JPH04139864A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04139864A
JPH04139864A JP26361490A JP26361490A JPH04139864A JP H04139864 A JPH04139864 A JP H04139864A JP 26361490 A JP26361490 A JP 26361490A JP 26361490 A JP26361490 A JP 26361490A JP H04139864 A JPH04139864 A JP H04139864A
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JP
Japan
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pad
semiconductor element
die pad
semiconductor device
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JP26361490A
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English (en)
Inventor
Shin Narisawa
成澤　伸
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の半導体素子搭載部構造に関する。
［従来の技術］ 従来の半導体装置の半導体素子搭載部構造は第４図、第
５図に示すように、リードフレーム外枠２よりタイバー
３によって吊られ、半導体素子１より大きく一体ででき
たダイパッド４上に、半導体素子裏面の全面が接合され
る構造であった。
［発明が解決しようとする課題］ しかし前述の従来技術では、樹脂封止した半導体装置に
熱が加わると、 半導体素子とダイパッドの膨張率の違いから半導体素子
に応力が発生し特性不良を起こす、ダイパッドと封止樹
脂の界面の水分９が膨張し、ダイパッドエツジ部で応力
集中を起こした封止樹脂に割れ１２が生じる、という課
題を有する。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは半導体素子に応力を発生させず、ま
た封止樹脂に割れを生じない半導体装置を提供するとこ
ろにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の半導体装置は、金属製リードフレームのダイパ
ッドに半導体素子を搭載し、該半導体素子電極とインナ
ーリードとを金属細線にて配線した後、樹脂封止してな
る半導体装置において、前記ダイパッドが多数ブロック
からなる切り欠き構造であることを特徴とする特 ［作用］ 本発明の上記の構成によれば、ダイパッドが切り欠き構
造であるため半導体素子とダイパッドとの膨張率の差を
緩和し、またダイパッド裏面での水分膨張が小さいため
エツジ部の応力集中も小さい。
［実施例コ 第１図は本発明の実施例における半導体装置の内部平面
図である。半導体素子１ば裏面において、リードフレー
ム外枠２よりタイバー３に吊られた切り欠き構造である
ダイハツト４に搭載、接合され、ワイヤー５により半導
体素子電極とインナーリード６を配線した後、封止樹脂
７によって封止される。ダイパッド４は切り欠き構造に
よって多数ブロックから構成され、該多数ブロックは同
一材料で同一平面に一連に連なっている。
第２図は本発明の実施例における半導体装置の側面断面
図である。半導体素子１がほとんど熱膨張しないのに対
し、ダイパッドは常温時のダイハツト４から熱膨張した
ダイパッド８へと大きな膨張を示す。しかし多数ブロッ
クとなったダイパッド４は多数ブロック各々の側方に膨
張するため半導体素子１を反らせる力が働かず、半導体
素子１の表面に応力は発生しない。
またダイパッド４と封止樹脂７の界面に存在する水分９
が熱膨張するが、多数ブロックの各々の面積が小さいた
め封止樹脂７に割れを生じるほど大きな膨張力とはなら
ず、悪くとも亀裂１０程度で外部までの割れとはならな
い。
第３図は本発明の他実施例における半導体装置のダイパ
ッド構造を示す平面図である。ダイパッド４は完全に多
数ブロックに分離され一連とはなっていないが、ダイパ
ッド４の下面よりポリイミドテープ１１などの耐熱性樹
脂によって固定され、その上に半導体素子１が接合され
る。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明によればダイパッドを切り欠き
構造とした事により、半導体素子に応力が発生せず、ま
た封止樹脂に割れを生じないという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の一実施例を示す内部平面
図、第２図は同側面断面図。 第３図は本発明の半導体装置の他実施例を示す平面図。 第４図は従来の半導体装置を示す内部平面図、第５図は
同側面断面図。 １・・・半導体素子 ２・・・リードフレーム外枠 ３・・・タイバー ４・・・ダイパッド ５・・・ワイヤー ６・・・インナーリード ７・・・封止樹脂 ８・・・熱膨張したダイパッド ９・・・水分 １０・・・亀裂 １１・・・ポリイミドテープ １２・・・割れ 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　金属製リードフレームのダイパッドに半導体素子を搭
    載し、該半導体素子電極とインナーリードとを金属細線
    にて配線した後、樹脂封止してなる半導体装置において
    、前記ダイパッドが多数ブロックからなる切り欠き構造
    であることを特徴とする半導体装置。
JP26361490A 1990-10-01 1990-10-01 半導体装置 Pending JPH04139864A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH08204106A (ja) * 1995-01-25 1996-08-09 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
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