JPH04139864A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04139864A JPH04139864A JP26361490A JP26361490A JPH04139864A JP H04139864 A JPH04139864 A JP H04139864A JP 26361490 A JP26361490 A JP 26361490A JP 26361490 A JP26361490 A JP 26361490A JP H04139864 A JPH04139864 A JP H04139864A
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- semiconductor element
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体装置の半導体素子搭載部構造に関する。
[従来の技術]
従来の半導体装置の半導体素子搭載部構造は第4図、第
5図に示すように、リードフレーム外枠2よりタイバー
3によって吊られ、半導体素子1より大きく一体ででき
たダイパッド4上に、半導体素子裏面の全面が接合され
る構造であった。
5図に示すように、リードフレーム外枠2よりタイバー
3によって吊られ、半導体素子1より大きく一体ででき
たダイパッド4上に、半導体素子裏面の全面が接合され
る構造であった。
[発明が解決しようとする課題]
しかし前述の従来技術では、樹脂封止した半導体装置に
熱が加わると、 半導体素子とダイパッドの膨張率の違いから半導体素子
に応力が発生し特性不良を起こす、ダイパッドと封止樹
脂の界面の水分9が膨張し、ダイパッドエツジ部で応力
集中を起こした封止樹脂に割れ12が生じる、という課
題を有する。
熱が加わると、 半導体素子とダイパッドの膨張率の違いから半導体素子
に応力が発生し特性不良を起こす、ダイパッドと封止樹
脂の界面の水分9が膨張し、ダイパッドエツジ部で応力
集中を起こした封止樹脂に割れ12が生じる、という課
題を有する。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは半導体素子に応力を発生させず、ま
た封止樹脂に割れを生じない半導体装置を提供するとこ
ろにある。
目的とするところは半導体素子に応力を発生させず、ま
た封止樹脂に割れを生じない半導体装置を提供するとこ
ろにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の半導体装置は、金属製リードフレームのダイパ
ッドに半導体素子を搭載し、該半導体素子電極とインナ
ーリードとを金属細線にて配線した後、樹脂封止してな
る半導体装置において、前記ダイパッドが多数ブロック
からなる切り欠き構造であることを特徴とする特 [作用] 本発明の上記の構成によれば、ダイパッドが切り欠き構
造であるため半導体素子とダイパッドとの膨張率の差を
緩和し、またダイパッド裏面での水分膨張が小さいため
エツジ部の応力集中も小さい。
ッドに半導体素子を搭載し、該半導体素子電極とインナ
ーリードとを金属細線にて配線した後、樹脂封止してな
る半導体装置において、前記ダイパッドが多数ブロック
からなる切り欠き構造であることを特徴とする特 [作用] 本発明の上記の構成によれば、ダイパッドが切り欠き構
造であるため半導体素子とダイパッドとの膨張率の差を
緩和し、またダイパッド裏面での水分膨張が小さいため
エツジ部の応力集中も小さい。
[実施例コ
第1図は本発明の実施例における半導体装置の内部平面
図である。半導体素子1ば裏面において、リードフレー
ム外枠2よりタイバー3に吊られた切り欠き構造である
ダイハツト4に搭載、接合され、ワイヤー5により半導
体素子電極とインナーリード6を配線した後、封止樹脂
7によって封止される。ダイパッド4は切り欠き構造に
よって多数ブロックから構成され、該多数ブロックは同
一材料で同一平面に一連に連なっている。
図である。半導体素子1ば裏面において、リードフレー
ム外枠2よりタイバー3に吊られた切り欠き構造である
ダイハツト4に搭載、接合され、ワイヤー5により半導
体素子電極とインナーリード6を配線した後、封止樹脂
7によって封止される。ダイパッド4は切り欠き構造に
よって多数ブロックから構成され、該多数ブロックは同
一材料で同一平面に一連に連なっている。
第2図は本発明の実施例における半導体装置の側面断面
図である。半導体素子1がほとんど熱膨張しないのに対
し、ダイパッドは常温時のダイハツト4から熱膨張した
ダイパッド8へと大きな膨張を示す。しかし多数ブロッ
クとなったダイパッド4は多数ブロック各々の側方に膨
張するため半導体素子1を反らせる力が働かず、半導体
素子1の表面に応力は発生しない。
図である。半導体素子1がほとんど熱膨張しないのに対
し、ダイパッドは常温時のダイハツト4から熱膨張した
ダイパッド8へと大きな膨張を示す。しかし多数ブロッ
クとなったダイパッド4は多数ブロック各々の側方に膨
張するため半導体素子1を反らせる力が働かず、半導体
素子1の表面に応力は発生しない。
またダイパッド4と封止樹脂7の界面に存在する水分9
が熱膨張するが、多数ブロックの各々の面積が小さいた
め封止樹脂7に割れを生じるほど大きな膨張力とはなら
ず、悪くとも亀裂10程度で外部までの割れとはならな
い。
が熱膨張するが、多数ブロックの各々の面積が小さいた
め封止樹脂7に割れを生じるほど大きな膨張力とはなら
ず、悪くとも亀裂10程度で外部までの割れとはならな
い。
第3図は本発明の他実施例における半導体装置のダイパ
ッド構造を示す平面図である。ダイパッド4は完全に多
数ブロックに分離され一連とはなっていないが、ダイパ
ッド4の下面よりポリイミドテープ11などの耐熱性樹
脂によって固定され、その上に半導体素子1が接合され
る。
ッド構造を示す平面図である。ダイパッド4は完全に多
数ブロックに分離され一連とはなっていないが、ダイパ
ッド4の下面よりポリイミドテープ11などの耐熱性樹
脂によって固定され、その上に半導体素子1が接合され
る。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によればダイパッドを切り欠き
構造とした事により、半導体素子に応力が発生せず、ま
た封止樹脂に割れを生じないという効果を有する。
構造とした事により、半導体素子に応力が発生せず、ま
た封止樹脂に割れを生じないという効果を有する。
第1図は本発明の半導体装置の一実施例を示す内部平面
図、第2図は同側面断面図。 第3図は本発明の半導体装置の他実施例を示す平面図。 第4図は従来の半導体装置を示す内部平面図、第5図は
同側面断面図。 1・・・半導体素子 2・・・リードフレーム外枠 3・・・タイバー 4・・・ダイパッド 5・・・ワイヤー 6・・・インナーリード 7・・・封止樹脂 8・・・熱膨張したダイパッド 9・・・水分 10・・・亀裂 11・・・ポリイミドテープ 12・・・割れ 以上
図、第2図は同側面断面図。 第3図は本発明の半導体装置の他実施例を示す平面図。 第4図は従来の半導体装置を示す内部平面図、第5図は
同側面断面図。 1・・・半導体素子 2・・・リードフレーム外枠 3・・・タイバー 4・・・ダイパッド 5・・・ワイヤー 6・・・インナーリード 7・・・封止樹脂 8・・・熱膨張したダイパッド 9・・・水分 10・・・亀裂 11・・・ポリイミドテープ 12・・・割れ 以上
Claims (1)
- 金属製リードフレームのダイパッドに半導体素子を搭
載し、該半導体素子電極とインナーリードとを金属細線
にて配線した後、樹脂封止してなる半導体装置において
、前記ダイパッドが多数ブロックからなる切り欠き構造
であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26361490A JPH04139864A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26361490A JPH04139864A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04139864A true JPH04139864A (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17391985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26361490A Pending JPH04139864A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04139864A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204106A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
WO1997012387A2 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Leiterrahmen für integrierte schaltungen |
EP0853817A1 (en) * | 1995-10-04 | 1998-07-22 | International Business Machines Corporation | Electronic package with enhanced pad design |
US5825628A (en) * | 1996-10-03 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Electronic package with enhanced pad design |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26361490A patent/JPH04139864A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08204106A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
EP0724294A3 (en) * | 1995-01-25 | 1998-09-02 | Nec Corporation | Semiconductor device mounted on tub having central slit pattern and peripheral slit pattern for absorbing thermal stress |
WO1997012387A2 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Leiterrahmen für integrierte schaltungen |
WO1997012387A3 (de) * | 1995-09-29 | 1997-06-12 | Siemens Ag | Leiterrahmen für integrierte schaltungen |
EP0853817A1 (en) * | 1995-10-04 | 1998-07-22 | International Business Machines Corporation | Electronic package with enhanced pad design |
US5825628A (en) * | 1996-10-03 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Electronic package with enhanced pad design |
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