JPH0124928Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0124928Y2 JPH0124928Y2 JP15513184U JP15513184U JPH0124928Y2 JP H0124928 Y2 JPH0124928 Y2 JP H0124928Y2 JP 15513184 U JP15513184 U JP 15513184U JP 15513184 U JP15513184 U JP 15513184U JP H0124928 Y2 JPH0124928 Y2 JP H0124928Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- base
- protrusion
- wafer
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(考案の属する技術分野)
本考案は半導体装置の製造工程の一つとして、
半導体基板(以下ウエハという)を赤外線または
可視光線によつて急速に加熱し、熱処理を行う装
置の改良に関するものである。
半導体基板(以下ウエハという)を赤外線または
可視光線によつて急速に加熱し、熱処理を行う装
置の改良に関するものである。
(従来の技術)
ウエハの熱処理装置については従来から種々提
案されている。第2図は本考案者が先に提案した
(特願昭59−119932号)ウエハ熱処理装置の断面
図である。ただしこの装置を包む外周の熱処理室
や、上下から熱を放射する加熱体はすべて省略し
てある。この図において1はほぼ円板に近いウエ
ハ、2はウエハ1および石英円板4を浮揚回転さ
せるためのガス噴出孔、2′は位置決め用ガス噴
出孔、3は石英製基台、4は石英円板、5は石英
製で円板4上にウエハを支持する複数の突起、6
はウエハ搬送入出用のフオーク(の両端)、7は
ガス導入口、8は基台3の周辺に設けた石英円板
の外れ防止壁をそれぞれ表わしている。
案されている。第2図は本考案者が先に提案した
(特願昭59−119932号)ウエハ熱処理装置の断面
図である。ただしこの装置を包む外周の熱処理室
や、上下から熱を放射する加熱体はすべて省略し
てある。この図において1はほぼ円板に近いウエ
ハ、2はウエハ1および石英円板4を浮揚回転さ
せるためのガス噴出孔、2′は位置決め用ガス噴
出孔、3は石英製基台、4は石英円板、5は石英
製で円板4上にウエハを支持する複数の突起、6
はウエハ搬送入出用のフオーク(の両端)、7は
ガス導入口、8は基台3の周辺に設けた石英円板
の外れ防止壁をそれぞれ表わしている。
第3図は第2図中の基台3の表面のガス噴出孔
の配置例図で、2は円板4とウエハ5の浮揚用の
ガス噴出孔、2′は円板4の周辺より円板にガス
を吹付け円板を一定位置に浮揚保持する位置決め
用の斜方向のガス噴出孔、2″は円板とウエハを
回転させるためのガス噴出孔をそれぞれ表わして
いる。(孔の直径は0.5mm程度で、矢印は噴出ガス
の吹出方向をほぼ示している。) さてイオン注入後のウエハの熱処理などでは、
上記の構造は良好な結果を与えるが、シリサイド
(ケイ素化物)などの形成膜を有するウエハの熱
処理においては、処理条件によつて(一般に1000
〜1100℃以上の高温処理でガス噴出孔2′からの
ガス流量が比較的多い場合)膜抵抗にむらが生じ
ることがあり、その原因としてガス噴出孔2′か
らの高速噴出ガス流の一部がウエハ1の上面と接
触するため冷却効果を起こすことがわかつた。
の配置例図で、2は円板4とウエハ5の浮揚用の
ガス噴出孔、2′は円板4の周辺より円板にガス
を吹付け円板を一定位置に浮揚保持する位置決め
用の斜方向のガス噴出孔、2″は円板とウエハを
回転させるためのガス噴出孔をそれぞれ表わして
いる。(孔の直径は0.5mm程度で、矢印は噴出ガス
の吹出方向をほぼ示している。) さてイオン注入後のウエハの熱処理などでは、
上記の構造は良好な結果を与えるが、シリサイド
(ケイ素化物)などの形成膜を有するウエハの熱
処理においては、処理条件によつて(一般に1000
〜1100℃以上の高温処理でガス噴出孔2′からの
ガス流量が比較的多い場合)膜抵抗にむらが生じ
ることがあり、その原因としてガス噴出孔2′か
らの高速噴出ガス流の一部がウエハ1の上面と接
触するため冷却効果を起こすことがわかつた。
(考案の具体的な目的)
本考案は上記従来の装置の問題を取り除き、噴
出ガス流がウエハの上面と直接接触することを防
いで、しかも良好な熱処理効果が得られるように
することを目的としている。
出ガス流がウエハの上面と直接接触することを防
いで、しかも良好な熱処理効果が得られるように
することを目的としている。
(考案の構成と作用)
第1図は本考案を実施したウエハ熱処理装置の
断面図である。ただし第2図同様熱処理室として
の外囲や加熱装置およびウエハの搬送用フオーク
などはすべて省略してある。第1図Aは第2図に
対応する改良された構造の一つを示すもので、石
英円板4の下面中央に突起9が設けられ、円板4
がガス噴出停止時に基台3の面に降下したとき、
石英基台3の上面中央(円板4の中心のほぼ直
下)に設けてある凹部10に着座できるようにし
てある。なお一例としてガス噴出孔は0.5φ、凹部
は2φ、深さ2mm、突起は高さ1〜1.5mmである。
第1図Bは第1図Aとは逆に石英基台3の上面中
央に突起9′を設け、石英円板の中心部にこの突
起を収容できる凹部11を設けたものである。ま
た第1図Cは石英基台3の上面中央に突起9″を
設け、石英円板の中心部にこの突起を差込むこと
ができる穴12を設けたものである。なお9と1
0,9′と11,9″と12の関係は一般にいずれ
も2や2″からのガス噴出がなく、石英円板4が
浮揚していない状態で互いに接触しないで設置で
きるようにクリアランスを設ける。本考案装置が
第2図の装置と異なる点の第1は、位置決め用の
ガス噴出孔2′が不要であり、かつ外れ防止壁8
も必要がないことである。この理由は以下の作用
の説明によつて明らかにする。
断面図である。ただし第2図同様熱処理室として
の外囲や加熱装置およびウエハの搬送用フオーク
などはすべて省略してある。第1図Aは第2図に
対応する改良された構造の一つを示すもので、石
英円板4の下面中央に突起9が設けられ、円板4
がガス噴出停止時に基台3の面に降下したとき、
石英基台3の上面中央(円板4の中心のほぼ直
下)に設けてある凹部10に着座できるようにし
てある。なお一例としてガス噴出孔は0.5φ、凹部
は2φ、深さ2mm、突起は高さ1〜1.5mmである。
第1図Bは第1図Aとは逆に石英基台3の上面中
央に突起9′を設け、石英円板の中心部にこの突
起を収容できる凹部11を設けたものである。ま
た第1図Cは石英基台3の上面中央に突起9″を
設け、石英円板の中心部にこの突起を差込むこと
ができる穴12を設けたものである。なお9と1
0,9′と11,9″と12の関係は一般にいずれ
も2や2″からのガス噴出がなく、石英円板4が
浮揚していない状態で互いに接触しないで設置で
きるようにクリアランスを設ける。本考案装置が
第2図の装置と異なる点の第1は、位置決め用の
ガス噴出孔2′が不要であり、かつ外れ防止壁8
も必要がないことである。この理由は以下の作用
の説明によつて明らかにする。
一般に浮揚回転ガスを停止したときは、石英円
板4と石英基台3とは面接触している。次にガス
噴出孔2および2″からガスの噴出が開始される
と円板4の下面と基台3の上面とは非接触となり
(円板の浮揚量は0.3〜0.5mm程度)、突起9と凹部
10とは時々接触しながら円板4はウエハ1と共
に浮揚回転する。しかし突起9と凹部10が設け
てあるので、円板4は9と10の接触範囲外にそ
れることはなく回転は安定であり、外れ防止壁8
は必要がない。なお本考案の装置においては、こ
の防止壁8がないので仮に回転円板4が許容され
た軌道外にそれようとしたとき、突起と円板の接
触部が回転中心のごく近傍にあるため、接触部9
の回転周速度が小さく、接触したときの衝撃が極
めて小さいという利点をもたらす。また位置決め
用のガス噴出孔2′がないので、噴出したガスが
高速度でウエハ1に接触することはない。
板4と石英基台3とは面接触している。次にガス
噴出孔2および2″からガスの噴出が開始される
と円板4の下面と基台3の上面とは非接触となり
(円板の浮揚量は0.3〜0.5mm程度)、突起9と凹部
10とは時々接触しながら円板4はウエハ1と共
に浮揚回転する。しかし突起9と凹部10が設け
てあるので、円板4は9と10の接触範囲外にそ
れることはなく回転は安定であり、外れ防止壁8
は必要がない。なお本考案の装置においては、こ
の防止壁8がないので仮に回転円板4が許容され
た軌道外にそれようとしたとき、突起と円板の接
触部が回転中心のごく近傍にあるため、接触部9
の回転周速度が小さく、接触したときの衝撃が極
めて小さいという利点をもたらす。また位置決め
用のガス噴出孔2′がないので、噴出したガスが
高速度でウエハ1に接触することはない。
(考案の効果)
ウエハを噴出ガスによつて浮揚させ、中心のず
れがごく狭い範囲内に限られる回転を行わせるこ
とができること、および噴出ガスがウエハの上面
に吹付けることによる冷却効果の悪影響がないこ
とから、温度分布の均一な熱処理が行われ噴出ガ
スによるウエハの汚れが発生しない、直径の異る
ウエハや円形でないウエハに対しても基台や円板
4を取替えずに使用できるという効果が得られ
る。
れがごく狭い範囲内に限られる回転を行わせるこ
とができること、および噴出ガスがウエハの上面
に吹付けることによる冷却効果の悪影響がないこ
とから、温度分布の均一な熱処理が行われ噴出ガ
スによるウエハの汚れが発生しない、直径の異る
ウエハや円形でないウエハに対しても基台や円板
4を取替えずに使用できるという効果が得られ
る。
第1図は本考案を実施したウエハ熱処理装置の
構成例断面図、第2図は従来の装置の一例の構造
例断面図、第3図は第2図中の基台表面のガス噴
出孔の配置例図である。 1……ウエハ、2,2′,2″……ガス噴出孔、
3……石英基台、4……石英円板、5……ウエハ
支持突起、6……ウエハ搬送用フオーク、7……
ガス導入口、8……外れ防止壁、9,9′,9″…
…突起、10,11……凹み、12……穴。
構成例断面図、第2図は従来の装置の一例の構造
例断面図、第3図は第2図中の基台表面のガス噴
出孔の配置例図である。 1……ウエハ、2,2′,2″……ガス噴出孔、
3……石英基台、4……石英円板、5……ウエハ
支持突起、6……ウエハ搬送用フオーク、7……
ガス導入口、8……外れ防止壁、9,9′,9″…
…突起、10,11……凹み、12……穴。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 外部から加熱されるウエハ熱処理室の内部に、
ガス導入口と複数のガス噴出口を有する基台と、
該基台の上面に設けられた前記複数のガス噴出口
から噴出されるガスによつて浮揚回転自在の円板
とを備え、 該円板には、上面に被処理ウエハを水平に保持
するための複数のウエハ支持突起が設けられ、 前記基台の上面と前記円板の底面のそれぞれ中
心部のいずれか一方に突起が他方に該突起が緩挿
される凹部が設けられ、前記円板が前記基台の上
面に設けられた前記複数のガス噴出口から噴出さ
れるガスによつて浮揚水平回転中も前記突起と前
記凹部が離脱しないような相対寸法で構成された
半導体基板の熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15513184U JPH0124928Y2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15513184U JPH0124928Y2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6170935U JPS6170935U (ja) | 1986-05-15 |
JPH0124928Y2 true JPH0124928Y2 (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=30713127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15513184U Expired JPH0124928Y2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0124928Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2804664B2 (ja) * | 1992-01-21 | 1998-09-30 | 株式会社日立製作所 | 試料の静電吸着機構及び電子線描画装置 |
KR19980016891A (ko) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 김광호 | 반도체 제조장치의 페디스탈 |
US6449428B2 (en) * | 1998-12-11 | 2002-09-10 | Mattson Technology Corp. | Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system |
EP1397827B1 (de) * | 2001-05-29 | 2008-04-02 | Aixtron AG | Aus einem tragkörper und darauf gasgelagerten und drehangetriebenen substrathalter bestehende anordnung |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP15513184U patent/JPH0124928Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6170935U (ja) | 1986-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6773510B2 (en) | Substrate processing unit | |
US8025925B2 (en) | Heating apparatus, coating and development apparatus, and heating method | |
CN102087486A (zh) | 加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法 | |
US20210082700A1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
US8038769B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium | |
JPH0124928Y2 (ja) | ||
JPS6221237A (ja) | ウエハ位置決め用テ−ブル | |
TWI665723B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JPH11354617A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2006030561A1 (ja) | 基板処理装置 | |
CN110391168B (zh) | 基片载置装置和基片载置方法 | |
KR20010030008A (ko) | 현상장치 및 그 방법 | |
JPS59215718A (ja) | 半導体基板の赤外線熱処理装置 | |
KR20210073235A (ko) | 기판 지지대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US11322373B2 (en) | Liquid processing apparatus | |
JP4570001B2 (ja) | 液供給装置 | |
JPH0420253B2 (ja) | ||
KR102611434B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW202217941A (zh) | 基板處理方法 | |
JP2004095880A (ja) | 非接触式スピン乾燥方法及び非接触式スピン乾燥装置 | |
JP2975140B2 (ja) | 回転処理装置 | |
JP3266844B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH0425122A (ja) | 半導体処理装置 | |
KR200303033Y1 (ko) | 반도체화학기상증착장비 | |
KR100853927B1 (ko) | 도포막 형성장치 및 스핀척 |