を、第3のマスク層3G’のパタ
ーンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に形成する
ことができることかち、第1のマスクFi3A’を、第
3のマスクF3G’ のパターンに忠実なパターンを以
て、微細、i!′li精麿に形成することができる。
層3A’ を形成するときに、第3のマスク1m3c’
が、第2のマスク[3B’上から除去されても、第2の
マスクFI3 [3’を、第3のマスク層3G’のパタ
ーンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に形成する
ことができることかち、第1のマスクFi3A’を、第
3のマスクF3G’ のパターンに忠実なパターンを以
て、微細、i!′li精麿に形成することができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながち、第2図で上述した従来の配線構造体の製
法の場合、第1のマスク層3A’ を形成して優、それ
をマスクとして、AllI2からパターン化Al層2′
を形成1°る前において、第1及び第2のマスクff)
3A’及び3B’の側面の(J ’6 L、でいるAl
酸化物でなる付着層5を除去づる工程を必要とするとと
もに、その第1及び第2のマスクW!J3A′及び3B
’の側面に(4着しているAI酸化物でなる付着層5が
、その材質上、化学的に安定なため、Al酸化物でなる
イ・J着F15を第1及び第2のマスクFIJ3A’の
側面上から除去するとき、第1及び第2のマスク層3Δ
′及び3B’ に大なるIlmを与えるおそれを有して
いた。
法の場合、第1のマスク層3A’ を形成して優、それ
をマスクとして、AllI2からパターン化Al層2′
を形成1°る前において、第1及び第2のマスクff)
3A’及び3B’の側面の(J ’6 L、でいるAl
酸化物でなる付着層5を除去づる工程を必要とするとと
もに、その第1及び第2のマスクW!J3A′及び3B
’の側面に(4着しているAI酸化物でなる付着層5が
、その材質上、化学的に安定なため、Al酸化物でなる
イ・J着F15を第1及び第2のマスクFIJ3A’の
側面上から除去するとき、第1及び第2のマスク層3Δ
′及び3B’ に大なるIlmを与えるおそれを有して
いた。
このため、第1及び第2のマスクWJ3A’及び3 B
′を、△IM化物でなる付¥J層5を除去Jる1γIま
で、第3のマスク1ffi3c’のパターンに忠実なパ
ターンを以て、微細、高精度に形成することかできても
、Al酸化物でなる付着層5を除去して後、第1及び第
2のマスクFi3A′及び3[3’をマスクどして、Δ
1層2からパターン化Al層2’を形成するとき、第1
及び第2のマスクff13A’及び3[3’が、第3の
マスクF130′のパターンに忠実なパターンを以て、
微細、高精度に形成されている状態を保っていないおそ
れを有していた。
′を、△IM化物でなる付¥J層5を除去Jる1γIま
で、第3のマスク1ffi3c’のパターンに忠実なパ
ターンを以て、微細、高精度に形成することかできても
、Al酸化物でなる付着層5を除去して後、第1及び第
2のマスクFi3A′及び3[3’をマスクどして、Δ
1層2からパターン化Al層2’を形成するとき、第1
及び第2のマスクff13A’及び3[3’が、第3の
マスクF130′のパターンに忠実なパターンを以て、
微細、高精度に形成されている状態を保っていないおそ
れを有していた。
従って、第2図で上述した従来の配線構造体の製法の場
合、パターン化Al層を、微細に、高精度に形成するの
に一定の限度を右する、という欠点を有していた。
合、パターン化Al層を、微細に、高精度に形成するの
に一定の限度を右する、という欠点を有していた。
また、第2図で上述した従来の配線構造体の製法におい
ては、第3のマスク材層3Cが)Aトレジス1〜でなる
場合、その第3のマスク材層3Cから第3のマスク1l
n3c’を形成して後、第2のマスク材ff3[3から
第2のマスク層313′を形成する前において、第3の
マスクgJ 3 C′を熱処理によって硬化されるのを
可とするが、このような熱処理を行った場合、Δ1層2
にボイドや、ヒロックを発生さぼるおそれを有していた
。そして、このような、AIA’42にボイドや、ヒロ
ックを発生さμ′るJ3ぞれは、△1層2上に、r1接
接触して形成されている第1のマスクN E’i 3
AにJ:つては、それがフAl〜レジス1へでなる場合
、はとんど回避されない。また、第1のマスク材層3A
かち、第1のマスク層3△′を、ドライエツチング処理
によって形成するとき、そのドライエツチング処理に用
いるイオンによって、Alff12が、直接、衝撃を受
けるため、そのAI[2に、ボイドや、ヒロックを発生
さ口るJ3それを有していた。このため、パターン化さ
れたAl層2′が、上述したボイドや、ヒロックの影響
を受けて形成されるおそれを右していた。
ては、第3のマスク材層3Cが)Aトレジス1〜でなる
場合、その第3のマスク材層3Cから第3のマスク1l
n3c’を形成して後、第2のマスク材ff3[3から
第2のマスク層313′を形成する前において、第3の
マスクgJ 3 C′を熱処理によって硬化されるのを
可とするが、このような熱処理を行った場合、Δ1層2
にボイドや、ヒロックを発生さぼるおそれを有していた
。そして、このような、AIA’42にボイドや、ヒロ
ックを発生さμ′るJ3ぞれは、△1層2上に、r1接
接触して形成されている第1のマスクN E’i 3
AにJ:つては、それがフAl〜レジス1へでなる場合
、はとんど回避されない。また、第1のマスク材層3A
かち、第1のマスク層3△′を、ドライエツチング処理
によって形成するとき、そのドライエツチング処理に用
いるイオンによって、Alff12が、直接、衝撃を受
けるため、そのAI[2に、ボイドや、ヒロックを発生
さ口るJ3それを有していた。このため、パターン化さ
れたAl層2′が、上述したボイドや、ヒロックの影響
を受けて形成されるおそれを右していた。
従って、第2図で上述した従来の配線構造体の製法の場
合、パターン化Al11’!2’を、第1のマスク層3
C’のパターンに忠実なパターンを以て、微細、高精痕
に形成するのに一定の限麿をイiする、という欠点を有
していた。
合、パターン化Al11’!2’を、第1のマスク層3
C’のパターンに忠実なパターンを以て、微細、高精痕
に形成するのに一定の限麿をイiする、という欠点を有
していた。
また、第2図で上述した従来の配線構造体の製法にJ:
って製造された配線4i1造体の場合、パターン化Al
層2’ 上に第1のマスクff3A’が残されていると
しても、パターン化Alff12′に直接接触している
層が、第1のマスク層3△′であるので、その第1のマ
スク層3△′が)Al−レジストでなる場合、その第1
のマスク層3A’ は、パターン化Al層2′の通電に
よって生ずるおそれのあるエレクトマイグレーションを
抑止する作用を右さず、しちるん、パターン化△1層り
′上から第1のマスク層3A’を除去した場合、上述し
たエレクトロマイグレーションを抑止するなにものb有
していないので、パターン化All&2’ が通電によ
ってエレクトロマイグレーションを生ずるおそれを有し
ていた。
って製造された配線4i1造体の場合、パターン化Al
層2’ 上に第1のマスクff3A’が残されていると
しても、パターン化Alff12′に直接接触している
層が、第1のマスク層3△′であるので、その第1のマ
スク層3△′が)Al−レジストでなる場合、その第1
のマスク層3A’ は、パターン化Al層2′の通電に
よって生ずるおそれのあるエレクトマイグレーションを
抑止する作用を右さず、しちるん、パターン化△1層り
′上から第1のマスク層3A’を除去した場合、上述し
たエレクトロマイグレーションを抑止するなにものb有
していないので、パターン化All&2’ が通電によ
ってエレクトロマイグレーションを生ずるおそれを有し
ていた。
問題点を解決するための手段
J:って、本発明は上述した欠点のない、新規な配線構
造体、及びその製法を提案りんとするものである。
造体、及びその製法を提案りんとするものである。
本願第1番目の発明にJ、る配rI構造体は、配線層と
してのパターン化Al層と、ぞのパターン化△1層上に
形成された、Si配化物、Si窒化物、Siまたは高融
点金属の材料でなるパターン化材料層とを有している、
という構成を右する。
してのパターン化Al層と、ぞのパターン化△1層上に
形成された、Si配化物、Si窒化物、Siまたは高融
点金属の材料でなるパターン化材料層とを有している、
という構成を右する。
また、本願第2番目の発明による配線構造体の製法は、
第2図で上述した従来の配線構造体の製法と同様に、絶
縁性表面を有する基板上に、Al層を形成する工程と、
そのAl層上に、第1、第2及び第3のマスク材層を、
それらの順に積層して形成する工程と、上記第3のマス
ク材層かち、フォトリソグラフィ法によって、第3のマ
スク層を形成する工程と、上記第2のマスク材層に対す
る上記第3のマスク材層をマスクとするドライエツチン
グ処理によって、上記第2のマスク材料かち、第2のマ
スク層を形成1°る工程と、上記第1のマスク材層に対
する上記第2のマスク層をマスクとするドライエツチン
グ処理によって、上記第1のマスク材層かち、第1のマ
スク層を形成する工程と、上記Al層に対1°る上記第
1のマスク層をマスクと16エツヂング処理にJ:つて
、上記AIEWかち、パターン化Al層を、配I!il
[とじて形成する工程とを有している。
第2図で上述した従来の配線構造体の製法と同様に、絶
縁性表面を有する基板上に、Al層を形成する工程と、
そのAl層上に、第1、第2及び第3のマスク材層を、
それらの順に積層して形成する工程と、上記第3のマス
ク材層かち、フォトリソグラフィ法によって、第3のマ
スク層を形成する工程と、上記第2のマスク材層に対す
る上記第3のマスク材層をマスクとするドライエツチン
グ処理によって、上記第2のマスク材料かち、第2のマ
スク層を形成1°る工程と、上記第1のマスク材層に対
する上記第2のマスク層をマスクとするドライエツチン
グ処理によって、上記第1のマスク材層かち、第1のマ
スク層を形成する工程と、上記Al層に対1°る上記第
1のマスク層をマスクと16エツヂング処理にJ:つて
、上記AIEWかち、パターン化Al層を、配I!il
[とじて形成する工程とを有している。
しかしながち、本願′752番目の発明による配線構造
体の製法tユ、このような配線構造体の製法において、
上記Al層上に、上記第1、第2及び第3のマスク材層
をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記A
I k<上に、Si配化物、Si窒化物、Siまたは高
融点金属でなる材料層を形成する工程と、−上記第1の
マスク層を形成する工程後、上記Al配線層を形成り゛
る工程前において、上記44料層に対する上記第1のマ
スク層をマスクとするドライエッチング処理によって、
上記′44f31層かち、パターン化材料層を形成する
工程とを有する。
体の製法tユ、このような配線構造体の製法において、
上記Al層上に、上記第1、第2及び第3のマスク材層
をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記A
I k<上に、Si配化物、Si窒化物、Siまたは高
融点金属でなる材料層を形成する工程と、−上記第1の
マスク層を形成する工程後、上記Al配線層を形成り゛
る工程前において、上記44料層に対する上記第1のマ
スク層をマスクとするドライエッチング処理によって、
上記′44f31層かち、パターン化材料層を形成する
工程とを有する。
nm・効果
本発明による配線構造体によれば、配線層としてのパタ
ーン化A I 層上に形成されているパターン化材料層
によって、配線層としてのパターン化AIJMにエレク
トマイグレーションが生ぜ/υとしてblそれを抑圧さ
せることができるととbに、パターン化41213+
ffがSiまたはg融点金属の材料でなる場合、パター
ン化材料層も配線層として1]効に作用するので、配線
層としての抵抗が低い。
ーン化A I 層上に形成されているパターン化材料層
によって、配線層としてのパターン化AIJMにエレク
トマイグレーションが生ぜ/υとしてblそれを抑圧さ
せることができるととbに、パターン化41213+
ffがSiまたはg融点金属の材料でなる場合、パター
ン化材料層も配線層として1]効に作用するので、配線
層としての抵抗が低い。
また、本発明による配線構造体の製法によれば、第2図
で上述した従来の配線構造体の製法の場合と同様に、基
板が、表面に、大なる段差を右していても、第1のマス
ク材層を厚く形成することによって、第2及び第3のマ
スク材層を、表面に段差を右せしめることなしに、従っ
て、平らな表面を右するものとして、且つ十分薄い厚さ
を有するものとして形成することができる。また、第2
図で上述した従来の配線構造体の製法の場合と同様に、
第1及び第2のマスク(4層を有するため、第3のマス
ク層を、第3のマスク材層かち、フォトリソグラフィ法
によって形成する工程において、第3のマスク層を紫外
線、X線、電子ビームなどによって露光さけるときに、
それら紫外線、X線、電子ビームなどがAl層から反射
することの影響を有効に回避さけることができ、従って
、第3のマスク層を微細に、高精度に形成Jることがで
きる。
で上述した従来の配線構造体の製法の場合と同様に、基
板が、表面に、大なる段差を右していても、第1のマス
ク材層を厚く形成することによって、第2及び第3のマ
スク材層を、表面に段差を右せしめることなしに、従っ
て、平らな表面を右するものとして、且つ十分薄い厚さ
を有するものとして形成することができる。また、第2
図で上述した従来の配線構造体の製法の場合と同様に、
第1及び第2のマスク(4層を有するため、第3のマス
ク層を、第3のマスク材層かち、フォトリソグラフィ法
によって形成する工程において、第3のマスク層を紫外
線、X線、電子ビームなどによって露光さけるときに、
それら紫外線、X線、電子ビームなどがAl層から反射
することの影響を有効に回避さけることができ、従って
、第3のマスク層を微細に、高精度に形成Jることがで
きる。
さらに、第2図で上述した従来の配線構造体の製法の揚
台と同様に、第2のマスク材層を十分薄い厚ざを右する
ものとして形成することができるので、第2のマスク層
を、第2のマスク材層かち、第1のマスク層のパターン
に忠実なパターンに、微細に高精度に形成することがで
きる。また、第2図で上述した従来の配線構造体の製法
の場合と同様に、第2のマスク層を第3のマスク層のパ
ターンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に形成す
ることができるので、第1のマスク層を、第1のマスク
材層かち、第3のマスク層のパターンに忠実なパターン
に、微細、高精度に形成することができる。
台と同様に、第2のマスク材層を十分薄い厚ざを右する
ものとして形成することができるので、第2のマスク層
を、第2のマスク材層かち、第1のマスク層のパターン
に忠実なパターンに、微細に高精度に形成することがで
きる。また、第2図で上述した従来の配線構造体の製法
の場合と同様に、第2のマスク層を第3のマスク層のパ
ターンに忠実なパターンを以て、微細、高精度に形成す
ることができるので、第1のマスク層を、第1のマスク
材層かち、第3のマスク層のパターンに忠実なパターン
に、微細、高精度に形成することができる。
しかしながち、本発明による配線構造体の製法の場合、
第1のマスク材層かち、ドライエツチング処理によって
、第1のマスク層を形成するとき、第2図で上述した従
来の配線構造体の製法の場合と同様に、ΔIFJが表面
に82差を右していれば、第1のマスク材層に厚さむら
を有することかち、その第1のマスク材層の厚さむらを
見込んで、第1のマスク材層かち、第1のマスク層をオ
ーバーエツチングによって形成するが、そのオーバーエ
ツチングが、第1のマスク材層が材料層上に形成されて
いる状態で行われる。このため、第2図で上述した従来
の配線構造体の製法の場合に準じて、第1及び第2のマ
スク層の側面上に、材r3I Jffiの材料でなる付
着層が形成される。しかしながち、その付着層は、第1
のマスク層を形成して後、基板を大気中に取出したとき
に、その人気中の酸素によって酸化さUても、付着層の
材質上、Al酸化物でなる付n層の場合に比し、容易に
、第1及び第2のマスク層の側面上から除去することが
でさる。
第1のマスク材層かち、ドライエツチング処理によって
、第1のマスク層を形成するとき、第2図で上述した従
来の配線構造体の製法の場合と同様に、ΔIFJが表面
に82差を右していれば、第1のマスク材層に厚さむら
を有することかち、その第1のマスク材層の厚さむらを
見込んで、第1のマスク材層かち、第1のマスク層をオ
ーバーエツチングによって形成するが、そのオーバーエ
ツチングが、第1のマスク材層が材料層上に形成されて
いる状態で行われる。このため、第2図で上述した従来
の配線構造体の製法の場合に準じて、第1及び第2のマ
スク層の側面上に、材r3I Jffiの材料でなる付
着層が形成される。しかしながち、その付着層は、第1
のマスク層を形成して後、基板を大気中に取出したとき
に、その人気中の酸素によって酸化さUても、付着層の
材質上、Al酸化物でなる付n層の場合に比し、容易に
、第1及び第2のマスク層の側面上から除去することが
でさる。
従って、第1のマスク層を形成して後、それをマスクと
して、△IV4からパターン化された△+FIを形成り
゛る前にa3いて、第1及び第2のマスク層の側面に(
4着している付WEを除去勺ろ工程を必要とするにして
も、その工程において、第1及び第2のマスク層にほど
Iυど1負傷を与えない。このため、Al1ffiから
パターン化Al層を形成するどき、第1及び第2のマス
ク層が、第3のマスク層のパターンに忠実なパターンを
以て、微細、高精度に形成されている状態を保っている
。
して、△IV4からパターン化された△+FIを形成り
゛る前にa3いて、第1及び第2のマスク層の側面に(
4着している付WEを除去勺ろ工程を必要とするにして
も、その工程において、第1及び第2のマスク層にほど
Iυど1負傷を与えない。このため、Al1ffiから
パターン化Al層を形成するどき、第1及び第2のマス
ク層が、第3のマスク層のパターンに忠実なパターンを
以て、微細、高精度に形成されている状態を保っている
。
従って、本願第2番目の発明による配tfA構造体の製
法によれば、パターン化へ1層を、第2図で上述した従
来の配線構造体の製法の場合に比し、J:り微細に、且
つJ:り高精度に形成することができる。
法によれば、パターン化へ1層を、第2図で上述した従
来の配線構造体の製法の場合に比し、J:り微細に、且
つJ:り高精度に形成することができる。
また、本願第2番目の発明ににる配線構造体の製法の場
合、第3のマスク材層が〕Al−レジストでなる場合、
その第3のマスク44層から第3のマスク層を形成して
後、第2のマスク材層から第2のマスク層を形成ザる【
)tl、:J3いて、第3のマスク層を熱処理によって
硬化ざUるのを可どするが、このJ、うな場合、Al層
に、ボイドや、ヒl]ツクを発生さμるおてれを右して
いても、そのJ、うなおぞれ(、艮、Δ1層上に自接形
成されている祠v1層によって、その材質からSi酸化
物、Si窒化物、Slまたは高融点金属でなるので、効
果的に回避される。また、第1のマスク材層かち、第1
のマスク層を、ドライエツヂング処Illによって形成
するとき、そのドライエツヂング処理に用いるイオンは
、Al層上に材料層が形成されているので、材料層を直
接1ij撃するとしても、Al1iを直接衝撃せず、従
って、Al1fflに、ボイドや、ヒロックを発生させ
るおそれを有しない。このため、パターン化されたAI
IIWが、ボイドや、ヒロックの影響を受けて形成され
るおそれを右さず、よって、パターン化Al17!を、
第2図で上述した従来の配線構造体の製法の場合に比し
、より第1のマスク層のパターンに忠実なパターンを以
て、より微粗、より高精度に形成することができる。
合、第3のマスク材層が〕Al−レジストでなる場合、
その第3のマスク44層から第3のマスク層を形成して
後、第2のマスク材層から第2のマスク層を形成ザる【
)tl、:J3いて、第3のマスク層を熱処理によって
硬化ざUるのを可どするが、このJ、うな場合、Al層
に、ボイドや、ヒl]ツクを発生さμるおてれを右して
いても、そのJ、うなおぞれ(、艮、Δ1層上に自接形
成されている祠v1層によって、その材質からSi酸化
物、Si窒化物、Slまたは高融点金属でなるので、効
果的に回避される。また、第1のマスク材層かち、第1
のマスク層を、ドライエツヂング処Illによって形成
するとき、そのドライエツヂング処理に用いるイオンは
、Al層上に材料層が形成されているので、材料層を直
接1ij撃するとしても、Al1iを直接衝撃せず、従
って、Al1fflに、ボイドや、ヒロックを発生させ
るおそれを有しない。このため、パターン化されたAI
IIWが、ボイドや、ヒロックの影響を受けて形成され
るおそれを右さず、よって、パターン化Al17!を、
第2図で上述した従来の配線構造体の製法の場合に比し
、より第1のマスク層のパターンに忠実なパターンを以
て、より微粗、より高精度に形成することができる。
実施例
次に、第1図を伴なって、本発明による配線構造体及び
その製法の実施例を、その製法の実施例で述べよう。
その製法の実施例を、その製法の実施例で述べよう。
第1図A〜Jにおいて、第2図A〜■との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
同一符号を付し、詳細説明を省略する。
第1図A、B、C,,D、E、F及びGに示す工程は、
それぞれ第2図A、B、C,D、E。
それぞれ第2図A、B、C,D、E。
F及びGに示ず工程に対応し、また、第1図1及びJに
示す工程は、それぞれ第2図1−1及びlに示ず工程に
対応している。
示す工程は、それぞれ第2図1−1及びlに示ず工程に
対応している。
第1図に示す本発明ににる配線構造体の製法は、第2図
で上述した従来の配線構造体の製法において、Al層2
上に、第1、第2及び第3のマスク材IM3A、3B及
び3cをそれらの順に積層して形成する工程(第2図B
、第1図B)に先立ち、All1m2上に:、sr配化
物、3tN化物、Siまたは高融点金属でなる材料層4
を形成する工程(第1図B)と、第1のマスク層3Δ′
を形成する工程(第2図F、第1図F)侵、パターン化
Al12’を形成する工程(第2図11、第1図■)前
において、材料層4に対Jる第1のマスク13A’ を
マスクとするドライコーツヂング処狸によって、材料層
4かち、バクーン化材別層4′を形成する工程(第1図
H)とを右1゛ることを除いて、第2図で上述した従来
の配線構造体の製法と同様の工程によって、目的どする
配線構造体を製造する。
で上述した従来の配線構造体の製法において、Al層2
上に、第1、第2及び第3のマスク材IM3A、3B及
び3cをそれらの順に積層して形成する工程(第2図B
、第1図B)に先立ち、All1m2上に:、sr配化
物、3tN化物、Siまたは高融点金属でなる材料層4
を形成する工程(第1図B)と、第1のマスク層3Δ′
を形成する工程(第2図F、第1図F)侵、パターン化
Al12’を形成する工程(第2図11、第1図■)前
において、材料層4に対Jる第1のマスク13A’ を
マスクとするドライコーツヂング処狸によって、材料層
4かち、バクーン化材別層4′を形成する工程(第1図
H)とを右1゛ることを除いて、第2図で上述した従来
の配線構造体の製法と同様の工程によって、目的どする
配線構造体を製造する。
ただし、第1図に示す本発明による配線構造体の製法の
場合、Al層2上に、第1、第2及び第3のマスク材1
m3A、3B及び3Gをそれらの順に積層して形成する
工程に先立ち、△1層2上に材料層4を形成する工程〈
第1図B〉を右Jるので、第1、第2及び第3のマスク
材層3Al3B及び3Cを、材料層4上に、それらの順
に積層して形成する。
場合、Al層2上に、第1、第2及び第3のマスク材1
m3A、3B及び3Gをそれらの順に積層して形成する
工程に先立ち、△1層2上に材料層4を形成する工程〈
第1図B〉を右Jるので、第1、第2及び第3のマスク
材層3Al3B及び3Cを、材料層4上に、それらの順
に積層して形成する。
また、第1のマスク材層3Aに対づ−る第2のマスクD
313 ’ をマスクとするドライエップーング処理
によって、第1のマスク材層3Aかち、第1のマスク層
3A’を形成する工程(第1図F)において、Al層2
が表面に段差を右していれば、第1のマスク材層3Aに
厚さむらを右することかち、その第1のマスク材F13
Aの厚さむらを見込んで、′XS1のマスク材F9ff
3Aかち、第1のマスク層3A’ をオーバーエツチン
グによって形成するが、そのオーバーエツチングが、第
1のマスク材層3Aが材料層4上に形成されている状態
で行われる。このため、第1及び第2のマスクhrJ3
△′及び3[3’の側面上に、材料層4の材料でなる付
着層6が形成される(第1図F)。
313 ’ をマスクとするドライエップーング処理
によって、第1のマスク材層3Aかち、第1のマスク層
3A’を形成する工程(第1図F)において、Al層2
が表面に段差を右していれば、第1のマスク材層3Aに
厚さむらを右することかち、その第1のマスク材F13
Aの厚さむらを見込んで、′XS1のマスク材F9ff
3Aかち、第1のマスク層3A’ をオーバーエツチン
グによって形成するが、そのオーバーエツチングが、第
1のマスク材層3Aが材料層4上に形成されている状態
で行われる。このため、第1及び第2のマスクhrJ3
△′及び3[3’の側面上に、材料層4の材料でなる付
着層6が形成される(第1図F)。
このため、第1のマスクUf?i3Aがち、第1のマス
ク層3Δ′を形成して後、上述し/j付着Fi6を、そ
のU 11によっては、第1のマスク層3A’ を形成
して後、基板1を人気中に取出したとき、その大気中の
酸素によって酸化されてbl例えばプラズマエツチング
処理によって、第1及び第2のマスク層3A’及び3[
3’の側面上から除去する(第1図G)。
ク層3Δ′を形成して後、上述し/j付着Fi6を、そ
のU 11によっては、第1のマスク層3A’ を形成
して後、基板1を人気中に取出したとき、その大気中の
酸素によって酸化されてbl例えばプラズマエツチング
処理によって、第1及び第2のマスク層3A’及び3[
3’の側面上から除去する(第1図G)。
さらに、祠¥″I層4かち、パターン化材PIF57/
1′を形成する工程(第1図Ll )において、第1の
マスク層3△′上かち、第2の半導体層3B′が除去さ
れる(第1図11)、また、この月わ1尼i /Iかち
、パターン化材料層4′を形成する工程(第1 図1−
1 ) ニJ3 イT、ソ(7) JtA2F+ ff
/lを、その材質上、第1のマスク層3△′を形成す
る場合に比し、低いエネルギを有するイオンを用いたド
ライエツチング処理によって形成することがでさ、また
、月$31層4が厚さむらを有していないことかち、パ
ターン化材料層4′をオーバードライエツチングによっ
て形成するとしても、僅かにオーバードライエツチング
するだけですむので、第1のマスク層3△′の側面にA
IfJ2の材料であるAlの付着層が、実質的に形成さ
れない。
1′を形成する工程(第1図Ll )において、第1の
マスク層3△′上かち、第2の半導体層3B′が除去さ
れる(第1図11)、また、この月わ1尼i /Iかち
、パターン化材料層4′を形成する工程(第1 図1−
1 ) ニJ3 イT、ソ(7) JtA2F+ ff
/lを、その材質上、第1のマスク層3△′を形成す
る場合に比し、低いエネルギを有するイオンを用いたド
ライエツチング処理によって形成することがでさ、また
、月$31層4が厚さむらを有していないことかち、パ
ターン化材料層4′をオーバードライエツチングによっ
て形成するとしても、僅かにオーバードライエツチング
するだけですむので、第1のマスク層3△′の側面にA
IfJ2の材料であるAlの付着層が、実質的に形成さ
れない。
以上が、本発明にJ:る配線構造体の実施例、及びイの
製法の実施例である。
製法の実施例である。
本発明による配線構造体(第1図N )によれば、作用
・効果の項で詳述したので、重複詳細説明は省略するが
、パターン化Al11W2’上に形成されているパター
ン化材料層4′によって、パターン化Al1ff12’
にエレク1−ロマイグレーションが生ぜんとしても、
それを抑圧させることができるとともに、パターン化材
料層4がSiまたは高融点金属の材v1でなる場合、そ
のパターン化)tA If K44が配線層として作用
し、従って、配線層としての抵抗が低い。
・効果の項で詳述したので、重複詳細説明は省略するが
、パターン化Al11W2’上に形成されているパター
ン化材料層4′によって、パターン化Al1ff12’
にエレク1−ロマイグレーションが生ぜんとしても、
それを抑圧させることができるとともに、パターン化材
料層4がSiまたは高融点金属の材v1でなる場合、そ
のパターン化)tA If K44が配線層として作用
し、従って、配線層としての抵抗が低い。
また、本発明による配線構造体の製法によれば、同様に
、作用効果の項で訂)ホしたので、重複詳細説明は省略
するが、第1のマスク材層3Aから第1のマスク層3△
′を形成する工程が、AI層2上に材[4が形成されて
いる状態で行われるので、第1及び第2のマスクFFr
3 A ’及び3B’の側面上には、材料層4の材料
でなる句ftFi6が形成されるとしても、Al11U
2の材FMであるAlでなる付着へ7は形成されず、一
方、材F1唐4の材料でなる付着層6は、その材質上、
AIでなる付着層に比し、容易に、第1及び第2のマス
クW!J3A’及び3B′の側面上かち、イれらに10
傷を与えることなしに除去することができ、また、44
料層4からパターン化材料層4′を形成する■稈におい
て、ぞの材料層4′を、第1のマスクFi 3 A ’
の側面上に、△1層2の材料であるAlの付着層を実質
的にイ=j着さ吐ることなしに、形成することができる
ので、パターン化Al層2′を、第2図で上述した従来
の配線構造体の製法の場合に比し、より微細に、■つJ
:り高精度に形成Jることができる。
、作用効果の項で訂)ホしたので、重複詳細説明は省略
するが、第1のマスク材層3Aから第1のマスク層3△
′を形成する工程が、AI層2上に材[4が形成されて
いる状態で行われるので、第1及び第2のマスクFFr
3 A ’及び3B’の側面上には、材料層4の材料
でなる句ftFi6が形成されるとしても、Al11U
2の材FMであるAlでなる付着へ7は形成されず、一
方、材F1唐4の材料でなる付着層6は、その材質上、
AIでなる付着層に比し、容易に、第1及び第2のマス
クW!J3A’及び3B′の側面上かち、イれらに10
傷を与えることなしに除去することができ、また、44
料層4からパターン化材料層4′を形成する■稈におい
て、ぞの材料層4′を、第1のマスクFi 3 A ’
の側面上に、△1層2の材料であるAlの付着層を実質
的にイ=j着さ吐ることなしに、形成することができる
ので、パターン化Al層2′を、第2図で上述した従来
の配線構造体の製法の場合に比し、より微細に、■つJ
:り高精度に形成Jることができる。
また、第3のマスク[3Gを形成して後、それを硬化す
るための熱処理を行った場合、Ai層2にボイドや、ヒ
ロックを発生するJ3それを右していても、そのにうな
おそれが、AIE2土に形成されている+、l E f
fl 4によって効果的に回避され、さらに、第1のマ
スク材m3Aかち、第1のマスク層3A’ を、ドライ
エツチング処理ににって形成するとぎ、そのドライエツ
チング処理に用いるイオンが、Ai層2を直接衝撃しな
いので、Al112にボイドや、ヒロックを発生しない
ので、パターン化Al層4′を、第2図で、上述した従
来の配線構造体の製法の場合に比し、より微細に、且つ
より高精度に形成することができる。
るための熱処理を行った場合、Ai層2にボイドや、ヒ
ロックを発生するJ3それを右していても、そのにうな
おそれが、AIE2土に形成されている+、l E f
fl 4によって効果的に回避され、さらに、第1のマ
スク材m3Aかち、第1のマスク層3A’ を、ドライ
エツチング処理ににって形成するとぎ、そのドライエツ
チング処理に用いるイオンが、Ai層2を直接衝撃しな
いので、Al112にボイドや、ヒロックを発生しない
ので、パターン化Al層4′を、第2図で、上述した従
来の配線構造体の製法の場合に比し、より微細に、且つ
より高精度に形成することができる。
第1図A−Jは、本発明による配線構造体の製法の実施
例を示す、順次の工程にJ3ける路線的断面図である。 第2図A〜■は、従来の配flI構造体の製法を示す、
順次の工程にお【プる路線的断面図である。 1・・・・・・・・・・・・基板 2・・・・・・・・・・・・Al層 2′・・・・・・・・・パターン化Al1i’;53△
、313,3G ・・・・・・・・・マスク材層 3A’ 、3B’ 、3G’ ・・・・・・・・・マスク層 4・・・・・・・・・・・・材料層 4′・・・・・・・・・パターン化材1r−1に?;5
.6・・・・・・・・・付着層 出願人 11木電IJ電話株式会社 代理人 弁理トI’ll 中 正 治笛1図 第1回 第2図 第2図 第2図
例を示す、順次の工程にJ3ける路線的断面図である。 第2図A〜■は、従来の配flI構造体の製法を示す、
順次の工程にお【プる路線的断面図である。 1・・・・・・・・・・・・基板 2・・・・・・・・・・・・Al層 2′・・・・・・・・・パターン化Al1i’;53△
、313,3G ・・・・・・・・・マスク材層 3A’ 、3B’ 、3G’ ・・・・・・・・・マスク層 4・・・・・・・・・・・・材料層 4′・・・・・・・・・パターン化材1r−1に?;5
.6・・・・・・・・・付着層 出願人 11木電IJ電話株式会社 代理人 弁理トI’ll 中 正 治笛1図 第1回 第2図 第2図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パターン化Al層と、該パターン化Al層上に形成
された、Si酸化物、Si窒化物、Siまたは高融点金
属の材料でなるパターン化材料層とを有することを特徴
とする配線構造体。 2、絶縁性表面を有する基板上に、Al層を形成する工
程と、 上記Al層上に、第1、第2及び第3のマスク材層を、
それらの順に積層して形成する工程と、 上記第3のマスク材層から、フォトリソグラフィ法によ
って、第3のマスク層を形成する工程と、 上記第2のマスク材層に対する上記第3のマスク材層を
マスクとするドライエッチング処理によつて、上記第2
のマスク材料から、第2のマスク層を形成する工程と、 上記第1のマスク材層に対する上記第2のマスク層をマ
スクとするドライエッチング処理によつて、上記第1の
マスク材層から、第1のマスク層を形成する工程と、 上記Al層に対する上記第1のマスク層をマスクとする
エッチング処理によって、上記Al層から、パターン化
Al層を、配線層として形成する工程とを含む配線構造
体の製法において、 上記Al層上に、上記第1、第2及び第3のマスク材層
をそれらの順に積層して形成するのに先立ち、上記Al
層上に、Si配化物、Si窒化物、Siまたは高融点金
属でなる材料層を形成する工程と、 上記第1のマスク層を形成する工程後、上記Al配線層
を形成する工程前において、上記材料層に対する上記第
1のマスク層をマスクとするドライエッチング処理によ
つて、上記材料層から、パターン化材料層を形成する工
程とを有することを特徴とする配線構造体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8247286A JPS62238649A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 配線構造体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8247286A JPS62238649A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 配線構造体及びその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62238649A true JPS62238649A (ja) | 1987-10-19 |
Family
ID=13775448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8247286A Pending JPS62238649A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 配線構造体及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62238649A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5741742A (en) * | 1993-09-10 | 1998-04-21 | Sony Corporation | Formation of aluminum-alloy pattern |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP8247286A patent/JPS62238649A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5741742A (en) * | 1993-09-10 | 1998-04-21 | Sony Corporation | Formation of aluminum-alloy pattern |
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