JPS62236732A - 可撓性印刷回路用基板の製造方法 - Google Patents
可撓性印刷回路用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS62236732A JPS62236732A JP7926986A JP7926986A JPS62236732A JP S62236732 A JPS62236732 A JP S62236732A JP 7926986 A JP7926986 A JP 7926986A JP 7926986 A JP7926986 A JP 7926986A JP S62236732 A JPS62236732 A JP S62236732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anhydride
- printed circuit
- flexible printed
- polyamic acid
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 7
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- -1 aromatic primary amine Chemical class 0.000 description 28
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 23
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 12
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 7
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 6
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHEOLQLNRCEWLI-UHFFFAOYSA-N 1-[3-(2-aminobutyl)-4-methylphenyl]butan-2-amine Chemical compound NC(CC1=C(C=CC(=C1)CC(CC)N)C)CC RHEOLQLNRCEWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBLZUSCEBGBILB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylthiolane 1,1-dioxide Chemical compound CC1(C)CCCS1(=O)=O KBLZUSCEBGBILB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCZNKVPCIFMXEQ-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetramethylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=C(C)C(N)=C(C)C(C)=C1N WCZNKVPCIFMXEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGCSUUSPRCDKBQ-UHFFFAOYSA-N 2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecane Chemical compound C1OCOCC21COCOC2 BGCSUUSPRCDKBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CN YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLUPKIRNOCKJB-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-n,n-dimethylacetamide Chemical compound COCC(=O)N(C)C DZLUPKIRNOCKJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGUKIUADSYTCQC-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)C1=CC=CC([Si](C)(C)CCCN)=C1 OGUKIUADSYTCQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEEIWUUBRYZFEH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxyhexane-1,6-diamine Chemical compound NCCC(OC)CCCN YEEIWUUBRYZFEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBPAHHRDVMMDEN-UHFFFAOYSA-N 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene Chemical compound C1CCC(C)=C2CCCC(C)=C21 DBPAHHRDVMMDEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNJWXYRVQVNUQC-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(2-phenylphenyl)aniline Chemical group C1(=C(C=CC=C1)C1=C(C=CC(=C1)N)C1=CC=C(N)C=C1)C1=CC=CC=C1 QNJWXYRVQVNUQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUMUYWBRRIUWHI-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)phosphanylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1PC1=CC=C(N)C=C1 DUMUYWBRRIUWHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJWQLRKRVISYPL-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-3-(trifluoromethyl)phenyl]-2-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound C1=C(C(F)(F)F)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(C(F)(F)F)=C1 PJWQLRKRVISYPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBNFPUAJWZYIOQ-UHFFFAOYSA-N 4-n-(4-aminophenyl)-4-n-methylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1N(C)C1=CC=C(N)C=C1 LBNFPUAJWZYIOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIEKUGPEYLGWQQ-UHFFFAOYSA-N 5-[4-(4-amino-2-methylpentyl)phenyl]-4-methylpentan-2-amine Chemical compound CC(N)CC(C)CC1=CC=C(CC(C)CC(C)N)C=C1 IIEKUGPEYLGWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUZDWKQSIJVSMY-UHFFFAOYSA-N 5-[4-(6-amino-2-methylhexan-2-yl)phenyl]-5-methylhexan-1-amine Chemical compound NCCCCC(C)(C)C1=CC=C(C(C)(C)CCCCN)C=C1 DUZDWKQSIJVSMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N dimethylmethane Natural products CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N nonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCN SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWRSLSNMQXMRHQ-UHFFFAOYSA-N octadecane-7,7-diamine Chemical compound CCCCCCCCCCCC(N)(N)CCCCCC NWRSLSNMQXMRHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ポリアミック酸溶液を金属箔上に直接塗布し
加熱硬化してポリイミド化した、耐熱性、耐寒性、電気
特性、機会特性、耐摩耗性、耐薬品性、耐放射線性など
が優れた可撓性印刷回路用基板の製造方法に係るもので
ある。
加熱硬化してポリイミド化した、耐熱性、耐寒性、電気
特性、機会特性、耐摩耗性、耐薬品性、耐放射線性など
が優れた可撓性印刷回路用基板の製造方法に係るもので
ある。
従来、可撓性印刷回路用基板はポリイミドフィルムと金
属箔とを、低温硬化可能な接着剤で貼り合せて製造され
ていた。高温硬化の接着剤であると、熱圧着時の熱履歴
により、常温に戻した時に、基板のカール、ネジレ、反
りなどが発生し、その後のパターンニング等の作業が不
可能な為である。
属箔とを、低温硬化可能な接着剤で貼り合せて製造され
ていた。高温硬化の接着剤であると、熱圧着時の熱履歴
により、常温に戻した時に、基板のカール、ネジレ、反
りなどが発生し、その後のパターンニング等の作業が不
可能な為である。
ところが低温硬化の接着剤を使用しても、接着剤はもと
もと耐熱性に劣るため、基板として耐熱性の良いポリイ
ミドフィルムを使用しても本来の耐熱性を発揮させる事
が出来なかった。
もと耐熱性に劣るため、基板として耐熱性の良いポリイ
ミドフィルムを使用しても本来の耐熱性を発揮させる事
が出来なかった。
そこで、接着剤を使用しないで可撓性印刷回路用基板を
製造する方法が検討された。例えば米国特許3,179
,634号に示されている様なピロノ1!ツト酸などの
テトラカルボン酸と4,4゛−ジアミノジフェニルエー
テルなどの芳香族第一級アミンとの重合により得られた
ポリアミック酸溶液を銅箔に直接塗布し、次いで加熱す
る事により溶媒の除去及びポリアミック酸の縮合反応に
よるポリイミドの生起により、ポリイミド銅張板を製造
する方法である。ところがこの方法では、上記の縮合反
応が脱水縮合反応である為に体積収縮が発生し、従来か
らの汎用のポリアミック酸で製造した回路基板には、カ
ールや、シワ、チヂレなどが発生し、上記の方法で可撓
性印刷回路用基板を製造する事は実際上不可能とされて
いた。
製造する方法が検討された。例えば米国特許3,179
,634号に示されている様なピロノ1!ツト酸などの
テトラカルボン酸と4,4゛−ジアミノジフェニルエー
テルなどの芳香族第一級アミンとの重合により得られた
ポリアミック酸溶液を銅箔に直接塗布し、次いで加熱す
る事により溶媒の除去及びポリアミック酸の縮合反応に
よるポリイミドの生起により、ポリイミド銅張板を製造
する方法である。ところがこの方法では、上記の縮合反
応が脱水縮合反応である為に体積収縮が発生し、従来か
らの汎用のポリアミック酸で製造した回路基板には、カ
ールや、シワ、チヂレなどが発生し、上記の方法で可撓
性印刷回路用基板を製造する事は実際上不可能とされて
いた。
本発明は、これまでのかかる欠点を克服すべく鋭意検討
した結果、本発明で特定する性能を有するポリアミック
酸を用いた可撓性印刷回路用基板が耐熱性に優れカール
を発生しないとの知見を(q、本発明を完成するに至っ
たものである。
した結果、本発明で特定する性能を有するポリアミック
酸を用いた可撓性印刷回路用基板が耐熱性に優れカール
を発生しないとの知見を(q、本発明を完成するに至っ
たものである。
(発明の構成〕
即ち本発明は、硬化収縮率が4.0%以下で、硬化物の
線膨脹係数がか3.OX10’/’C以下、引張弾性率
が500 K!j/1mr?以下となるポリアミック酸
を用いることを特徴とする可撓性印刷回路用基板の′t
A造方決方法る。
線膨脹係数がか3.OX10’/’C以下、引張弾性率
が500 K!j/1mr?以下となるポリアミック酸
を用いることを特徴とする可撓性印刷回路用基板の′t
A造方決方法る。
本発明に於いて、硬化物の引張伸び率が5%以上、25
%以下であり、硬化物の分子構造上の1ユニツ(〜のラ
ダー比率が5%以上、60%以下であれば更に好ましい
ものが得られる。
%以下であり、硬化物の分子構造上の1ユニツ(〜のラ
ダー比率が5%以上、60%以下であれば更に好ましい
ものが得られる。
本発明で使用するポリアミック酸は硬化収縮率が4.0
%以下のものである。従来のポリアミック酸は硬化収縮
率が4.0%より大きいものが通例であり、この様なポ
リイミド樹脂を用いた金属箔張基板は、金属箔を外側に
してカールすると共に、次の回路化工程でエツチングし
不要の金属箔を一部又は全部除去した時には今度は旧金
属箔側を内側にしてカールしてしまう。硬化収縮はポリ
アミック酸が脱水縮合反応によりポリイミド樹脂に交換
する時の脱水によって、体積収縮がおきる事によりひき
おこされるものと考えられる。硬化収縮率が大ぎなポリ
アミック酸を用いた金属箔張基板は、収縮したポリイミ
ド樹脂側を内側にしてカールする。一方この金属箔をエ
ツチングで除去すると金属箔に密着していた側の残留応
力が解放されて収縮をおこし、金属箔があった側を内側
にしてカールしてしまうものと考えられる。
%以下のものである。従来のポリアミック酸は硬化収縮
率が4.0%より大きいものが通例であり、この様なポ
リイミド樹脂を用いた金属箔張基板は、金属箔を外側に
してカールすると共に、次の回路化工程でエツチングし
不要の金属箔を一部又は全部除去した時には今度は旧金
属箔側を内側にしてカールしてしまう。硬化収縮はポリ
アミック酸が脱水縮合反応によりポリイミド樹脂に交換
する時の脱水によって、体積収縮がおきる事によりひき
おこされるものと考えられる。硬化収縮率が大ぎなポリ
アミック酸を用いた金属箔張基板は、収縮したポリイミ
ド樹脂側を内側にしてカールする。一方この金属箔をエ
ツチングで除去すると金属箔に密着していた側の残留応
力が解放されて収縮をおこし、金属箔があった側を内側
にしてカールしてしまうものと考えられる。
本発明で使用するポリアミック酸は、加熱硬化し、ポリ
イミド樹脂になった時の線膨脹係数が3.0 xlO’
/’C以下のものである。従来のポリイミド樹脂では、
線膨脹係数が3.OxlO−5/’Cより大きいものが
通例であり、この様なポリイミド樹脂を用いた金属箔張
基板は、金属箔を外側にじて大きくカールする。カール
は、ポリアミック酸を塗布した金属箔が硬化工程で同時
に加熱されたあと同時に冷却される時に金属箔よりも線
膨脹係数が大きい、ポリアミック酸が硬化して生成した
ポリイミド樹脂が大きく収縮し、ポリイミド樹脂側を内
側に金属箔側を外側にカールしてくるものと考えられる
。
イミド樹脂になった時の線膨脹係数が3.0 xlO’
/’C以下のものである。従来のポリイミド樹脂では、
線膨脹係数が3.OxlO−5/’Cより大きいものが
通例であり、この様なポリイミド樹脂を用いた金属箔張
基板は、金属箔を外側にじて大きくカールする。カール
は、ポリアミック酸を塗布した金属箔が硬化工程で同時
に加熱されたあと同時に冷却される時に金属箔よりも線
膨脹係数が大きい、ポリアミック酸が硬化して生成した
ポリイミド樹脂が大きく収縮し、ポリイミド樹脂側を内
側に金属箔側を外側にカールしてくるものと考えられる
。
本発明で使用するポリアミック酸は加熱硬化し、ポリイ
ミド樹脂になった時の引張弾性率が50ONff/mn
?以下のものである。弾性率が500 K’j/rrm
より大きいと残留応力が大きくなりすぎ、金属箔を除去
した瞬間に応力緩和がおとり、大きくカールするものと
考えられる 本発明で使用するポリアミック酸は、加熱硬化しポリイ
ミド樹脂になった時の引張伸び率が5%以上、25%以
下になることが好ましい。5%よりも小さいとフィルム
が脆くて実用性がなく、25%よりも大きいとフィルム
の腰がなくてシワ、チヂレなどを起こし易い。
ミド樹脂になった時の引張弾性率が50ONff/mn
?以下のものである。弾性率が500 K’j/rrm
より大きいと残留応力が大きくなりすぎ、金属箔を除去
した瞬間に応力緩和がおとり、大きくカールするものと
考えられる 本発明で使用するポリアミック酸は、加熱硬化しポリイ
ミド樹脂になった時の引張伸び率が5%以上、25%以
下になることが好ましい。5%よりも小さいとフィルム
が脆くて実用性がなく、25%よりも大きいとフィルム
の腰がなくてシワ、チヂレなどを起こし易い。
本発明で使用するポリアミック酸は加熱硬化し、ポリイ
ミド樹脂になった時のポリイミド分子の1ユニットのラ
ダー比率が50%以上、60%以下になるものが好まし
い。ラダー比率とはポリイミド分子1ユニットの主鎖結
合のボンド数にて、その中に含まれる芳香環、複素環の
環数を除したもので、例えばピロメリット酸無水物と4
,4°−ジアミノジフェニルエーテルからなるポリイミ
ド樹脂は、ボンド数9、環数5なのでラダー比率は5/
、×100 =55.6%となるラダー比率が50%よ
り小さいポリイミド樹脂は耐熱性が低くなりイミドとし
ての特徴がなく、柔軟性、可撓性はあるが剛直性に欠け
る為にシワになり易い。ラダー比率が60%より大ぎい
ポリイミド樹脂は耐熱性に優れてはいるが剛直すぎて脆
いものとなり実用上適当ではない。
ミド樹脂になった時のポリイミド分子の1ユニットのラ
ダー比率が50%以上、60%以下になるものが好まし
い。ラダー比率とはポリイミド分子1ユニットの主鎖結
合のボンド数にて、その中に含まれる芳香環、複素環の
環数を除したもので、例えばピロメリット酸無水物と4
,4°−ジアミノジフェニルエーテルからなるポリイミ
ド樹脂は、ボンド数9、環数5なのでラダー比率は5/
、×100 =55.6%となるラダー比率が50%よ
り小さいポリイミド樹脂は耐熱性が低くなりイミドとし
ての特徴がなく、柔軟性、可撓性はあるが剛直性に欠け
る為にシワになり易い。ラダー比率が60%より大ぎい
ポリイミド樹脂は耐熱性に優れてはいるが剛直すぎて脆
いものとなり実用上適当ではない。
本発明で用いられるポリアミック酸は下記の様なジアミ
ンとテトラカルボン酸無水物の単独又は共重合によ゛っ
て合成される。即ち、ジアミンとしてはm−フェニレン
ジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4°−ジアミ
ノジフェニルプロパン、4゜4°−ジアミノジフェニル
メタン、ベンジジン、4゜4゛−ジアミノジフェニルス
ルフィド、4,4°−ジアミノジフェニルスルホン、3
.3°−ジアミノジフェニルスルホン、4,4°−ジア
ミノジフェニルエーテル、2.6−ジアミツピリジン、
ビス(4−アミノフェニル)ホスフィンオキシト、ビス
(4−アミノフェニル)−N−メチルアミン、1.5−
ジアミノナフタリン、3,3°−ジメチル−4,4゛−
ジアミノビフェニル、3,3°−ジメトキシベンジジン
、2.4−ビス(β−アミノ−1−ブチル)トルエン、
ビス(p−β−アミノ−1−ブチルフェニル)エーテル
、p−ビス(2メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン
、p−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノペンチル)
ベンゼン、2,8−ジアミノジフェニレンオキサイド、
2,4−ジアミノトルエン、ジアミノジュレン、4,4
°−ジ(m−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、
4,4°−ジ(m−アミツノエノキシ)ジフェニルエー
テル、4,4′−ジ(P−7ミノフエノキシ)ジフェニ
ルエーテル、4,4゛−ジ(m−7ミノフエノキシ)ジ
フェニルメタン、4.4°−ジ(P−アミノフェノキシ
)ジフェニルメタン、m−キシリレンジアミン、p−キ
シリレンジアミン、ビス(p−アミノシクロヘキシル)
メタン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキ
サメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタ
メチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレ
ンジアミン、3−メチルへブタメチレンジアミン、4.
4−ジメチルへブタメチレンジアミン、2.11−ジア
ミノデカン、1.2−ごス(3−アミノプロポキシ)エ
タン、2.2−ジメチルプロピレンジアミン、3−メト
キシへキサメチレンジアミン、2,5−ジメチルへキサ
メチレンジアミン、2.5−ジメチルノナメチレンジア
ミン、1.4−ジアミノシクロヘキサン、2.12−ジ
アミノオクタデカン、2.5−ジアミノ−1,3,4−
オキサジアゾール、1.3−ビス(3−アミノプロピル
ジメチル)シロキサン、1.3−ビス(3−アミノフェ
ニル)シロキサン、1.3−ビス(3−アミノプロピル
ジメチルシリル)ベンゼン、3,3°−ジメチルベンジ
ジン、3,3゛−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジ
ン、4.4”−ジアミノターフェニル、4,4゜−ジア
ミノクオターフェニルなどである。
ンとテトラカルボン酸無水物の単独又は共重合によ゛っ
て合成される。即ち、ジアミンとしてはm−フェニレン
ジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4°−ジアミ
ノジフェニルプロパン、4゜4°−ジアミノジフェニル
メタン、ベンジジン、4゜4゛−ジアミノジフェニルス
ルフィド、4,4°−ジアミノジフェニルスルホン、3
.3°−ジアミノジフェニルスルホン、4,4°−ジア
ミノジフェニルエーテル、2.6−ジアミツピリジン、
ビス(4−アミノフェニル)ホスフィンオキシト、ビス
(4−アミノフェニル)−N−メチルアミン、1.5−
ジアミノナフタリン、3,3°−ジメチル−4,4゛−
ジアミノビフェニル、3,3°−ジメトキシベンジジン
、2.4−ビス(β−アミノ−1−ブチル)トルエン、
ビス(p−β−アミノ−1−ブチルフェニル)エーテル
、p−ビス(2メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン
、p−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノペンチル)
ベンゼン、2,8−ジアミノジフェニレンオキサイド、
2,4−ジアミノトルエン、ジアミノジュレン、4,4
°−ジ(m−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、
4,4°−ジ(m−アミツノエノキシ)ジフェニルエー
テル、4,4′−ジ(P−7ミノフエノキシ)ジフェニ
ルエーテル、4,4゛−ジ(m−7ミノフエノキシ)ジ
フェニルメタン、4.4°−ジ(P−アミノフェノキシ
)ジフェニルメタン、m−キシリレンジアミン、p−キ
シリレンジアミン、ビス(p−アミノシクロヘキシル)
メタン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキ
サメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタ
メチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレ
ンジアミン、3−メチルへブタメチレンジアミン、4.
4−ジメチルへブタメチレンジアミン、2.11−ジア
ミノデカン、1.2−ごス(3−アミノプロポキシ)エ
タン、2.2−ジメチルプロピレンジアミン、3−メト
キシへキサメチレンジアミン、2,5−ジメチルへキサ
メチレンジアミン、2.5−ジメチルノナメチレンジア
ミン、1.4−ジアミノシクロヘキサン、2.12−ジ
アミノオクタデカン、2.5−ジアミノ−1,3,4−
オキサジアゾール、1.3−ビス(3−アミノプロピル
ジメチル)シロキサン、1.3−ビス(3−アミノフェ
ニル)シロキサン、1.3−ビス(3−アミノプロピル
ジメチルシリル)ベンゼン、3,3°−ジメチルベンジ
ジン、3,3゛−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジ
ン、4.4”−ジアミノターフェニル、4,4゜−ジア
ミノクオターフェニルなどである。
またテトラカルボン酸無水物としては、ピロメリッ1〜
酸無水物、2,3,6.7−ナフタレンテトラカルボン
酸無水物、3,3°、4,4°−ビフェニルテトラカル
ボン酸無水物、1,2,5,6.−ナフタレンテトラカ
ルボン酸無水物、2.2°、3.3°−ビフェニルテト
ラカルボン酸無水物、2.2−ビス(3,4−ジカルボ
キシジフェニル)プロパン無水物、3,3°、4.4’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、2,3゜3
°、4°−ビフェニルテトラカルボン酸無水物、4゜4
°−へキサフルオロイソプロピリデンごス(フタル酸無
水物) 3.4.9.10−ペリレンテトラカルボン酸
無水物、ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)エー
テル無水物、エチレンテトラカルボン酸無水物、ナフタ
レン−1,2,4,5,−テトラカルボン酸無水物、ナ
フタレン−1,4,5,8,−テトラカルボン酸無水物
、4.8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−へキサ
ヒドロナフタレン−’1,2,5.6−テトラカルボン
酸無水物、2,6.−ジクロロナフタレン−1,4,5
,8,−テトラカルボン酸無水物、2,3,4.7−チ
トラクロロナフタレンー1.4,5.8−テトラカルボ
ン酸無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テト
ラカルボン酸無水物、シクロペンタン−1,2,3,4
−テトラカルボン酸無水物、ピロリジン−2,3,4,
5−テトラカルボン酸無水物、ピラジン−2,3,5,
6−テトラカルボン酸無水物、2.2−ビス(2,5−
ジカルボキシフェニル)プロパン無水物、1.1−ビス
(2゜3−ジカルボキシフェニル)エタン無水物、1.
1=ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン無水
物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン無
水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸無
水物、1,2,3,4.−ブタンテトラカルボン酸無水
物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸無
水物などである。
酸無水物、2,3,6.7−ナフタレンテトラカルボン
酸無水物、3,3°、4,4°−ビフェニルテトラカル
ボン酸無水物、1,2,5,6.−ナフタレンテトラカ
ルボン酸無水物、2.2°、3.3°−ビフェニルテト
ラカルボン酸無水物、2.2−ビス(3,4−ジカルボ
キシジフェニル)プロパン無水物、3,3°、4.4’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、2,3゜3
°、4°−ビフェニルテトラカルボン酸無水物、4゜4
°−へキサフルオロイソプロピリデンごス(フタル酸無
水物) 3.4.9.10−ペリレンテトラカルボン酸
無水物、ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)エー
テル無水物、エチレンテトラカルボン酸無水物、ナフタ
レン−1,2,4,5,−テトラカルボン酸無水物、ナ
フタレン−1,4,5,8,−テトラカルボン酸無水物
、4.8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−へキサ
ヒドロナフタレン−’1,2,5.6−テトラカルボン
酸無水物、2,6.−ジクロロナフタレン−1,4,5
,8,−テトラカルボン酸無水物、2,3,4.7−チ
トラクロロナフタレンー1.4,5.8−テトラカルボ
ン酸無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テト
ラカルボン酸無水物、シクロペンタン−1,2,3,4
−テトラカルボン酸無水物、ピロリジン−2,3,4,
5−テトラカルボン酸無水物、ピラジン−2,3,5,
6−テトラカルボン酸無水物、2.2−ビス(2,5−
ジカルボキシフェニル)プロパン無水物、1.1−ビス
(2゜3−ジカルボキシフェニル)エタン無水物、1.
1=ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン無水
物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン無
水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸無
水物、1,2,3,4.−ブタンテトラカルボン酸無水
物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸無
水物などである。
ジアミン類とテトラカルボン酸無水物類との反応は、出
来る限り等モルで行う方が好ましく、重合度も大きくな
る。いずれか一方の原料が5%以上多くなると、重合度
が著しく低下し、皮膜形成性の悪い低分子量物が出来る
様になるので注意を要する。通常、一方の原料を1〜3
%多く用いることが、作業性・加工性を良くする上で、
よく行なわれる。
来る限り等モルで行う方が好ましく、重合度も大きくな
る。いずれか一方の原料が5%以上多くなると、重合度
が著しく低下し、皮膜形成性の悪い低分子量物が出来る
様になるので注意を要する。通常、一方の原料を1〜3
%多く用いることが、作業性・加工性を良くする上で、
よく行なわれる。
反応系の溶媒はその官能基がテトラカルボン酸無水物又
はジ゛アミン類と反応しないダイポールモーメントを有
する有機極性溶媒である。
はジ゛アミン類と反応しないダイポールモーメントを有
する有機極性溶媒である。
系に対し不活性であり、かつ生成物に対して溶媒である
こと以外に、この有機極性溶媒は反応成分の少なくとも
一方、好ましくは両者に対して溶媒でなければならない
。
こと以外に、この有機極性溶媒は反応成分の少なくとも
一方、好ましくは両者に対して溶媒でなければならない
。
この種の溶媒として代表的なものは、N、N−ジメチル
ホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N
−ジエチルホルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミ
ド、N、N−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルフtスアミド、N−メチル
−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テト
ラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン
等がありこれらの溶媒は単独又は組合せて使用される。
ホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N
−ジエチルホルムアミド、N、N−ジエチルアセトアミ
ド、N、N−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルフtスアミド、N−メチル
−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テト
ラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン
等がありこれらの溶媒は単独又は組合せて使用される。
この他にも溶媒として組合せて用いられるものとしてベ
ンゼン、ベンゾニトリル、ジオキサン、ブチロラクトン
、キシレン、トルエン、シクロヘキサン等の非溶媒が、
原料の分散媒、反応調節剤、あるいは生成物からの溶媒
の輝散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用される。
ンゼン、ベンゾニトリル、ジオキサン、ブチロラクトン
、キシレン、トルエン、シクロヘキサン等の非溶媒が、
原料の分散媒、反応調節剤、あるいは生成物からの溶媒
の輝散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用される。
反応は一般的に無水の条件下で行うことが好ましい。
これはテトラカルボン酸無水物が水により開環し不活性
化し反応を停止させる恐れがあるためである。
化し反応を停止させる恐れがあるためである。
このため仕込原料中の水分も溶媒中の水分も除去する必
要がある。
要がある。
しかし一方反応の進行を調節し、樹脂重合度をコントロ
ールするためにあえて水を添加することも行なわれる。
ールするためにあえて水を添加することも行なわれる。
また反応は不活性ガス雰囲気中で行なわれることが好ま
しい。
しい。
これはジアミン類の酸化を防止するためである。
不活性ガスとしては一般的に乾燥窒素ガスが使用される
。
。
また反応の方法は、次の様な種々の方法で行なわれる。
(1)ジアミン類とテトラカルボン酸無水物を予め混合
し、その混合物を小母づつ有機溶媒中に攪拌しながら添
加する。この方法はポリイミド樹脂の様な発熱反応にお
いては比較的有利である。
し、その混合物を小母づつ有機溶媒中に攪拌しながら添
加する。この方法はポリイミド樹脂の様な発熱反応にお
いては比較的有利である。
(2)これとは逆に、ジアミン類とテトラカルボン酸無
水物の混合物に、攪拌しながら溶剤を添加する方法もあ
る。
水物の混合物に、攪拌しながら溶剤を添加する方法もあ
る。
(3)一般によく行なわれる方法はジアミン類だけを溶
剤にとかしておき、これに反応速度をコントロールでき
る割合でテトラカルボン酸無水物を加える方法である。
剤にとかしておき、これに反応速度をコントロールでき
る割合でテトラカルボン酸無水物を加える方法である。
(4)またジアミン類とテトラカルボン酸無水物を別々
に溶剤にとかしておき、ゆっくりと反応器中で二つの溶
液を加えることもできる。
に溶剤にとかしておき、ゆっくりと反応器中で二つの溶
液を加えることもできる。
(5)更には予めジアミン類過剰のポリアミック酸生成
物とテトラカルボン酸無水物過剰のポリアミック酸生成
物を作っておき、これを反応器中で更に反応させること
もできる。
物とテトラカルボン酸無水物過剰のポリアミック酸生成
物を作っておき、これを反応器中で更に反応させること
もできる。
(6)またジアミン類の内、1部のジアミン化合物とテ
トラカルボン酸無水物酸をはじめに反応させた後、残り
のジアミン化合物を反応させる方法あるいはこれの逆の
方法もある。
トラカルボン酸無水物酸をはじめに反応させた後、残り
のジアミン化合物を反応させる方法あるいはこれの逆の
方法もある。
(7)この他、ジアミン類の1部のジアミン化合物とテ
トラカルボン酸無水物を反応させたものとを、使用前に
混合する方法もある。
トラカルボン酸無水物を反応させたものとを、使用前に
混合する方法もある。
反応温度は0〜100℃が好ましい。0℃以下だと反応
の速度がおそく、100℃以上であると生成したポリア
ミック酸が徐々に閉環反応を開始するためである。
の速度がおそく、100℃以上であると生成したポリア
ミック酸が徐々に閉環反応を開始するためである。
通常、反応は20℃前後で行なわれる。ポリアミック酸
の重合度は計画的にコントロールできる。
の重合度は計画的にコントロールできる。
例えば粘度が高くなりすぎたり、分子量が大きくなりす
ぎた場合、80〜90℃で熟成し調整する事も行なわれ
る。
ぎた場合、80〜90℃で熟成し調整する事も行なわれ
る。
また、重合度をコントロールするために、フタル酸無水
物やアニリンで末端封鎖したり、水を添加して酸無水物
基の一方を開環し不活性化することもできる。
物やアニリンで末端封鎖したり、水を添加して酸無水物
基の一方を開環し不活性化することもできる。
本発明の方法により製造されたポリアミック酸生成物は
、使用するにあたって各種のシランカップリング剤、ボ
ランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、ア
ルミニウム系カップリング剤その他キレート系の接着性
・密着性向上剤や各種溶剤、フローエージェントを加え
てもよく、又これらに加えて通常の酸硬化剤、アミン硬
化剤、ポリアミド硬化剤及びイミダゾール、3級アミン
等の硬化促進財の少量を加えてもよく、又ゴムやポリサ
ルファイド、ポリエステル、低分子エポキシ等の可撓性
賦与剤及び粘度調整剤、あるいはポリアミドイミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエステルイミドなどをブレンド
しても良くタルク、クレー、マイカ、長石粉末、石英粉
末、酸化マグネシウム等の充填剤、カーボンブラック、
フタロシアンブルー等の着色剤、テトラブロモフェニル
メタン、トリブチルフォスフェート等の難燃剤、三酸化
アンチモン、メタfll1mバリウム等の難燃助剤の少
量を加えてもよい。
、使用するにあたって各種のシランカップリング剤、ボ
ランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、ア
ルミニウム系カップリング剤その他キレート系の接着性
・密着性向上剤や各種溶剤、フローエージェントを加え
てもよく、又これらに加えて通常の酸硬化剤、アミン硬
化剤、ポリアミド硬化剤及びイミダゾール、3級アミン
等の硬化促進財の少量を加えてもよく、又ゴムやポリサ
ルファイド、ポリエステル、低分子エポキシ等の可撓性
賦与剤及び粘度調整剤、あるいはポリアミドイミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエステルイミドなどをブレンド
しても良くタルク、クレー、マイカ、長石粉末、石英粉
末、酸化マグネシウム等の充填剤、カーボンブラック、
フタロシアンブルー等の着色剤、テトラブロモフェニル
メタン、トリブチルフォスフェート等の難燃剤、三酸化
アンチモン、メタfll1mバリウム等の難燃助剤の少
量を加えてもよい。
本発明で使用される金属箔は、一般に銅箔が用いられる
が、アルミ箔、ニッケル箔なども用いる事ができる。金
属箔は10〜100μの厚さのものが使用され、表面は
粗面化処理を施されているものが好ましい。
が、アルミ箔、ニッケル箔なども用いる事ができる。金
属箔は10〜100μの厚さのものが使用され、表面は
粗面化処理を施されているものが好ましい。
ポリアミック酸溶液を金属箔に塗布する方法は、ロータ
リーコーター、ナイフコーター、ドクターブレード、フ
ローコーターなどの公知の塗布手段で50〜1oooμ
の均一な厚ざに流延塗布する方法がとられる。次に加熱
によりポリアミック酸の溶媒を除去するが、ポリイミド
皮膜が形成される以前に、始めから強い加熱を行うと、
粗面となったりひきつったりするので、加熱は低温から
徐々に高くする様にした方が好ましい。R終的な加熱温
度は200〜400℃の範囲が好まし・く、加熱雰囲気
も空気中でさしつかえない場合もあるが減圧下ないしは
不活性ガスを流しながら非酸化性状態下に行う方が好ま
しい場合が多い。なお、ポリイミド皮膜に残存する硬化
時あるいは加熱時の残存応力を緩和し可撓性印刷回路用
基板を平坦化する為に、ポリイミド皮膜のガラス転移点
以上、熱分解温度以下に於いてアニールしかつ、徐冷す
る事も行なわれる。この様にして形成されたポリイミド
皮膜層は一般的に10〜200μである。
リーコーター、ナイフコーター、ドクターブレード、フ
ローコーターなどの公知の塗布手段で50〜1oooμ
の均一な厚ざに流延塗布する方法がとられる。次に加熱
によりポリアミック酸の溶媒を除去するが、ポリイミド
皮膜が形成される以前に、始めから強い加熱を行うと、
粗面となったりひきつったりするので、加熱は低温から
徐々に高くする様にした方が好ましい。R終的な加熱温
度は200〜400℃の範囲が好まし・く、加熱雰囲気
も空気中でさしつかえない場合もあるが減圧下ないしは
不活性ガスを流しながら非酸化性状態下に行う方が好ま
しい場合が多い。なお、ポリイミド皮膜に残存する硬化
時あるいは加熱時の残存応力を緩和し可撓性印刷回路用
基板を平坦化する為に、ポリイミド皮膜のガラス転移点
以上、熱分解温度以下に於いてアニールしかつ、徐冷す
る事も行なわれる。この様にして形成されたポリイミド
皮膜層は一般的に10〜200μである。
以上に述べた様な方法で製造した可撓性印刷回路用基板
は、接着剤層がない為に耐熱性が優れ、また硬化収縮率
が小さく、線膨脹係数が小さく弾性率が小さい為にカー
ルやシワがなくて加工性が良く、伸び率ラダー比率分子
邑が適正である為に耐熱性や機械特性などが優れた有用
な可撓性印刷回路用基板であった。
は、接着剤層がない為に耐熱性が優れ、また硬化収縮率
が小さく、線膨脹係数が小さく弾性率が小さい為にカー
ルやシワがなくて加工性が良く、伸び率ラダー比率分子
邑が適正である為に耐熱性や機械特性などが優れた有用
な可撓性印刷回路用基板であった。
本発明で得られる可撓性印刷回路用基板は各種の電気、
電子機器用配線基板のみならず音響撮動板やフラットモ
ーター、テープキャソヤー、液晶リード線、フロッピー
ディスクヘッド、電磁シールド板などにも利用される。
電子機器用配線基板のみならず音響撮動板やフラットモ
ーター、テープキャソヤー、液晶リード線、フロッピー
ディスクヘッド、電磁シールド板などにも利用される。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例1
温度計、攪拌装置、環流コンデンサー及び乾燥窒素ガス
吹込口を備えた4つ口のセパラブルフラスコに、精製し
た無水の4.4°−ジアミノテルフェニル260 gを
とり、これに無水のN−メチル−2−ピロリドン90重
量%とトルエン10重量%の混合溶剤を、仝仕込原料中
の固形分割合が20重量%・になるだけの母を加えて溶
解した。
吹込口を備えた4つ口のセパラブルフラスコに、精製し
た無水の4.4°−ジアミノテルフェニル260 gを
とり、これに無水のN−メチル−2−ピロリドン90重
量%とトルエン10重量%の混合溶剤を、仝仕込原料中
の固形分割合が20重量%・になるだけの母を加えて溶
解した。
乾燥窒素ガスは、反応の準備段階より生成物取出しまで
の全工程にわたり流しておいた。次いで精製した無水の
3,3°14,4°−ビフェニルテトラカルボン酸無水
物294gを攪拌しながら少量ずつ添加するが、発熱反
応であるため外部水槽に約15℃の冷水を循環させてこ
れを冷却した。添加後、内部温度を20℃に設定し、1
oFR間攪拌し、反応を終了した。
の全工程にわたり流しておいた。次いで精製した無水の
3,3°14,4°−ビフェニルテトラカルボン酸無水
物294gを攪拌しながら少量ずつ添加するが、発熱反
応であるため外部水槽に約15℃の冷水を循環させてこ
れを冷却した。添加後、内部温度を20℃に設定し、1
oFR間攪拌し、反応を終了した。
得られた生成物は、黄色透明の極めて粘稠なポリアミッ
ク酸溶液であり、N−メチル−2−ピロリドン0.5重
量%溶液の固有粘度は、0.71 (30”C)であっ
た。
ク酸溶液であり、N−メチル−2−ピロリドン0.5重
量%溶液の固有粘度は、0.71 (30”C)であっ
た。
次に、このポリアミック酸溶液を、アルミ箔の上に滴下
し、フtイラーで400rpmで10秒間、続いて20
00rpmで20秒間回転させ、均一に塗布した。
し、フtイラーで400rpmで10秒間、続いて20
00rpmで20秒間回転させ、均一に塗布した。
これを減圧下で、80℃で30分間、続いてiso ’
cで30分間乾燥後、アルミ箔からはぎとり、その寸法
(基準寸法となる)を測定する。次に250 ’Cで3
0分間、続いて350℃で30分間加熱し硬化させ、そ
の寸法を測定する。この時の寸法を基準寸法で除した値
を硬化収縮率とするが、本実施例1のものは1.10%
と非常に小さかった。
cで30分間乾燥後、アルミ箔からはぎとり、その寸法
(基準寸法となる)を測定する。次に250 ’Cで3
0分間、続いて350℃で30分間加熱し硬化させ、そ
の寸法を測定する。この時の寸法を基準寸法で除した値
を硬化収縮率とするが、本実施例1のものは1.10%
と非常に小さかった。
また一方、このポリアミック酸溶液を銅箔上に滴下し塗
布後、銅箔をはがさないまま80℃、150℃、250
℃、350℃でそれぞれ30分間加熱し乾燥・硬化した
ものは、全くカールしていなかった。
布後、銅箔をはがさないまま80℃、150℃、250
℃、350℃でそれぞれ30分間加熱し乾燥・硬化した
ものは、全くカールしていなかった。
次に回路パターンを印刷後、銅箔上の不用部分をエツチ
ング除去して形成した回路基板も、カールやシワ、ねじ
れが仝くないものであった。この回路基板を更にエツチ
ングし銅箔を全面除去したフィルムの線膨脹係数は1゜
5×10−5/℃と小さかった。又、引張弾性率は42
0 K’J/mu’であり伸びは12%であった。ラダ
ー比率は58.3%で熱分解温度は570℃と高く、本
発明になる可撓性印刷回路用基板は機械特性、耐熱性が
良く金属首付でも回路基板でもフィルム状でもカールの
ない優れたものであった。
ング除去して形成した回路基板も、カールやシワ、ねじ
れが仝くないものであった。この回路基板を更にエツチ
ングし銅箔を全面除去したフィルムの線膨脹係数は1゜
5×10−5/℃と小さかった。又、引張弾性率は42
0 K’J/mu’であり伸びは12%であった。ラダ
ー比率は58.3%で熱分解温度は570℃と高く、本
発明になる可撓性印刷回路用基板は機械特性、耐熱性が
良く金属首付でも回路基板でもフィルム状でもカールの
ない優れたものであった。
実施例2
実施例1と同様な装置及び方法で、4,4゛−ビス(4
−アミノフェノキシ)ごフェニル368gとピロメリッ
ト酸無水物218gとを反応させた。得られた生成物は
黄色透明の極めて粘稠なポリアミック酸溶液であり、固
有粘度は0.62であった。
−アミノフェノキシ)ごフェニル368gとピロメリッ
ト酸無水物218gとを反応させた。得られた生成物は
黄色透明の極めて粘稠なポリアミック酸溶液であり、固
有粘度は0.62であった。
硬化収縮率は2,20%、線膨脹係数は2.5 XIG
−5/℃引張弾性率は380 KfJ/mmであり、伸
び率ハ20%、ラダー比率は50%で熱分解温度は52
0 ’Cと高く、本発明になる可撓性印刷回路用基板は
、カールのない機械的特性、耐熱性の優れたものであっ
た。
−5/℃引張弾性率は380 KfJ/mmであり、伸
び率ハ20%、ラダー比率は50%で熱分解温度は52
0 ’Cと高く、本発明になる可撓性印刷回路用基板は
、カールのない機械的特性、耐熱性の優れたものであっ
た。
比較例1
実施例1と同様な装置及び方法で、4,4°−ジアミノ
ジフェニルエーテル200 gとピロメリット酸無水物
218gとを反応させた。
ジフェニルエーテル200 gとピロメリット酸無水物
218gとを反応させた。
得られた生成物は黄褐色透明の極めて粘稠なポリアミッ
ク酸溶液であり、固有粘度は0.92であった。このも
のの硬化収縮率は6.51%と大きく、仝面銅箔付基板
でも回路基板でもフィルムのみでも大きくカールし、シ
ワ、チヂレが多く可撓性印刷回路用基板としては適当で
はなかった。
ク酸溶液であり、固有粘度は0.92であった。このも
のの硬化収縮率は6.51%と大きく、仝面銅箔付基板
でも回路基板でもフィルムのみでも大きくカールし、シ
ワ、チヂレが多く可撓性印刷回路用基板としては適当で
はなかった。
比較例2
実施例1と同様な装置及び方法で、3,3°−ジアミノ
ジフェニルスルホン248gと3.3°、4.4°−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸無水物322gとを反応
させた。得られた生成物は黄色透明の極めて粘稠なポリ
アミック酸溶液であり、固有粘度は0.66であった。
ジフェニルスルホン248gと3.3°、4.4°−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸無水物322gとを反応
させた。得られた生成物は黄色透明の極めて粘稠なポリ
アミック酸溶液であり、固有粘度は0.66であった。
このものの硬化収縮率は1.52%と小ざいが線膨脹係
数が4.3 Xl0−5/”Cと大きく、その為、銅箔
付基板は大きくカールし、可撓性印刷回路用基板として
は適当ではなかった。
数が4.3 Xl0−5/”Cと大きく、その為、銅箔
付基板は大きくカールし、可撓性印刷回路用基板として
は適当ではなかった。
比較例3
実施例1と同様な装置及び方法で、P−フェニレンジア
ミン108 (jと3.3’、4,4°−ジフェニルテ
トラカルボン酸無水物294gとを反応させた。得られ
た生成物は黄色透明の極めて粘稠なポリアミック酸溶液
であり、固有粘度は1.23であった。
ミン108 (jと3.3’、4,4°−ジフェニルテ
トラカルボン酸無水物294gとを反応させた。得られ
た生成物は黄色透明の極めて粘稠なポリアミック酸溶液
であり、固有粘度は1.23であった。
硬化収縮率は3.40%、線膨脹係数は1.4 XIO
’/℃と小さかったが、引張弾性率が800 KEI/
#22と大きく、その為、フィルムのカールが大きく可
撓性印刷回路用基板としては適当でなかった。
’/℃と小さかったが、引張弾性率が800 KEI/
#22と大きく、その為、フィルムのカールが大きく可
撓性印刷回路用基板としては適当でなかった。
実施例3
比較例2の3,3°−ジアミノジフェニルスルポンと3
.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物からなるポリアミック酸50重ω%と比較例3のP
−フェニレンジアミンと3.3’、4.4’−ジフェニ
ルテトラカルボン酸無水物からなるポリアミック酸50
重量%と混合した。硬化収縮率は3.72%、線膨脹係
数は1.8 Xl0−5/’C1引張弾性率は330に
!j/mrrjであり、伸び率は9%、ラダー比率は5
6.3%で熱分解温度は512℃と高く、本発明になる
可撓性印刷回路用基板はカールのない機械的特性、耐熱
性の優れたものであった。
.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物からなるポリアミック酸50重ω%と比較例3のP
−フェニレンジアミンと3.3’、4.4’−ジフェニ
ルテトラカルボン酸無水物からなるポリアミック酸50
重量%と混合した。硬化収縮率は3.72%、線膨脹係
数は1.8 Xl0−5/’C1引張弾性率は330に
!j/mrrjであり、伸び率は9%、ラダー比率は5
6.3%で熱分解温度は512℃と高く、本発明になる
可撓性印刷回路用基板はカールのない機械的特性、耐熱
性の優れたものであった。
実施例4
実施例と同様な装置及び方法で、比較例3で合成したP
−フェニレンジアミンioa gと3.3’、4゜4°
−ジフェニルテトラカルボン酸無水物294gからなる
生成物に、4,4゛−ジアミノジフェニルエーテル20
09とピロメリット酸無水物218gを加え反応した。
−フェニレンジアミンioa gと3.3’、4゜4°
−ジフェニルテトラカルボン酸無水物294gからなる
生成物に、4,4゛−ジアミノジフェニルエーテル20
09とピロメリット酸無水物218gを加え反応した。
jqられた生成物は黄褐色透明の極めて粘稠なポリアミ
ック酸溶液であり、固有粘度は0.92であった。硬化
収縮率は3.81%、線膨脹係数は1.9 X10−”
/℃、引張弾性率は400KH/mrrjであり、伸び
率は10%、ラダー比率は58.8%で熱分解温度は5
00℃と高く、本発明になる可撓性印刷回路用基板はカ
ールのない機械的特性、耐熱性の優れたものであった。
ック酸溶液であり、固有粘度は0.92であった。硬化
収縮率は3.81%、線膨脹係数は1.9 X10−”
/℃、引張弾性率は400KH/mrrjであり、伸び
率は10%、ラダー比率は58.8%で熱分解温度は5
00℃と高く、本発明になる可撓性印刷回路用基板はカ
ールのない機械的特性、耐熱性の優れたものであった。
比較例4
実施例1と同様な装置及び方法で、4,4°°°−ジア
ミノ−P−クォーターフェニル336gと、3,4゜3
1Z4+1−テルフェニルテトラカルボンi!無水物3
709とを反応させた。得られた生成物は黄色透明の極
めて粘稠なポリアミック酸溶液であり、固有粘度は0.
33であった。このものの引張伸び率は2.1%しかな
くモロイ為に、カールはないが、可撓性印刷回路用基板
としては適当ではなかった。
ミノ−P−クォーターフェニル336gと、3,4゜3
1Z4+1−テルフェニルテトラカルボンi!無水物3
709とを反応させた。得られた生成物は黄色透明の極
めて粘稠なポリアミック酸溶液であり、固有粘度は0.
33であった。このものの引張伸び率は2.1%しかな
くモロイ為に、カールはないが、可撓性印刷回路用基板
としては適当ではなかった。
比較例5
実施例1と同様な装置及び方法で、4.4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル200 gと3,3°、4.4’−
どフェニルテトラカルボン酸無水物294gとを反応さ
せた生成物(固有粘度0.62) 50重量%と、比較
例1の4.4′−ジアミノジフェニルエーテルとピロメ
リット酸無水物との生成物50重量%を混合した。
ジフェニルエーテル200 gと3,3°、4.4’−
どフェニルテトラカルボン酸無水物294gとを反応さ
せた生成物(固有粘度0.62) 50重量%と、比較
例1の4.4′−ジアミノジフェニルエーテルとピロメ
リット酸無水物との生成物50重量%を混合した。
このものの引張伸び率は43.8%もあり、軟らかすぎ
て腰がなくカールはないが可撓性印刷回路用基板として
は適当でなかった。
て腰がなくカールはないが可撓性印刷回路用基板として
は適当でなかった。
比較例6
実施例1と同様な装置及び方法で、3.9−ビス(3−
アミノプロピル) 2,4,8.10−テトラオキサス
ピロ[5,5]ウンデカン274gと3.3’、4,4
°7−ビフェニルテトラカルボン酸無水物294gとを
反応させた生成物(固有粘度0.51)60重量%と、
比較例3のP−フェニレンジアミンと3,3°、4,4
°−ビフェニルテトラカルボン酸無水物との生成物40
重量%を混合した。このもののラダー比率は49.0%
しかなく、耐熱性が低い為に、カールはないが可撓性印
刷回路用基板としては適当でなかった。
アミノプロピル) 2,4,8.10−テトラオキサス
ピロ[5,5]ウンデカン274gと3.3’、4,4
°7−ビフェニルテトラカルボン酸無水物294gとを
反応させた生成物(固有粘度0.51)60重量%と、
比較例3のP−フェニレンジアミンと3,3°、4,4
°−ビフェニルテトラカルボン酸無水物との生成物40
重量%を混合した。このもののラダー比率は49.0%
しかなく、耐熱性が低い為に、カールはないが可撓性印
刷回路用基板としては適当でなかった。
比較例7
実施例1と同様な装置及び方法で、4.4°−ジアミノ
ジフェニル184gとピロメリット酸無水物218gと
を反応させた。
ジフェニル184gとピロメリット酸無水物218gと
を反応させた。
(qられた生成物(固有粘度0.80)のラダー比率は
62.5%もあり、モロイ為にカールはなく耐熱性も高
いが可撓性印刷回路用基板としては適当ではなかったー
。
62.5%もあり、モロイ為にカールはなく耐熱性も高
いが可撓性印刷回路用基板としては適当ではなかったー
。
Claims (3)
- (1)硬化収縮率が4.0%以下で硬化物の線膨脹係数
が3.0×10^−^5/℃以下、引張弾性率が500
Kg/mm^2以下となるポリアミック酸を金属箔に直
接塗布し、加熱して硬化させる事を特徴とする可撓性印
刷回路用基板の製造方法。 - (2)硬化物の引張伸び率が5%以上、25%以下であ
る特許請求の範囲第1項記載の可撓印刷回路用基板の製
造方法。 - (3)硬化物の分子構造上の1ユニットのラダー比率が
50%以上、60%以下である、特許請求の範囲第1項
、第2項記載の可撓性印刷用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7926986A JPS62236732A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7926986A JPS62236732A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62236732A true JPS62236732A (ja) | 1987-10-16 |
Family
ID=13685143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7926986A Pending JPS62236732A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62236732A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247137A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリアミド酸共重合体の製造方法 |
JPH03291988A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フレキシブルプリント回路板の製造方法 |
EP0529097A1 (en) * | 1991-03-12 | 1993-03-03 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of manufacturing two-layer tab tape |
JPH05331446A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 高分子量ポリイミド樹脂フィルム接着剤 |
JPH05331283A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド樹脂 |
JP2008001877A (ja) * | 2006-05-23 | 2008-01-10 | Asahi Kasei Corp | ポリエステルイミドおよびその製造方法 |
JP2008001876A (ja) * | 2006-05-23 | 2008-01-10 | Asahi Kasei Corp | ポリエステルイミドおよびその製造方法 |
JP2008308550A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Mitsui Chemicals Inc | 新規ポリアミド酸、ポリイミド並びにその用途 |
WO2014174838A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 三井化学株式会社 | ブロックポリイミドおよびブロックポリアミド酸イミド、ならびにその用途 |
JP2018080315A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド、ポリイミド前駆体、及びポリイミドフィルム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58155790A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | 日立化成工業株式会社 | 可撓性印刷回路用基板の製造法 |
JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
JPS60206639A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | 日東電工株式会社 | ポリイミド−金属箔複合フイルムの製造方法 |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP7926986A patent/JPS62236732A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58155790A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | 日立化成工業株式会社 | 可撓性印刷回路用基板の製造法 |
JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
JPS60206639A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | 日東電工株式会社 | ポリイミド−金属箔複合フイルムの製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247137A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリアミド酸共重合体の製造方法 |
JPH03291988A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フレキシブルプリント回路板の製造方法 |
EP0529097A4 (ja) * | 1991-03-12 | 1994-01-26 | Sumitomo Bakelite Company Limited | |
EP0529097A1 (en) * | 1991-03-12 | 1993-03-03 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of manufacturing two-layer tab tape |
US5507903A (en) * | 1991-03-12 | 1996-04-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Process for producing two-layered tape for tab |
JPH05331446A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 高分子量ポリイミド樹脂フィルム接着剤 |
JPH05331283A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド樹脂 |
JP2008001877A (ja) * | 2006-05-23 | 2008-01-10 | Asahi Kasei Corp | ポリエステルイミドおよびその製造方法 |
JP2008001876A (ja) * | 2006-05-23 | 2008-01-10 | Asahi Kasei Corp | ポリエステルイミドおよびその製造方法 |
JP2008308550A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Mitsui Chemicals Inc | 新規ポリアミド酸、ポリイミド並びにその用途 |
WO2014174838A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 三井化学株式会社 | ブロックポリイミドおよびブロックポリアミド酸イミド、ならびにその用途 |
US10351673B2 (en) | 2013-04-25 | 2019-07-16 | Mitsui Chemicals, Inc. | Block polyimide, block polyamide acid imide and use thereof |
JP2018080315A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド、ポリイミド前駆体、及びポリイミドフィルム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0133533A2 (en) | Low thermal expansion resin material for a wiring insulating film. | |
JPS6160725A (ja) | 電子装置用多層配線基板の製法 | |
JPS63166287A (ja) | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 | |
JPH04262593A (ja) | 多層配線構造体およびその製造方法とその用途 | |
JPS62236732A (ja) | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 | |
JPS60157286A (ja) | フレキシブルプリント基板の製造方法 | |
JPS63161023A (ja) | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 | |
JPH02115265A (ja) | 耐熱性フイルムおよびその積層物 | |
JPS6384089A (ja) | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 | |
JPH02217241A (ja) | フレキシブルプリント基板の製造法 | |
JP2958051B2 (ja) | フレキシブルプリント回路用基板及びその製造方法 | |
JPS63264632A (ja) | 低熱膨張性樹脂 | |
JP2815668B2 (ja) | カバーコート付フレキシブルプリント回路板の製造方法 | |
JP2730652B2 (ja) | 保護塗膜被覆配線部材及びその製法 | |
JPS62200795A (ja) | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 | |
JPH0955567A (ja) | フレキシブルプリント配線用基板の製造方法 | |
JPS62212140A (ja) | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 | |
JPH03291986A (ja) | カバーコート付フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 | |
JPH10120785A (ja) | ポリイミド樹脂組成物およびフィルム接着剤とその製造方法 | |
JPH03145185A (ja) | フレキシブルプリント回路用基板 | |
JP2787955B2 (ja) | フレキシブルプリント回路板の製造方法 | |
JP2804304B2 (ja) | フレキシブルプリント回路板の製造方法 | |
JPS62212139A (ja) | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 | |
JP2820497B2 (ja) | カバーコート付フレキシブルプリント回路板の製造方法 | |
JPH02175773A (ja) | フレキシブルプリント回路用基板の製造方法 |