JPS5853838A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5853838A JPS5853838A JP56152632A JP15263281A JPS5853838A JP S5853838 A JPS5853838 A JP S5853838A JP 56152632 A JP56152632 A JP 56152632A JP 15263281 A JP15263281 A JP 15263281A JP S5853838 A JPS5853838 A JP S5853838A
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- Japan
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- electrodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/81801—Soldering or alloying
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は多数の凸起電極を有する半導体素子をセラミ
ック等からなる基板に固着する半導体装置に関するもの
である・ 従来この種の7工−スダクンボンデイング方式半導体装
置においては、凸起電極の機械的損傷を避けるため凸起
電極を半導体素子の中央部にもって色たりして、かな□
り無理なプロセスを採っていた。また、電極を半導体素
子の周辺部に設ける場合にお込ては素子の大きさに制限
があり大きな素子には適用できなかった。
ック等からなる基板に固着する半導体装置に関するもの
である・ 従来この種の7工−スダクンボンデイング方式半導体装
置においては、凸起電極の機械的損傷を避けるため凸起
電極を半導体素子の中央部にもって色たりして、かな□
り無理なプロセスを採っていた。また、電極を半導体素
子の周辺部に設ける場合にお込ては素子の大きさに制限
があり大きな素子には適用できなかった。
本発明は上記欠点を除くため、半導体素子の凸起部を有
する面と反対の面部に、基板と同一の材質からなるサポ
ータを固着したことを特徴とする。
する面と反対の面部に、基板と同一の材質からなるサポ
ータを固着したことを特徴とする。
図は本発明の構成を示し、+11 I/i半導体素子(
2)を1個あるいけ複数個塔載するための基板で、通常
はセラミック、あるいはガラスエポキシ材からなる。
2)を1個あるいけ複数個塔載するための基板で、通常
はセラミック、あるいはガラスエポキシ材からなる。
【31は(21と+I+を電気的、機械的に接続するた
めの凸起電極を示し、半導体素子(zl、および基板I
l+の両方、あるいは一方に凸起を設けた、いわいる1
バンプ“であり、半田等からなり、比較的機械的には弱
い。この弱い部分に、熱膨張差により発生する。熱応力
等が加わり、〕(ンプ131を破壊する。
めの凸起電極を示し、半導体素子(zl、および基板I
l+の両方、あるいは一方に凸起を設けた、いわいる1
バンプ“であり、半田等からなり、比較的機械的には弱
い。この弱い部分に、熱膨張差により発生する。熱応力
等が加わり、〕(ンプ131を破壊する。
本発明はかかる熱応力が最も弱いバンプ部にかかるのを
防止し、高イさ傾度な接続部を得るためになされたもの
で、凸起電極(3)を有する囲と反対の面に、基板+1
1と同一の材質を何し、かつ、半導体素子(りを抱束す
るに十分な厚さを有するサポータ(41を設け、接着層
)6)により固着させたものである。
防止し、高イさ傾度な接続部を得るためになされたもの
で、凸起電極(3)を有する囲と反対の面に、基板+1
1と同一の材質を何し、かつ、半導体素子(りを抱束す
るに十分な厚さを有するサポータ(41を設け、接着層
)6)により固着させたものである。
なお、上記サポータ(4)は単に、板状のものでもよい
が、放熱特性向上のだめの手段や、さらに外部への電極
取り出し等のためのスルホールを設けることも可能であ
る。
が、放熱特性向上のだめの手段や、さらに外部への電極
取り出し等のためのスルホールを設けることも可能であ
る。
また、図示はしていないが、基板+13へ半導体素子(
21を多数塔載するいわゆるモジュールの場合にも適用
できるし、その場合には、サポータ14)は多数の半導
体素子+i+ tic 11<通約な構造にもできるの
は言うまでもない。
21を多数塔載するいわゆるモジュールの場合にも適用
できるし、その場合には、サポータ14)は多数の半導
体素子+i+ tic 11<通約な構造にもできるの
は言うまでもない。
以上のようにこの発明によれば、半導体素子と基板が同
じように、伸縮するので、最も弱い凸起電極部へのスト
レスの緩和が可能であ)、大きな半導体素子においても
フェースダクンボンディング方式の適用が可能になし得
る効果がある。
じように、伸縮するので、最も弱い凸起電極部へのスト
レスの緩和が可能であ)、大きな半導体素子においても
フェースダクンボンディング方式の適用が可能になし得
る効果がある。
図は本発明の一実施例を示す構成図である。
filけ基板、(2)は半導体素子、(3)は凸起電極
、(4)けサポータを示す。 代理人 葛野 信−
、(4)けサポータを示す。 代理人 葛野 信−
Claims (1)
- 電極取り出し部に凸起電極を有する半導体素子と、この
半導体素子が取付けられるセラミック等からなる基板と
を有する半導体装置において、上記半導体素子の凸起電
極を有する面上反対の面に上記基板と同一材質からなる
す“ボータを設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56152632A JPS5853838A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56152632A JPS5853838A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5853838A true JPS5853838A (ja) | 1983-03-30 |
JPS6360533B2 JPS6360533B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=15544626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56152632A Granted JPS5853838A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5853838A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04122460U (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-04 | 三菱自動車工業株式会社 | 工作物固定装置 |
JP2002270634A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007318182A (ja) * | 2007-09-03 | 2007-12-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011044755A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-03-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48101085A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-20 |
-
1981
- 1981-09-26 JP JP56152632A patent/JPS5853838A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48101085A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-20 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04122460U (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-04 | 三菱自動車工業株式会社 | 工作物固定装置 |
JP2002270634A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007318182A (ja) * | 2007-09-03 | 2007-12-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011044755A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-03-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6360533B2 (ja) | 1988-11-24 |
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