JPS62232951A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62232951A JPS62232951A JP7886086A JP7886086A JPS62232951A JP S62232951 A JPS62232951 A JP S62232951A JP 7886086 A JP7886086 A JP 7886086A JP 7886086 A JP7886086 A JP 7886086A JP S62232951 A JPS62232951 A JP S62232951A
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- semiconductor element
- die pad
- pad
- die
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- Pending
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- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明は、半導体素子にかかる応力を緩和するように
した半導体装置に関ずろものである。
した半導体装置に関ずろものである。
第2図(a)、(b)は従来の半導体装置のダイパッド
およびその周辺部を示す平面図と断面図である。これら
の図において、1は半導体素子、2はリードフレーム、
3bは前記半導体素子1を載置するダイパッド、4は前
記ダイパッド3bを支え、組立工程が終オ)ろまで前記
リードフレーム2の外枠に支持されている宙吊りピン、
5は前記半導体素子1とダイパッド3bg!接合する接
合部材である。
およびその周辺部を示す平面図と断面図である。これら
の図において、1は半導体素子、2はリードフレーム、
3bは前記半導体素子1を載置するダイパッド、4は前
記ダイパッド3bを支え、組立工程が終オ)ろまで前記
リードフレーム2の外枠に支持されている宙吊りピン、
5は前記半導体素子1とダイパッド3bg!接合する接
合部材である。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
半導体素子1が大形化したり、熱抵抗改善等のために半
導体素子1との熱膨張係数の差の大きい銅などをダイパ
ッド3bに使用した場合、グイボンド時などの温度変化
による熱膨張率の差のために、半導体素子1に応力がか
かり、反りや割れが起こるなどの問題点があった。。
半導体素子1が大形化したり、熱抵抗改善等のために半
導体素子1との熱膨張係数の差の大きい銅などをダイパ
ッド3bに使用した場合、グイボンド時などの温度変化
による熱膨張率の差のために、半導体素子1に応力がか
かり、反りや割れが起こるなどの問題点があった。。
乙の発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体素子にかかる応力を緩和し、反りや
割れを防止した半導体装置を得ることを目的とする。
れたもので、半導体素子にかかる応力を緩和し、反りや
割れを防止した半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体素子が載置される
ダイパッドに有機材料からなる熱圧着シ−1・を用いた
ものである。
ダイパッドに有機材料からなる熱圧着シ−1・を用いた
ものである。
乙の発明においては、ダイパッドに有機材料などの熱圧
着シートを用いたので、半導体素子をダイパッドに接合
した場合、より柔かいシートの側が延びることで熱膨張
率の差のために生ずる半導体素子の変形が少なくなり、
半導体素子にかかる応力が小さくなる。
着シートを用いたので、半導体素子をダイパッドに接合
した場合、より柔かいシートの側が延びることで熱膨張
率の差のために生ずる半導体素子の変形が少なくなり、
半導体素子にかかる応力が小さくなる。
第1図(a)、(b)はこの発明の一実施例を示す半導
体装置の平面図および断面図である。これらの図で、第
2図(n)、(b> と同一符号は同一のものを示し、
311は前記半導体素子1を接合するダイパッドであり
、有機材料などの熱圧着シートからなっている。ここで
、このダイパッド3aはリードフし・−ム2の裏面に接
着されている。
体装置の平面図および断面図である。これらの図で、第
2図(n)、(b> と同一符号は同一のものを示し、
311は前記半導体素子1を接合するダイパッドであり
、有機材料などの熱圧着シートからなっている。ここで
、このダイパッド3aはリードフし・−ム2の裏面に接
着されている。
さらに、半導体素子1は熱圧着にユリダイパッド3aに
接合される。
接合される。
第1図(a)、(b)の実施例において、半導体素子1
ば接合部材なしで熱圧着によりダイパッド3aに接合さ
れ、接合後、熱膨張率の違いはあっても柔かいダイパッ
ド3aの方が延び半導体素子1の変形を少なくし、その
ため半導体素子1にかかる応力が小さくなる。
ば接合部材なしで熱圧着によりダイパッド3aに接合さ
れ、接合後、熱膨張率の違いはあっても柔かいダイパッ
ド3aの方が延び半導体素子1の変形を少なくし、その
ため半導体素子1にかかる応力が小さくなる。
またリードフレーム2の裏面に圧着したダイパッド3a
の上に半導体素子1を圧着するので、第2図(Q)、(
b)のようにダイパッド3bを、リードフレーム2に対
して低い位置(9曲げ加工しているのと同等の効果を持
つ。
の上に半導体素子1を圧着するので、第2図(Q)、(
b)のようにダイパッド3bを、リードフレーム2に対
して低い位置(9曲げ加工しているのと同等の効果を持
つ。
マ1こ第3図に示すように、リードフし・−ム2の数が
増えると、従来はリードフレーム2のばたつきを防ぐた
めリードフレーム固定シート6を使用しているが、この
発明によるダイパッド3aはこれと同等の効果を持つの
で、リードフし・−ム固定シート6の使用は必要ない。
増えると、従来はリードフレーム2のばたつきを防ぐた
めリードフレーム固定シート6を使用しているが、この
発明によるダイパッド3aはこれと同等の効果を持つの
で、リードフし・−ム固定シート6の使用は必要ない。
この発明は以上説明したとおり、半導体素子が載置され
るダイパッドを有機材料等からなる熱圧着シートを用い
たので、半導体素子のダイパッドへの熱圧着時に半導体
素子にかかる応力が緩和され、反りや割れが減少する等
の効果がある。
るダイパッドを有機材料等からなる熱圧着シートを用い
たので、半導体素子のダイパッドへの熱圧着時に半導体
素子にかかる応力が緩和され、反りや割れが減少する等
の効果がある。
第1図(a)、(h)はこの発明の一実施例を示す半導
体装置の平面図および断面図、第2図(a)、(b)は
従来の半導体装置のダイパ・ソドおよびその周辺部を示
す平面図および断面図、第3図は他の従来例の半導体装
置の平面図である。 図において、1は半導体素子、2はリードフレーム、3
aはダイパッドである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 3a:ダイパット 第2図 b 第3図 手続補正書(自発) 昭和61研2 角2 日
体装置の平面図および断面図、第2図(a)、(b)は
従来の半導体装置のダイパ・ソドおよびその周辺部を示
す平面図および断面図、第3図は他の従来例の半導体装
置の平面図である。 図において、1は半導体素子、2はリードフレーム、3
aはダイパッドである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 3a:ダイパット 第2図 b 第3図 手続補正書(自発) 昭和61研2 角2 日
Claims (2)
- (1)リードフレームを備え、ダイパッドに半導体素子
が載置された半導体装置において、前記ダイパッドを有
機材料からなる熱圧着シートで形成したことを特徴とす
る半導体装置。 - (2)有機材料で形成されたダイパッドは、リードフレ
ームの裏面に接着したことを特徴とする特許請求の範囲
第(1)項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7886086A JPS62232951A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7886086A JPS62232951A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62232951A true JPS62232951A (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=13673579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7886086A Pending JPS62232951A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62232951A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01315169A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH0575009A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 |
JPH06104294A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-15 | Nec Corp | リードフレーム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5310269B2 (ja) * | 1974-10-15 | 1978-04-12 | ||
JPS5834934A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-04-02 JP JP7886086A patent/JPS62232951A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5310269B2 (ja) * | 1974-10-15 | 1978-04-12 | ||
JPS5834934A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01315169A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH0575009A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 |
JPH06104294A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-15 | Nec Corp | リードフレーム |
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