JPS62219704A - Level shift circuit - Google Patents

Level shift circuit

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JPS62219704A
JPS62219704A JP61061470A JP6147086A JPS62219704A JP S62219704 A JPS62219704 A JP S62219704A JP 61061470 A JP61061470 A JP 61061470A JP 6147086 A JP6147086 A JP 6147086A JP S62219704 A JPS62219704 A JP S62219704A
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output
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emitter
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Abstract

PURPOSE:To attain the extraction of an output signal independently of a power voltage by providing an input side circuit of a current mirror and an output side circuit for a resistor and the current mirror so as to obtain an output from between the output side circuit of the resistor and the current mirror. CONSTITUTION:Transistors (TR) 41, 44 and 35, 36 constitute current mirror circuits respectively, and currents i2, i3 made flowing through the TRs 35, 36 are equal to a current i1 flowing through a TR 45. The emitter voltage of the TR 45 is VR+VBE, where VR is a reference voltage of a reference voltage source 47 and VBE is a base-emitter voltage of the TR 45. When an output at a output terminal 26 or 27 of an ECL circuit 1 is at a high level, the output at an output terminal 37 or 38 of a level shift circuit 2 is expressed as Vout1= VR and Vout2=VR respectively and the signal level outputted from the output terminals 37, 38 is set by the reference voltage VR of the source 47. Thus, even when the power voltage Vcc is fluctuated, no fluctuation of the output signal level at the output terminals 37, 38 is caused.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば論理回路の出力レベルをアナログ回
路の入力レベルに変換する場合に用いて好適なレベルシ
フト回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a level shift circuit suitable for use, for example, in converting an output level of a logic circuit to an input level of an analog circuit.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明は、電源電圧に依存するレベルの信号を電源電
圧に依存しないレベルに変換するレベルシフト回路にお
いて、信号電源回路の電源電圧と対応する電流を発生さ
せ、カレントミラーによりこの電流に対応する電流を抵
抗に流し、この抵抗及びカレントミラーの出力側回路と
の間から出力を得るようにすることにより、入力信号を
レベルシフトすると共に、信号電源回路の電源電圧に依
存しない出力を得るようにしたものである。
In a level shift circuit that converts a signal at a level dependent on a power supply voltage to a level independent of the power supply voltage, the present invention generates a current corresponding to the power supply voltage of a signal power supply circuit, and uses a current mirror to generate a current corresponding to this current. By flowing through a resistor and obtaining an output from between this resistor and the output side circuit of the current mirror, the input signal is level-shifted and an output that is independent of the power supply voltage of the signal power supply circuit is obtained. It is something.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

差動回路を基本構成とするECL回路は、第5図に示す
ように構成される。
An ECL circuit whose basic configuration is a differential circuit is configured as shown in FIG.

第5図において151及び152が差動回路を構成する
トランジスタである。トランジスタ151及び152の
互いのエミッタが共通接続され、この接続点がトランジ
スタ153のコレクタに接続される。トランジスタ15
3のエミッタが抵抗154を介して接地端子155に接
続される。トランジスタ153のベースがトランジスタ
156のベースに接続されると共に、トランジスタ15
6のコレクタに接続される。トランジスタ156のエミ
ッタが抵抗157を介して接地端子155に接続される
。トランジスタ156のベースとトランジスタ156の
コレクタの接続点が抵抗158を介して電源電圧Vcc
の電源端子159に接続される。
In FIG. 5, 151 and 152 are transistors forming a differential circuit. The emitters of transistors 151 and 152 are commonly connected, and this connection point is connected to the collector of transistor 153. transistor 15
The emitter of No. 3 is connected to a ground terminal 155 via a resistor 154. The base of transistor 153 is connected to the base of transistor 156, and
6 collector. The emitter of transistor 156 is connected to ground terminal 155 via resistor 157. The connection point between the base of the transistor 156 and the collector of the transistor 156 is connected to the power supply voltage Vcc through a resistor 158.
It is connected to the power supply terminal 159 of.

トランジスタ151のベースが入力端子160に接続さ
れる。トランジスタ152のベースが入力端子161に
接続される。トランジスタ151のコレクタが抵抗16
2を介して電源端子159に接続されると共に、エミッ
タフォロワトランジスタ164のベースに接続される。
The base of transistor 151 is connected to input terminal 160. The base of transistor 152 is connected to input terminal 161. The collector of the transistor 151 is the resistor 16
2 to the power supply terminal 159 and to the base of the emitter follower transistor 164.

トランジスタ152のコレクタが抵抗163を介して電
源端子159に接続されると共に、エミッタフォロワト
ランジスタ165のベースに接続される。エミッタフォ
ロワトランジスタ164のコレクタが電源端子159に
接続される。エミッタフォロワトランジスタ165のコ
レクタが電源端子159に接続される。エミッタフォロ
ワトランジスタ164のエミッタが出力端子166に接
続される。エミッタフォロワトランジスタ165のエミ
ッタが出力端子167に接続される。
The collector of transistor 152 is connected to power supply terminal 159 via resistor 163 and to the base of emitter follower transistor 165 . The collector of emitter follower transistor 164 is connected to power supply terminal 159. The collector of emitter follower transistor 165 is connected to power supply terminal 159. The emitter of emitter follower transistor 164 is connected to output terminal 166. The emitter of emitter follower transistor 165 is connected to output terminal 167.

入力端子160にハイレベルが供給され、入力端子16
1にローレベルが供給されると、トランジスタ151が
オンし、トランジスタ152がオフする。このため、ト
ランジスタ151のコレクタの出力がローレベルになり
、トランジスタ152のコレクタの出力がハイレベルに
なる。したがって、出力端子166からローレベルが出
力され、出力端子167からハイレベルが出力される。
A high level is supplied to the input terminal 160, and the input terminal 16
When a low level is supplied to the transistor 1, the transistor 151 is turned on and the transistor 152 is turned off. Therefore, the output from the collector of transistor 151 becomes low level, and the output from the collector of transistor 152 becomes high level. Therefore, a low level is output from the output terminal 166, and a high level is output from the output terminal 167.

入力端子161にハイレベルが供給され、入力端子16
0にローレベルが供給されると、トランジスタ152が
オンし、トランジスタ151がオフする。このため、ト
ランジスタ152のコレクタがローレベルになり、トラ
ンジスタ151のコレクタがハイレベルになる。したが
って、出力端子166からハイレベルが出力され、出力
端子167からローレベルが出力される。
A high level is supplied to the input terminal 161, and the input terminal 16
When a low level is supplied to 0, the transistor 152 is turned on and the transistor 151 is turned off. Therefore, the collector of transistor 152 becomes low level, and the collector of transistor 151 becomes high level. Therefore, a high level is output from the output terminal 166 and a low level is output from the output terminal 167.

出力端子166及び167からの出力信号のハイレベル
vMは、電源端子169に供給される電源電圧V c 
C%エミッタフォロワトランジスタ164及び165の
ベース・エミッタ間電圧を■。とすると、 ’J、 =Vcc−VIIt となる。
The high level vM of the output signals from the output terminals 166 and 167 is equal to the power supply voltage V c supplied to the power supply terminal 169.
C% Base-emitter voltage of emitter follower transistors 164 and 165 is ■. Then, 'J, =Vcc-VIIt.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

このように、805回路の出力レベルは、電源端子10
9に供給される電源電圧Vccに依存する。
In this way, the output level of the 805 circuit is
It depends on the power supply voltage Vcc supplied to 9.

論理回路では、この電源電圧Vccは例えば5vに定め
られていて、この電源電圧Vccを供給する5V電源は
、(5V±0.5V)の電圧変動が許容されている。こ
のため、この電源電圧VCCは、(5V+0.5V)の
範囲内で変動が生じることが考えられる。
In the logic circuit, this power supply voltage Vcc is set to, for example, 5V, and the 5V power supply that supplies this power supply voltage Vcc is allowed to have a voltage fluctuation of (5V±0.5V). Therefore, it is conceivable that this power supply voltage VCC fluctuates within the range of (5V+0.5V).

一方、アナログ系の回路では、レギュレータを使用して
電源を供給し、電圧変動が殆ど生じないようになされて
いる。このため、805回路の出力信号をアナログ系の
回路に入力させる場合、805回路の出力レベルをアナ
ログ系の回路の所定の入力レベルまでレベルシフトさせ
ると共に、このように、電源電圧Vccに依存して変動
する805回路の出力を電源電圧Vccに依存せず一定
となるようにする必要がある。
On the other hand, in analog circuits, a regulator is used to supply power so that almost no voltage fluctuation occurs. Therefore, when inputting the output signal of the 805 circuit to an analog circuit, the output level of the 805 circuit is level-shifted to a predetermined input level of the analog circuit, and in this way, the output level of the 805 circuit is shifted to a predetermined input level of the analog circuit. It is necessary to make the fluctuating output of the 805 circuit constant without depending on the power supply voltage Vcc.

したがって、この発明の目的は、電源電圧Vccに依存
する出力信号を所定レベルまでレベルシフトさせると共
に、電源電圧Vccに依存しない出力信号を取り出すこ
とができるレベルシフト回路を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a level shift circuit capable of level-shifting an output signal that depends on power supply voltage Vcc to a predetermined level and extracting an output signal that does not depend on power supply voltage Vcc.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明は、信号源回路の電源電圧と対応する電流を発
生する抵抗及びトランジスタと基準電位間に接続された
カレントミラーの入力側回路と、入力側回路の出力信号
が供給されるエミッタフォロワトランジスタとこのトラ
ンジスタのエミッタと基準電位点間に接続された抵抗及
びカレントミラーの出力側回路と を備え、抵抗及びカレントミラーの出力側回路との間か
ら出力を得るようにしたレベルシフト回路である。
The present invention includes an input side circuit of a current mirror connected between a reference potential and a resistor and a transistor that generate a current corresponding to the power supply voltage of a signal source circuit, and an emitter follower transistor to which an output signal of the input side circuit is supplied. This level shift circuit includes a resistor and a current mirror output circuit connected between the emitter of this transistor and a reference potential point, and obtains an output from between the resistor and the current mirror output circuit.

〔作用〕[Effect]

信号源回路の電源電圧と対応する電流が形成され、この
電流と等しい電流がカレントミラー回路により抵抗33
及び34に流される。入力端子31及び32には、電源
電圧Vccの依存を受ける信号源回路の出力が供給され
る。抵抗33及び34に流れる電流が信号源回路の電源
電圧と対応して変化し、出力端子37及び38から電源
電圧Vccに依存しない出力が取り出される。
A current corresponding to the power supply voltage of the signal source circuit is formed, and a current equal to this current is passed through the resistor 33 by the current mirror circuit.
and 34. The input terminals 31 and 32 are supplied with the output of a signal source circuit dependent on the power supply voltage Vcc. The currents flowing through the resistors 33 and 34 change in accordance with the power supply voltage of the signal source circuit, and outputs independent of the power supply voltage Vcc are taken out from the output terminals 37 and 38.

〔実施例〕〔Example〕

この発明の実施例について以下の順序に従って説明する
Embodiments of the present invention will be described in the following order.

a、一実施例 す、他の実施例 C1更に他の実施例 a、−実施例 第1図はこの発明の一実施例を示すものである。a. One embodiment Other examples C1 Still other embodiments a.-Example FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.

第1図において、破線で囲んで示す1がECL回路、2
がレベルシフト回路である。ECL回路lは、差動回路
を構成するトランジスタ11及び12を基本構成として
いる。
In FIG. 1, 1 surrounded by a broken line is an ECL circuit, and 2 is an ECL circuit.
is a level shift circuit. The ECL circuit 1 basically has transistors 11 and 12 forming a differential circuit.

トランジスタ11及び12の互いのエミッタが共通接続
され、この接続点がトランジスタ13のコレクタに接続
される。トランジスタ13のエミッタが抵抗14を介し
て接地端子15に接続される。トランジスタ13のベー
スがトランジスタ16のベースに接続されると共に、ト
ランジスタ16のコレクタに接続される。トランジスタ
16のエミッタが抵抗17を介して接地端子15に接続
される。トランジスタ16のベースとトランジスタ16
のコレクタの接続点が抵抗18を介して電源電圧Vcc
の電源端子19に接続される。
The emitters of transistors 11 and 12 are commonly connected, and this connection point is connected to the collector of transistor 13. The emitter of transistor 13 is connected to ground terminal 15 via resistor 14 . The base of transistor 13 is connected to the base of transistor 16, and is also connected to the collector of transistor 16. The emitter of transistor 16 is connected to ground terminal 15 via resistor 17. Base of transistor 16 and transistor 16
The connection point of the collector of is connected to the power supply voltage Vcc through the resistor 18.
It is connected to the power supply terminal 19 of.

トランジスタ11のベースが入力端子20に接続される
。トランジスタ12のベースが入力端子21に接続され
る。トランジスタ11のコレクタが抵抗22を介して電
源端子19に接続されると共に、エミッタフォロワトラ
ンジスタ24のベースに接続される。トランジスタ12
のコレクタが抵抗23を介して電源端子19に接続され
ると共に、エミッタフォロワトランジスタ25のベース
に接続される。エミッタフォロワトランジスタ24のコ
レクタが電源端子19に接続される。エミッタフォロワ
トランジスタ25のコレクタが電源端子19に接続され
る。エミッタフォロワトランジスタ24のエミッタが出
力端子26に接続される。エミッタフォロワトランジス
タ25のエミッタが出力端子27に接続される。
The base of transistor 11 is connected to input terminal 20 . The base of transistor 12 is connected to input terminal 21 . The collector of transistor 11 is connected to power supply terminal 19 via resistor 22 and to the base of emitter follower transistor 24 . transistor 12
The collector of the emitter follower transistor 25 is connected to the power supply terminal 19 via the resistor 23 and to the base of the emitter follower transistor 25 . The collector of emitter follower transistor 24 is connected to power supply terminal 19 . The collector of emitter follower transistor 25 is connected to power supply terminal 19 . The emitter of emitter follower transistor 24 is connected to output terminal 26 . The emitter of emitter follower transistor 25 is connected to output terminal 27 .

入力端子20にハイレベルが供給され、入力端子21に
ローレベルが供給されると、トランジスタ11がオンし
、トランジスタ12がオフする。
When a high level is supplied to the input terminal 20 and a low level is supplied to the input terminal 21, the transistor 11 is turned on and the transistor 12 is turned off.

このため、トランジスタ11のコレクタの出力がローレ
ベルになり、トランジスタ12のコレクタの出力がハイ
レベルになる。したがって、出力端子26からローレベ
ルが出力され、出力端子27からハイレベルが出力され
る。
Therefore, the output from the collector of transistor 11 becomes low level, and the output from the collector of transistor 12 becomes high level. Therefore, a low level is output from the output terminal 26 and a high level is output from the output terminal 27.

入力端子21にハイレベルが供給され、入力端子20に
ローレベルが供給されると、トランジスタ12がオンし
、トランジスタ11がオフする。
When a high level is supplied to the input terminal 21 and a low level is supplied to the input terminal 20, the transistor 12 is turned on and the transistor 11 is turned off.

このため、トランジスタ12のコレクタがローレベルに
なり、トランジスタ11のコレクタがハイレベルになる
。したがって、出力端子26からハイレベルが出力され
、トランジスタ27からローレベルが出力される。
Therefore, the collector of transistor 12 becomes low level, and the collector of transistor 11 becomes high level. Therefore, the output terminal 26 outputs a high level, and the transistor 27 outputs a low level.

出力端子26及び27からの出力信号のハイレベルV、
は、電源端子19に供給される電源電圧VCC%エミッ
タフォロワトランジスタ24及び25のベース・エミッ
タ間電圧をV、とすると、’JH=Vcc−Vat となる。
the high level V of the output signals from the output terminals 26 and 27;
is the power supply voltage VCC% supplied to the power supply terminal 19. If the base-emitter voltage of the emitter follower transistors 24 and 25 is V, then 'JH=Vcc-Vat.

ECL回路1の出力端子26及び27がレベルシスト回
路2の入力端子31及び32に夫々接続される。入力端
子31が抵抗33を介してトランジスタ35のコレクタ
に接続され、抵抗33とトランジスタ35のコレクタと
の接続点が出力端子37に接続される。入力端子32が
抵抗34を介してトランジスタ36のコレクタに接続さ
れ、抵抗34とトランジスタ36のコレクタとの接続点
が出力端子38に接続される。
Output terminals 26 and 27 of ECL circuit 1 are connected to input terminals 31 and 32 of level shift circuit 2, respectively. Input terminal 31 is connected to the collector of transistor 35 via resistor 33, and a connection point between resistor 33 and the collector of transistor 35 is connected to output terminal 37. Input terminal 32 is connected to the collector of transistor 36 via resistor 34, and a connection point between resistor 34 and the collector of transistor 36 is connected to output terminal 38.

トランジスタ35のエミッタが抵抗39を介して接地端
子15に接続される。トランジスタ36のエミッタが抵
抗40を介して接地端子15に接続される。トランジス
タ35及び36のベースがトランジスタ41のベースに
共通接続される。トランジスタ41のエミッタが抵抗4
2を介して接地端子15に接続される。トランジスタ4
1のベースが抵抗43を介して接地端子15に接続され
ると共に、トランジスタ44のエミッタに接続される。
The emitter of transistor 35 is connected to ground terminal 15 via resistor 39. The emitter of transistor 36 is connected to ground terminal 15 via resistor 40. The bases of transistors 35 and 36 are commonly connected to the base of transistor 41. The emitter of transistor 41 is resistor 4
2 to the ground terminal 15. transistor 4
The base of transistor 1 is connected to ground terminal 15 via resistor 43 and to the emitter of transistor 44 .

トランジスタ41のコレクタがトランジスタ44のベー
スに接続されると共に、PNP形トランジスタ45のコ
レクタに接続される。
The collector of transistor 41 is connected to the base of transistor 44 and to the collector of PNP transistor 45.

トランジスタ44のコレクタが電源端子19に接続され
る。トランジスタ45のエミッタが抵抗46を介して電
源端子19に接続される。トランジスタ45のベースと
接地端子15との間に基準電圧源47が接続される。
A collector of transistor 44 is connected to power supply terminal 19 . The emitter of transistor 45 is connected to power supply terminal 19 via resistor 46 . A reference voltage source 47 is connected between the base of transistor 45 and ground terminal 15.

レベルシフト回路2の出力端子37の出力レベルVou
tlは、入力端子31に供給される入力レベルをVin
+ 、抵抗33の抵抗値をR33、トランジスタ35を
流れる電流を12とすると、Voutl=Vin+  
 1zRss    ・・・C1)となる。
Output level Vou of output terminal 37 of level shift circuit 2
tl is the input level supplied to the input terminal 31, Vin
+, the resistance value of the resistor 33 is R33, and the current flowing through the transistor 35 is 12, then Voutl=Vin+
1zRss...C1).

また、レベルシフト回路2の出力端子38の出力レベル
Voutzは、入力端子32に供給される入力レベルを
V’tnz 、抵抗34の抵抗値をR34、トランジス
タ36を流れる電流を13とすると、Voutz= V
inz    i 3  R34・ ・ ・ (2)と
なる。
Further, the output level Voutz of the output terminal 38 of the level shift circuit 2 is calculated as follows, where V'tnz is the input level supplied to the input terminal 32, R34 is the resistance value of the resistor 34, and 13 is the current flowing through the transistor 36. V
inz i 3 R34... (2).

トランジスタ41.44及びトランジスタ35゜36は
、カレントミラー回路を構成している。したがって、ト
ランジスタ35及び36を流れる電流12及びi3は、
トランジスタ45を流れる電流i、に等しく、(i +
 = it ” t*)である。
Transistors 41, 44 and transistors 35, 36 constitute a current mirror circuit. Therefore, currents 12 and i3 flowing through transistors 35 and 36 are:
The current i flowing through the transistor 45 is equal to (i +
= it”t*).

基準電圧源47の基準電圧を■え、トランジスタ45の
ベース・エミッタ間電圧をVIIEとすると、トランジ
スタ45のエミッタ電圧は、(vR+v■)である。し
たがって、抵抗46の抵抗値をR4い電源端子19に供
給される電源電圧をVccとすると、トランジスタ45
を流れる電流i、は、i+ ” (Vcc −(V* 
+Vmt))/R<6HHH(3)となる。
If the reference voltage of the reference voltage source 47 is set to 1, and the base-emitter voltage of the transistor 45 is VIIE, then the emitter voltage of the transistor 45 is (vR+v). Therefore, if the resistance value of the resistor 46 is R4 and the power supply voltage supplied to the power supply terminal 19 is Vcc, then the transistor 45
The current i flowing through is i+ ” (Vcc −(V*
+Vmt))/R<6HHH (3).

(t、wig =ti)であるから、(1)式、(3)
式より、出力端子37の出力レベルVout、は、とし
て求められる。また、(2)式、(3)式より、出力端
子38の出力レベルVoutzは、 として求められる。
(t, wig = ti), so equation (1), (3)
From the equation, the output level Vout of the output terminal 37 can be obtained as follows. Further, from equations (2) and (3), the output level Voutz of the output terminal 38 is obtained as follows.

ここで、R46= Ryx = Rsaとなるように抵
抗46.33.34の抵抗値を設定すれば、Vout+
=Vin、   (Vcc−V*  VIIE)  ・
・・(6)Voutz=Vinz   (Vcc−V、
1−Vat)  ・・・(7)となる。
Here, if the resistance values of resistors 46, 33, and 34 are set so that R46=Ryx=Rsa, Vout+
=Vin, (Vcc-V* VIIE) ・
...(6) Voutz=Vinz (Vcc-V,
1-Vat) ...(7).

レベルシフト回路2の入力端子31及び32には、EC
L回路1の出力が供給される。ECL回路1の出力信号
のハイレベル■、は、前述のように、。
The input terminals 31 and 32 of the level shift circuit 2 have an EC
The output of L circuit 1 is supplied. The high level ■ of the output signal of the ECL circuit 1 is as described above.

VH=Vcc−VB      ・・・(8)である。VH=Vcc-VB (8).

このECL回路1の出力がレベルシフト回路2の入力信
号V in、及びV inzとして入力端子31及び3
2に供給される。したがって、EcL回路回路臼力端子
26の出力又は出力端子27の出力がハイレベルの時に
は、(6)式、(7)式より、レベルシフト回路2の出
力端子37の出力又は出力端子38の出力は、夫々、 voutl−vR・・・(9) Voutr= V+y        ・・・(10)
となる、上式かられかるように、出力端子37及び38
から出力される信号レベルは、基準電圧源47の基準電
圧v、Iにより設定される。この出力信号レベルは、電
源端子19に供給される電源電圧Vccに依存していな
い。したがって、電源電圧Vccに変動が生じても、出
力端子37及び38の出力信号レベルの変動は生じない
The output of this ECL circuit 1 is input to input terminals 31 and 3 as input signals V in and V inz of the level shift circuit 2.
2. Therefore, when the output of the EcL circuit power terminal 26 or the output of the output terminal 27 is at a high level, the output of the output terminal 37 or the output of the output terminal 38 of the level shift circuit 2 is determined from equations (6) and (7). are respectively voutl-vR...(9) Voutr=V+y...(10)
As can be seen from the above formula, the output terminals 37 and 38
The signal level output from the reference voltage source 47 is set by the reference voltages v and I of the reference voltage source 47. This output signal level does not depend on the power supply voltage Vcc supplied to the power supply terminal 19. Therefore, even if the power supply voltage Vcc fluctuates, the output signal levels of the output terminals 37 and 38 do not fluctuate.

ところで、上述の一実施例におけるPNP形トランジス
タ45としては、その電流増幅率hFEが小さいとその
ベース電流が無視できない程大きくなってしまうため、
電流増幅率hrtの大きいものを用いる必要がある。し
たがって、ラテラルトランジスタを使う場合には、第2
図に示すように、PNPN上形ンジスタ51とNPN形
トランジスタ52とをコンプリメンタリダーリントン接
続して、電流増幅率hFEを高くするようにする必要が
ある。
By the way, if the current amplification factor hFE of the PNP transistor 45 in the above-mentioned embodiment is small, the base current will become so large that it cannot be ignored.
It is necessary to use one with a large current amplification factor hrt. Therefore, when using lateral transistors, the second
As shown in the figure, it is necessary to connect the PNPN upper type transistor 51 and the NPN type transistor 52 in a complementary Darlington connection to increase the current amplification factor hFE.

ところが、このように、PNP形トランジスタ45の代
わりにPNPN上形ンジスタ51とNP形トランジスタ
52のダーリントン接続を用いると、NPN形トランジ
スタ52のベース・エミッタ間電圧Vl!が付加される
ため、その分PNP形トランジスタ51のベースに供給
する基準電圧V8を低く設定できなくなり、基準電圧V
Rを3v■以上にしなければならない。(9)式、αΦ
式より、出力電圧Vout、及びVoutzは、基準電
圧v8と等しい。このため、基準電圧VRを低く設定で
きないと、出力電圧Vout+及びVoutzを低く設
定できなくなる。
However, when the Darlington connection of the PNPN upper type transistor 51 and the NP type transistor 52 is used in place of the PNP type transistor 45, the base-emitter voltage Vl! of the NPN type transistor 52 increases. is added, it becomes impossible to set the reference voltage V8 supplied to the base of the PNP transistor 51 that much lower, and the reference voltage V
R must be set to 3v■ or more. Equation (9), αΦ
From the formula, the output voltages Vout and Voutz are equal to the reference voltage v8. Therefore, if the reference voltage VR cannot be set low, the output voltages Vout+ and Voutz cannot be set low.

b、他の実施例 第3図は、この発明の他の実施例を示すものである。第
3図において、1はECL回路である。
b. Other Embodiments FIG. 3 shows another embodiment of the present invention. In FIG. 3, 1 is an ECL circuit.

このECL回路lは、前述の一実施例と同様に構成され
ている。ECL回路1の出力端子26及び27がレベル
シフト回路3の入力端子61及び62に夫々接続される
This ECL circuit 1 is constructed in the same manner as in the previous embodiment. Output terminals 26 and 27 of ECL circuit 1 are connected to input terminals 61 and 62 of level shift circuit 3, respectively.

入力端子61が抵抗63を介してトランジスタ65のコ
レクタに接続され、抵抗63とトランジスタ65のコレ
クタの接続点が出力端子67に接続される。入力端子6
2が抵抗64を介してトランジスタ66のコレクタに接
続され、抵抗64とトランジスタ66のコレクタの接続
点が出力端子68に接続される。
Input terminal 61 is connected to the collector of transistor 65 via resistor 63, and a connection point between resistor 63 and the collector of transistor 65 is connected to output terminal 67. Input terminal 6
2 is connected to the collector of a transistor 66 via a resistor 64, and a connection point between the resistor 64 and the collector of the transistor 66 is connected to an output terminal 68.

トランジスタ65のエミッタが抵抗69を介して接地端
子15に接続される。トランジスタ66のエミッタが抵
抗70を介して接地端子15に接続される。トランジス
タ65及びトランジスタ66のベースがトランジスタ7
1のベースに接続される。トランジスタ71のエミッタ
が抵抗72を介して接地端子15に接続される。トラン
ジスタ71のベースが抵抗73を介して接地端子15に
接続されると共に、トランジスタ74のエミッタに接続
される。トランジスタ74のコレクタが電源端子19に
接続される。
The emitter of transistor 65 is connected to ground terminal 15 via resistor 69. The emitter of transistor 66 is connected to ground terminal 15 via resistor 70. The bases of transistor 65 and transistor 66 are transistor 7
Connected to the base of 1. The emitter of transistor 71 is connected to ground terminal 15 via resistor 72. The base of transistor 71 is connected to ground terminal 15 via resistor 73 and to the emitter of transistor 74. A collector of transistor 74 is connected to power supply terminal 19 .

トランジスタ740ベースとトランジスタ71のコレク
タとの接続点がトランジスタ75のエミッタに接続され
る。トランジスタ75のベースがPNP形トシトランジ
スタフ6レクタに接続され、トランジスタ75のコレク
タがトランジスタ76のエミッタに接続され、トランジ
スタ75及び76がコンプリメンタリダーリントン接続
とされる。
A connection point between the base of transistor 740 and the collector of transistor 71 is connected to the emitter of transistor 75. The base of the transistor 75 is connected to the collector of the PNP type transistor 6, the collector of the transistor 75 is connected to the emitter of the transistor 76, and the transistors 75 and 76 are connected in a complementary Darlington manner.

トランジスタ75のコレクタとトランジスタ76のエミ
ッタとの接続点が抵抗77を介して電源端子19に接続
されると共に、トランジスタ75のコレクタとトランジ
スタ76のエミッタとの接続点が抵抗78の一端に接続
される。
A connection point between the collector of the transistor 75 and the emitter of the transistor 76 is connected to the power supply terminal 19 via a resistor 77, and a connection point between the collector of the transistor 75 and the emitter of the transistor 76 is connected to one end of the resistor 78. .

抵抗78の他端がダイオード79のアノードに接続され
ると共に、抵抗78の他端と接地端子l巨との間に基準
電圧源80が接続される。ダイオード79のカソードが
抵抗81を介してトランジスタ76のベースに接続され
ると共に、抵抗82を介して接地端子15に接続される
The other end of resistor 78 is connected to the anode of diode 79, and a reference voltage source 80 is connected between the other end of resistor 78 and the ground terminal. The cathode of the diode 79 is connected to the base of the transistor 76 via a resistor 81 and to the ground terminal 15 via a resistor 82.

レベルシフト回路3の出力端子67及び68の出力レベ
ルVout+1及びVout+zは、入力端子61及び
62に供給される入力レベルを夫々Vii+及びVin
Ilとし、抵抗63及び64の抵抗値を夫々R&3及び
Rbaとし、トランジスタ65及び66を流れる電流を
夫々iI!及びi13とすると、V、0Llt11−V
in++−1+zRhs   ” ’ (11)Vou
tB =Vin+z−i rffRba   ・・・(
12)となる。
The output levels Vout+1 and Vout+z of the output terminals 67 and 68 of the level shift circuit 3 are the input levels supplied to the input terminals 61 and 62, respectively, Vii+ and Vin.
Il, the resistance values of resistors 63 and 64 are R&3 and Rba, respectively, and the currents flowing through transistors 65 and 66 are iI!, respectively. and i13, then V, 0Llt11-V
in++-1+zRhs ” ' (11) Vou
tB = Vin + z-i rffRba ... (
12).

トランジスタ71.74及びトランジスタ65゜66は
、カレントミラー回路を構成している。したがって、ト
ランジスタ65及び66を流れる電流11□及びi+3
は、ダーリントン接続のトランジスタ75及び76を流
れる電流i、に等しく、(i ++ −i lt= t
 +s)である。
Transistors 71, 74 and transistors 65, 66 constitute a current mirror circuit. Therefore, the currents 11□ and i+3 flowing through transistors 65 and 66
is equal to the current i flowing through the Darlington connected transistors 75 and 76, and (i ++ −i lt= t
+s).

この電流izは、以下のようにして求められる。This current iz is determined as follows.

基準電圧源80の電圧をV、い抵抗81の抵抗値をR8
1、抵抗82の抵抗値をR11zとし、ダイオード79
の電圧降下を■□とすると、トランジスタ76のベース
に供給される電圧■□は、VII+= (VFI  V
IE) Rat/ (Ra++Rsz)・・(13)と
なる。トランジスタ76のエミッタの電圧v1は、この
電圧v、lIより、トランジスタ76のベース・エミッ
タ間電圧■。だけ高いレベルにあり、V、=V□+V、
      ・・・(14)である。したがって、電源
端子19の電源電圧VCCとダーリントン接続のトラン
ジスタ75のコレクタとトランジスタ76のエミッタと
の接続点の電圧■。との電位差は、 Vcc −VE= Vcc −VRI  Vst   
・・:(15)となり、基準電圧vFIと、ダーリント
ン接続のトランジスタ75のコレクタとトランジスタ7
6のエミッタとの接続点の電圧v2の電位差は、VFI
−VE =VFI  V+u  Vat   ・・・(
16)となる。故に、抵抗77の抵抗値をR??とする
と、抵抗77を流れる電流i+4は、 1I4=(vcc−vlIl−■、t)/R7?・・・
(17)となり、また、抵抗78の抵抗値をR71とす
ると、抵抗78を介して流れる電流itsは、i+s=
 (VFI−Vll  Vmi) /R1s  ・・(
18)となる。
The voltage of the reference voltage source 80 is V, and the resistance value of the resistor 81 is R8.
1. The resistance value of the resistor 82 is R11z, and the diode 79
Assuming that the voltage drop in is ■□, the voltage supplied to the base of the transistor 76 is VII
IE) Rat/ (Ra++Rsz)...(13). The voltage v1 at the emitter of the transistor 76 is the voltage between the base and emitter of the transistor 76 from the voltages v and lI. is at a higher level, V,=V□+V,
...(14). Therefore, the voltage at the connection point between the power supply voltage VCC of the power supply terminal 19 and the Darlington-connected collector of the transistor 75 and the emitter of the transistor 76 is . The potential difference between Vcc - VE= Vcc - VRI Vst
...: (15), and the reference voltage vFI, the collector of the Darlington-connected transistor 75, and the transistor 7
The potential difference of the voltage v2 at the connection point with the emitter of 6 is VFI
-VE=VFI V+u Vat...(
16). Therefore, the resistance value of resistor 77 is R? ? Then, the current i+4 flowing through the resistor 77 is 1I4=(vcc-vlIl-■,t)/R7? ...
(17), and if the resistance value of the resistor 78 is R71, the current its flowing through the resistor 78 is i+s=
(VFI-Vll Vmi) /R1s...(
18).

ダーリントン接続のトランジスタ75及び76を流れる
電流iIIは、電流i、と電流itsとの和になる。し
たがって、ダーリントン接続のトランジスタ75及び7
6を流れる電流i、は、i++= (Vcc  %’H
VRIt)/R7y+ (VFI−V□−V□)/R?
I       ・・・(19)となる。
The current iII flowing through the Darlington-connected transistors 75 and 76 is the sum of the current i and the current its. Therefore, Darlington connected transistors 75 and 7
The current i flowing through 6 is i++= (Vcc %'H
VRIt)/R7y+ (VFI-V□-V□)/R?
I...(19).

レベルシフト回路3の入力端子61及び62には、EC
L回路1の出力が供給される。ECL回路1の出力信号
のハイレベルvHは、 VH= Vcc −Vat である*  (111=11□=i++)であり、出力
端子67及び68の出力レベルVout++及びVou
tlgは、Ql)式及び(ロ)式で示すように求められ
るので、入力端子61又は入力端子62にECL回路1
のハイレベルソイが供給された時の出力端子67の出力
レベルVout++又は出力端子68の出力レベルVo
ut+□は、夫々、 VoutxxtVcc   Vat−Rhs(V’cc
−Vl−Vat)/R?tVout+t=Vcc−V、
t  Rh4(Vcc−VRI  Vat)/Rvtと
なる。
The input terminals 61 and 62 of the level shift circuit 3 have an EC
The output of L circuit 1 is supplied. The high level vH of the output signal of the ECL circuit 1 is VH = Vcc - Vat * (111 = 11□ = i++), and the output levels of the output terminals 67 and 68 Vout++ and Vou
Since tlg is obtained as shown in equations Ql) and Equations (b), the ECL circuit 1 is connected to the input terminal 61 or input terminal 62.
The output level Vout++ of the output terminal 67 or the output level Vo of the output terminal 68 when a high level soi of is supplied
ut+□ are respectively VoutxxtVcc Vat-Rhs(V'cc
-Vl-Vat)/R? tVout+t=Vcc-V,
tRh4(Vcc-VRI Vat)/Rvt.

(20)式及び(21)式において、 Ro=R64=R9?      ・・・(22)とす
れば、Vccの項を消すことができる。電圧V1は、(
13)式より、 VRI−(VFI−VIE)Rat/ (Ra++Rs
z)として求められる。ここで、 Rag/ (Rs++Rsz) =に とし、 VII+= (VFI  Vat) Kとし、(Rhx
 = R64= Rt、)とすると、出力レベルVou
t++及びVoutBは、 Vout++  =((Ras+Rts)K/R?I 
 Rb3/Rq*)(VFI−Vat)       
 ・ ・ ・(23)Vout+t  −((R&4’
+ Rt*)  K/ Roll  Rba/ Rol
l)(V□−vlり       ・ ・ ・(24)
となる。
In equations (20) and (21), Ro=R64=R9? ...(22), the Vcc term can be eliminated. The voltage V1 is (
13) From formula, VRI-(VFI-VIE)Rat/ (Ra++Rs
z). Here, Rag/ (Rs++Rsz) = VII+= (VFI Vat) K, (Rhx
= R64= Rt, ), the output level Vou
t++ and VoutB are: Vout++ = ((Ras+Rts)K/R?I
Rb3/Rq*) (VFI-Vat)
・ ・ ・(23) Vout+t −((R&4'
+ Rt*) K/ Roll Rba/ Roll
l) (V□-vlri ・ ・ ・(24)
becomes.

(23)式、 (24)式より、出力レベルVoutz
及びVout+zは、電源電圧Vccに依存しない。
From equations (23) and (24), the output level Voutz
and Vout+z are independent of power supply voltage Vcc.

(23)式、 (24)式より、(VFI−Vat)よ
り温度特性が決まる。基準電源80の電圧VFIを例え
ば4.2v、ベース・エミッタ間電圧VIEを例えば0
゜7vとすると、 VFI  VI!= 3.5 V となる。ベース・エミッタ間電圧v0が例えば1°Cあ
たり2mV変化するとすると、(VFI  VIE”3
.5V)であるから、ベース・エミッタ間電圧v、tが
1°C変化したときの変化に対する(VFI ”−Va
t)の変化の割合は、 (3500/2) X100 =0.057%である。
From equations (23) and (24), the temperature characteristics are determined from (VFI-Vat). The voltage VFI of the reference power supply 80 is set to 4.2v, for example, and the base-emitter voltage VIE is set to 0, for example.
If it is ゜7v, VFI VI! = 3.5 V. For example, if the base-emitter voltage v0 changes by 2 mV per 1°C, (VFI VIE"3
.. 5V), so when the base-emitter voltage v, t changes by 1°C, (VFI ”-Va
The rate of change in t) is (3500/2) X100 = 0.057%.

上式より、40°C温度変化が生じたとしても、(VF
I  Vat)に対する変化の割合は、0.057%X
 40 = 2.3% 程度である。したがって、第3図に示すレベルシフト回
路は、温度特性が非常に良好であるといえる。
From the above equation, even if a 40°C temperature change occurs, (VF
The percentage change in I Vat) is 0.057%X
40 = about 2.3%. Therefore, it can be said that the level shift circuit shown in FIG. 3 has very good temperature characteristics.

C0更に他の実施例 第4図はこの発明の更に他の実施例である。第4図にお
いて、1はECL回路である。このECL回路1は、前
述の一実施例と同様に構成されている。ECL回路1の
出力端子26及び27がレベルシフト回路4の入力端子
91及び92に夫々接続される。
C0 Still Other Embodiment FIG. 4 shows still another embodiment of the present invention. In FIG. 4, 1 is an ECL circuit. This ECL circuit 1 is constructed in the same manner as the previous embodiment. Output terminals 26 and 27 of ECL circuit 1 are connected to input terminals 91 and 92 of level shift circuit 4, respectively.

入力端子91が抵抗93を介してトランジスタ95のコ
レクタに接続されると共に、出力端子97に接続される
。入力端子92が抵抗94を介してトランジスタ96の
コレクタに接続されると共に、出力端子98に接続され
る。
Input terminal 91 is connected to the collector of transistor 95 via resistor 93 and to output terminal 97 . An input terminal 92 is connected to the collector of a transistor 96 via a resistor 94 and to an output terminal 98 .

トランジスタ95のエミッタが抵抗99を介して接地端
子15に接続される。トランジスタ96のエミッタが抵
抗100を介して接地端子15に接続される。トランジ
スタ95及び96のベースが共通接続され、この接続点
がトランジスタ101のベースに接続されると共に、ト
ランジスタ102のエミッタに接続される。トランジス
タ101のエミッタが抵抗103を介して接地端子15
に接続される。トランジスタ102のエミッタが抵抗1
04を介して接地端子15に接続される。
The emitter of transistor 95 is connected to ground terminal 15 via resistor 99. The emitter of transistor 96 is connected to ground terminal 15 via resistor 100. The bases of transistors 95 and 96 are commonly connected, and this connection point is connected to the base of transistor 101 and the emitter of transistor 102. The emitter of the transistor 101 is connected to the ground terminal 15 via the resistor 103.
connected to. The emitter of transistor 102 is resistor 1
04 to the ground terminal 15.

トランジスタ102のコレクタが電源端子19に接続さ
れる。トランジスタ102のベースがトランジスタ10
1のコレクタに接続される。
A collector of transistor 102 is connected to power supply terminal 19 . The base of the transistor 102 is the transistor 10
1 collector.

NPN形トランジスタ105のベースがPNP形トラン
ジスタ106のコレクタに接続され、トランジスタ10
5のコレクタがトランジスタ106のエミッタに接続さ
れ、トランジスタ105及び106がコンプリメンタリ
ダーリントン接続とされる。トランジスタ105のエミ
ッタがトランジスタ102のベースとトランジスタ10
1のコレクタとの接続点に接続される。トランジスタ1
05のコレクタとトランジスタ106のエミッタとの接
続点が抵抗107を介して電源端子19に接続される。
The base of the NPN transistor 105 is connected to the collector of the PNP transistor 106, and the transistor 10
The collector of transistor 5 is connected to the emitter of transistor 106, and transistors 105 and 106 are connected in a complementary Darlington manner. The emitter of transistor 105 is connected to the base of transistor 102 and transistor 10.
It is connected to the connection point with the collector of 1. transistor 1
A connection point between the collector of transistor 05 and the emitter of transistor 106 is connected to power supply terminal 19 via resistor 107.

NPN形トランジスタ108のベースがPNP形トラン
ジスタ109のコレクタに接続され、トランジスタ10
8のコレクタがトランジスタ109のエミッタに接続さ
れ、トランジスタ108及び109がコンプリメンタリ
ダーリントン接続とされる。トランジスタ10Bのエミ
ッタがトランジスタ102のベースとトランジスタ10
1のコレクタとの接続点に接続される。トランジスタ1
08のコレクタとトランジスタ109のエミッタとの接
続点が抵抗110の一端に接続される。
The base of the NPN transistor 108 is connected to the collector of the PNP transistor 109, and the transistor 10
The collector of transistor 8 is connected to the emitter of transistor 109, and transistors 108 and 109 are connected in a complementary Darlington manner. The emitter of transistor 10B is connected to the base of transistor 102 and transistor 10
It is connected to the connection point with the collector of 1. transistor 1
A connection point between the collector of transistor 08 and the emitter of transistor 109 is connected to one end of resistor 110.

抵抗110の他端と接地端子15との間に基準電圧源1
11が接続されると共に、抵抗112゜113.114
の直列接続が接続される。抵抗112と抵抗113の接
続点がトランジスタ115のベースに接続される。トラ
ンジスタ115のコレクタが電源端子19に接続される
。トランジスタ115のエミッタがトランジスタ109
のベースに接続されると共に、抵抗116を介して接地
端子15に接続される。抵抗113と抵抗114の接続
点がトランジスタ106のベースに接続される。
A reference voltage source 1 is connected between the other end of the resistor 110 and the ground terminal 15.
11 is connected, and the resistor 112゜113.114
A series connection of is connected. A connection point between resistor 112 and resistor 113 is connected to the base of transistor 115. A collector of transistor 115 is connected to power supply terminal 19 . The emitter of transistor 115 is transistor 109
It is also connected to the ground terminal 15 via a resistor 116. A connection point between resistor 113 and resistor 114 is connected to the base of transistor 106.

レベルシフト回路4の出力端子97及び98の出力レベ
ルVoutz+及びVouttzは、入力端子91及び
92に供給される入力レベルを夫々Vinz+及びV 
1nztとし、抵抗93及び94の抵抗値をR9:I+
  R94とし、トランジスタ95及び96を流れる電
流をitt及びitsとすると、 Vout、 =VinHtffi!R93H+ ・(3
1)VoutB =Vintz  1zsRq4・・・
(32)となる。
The output levels Voutz+ and Vouttz of the output terminals 97 and 98 of the level shift circuit 4 are the input levels supplied to the input terminals 91 and 92, respectively, Vinz+ and Voutz.
1nzt, and the resistance values of resistors 93 and 94 are R9:I+
When R94 is assumed and the currents flowing through transistors 95 and 96 are itt and its, Vout, =VinHtffi! R93H+ ・(3
1) VoutB = Vintz 1zsRq4...
(32).

トランジスタ101,102及びトランジスタ95.9
6はカレントミラー回路を構成している。
Transistors 101, 102 and transistors 95.9
6 constitutes a current mirror circuit.

したがって、トランジスタ95及び96を流れる電流i
gz及びiziは、トランジスタ101を流れる電流i
z+に等しい。トランジスタ101を流れる電流it、
は、ダーリントン接続のトランジスタ105及び106
を流れる電流izaとダーリントン接続のトランジスタ
108及び109を流れる電流i2sとの和になる。
Therefore, the current i flowing through transistors 95 and 96
gz and izi are the current i flowing through the transistor 101;
Equal to z+. A current it flowing through the transistor 101,
are Darlington connected transistors 105 and 106
It is the sum of the current iza flowing through the transistors 108 and 109 connected in Darlington and the current i2s flowing through the Darlington-connected transistors 108 and 109.

ダーリントン接続のトランジスタ105及び106を流
れる電流124は、以下のようにして求められる。
The current 124 flowing through the Darlington-connected transistors 105 and 106 is determined as follows.

基準電圧源111の電圧をVyl。とするとし、抵抗1
12,113,114の抵抗値を夫々RI 12、RI
 I 3+ RI 14とすると、抵抗113と抵抗1
14の接続点の電圧V+Zは、 vlt=vFI+l R114/(RI+2 +R11
1+R114,)・・・(33) として求められる。ここで、 KII=R114/(RItz + RII3 +RI
l#)とおくとすると、 v、t=vF1.に、・・・(34) である。トランジスタ106のベースには、この電圧V
1□(=vF、。K + 1)が供給される。したがっ
て、トランジスタ106のエミッタ電圧V、、。
The voltage of the reference voltage source 111 is Vyl. Suppose that resistance 1
The resistance values of 12, 113, and 114 are RI 12 and RI, respectively.
If I 3 + RI 14, then resistor 113 and resistor 1
The voltage V+Z at the 14 connection points is vlt=vFI+l R114/(RI+2 +R11
1+R114,)...(33) It is obtained as follows. Here, KII=R114/(RItz + RII3 +RI
l#), then v, t=vF1. ...(34). This voltage V is applied to the base of transistor 106.
1□ (=vF, .K + 1) is supplied. Therefore, the emitter voltage of transistor 106, V, .

は、ベース・エミッタ間電圧をvII[とすると、Vt
++ =VFIll K+1十V++t    ・・・
(35)となる。これにより、電源端子19の電源電圧
をVcc、抵抗107の抵抗値をR8゜、とすると、ダ
ーリントン接続のトランジスタ105及び106を流れ
る電流izaが とじて求められる。
If the base-emitter voltage is vII[, then Vt
++ =VFIll K+10V++t...
(35). As a result, assuming that the power supply voltage of the power supply terminal 19 is Vcc and the resistance value of the resistor 107 is R8°, the current iza flowing through the Darlington-connected transistors 105 and 106 can be determined.

一方、ダーリントン接続のトランジスタ108及び10
9を流れる電流i2sは、以下のようにして求められる
On the other hand, Darlington connected transistors 108 and 10
The current i2s flowing through 9 is determined as follows.

抵抗112と抵抗113の接続点の電圧V 11は、V
++=Vy+o(R++z +R++t)/(RIB 
”R113+R,、、)          ・・・(
37)として求められる。ここで、 K1□”” (R+ 13 + R+ +オ)/(R+
+z + R113+R+++)とおくとすると、 Vll−VFI(I Kit      ・・・(38
)である。トランジスタ109のベースには、この電圧
Vll (=VFlOKHz)よりトランジスタ115
のベース・エミッタ間電圧V+を低い電圧が供給される
。したがって、トランジスタ109のエミッタ電圧Vt
+tは、 Vc+g   =VFl(I   KHz      
     ・  ・  ・ (39)となる、これによ
り、抵抗110の抵抗値をRI 1゜とすると、ダーリ
ントン接続のトランジスタ108及び109を流れる電
流i2sが 1ts= (VFIO−VFIo Kit) /R+t
o ・・(40)として求められる。
The voltage V 11 at the connection point between resistor 112 and resistor 113 is V
++=Vy+o(R++z +R++t)/(RIB
”R113+R,,,) ・・・(
37). Here, K1□”” (R+ 13 + R+ + O)/(R+
+z + R113+R+++), then Vll-VFI(I Kit...(38
). The base of the transistor 109 is connected to the transistor 115 by this voltage Vll (=VFlOKHz).
A low voltage is supplied to the base-emitter voltage V+. Therefore, the emitter voltage Vt of transistor 109
+t is Vc+g =VFl(I KHz
・ ・ ・ (39) As a result, if the resistance value of the resistor 110 is RI 1°, the current i2s flowing through the Darlington-connected transistors 108 and 109 is 1ts = (VFIO-VFIo Kit) /R+t
o...(40).

したがって、トランジスタ101を流れる電流iz+は
、 iz+= (VCCVFIOKit−Vat) /R1
(1?+ (VFI6−VFIOKit) / RIl
o ・・(41)となる。トランジスタ95及び96に
流れる電流12□及び10は、この電流ir+に等しい
Therefore, the current iz+ flowing through the transistor 101 is: iz+= (VCCVFIOKit-Vat)/R1
(1?+ (VFI6-VFIOKit) / RIl
o...(41). Currents 12□ and 10 flowing through transistors 95 and 96 are equal to this current ir+.

レベルシフト回路4の入力端子91及び92には、EC
L回路1の出力が供給される。ECL回路1の入力信号
のハイレベルVHは、 VH=Vcc  Vllg である。(iz+=iz□=tz*)であり、出力端子
97及び98の出力レベルVoutz+及びVoutz
tは、(31)式、 (32)式で示すように求められ
るので、入力端子91又は入力端子92にECL回路1
のハイレベルvHが供給された時の出力端子97の出力
レベルVoutz+又は出力端子98の出力レベルVo
ut!□は、夫々、 Voutzt  =VCC−v+t−(Vcc  VF
III  Kll  Vat)  R94/R++a 
  (VFIO−VFIOK + g)  Rqs/ 
R+ +。     ・ ・ ・(42)VouLB 
 −Vcc−Vlg−(Vcc−VFIo  Kit 
 Vat)  R94/ RIoy    (VFI6
   VFIOKlりR94/R++a      ・
 ・ ・(43)となる。
Input terminals 91 and 92 of the level shift circuit 4 include an EC
The output of L circuit 1 is supplied. The high level VH of the input signal of the ECL circuit 1 is VH=Vcc Vllg. (iz+=iz□=tz*), and the output levels of the output terminals 97 and 98 are Voutz+ and Voutz
Since t is obtained as shown in equations (31) and (32), the ECL circuit 1 is connected to input terminal 91 or input terminal 92.
The output level Voutz+ of the output terminal 97 or the output level Vo of the output terminal 98 when the high level vH is supplied
ut! □ are respectively Voutzt =VCC-v+t-(Vcc VF
III Kll Vat) R94/R++a
(VFIO-VFIOK + g) Rqs/
R+ +.・ ・ ・(42) VouLB
-Vcc-Vlg-(Vcc-VFIo Kit
Vat) R94/RIoy (VFI6
VFIOKl R94/R++a ・
・ ・(43)

(42)式、 (43)式において、 R93−Rqa = Rr。7     ・・・(44
)とすると、 となる。(45)式、 (46)式から明らかなように
、出力レベルVout□及びVoutBは、電源電圧V
ccの項を含まず、また、温度特性の影響を受けるベー
ス・エミッタ間電圧vll!の項が含まれない。したが
って、電源電圧Vccに依存せず、温度特性が極めて良
好である。
In formulas (42) and (43), R93-Rqa = Rr. 7...(44
), then . As is clear from equations (45) and (46), the output levels Vout□ and VoutB are the power supply voltage V
The base-emitter voltage vll! does not include the term cc and is affected by temperature characteristics. This section is not included. Therefore, it does not depend on the power supply voltage Vcc and has extremely good temperature characteristics.

(45)式、 (46)式より、出力レベルは、直流電
圧VFI。の(K++  (I  K12) R93/
 R11゜)倍の出力となる。ここで、抵抗110の抵
抗値RIIOを十分大きくすると、 Voutz+ =VF111 K++     ・・・
(47)Voutzz =VFIOK++     ・
・・(4B)となる。抵抗110の抵抗値R++oを有
限なある値に下げれば、出力レベルVoutg+及びV
out、□は、■□。Kll以下にすることができる。
From equations (45) and (46), the output level is the DC voltage VFI. (K++ (I K12) R93/
R11°) times the output. Here, if the resistance value RIIO of the resistor 110 is made sufficiently large, Voutz+ =VF111 K++...
(47) Voutzz =VFIOK++ ・
...(4B). If the resistance value R++o of the resistor 110 is lowered to a certain finite value, the output levels Voutg+ and V
out, □ is ■□. It can be lower than Kll.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明に依れば、信号源回路の電源電圧と対応する電
流が形成され、この電流と等しい電流が抵抗33及び3
4に流される。入力端子31及び32には、電源電圧V
ccの依存を受ける信号源回路の出力が供給される。抵
抗33及び34を流れる電流が信号源回路の電源電圧と
対応して変化するため、出力端子37及び38からの出
力は、電源電圧VCCの依存を受けず、殆ど変動しない
According to this invention, a current corresponding to the power supply voltage of the signal source circuit is formed, and a current equal to this current is applied to the resistors 33 and 3.
4. The input terminals 31 and 32 are connected to the power supply voltage V
The output of the signal source circuit dependent on cc is supplied. Since the currents flowing through the resistors 33 and 34 change in accordance with the power supply voltage of the signal source circuit, the outputs from the output terminals 37 and 38 are not dependent on the power supply voltage VCC and hardly fluctuate.

このため、電源電圧Vccに依存するディジタル回路の
出力を変動の殆ど生じない適当なレベルにレベルシフト
してアナログ系の回路に供給することができる。
Therefore, the output of the digital circuit, which depends on the power supply voltage Vcc, can be level-shifted to an appropriate level with little fluctuation and then supplied to the analog circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例のブロック図、第2図はダ
ーリントン回路の説明に用いる接続図、第3図はこの発
明の他の実施例の接続図、第4図はこの発明の更に他の
実施例の接続図、第5図はECL回路の接続図である。 図面における主要な符号の説明 1:ECL回路、 2.3.4ニレベルシフト回路、 
19;電源端子、 31. 32. 61. 62.9
1,92:入力端子、 37.38,67゜6g、97
.98:出力端子。
Fig. 1 is a block diagram of one embodiment of this invention, Fig. 2 is a connection diagram used to explain the Darlington circuit, Fig. 3 is a connection diagram of another embodiment of this invention, and Fig. 4 is a further embodiment of this invention. A connection diagram of another embodiment, FIG. 5 is a connection diagram of an ECL circuit. Explanation of main symbols in the drawings 1: ECL circuit, 2.3.4 Two-level shift circuit,
19; power supply terminal, 31. 32. 61. 62.9
1,92: Input terminal, 37.38,67°6g, 97
.. 98: Output terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 信号源回路の電源電圧と対応する電流を発生する抵抗及
びトランジスタと基準電位間に接続されたカレントミラ
ーの入力側回路と、 上記入力側回路の出力信号が供給されるエミッタフォロ
ワトランジスタと上記トランジスタのエミッタと基準電
位点間に接続された抵抗及び上記カレントミラーの出力
側回路と を備え、上記抵抗及び上記カレントミラーの出力側回路
との間から出力を得るようにしたレベルシフト回路。
[Claims] An input side circuit of a current mirror connected between a reference potential and a resistor and transistor that generate a current corresponding to the power supply voltage of a signal source circuit, and an emitter to which an output signal of the input side circuit is supplied. A level comprising a follower transistor, a resistor connected between the emitter of the transistor and a reference potential point, and an output side circuit of the current mirror, and an output is obtained from between the resistor and the output side circuit of the current mirror. shift circuit.
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