JPS62232951A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS62232951A
JPS62232951A JP7886086A JP7886086A JPS62232951A JP S62232951 A JPS62232951 A JP S62232951A JP 7886086 A JP7886086 A JP 7886086A JP 7886086 A JP7886086 A JP 7886086A JP S62232951 A JPS62232951 A JP S62232951A
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JP
Japan
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semiconductor element
die pad
pad
die
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP7886086A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuyuki Fukutome
勝幸 福留
Ryuichiro Mori
隆一郎 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7886086A priority Critical patent/JPS62232951A/ja
Publication of JPS62232951A publication Critical patent/JPS62232951A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 乙の発明は、半導体素子にかかる応力を緩和するように
した半導体装置に関ずろものである。
〔従来の技術〕
第２図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置のダイパッド
およびその周辺部を示す平面図と断面図である。これら
の図において、１は半導体素子、２はリードフレーム、
３ｂは前記半導体素子１を載置するダイパッド、４は前
記ダイパッド３ｂを支え、組立工程が終オ）ろまで前記
リードフレーム２の外枠に支持されている宙吊りピン、
５は前記半導体素子１とダイパッド３ｂｇ！接合する接
合部材である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
半導体素子１が大形化したり、熱抵抗改善等のために半
導体素子１との熱膨張係数の差の大きい銅などをダイパ
ッド３ｂに使用した場合、グイボンド時などの温度変化
による熱膨張率の差のために、半導体素子１に応力がか
かり、反りや割れが起こるなどの問題点があった。。
乙の発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体素子にかかる応力を緩和し、反りや
割れを防止した半導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、半導体素子が載置される
ダイパッドに有機材料からなる熱圧着シ−１・を用いた
ものである。
〔作用〕
乙の発明においては、ダイパッドに有機材料などの熱圧
着シートを用いたので、半導体素子をダイパッドに接合
した場合、より柔かいシートの側が延びることで熱膨張
率の差のために生ずる半導体素子の変形が少なくなり、
半導体素子にかかる応力が小さくなる。
〔実施例〕
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す半導
体装置の平面図および断面図である。これらの図で、第
２図（ｎ）、（ｂ＞　と同一符号は同一のものを示し、
３１１は前記半導体素子１を接合するダイパッドであり
、有機材料などの熱圧着シートからなっている。ここで
、このダイパッド３ａはリードフし・−ム２の裏面に接
着されている。
さらに、半導体素子１は熱圧着にユリダイパッド３ａに
接合される。
第１図（ａ）、（ｂ）の実施例において、半導体素子１
ば接合部材なしで熱圧着によりダイパッド３ａに接合さ
れ、接合後、熱膨張率の違いはあっても柔かいダイパッ
ド３ａの方が延び半導体素子１の変形を少なくし、その
ため半導体素子１にかかる応力が小さくなる。
またリードフレーム２の裏面に圧着したダイパッド３ａ
の上に半導体素子１を圧着するので、第２図（Ｑ）、（
ｂ）のようにダイパッド３ｂを、リードフレーム２に対
して低い位置（９曲げ加工しているのと同等の効果を持
つ。
マ１こ第３図に示すように、リードフし・−ム２の数が
増えると、従来はリードフレーム２のばたつきを防ぐた
めリードフレーム固定シート６を使用しているが、この
発明によるダイパッド３ａはこれと同等の効果を持つの
で、リードフし・−ム固定シート６の使用は必要ない。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、半導体素子が載置され
るダイパッドを有機材料等からなる熱圧着シートを用い
たので、半導体素子のダイパッドへの熱圧着時に半導体
素子にかかる応力が緩和され、反りや割れが減少する等
の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｈ）はこの発明の一実施例を示す半導
体装置の平面図および断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は
従来の半導体装置のダイパ・ソドおよびその周辺部を示
す平面図および断面図、第３図は他の従来例の半導体装
置の平面図である。 図において、１は半導体素子、２はリードフレーム、３
ａはダイパッドである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 ３ａ：ダイパット 第２図 ｂ 第３図 手続補正書（自発） 昭和６１研２　角２　日

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）リードフレームを備え、ダイパッドに半導体素子
    が載置された半導体装置において、前記ダイパッドを有
    機材料からなる熱圧着シートで形成したことを特徴とす
    る半導体装置。
  2. （２）有機材料で形成されたダイパッドは、リードフレ
    ームの裏面に接着したことを特徴とする特許請求の範囲
    第（１）項記載の半導体装置。
JP7886086A 1986-04-02 1986-04-02 半導体装置 Pending JPS62232951A (ja)

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JP7886086A JPS62232951A (ja) 1986-04-02 1986-04-02 半導体装置

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JPS62232951A true JPS62232951A (ja) 1987-10-13

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01315169A (ja) * 1988-06-15 1989-12-20 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用リードフレーム
JPH0575009A (ja) * 1991-09-18 1993-03-26 Oki Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法
JPH06104294A (ja) * 1992-09-17 1994-04-15 Nec Corp リードフレーム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5310269B2 (ja) * 1974-10-15 1978-04-12
JPS5834934A (ja) * 1981-08-26 1983-03-01 Toshiba Corp 半導体装置

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