JPS62192583A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、減圧下で処理が行われる処理技術、特に、真
空ポンプからのオイル蒸気の処理室へのバックディフュ
ージョンを回避する技術に関し、例えば、半導体装置の
製造において、ウェハ上にポリシリコンをデポジション
する減圧ＣＶＤ装置に利用して有効なものに関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造において、ウェハ上にポリシリコンを
デポジションする減圧ＣＶＤ装五として、ウェハが収容
されているプロセスチューブを油回転ポンプを用いて高
１１空に排気した後、高温下で多量のモノシラン（Ｓｉ
ｌ＋４）ガスを供給するように構成されているものがあ
る。

なお、減圧ＣＶＤ技術を述べである例としては、株式会
社工業調査会発行［？１１子材料１９８５年１■月号別
ＩＩＩ）　Ｊ昭和６０年１１月２０日発行　Ｐ５６〜Ｐ
６４、がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、このような減圧ＣＶＤ装置においては、液体窒
素によるコールドトラップを設備することができないた
め、プロセスチューブへの油回転ポンプからのオイル蒸
気のバンクディフュージョン現象が起こり、パターンの
微細下に伴って眉間耐圧の低下によるディスクープ不良
が発生するという問題点があることが、本発明者によっ
て明らかにされた。

本発明の目的は、オイル蒸気のバンクディフュージョン
現象による障害を防止することができる処理技術を提供
することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面がら明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なも処理室を
真空排気する真空排気装置に、オイルや水銀等のような
拡散して作用する吸引媒体やシール材を用いないオイル
フリの真空ポンプを設備するとともに、この真空ポンプ
の回転数を処理室の真空状態によりフィールドバック制
御するように構成したものである。

〔作用〕

この処理装置における真空ポンプにはオイルや水銀等の
ような吸引媒体が使用されていないため、当該吸引媒体
の拡散物質（蒸気）が高真空に排気された状態の処理室
に逆流するという現象は、必然的に起き得ない。したが
って、オイル蒸気のバンクディフュージョン現象に伴う
被処理物の汚染等のような二次的障害の派生は未然に回
避されることになる。

また、オイルフリ真空ポンプの回転数を処理室の真空状
態に基づいてフィール１−パンク制御することにより、
処理ガス供給中においても処理室を所望の真空状態に維
持することができるため、当該処理室において最適泡処
理が実施されることになる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である減圧ＣＶＤ装置を示す
模式図、第２図はそれに使用されるオイルフリ真空ポン
プの全体構造を示す縦断面図、第３図（ａｌは第２図の
遠心圧縮ポンプ段の詳細を示す縦断面図、同図（ｂｌお
よび（ｃｌは第３図（ａｌのｍｂ矢視図およびｍｃ矢視
図、第４図＋ａ＋は第２図の円周流圧縮ポンプ段の詳細
を示す縦断面図、同図＋ｂ）および（Ｃ１は第４図（ａ
ｔのｒＶｂ矢視図およびＮｃ視図、第５図はその作用を
説明するための線図である。

本実施例において、減圧ＣＶＤ装五は石英ガラスを用い
て略円筒形状に形成されているプロセスチューブｌを備
えており、このプロセスチューブｌの内部室は処理室２
を実質的に形成している。

プロセスチューブ１の外部にはヒータ３が設備されてお
り、ヒータ３は後記するコントローラに制御されて処理
室２を加熱し得るように構成されている。

プロセスチューブ１の一端には炉口４が開設されており
、炉口４にはキャップ５がこれを開閉し冑るように取り
付けられている。キャップ５にはガス供給口６が開設さ
れており、この供給口６にはガス供給装置７が接続され
ている。ガス供給装置７は処理ガス源８と、不活性ガス
としての窒素ガス源９と、その他のガスＳｔＯと、各ガ
ス供給量をそれぞれ関節するための各マスフローコント
ローラ８ａ、９ａ、１０ａと、各り供給系を開閉するた
めの各バルブ８ｂ、９ｂ、１０ｂを備えている。

プロセスナェーブ１の他端には排気口１２が開設されて
おり、排気口１２には真空排気装置１３が接続されてい
る。真空排気装置１３は後記するオイルフリ真空ポンプ
１４と、このポンプ１４を回転駆動する手段としてのモ
ータ１５と、このモータ１５の回転数を制御するための
インバータ１６と、ポンプ１４へ異物が侵入するのを防
止するためのトラップ１７と、真空排気系全体を開閉す
るエアバルブ１日とを１本のガス排気用配管経路中に備
えており、この排気装置１３には処理室２の内圧をＩＩ
＋定する手段としての真空計１９が接続されている。

また、この減圧ＣＶＤ装置はコンピュータ等からなるコ
ントローラ２０を備えており、コントローラ２０は予め
設定されたシーケンスおよび真空計１９等からの測定デ
ータに基づき前記インバータ１６およびヒータ３等を制
御することにより、後述するような作用を実現するよう
に構成されている。

前記オイルフリ真空ポンプ１４は第２図〜第４図に示さ
れているように構成されている。すなわち、この真空ポ
ンプは、吸気口２１Ａおよび排気口２１Ｂを有するハウ
ジング２１と、このハウジング２１内に軸受２５を介し
て回転自在に支持された回転軸２２と、吸気口２１Ａ側
から排気口２１Ｂ側に至る間のハウジング２１内に順次
配設さた遠心圧縮ポンプ段２３および円周流圧縮ポンプ
段２４とを備えている０回転軸２２はこれに連結したモ
ータ１５により駆動されるようになっており、モータ１
５はインパーク１６によりその回転数を制御されるよう
に構成されている。

前記遠心圧縮ポンプ段２３は、第３図＋ａ＋および（ｂ
ｌに示されているように、表面に回転方向に対して内向
きの羽根２６が複数突設されているとともに、回転軸２
２に取付けられているオープン羽ＪＩ車２３Ａと、第３
図（８）および（Ｃ１に示されているように、ハウジン
グ２１の内壁に取付られているとともに、前記羽根車２
３Ａの裏面（羽根２６が設けられていない面）と対向す
る面に回転方向に対して内向きの羽根２７を複数個突設
されている固定円１２３Ｂとを交互に並列に配置されて
構成されている。

前記円周流圧縮ポンプ段２４は、第４図（１１１および
ｆｂｌに示されているように、回転軸２２に取付けられ
ているとともに、外周面に複数個の羽根２８を放射状に
形成されている羽根車２４Ａと、第３図［ａｌおよびｔ
ｅｌに示されているように、ハウジング２１の内壁に取
付けられ、かつ前記羽根車２４Ａの表面（羽根２８が設
りられている面）と対向する面にＵ字状の１ａｌＪ　２
９を有する固定円板２４Ｂとを交互に並列に配置して構
成されているとともに、第４図ｆａｔおよび（Ｃ１に示
されているように前記溝２９の終端部に孔２９ａを穿設
されて通風路３０を形成されている。

ここで、前記構成にかかるオイルフリ真空ポンプの作用
について説明する。

ポンプ運転初期の過度状態においては、ポンプ内部は全
体が大気圧に近い高い圧力下にあり、気体の流れは粘性
流となるため、遠心圧縮ポンプ段２３は遠心圧縮機とし
て作用する。すなわら、遠心圧縮ポンプ段羽根車２３Ａ
は圧縮機羽根車として働き、羽根車２３Ａと固定円板２
３Ｂの間の羽根２７にはさまれて形成される流路は、流
れを外径から内径側に案内するリターンチャンネルとし
て働く、また、羽根車２３Ａが圧縮作用をするので、遠
心圧縮ポンプ段２３Ａとしては、圧力損失部としてより
は圧縮機として大’／ＩＩＦＩを流ず作用をすることが
できる。

円周流圧縮ポンプ段２４の圧縮比が大きくなって、円周
流圧縮ポンプ段の入口の圧力が充分に低くなった定常状
態、すなわち、この圧力が数ＴＯｒ「以下になった定常
状態においては、遠心圧縮ポンプ段２３の入口、すなわ
ち、真空ポンプの吸気口２１Ａの付近の気体の流れは、
中間流ないしは分子流となり、遠心圧縮ポンプ段２３は
ジーグバーン分子ポンプとして作用する。ずなわち、羽
根２６を有する羽根車２３Ａは、螺旋溝を加工した回転
円板として作用し、固定円板２３Ｂの裏面（羽根２７が
設けられていない面）との組み合わせで、内径側から外
径側に向けて圧縮作用をするジーグバーン分子ポンプと
して働＜、また、複数個の羽根２７が設けられた固定円
板２３Ｂは、螺旋１１■を加工した固定円板として作用
し、羽根車２３Ａの裏面（羽根車２６が設けられていな
い面）との組み合わせで、外径側から内径側に向けて圧
縮作用をするジーグバーン分子ポンプとして働く。

また、同じく定常状態においては、前記円周流圧縮ポン
プ段２４に流入する気体は前記遠心圧縮ポンプ段２３に
おいて充分に圧縮されているため、体積流量は殆ど零に
近い。すなわち、円周流圧縮ポンプ段２４は、締切状態
に近い状態で運転されることになるが、円周流圧縮ポン
プは締切状態で高い圧縮比が得られるという特性がある
ため、少ない段数で充分低い到達圧力に達することがで
きる。

ちなみに、遠心圧縮ポンプ段２３、並びに円周流圧縮ポ
ンプ段２４の段数およびポンプ回転数は、定常運転状態
において、両段の境の圧力が粘性流と中間流との切替わ
り点、すなわら、数’ｌ”　ｏ　ｒ　ｒになるように設
定される。通常、遠心圧縮ポンプ段を１〜３段、円周流
圧縮ポンプ段を６〜ｌＯ段組み合わせることにより、ポ
ンプの吸気口２１Ａの圧力は、後記するＣＶＤ処理を実
現可能な１Ｏ−３〜１０−’Ｔｏｒｒに達しせしめるこ
とができる。

前述により明らかなように、この真空ポンプによれば、
吸気口側に設けられた遠心圧縮段ポンプ段が、過度状態
においては遠心圧縮機として、定常状態においてはジー
グバーン分子ポンプとして働くという二ｍの作用をする
ので、排気口圧力を大気圧付近に保て、ポンプ運転初期
の過度状態において大きな排気速度が得られる。

しかも、この真空ポンプは油回転ポンプや拡散ポンプの
場合のようなオイルや水銀等の吸引媒体を使用しないた
め、清浄な真空状態を作り出すことができる。すなわち
、拡散ポンプにおいては、オイルや水銀等を拡散させて
この蒸気を輔助ポンプで吸引することにより、高真空状
態を作り出すため、また、油回転ポンプにおいてはシー
ル材としての油が蒸発するため高真空状態において蒸気
がバックディフュージョンする現象が起きる。これに対
して、前記オイルフリ真空ポンプではこのような吸引媒
体やシール材を使用せずに直接高見空状態を作り出すこ
とができるため、当該媒体のパックディフユージシン現
象も当然的に起こり得ない。

次に、第５図を参考にして、前記構成にかかる減圧ＣＶ
Ｄ装五の作用を説明する。

ここで、第５図は前記構成にかかる減圧ＣＶＤ装置によ
るポリシリコン成膜プロセスを示すシーケンスフロー図
であり、（ａｌは窒素ガスの供給、（ｂｌはモノシラン
の供給、（Ｃ１は前記オイルフリ真空ポンプの回転数、
ｆｄ＋は処理室の圧力推移をそれぞれ示す線図である。

ポリシリコンを成膜ずべき被処理物としてのウェハ３１
は複数枚がボート３２上に立てて整列保持された状態で
、炉口からプロセスヂエーブ１の処理室２内に収容され
る。

ウェハ３１が収容されて炉口４がキャップ５により閉塞
されると、コントローラ２０により、ガス供給装置ｉ！
７の窒素ガスバルブ９ｂが閉止されるとともに、真空排
気装置１３のバルブ１８が全開され、第５図１ｄｌに示
されているように、処理室２内が急速に真空排気される
。同時に、処理室２内のウェハ３１はヒータ３によって
所定温度まで加熱される。

このとき、第５図１ｄｌに示されているように、処理室
２は大気圧になっているが、前述したように、オイルフ
リ真空ポンプ１４は真空排気初期の過渡期には遠心圧縮
ポンプ段２３が粘性流領域において作用するため、メカ
ニカルブースタポンプやロータリーポンプ等のような粘
性流領域で有効な補助ポンプを必要とせずに、処理室２
を直接的に真空排気することができる。

そして、コントローラ２０に予め設定されている値、す
なわち、粘性流が中間流ないしは分子流領域に切替わり
オイルフリ真空ポンプ１４における遠心圧縮段ポンプ段
２３がジーグバーン分子ポンプとして作用する圧力値（
数Ｔｏ　ｒ　ｒ）が、真空計Ｉ９によって測定されると
、第５図（Ｑ）に示されているように、コントローラ２
０はインバータ１６を介してモータ１５の回転数を一定
に制御し、真空ポンプ１４を定常状態に移行せしめると
ともに、これを維持せしめる。この制御により、第５図
（ｄｌに示されているように、処理室２の内圧は所定の
圧力、約３ＸｌＯ−３Ｔｏｒｒに維持せしめられる。

所定のリークチェックが実施された後、コントローラ２
０により供給装置７の窒素ガスバルブ９ｂが開けられる
とともに、窒素ガスｓ９のバルブ９ａが通当量開けられ
、第５図（ａｌに示されているように、所定量の窒素ガ
スが処理室２に供給される。処理室２に供給された窒素
ガスは処理室２内の汚染物質と共に、排気装置１３によ
りＩＪト気されて行く。したがって、処理室２の内圧は
、第５図（ｄｉに示されているように、予め設定された
圧力に上昇された後、一定に維持されることになる。

この設定圧力は前記オイルフリ真空ポンプ１４がジーグ
バーン分子ポンプとして作用するために必要な圧力（数
Ｔｏ　ｒ　ｒ）以下とされる。

ちなみに、窒素ガスに乗って排気されるｌη染物質はト
ラップ１７により捕集されるため、オイルフリ真空ポン
プ１４に異物が流れ込んでその機能を損なわれる危険は
回避される。

コントローラ２０に予め設定されている所定時間が経過
すると、コントローラ２０により供給袋Ｅｔの窒素ガス
バルブ９ｂは閉止される。これにより、第５図１ｄｌに
示されているように、処理室２内の窒素ガスが完全に排
気されると、処理ガスバルブ８ｂが開けられるとともに
、処理ガス源８のバルブ８ａが通当量開けられ、第５図
（ｂｌに示されているように、ポリシリコン膜デポジシ
ョン処理用の処理ガスとしてのモノシランガスが所定量
所定時間供給される。このモノシランガスとヒータ３の
加熱とによりＣＶＤ反応が起こり、ウェハ３１上にポリ
シリコンが成膜処理されて行く。

このＣＶＤ反応による成膜処理中、オイルフリ真空ポン
プ１４は真空排気を持続するが、第５図（ｄｉに示され
ているように、コントローラ２０によりフィードバック
制御されるため、第５図（ｄｉに示されているように、
処理室２の真空状態は処理が最適に実行される所定の圧
力（例えば、０．３’ｒｏｒｒ）に維持される。

すなわち、モノシランガスが処理室２に供給されると、
その内圧は上昇しこれは真空計１９により測定される。

モノシランガス供給後、最適のＣＶＤ反応に必要な目標
値（例えば、０．３７ｏｒ「）以下の圧力が真空計１９
により測定されると、コン１−ローラ２０はインバータ
１６を介してモータ１５の回転数を減速制御することに
より、真空ポンプ１４の排気能力をジーグバーン分子ポ
ンプ作用を維持し得る範囲内において抑制させる。この
排気能力低下とモノシランガスの供給との相関関係によ
って処理室２の内圧が上昇し、前記目標値以上の圧力が
ユ空計１９により測定されると、コントローラ２０はイ
ンバータ１６を介してモータＬ５の回転数を増速制御す
ることにより、真空ポンプ１４の排気能力を増強させる
。以後、このようなフィードバック制御が繰り返えされ
ることにより、処理室２の真空状態はモノシランガスの
供給下において理想の真空状態に維持され、ｉ通のＣＶ
Ｄ反応による成膜処理が実施される。

所定の成膜処理が終了すると、コントローラ２０により
、処理ガス源８のバルブ８ａと８ｂが閉止されて第５図
１ｄｌに示されているように、モノシランガスの供給が
停止されるとともに、第５図１ｄｌに示されているよう
に、オイルフリ真空ポンプ１４は元の排気能力まで増強
される。これにより、第５図１ｄｌに示されているよう
にアフタ真空排気が実施される。

所定のアフタ真空排気時間が経過すると、コン１−ロー
ラ２０により窒素ガス源９のバルブ９ａと９ｂが開けら
れ、第５図（ａｌに示されているように、窒素ガスが所
定量供給される。

同時に、コントローラ２０により真空排気装置１３にお
けるバルブ１日が閉じられるとともに、第５図（Ｃ１に
示されているように、オイルフリ真空ポンプ１４の回転
数は次第に減速されて行き、その途中においてそれまで
の中間流ないしは分子流領域の真空排気作用から粘性流
領域の真空排気作用に切り替わり、続いて、初期回転速
度に維持されて、次回の処理に待機させられる。

その後、キャップ５が取り外されてウェハ３１が炉口４
から引き出され、所定のＣＶＤ処理が終了する。

ところで、ポリフリコンのデボジシシンに使用されるモ
ノシランガスの沸点温度は液体窒素の温度よりも高いた
め、減圧ＣＶＤ装置の真空排気装置には液体窒素が使用
されているコールドトラップを適用することができない
。けだし、コールドトラップにおいてモノ７ランガスが
トラップされることにより、排気系が急速に詰まってし
まうためである。

このように、真空排気装τにコールドトラップが介設さ
れていないと、第５図（ｄｉに示されているように、処
理室がＣＶＤ反応による成膜処理の前後において真空に
排気された時、真空ポンプとして油回転ポンプが使用さ
れている場合、オイル蒸気が処理室にバックディフュー
ジョンしてしまう。

その結果、処理室内がオイル蒸気により汚染され、種々
の二次的障害が発生する。二次的障害としては、オイル
蒸気のウェハへの付着による製品の特性不良の発生や、
処理ガスがオイルと接触することにより、腐食性の液体
になりプロセスチューブを腐食させたり、ポンプのオイ
ルを劣化させて蒸気圧を低下させたりする等の障害があ
る。

しかし、本実施例においては、前述したように、吸引媒
体が全く使用されないオイルフリ真空ポンプ１４により
処理室２が直接真空排気されるため、オイル蒸気が処理
室２にバックディフュージョン　　。

する現象は当然起こり得す、その二次的障害も未然に回
避されることになる。

前記実施例から次のような効果が得られる。

ｉｌｌ　　オイルや水銀等のような拡散する吸引媒体が
全く使用されないオイルフリ真空ポンプを用いることに
より、高真空時における吸引媒体の処理室へのバノクデ
ィフェージョン現象の危険を必然的に回避することがで
きるため、当該現象に伴って派生する二次的障害を完全
に防止することができるとともに、処理並びに製品の品
質および信頼性を高めることができる。

（２）　　オイルフリ１１空ポンプの回転数を処理室の
真空状態に基づいてフィードバック制御するように構成
することにより、処理ガス供給中においても処理室を所
望の真空状態に維持することができるため、当該処理に
ついて最適状態を作り出すことができ、処理並びに製品
の品質および信頼性を高めることができる。

（３）　　オイルフリ真空ポンプを粘性流領域について
の真空排気作用（以下、通常の真空排気作用という。）
と、中間藻ないしは分子流領域についての高真空排気作
用（以下、高真空排気作用という。

）とが連続して行えるように構成することにより、一系
統の真空ポンプによって処理室を大気圧状態から高真空
状態まで真空排気することができるため、メカニカルブ
ースタポンプやロータリーポンプ等のような通常の真空
排気作用を行う補助ポンプ、または、油拡散ポンプ等の
ような高真空排気作用を行う高真空ポンプの併用を省咄
することができるとともに、スペース効率を高め、処理
室の多段化を促進させることができる。

（４）通常の真空排気作用と高真空排気作用との切換、
および各領域における排気速度の増減を回転数の増減に
よって制御されるように、オイルフリ真空ポンプを構成
することにより、回転数の制御によって通常の真空排気
作用またはｊｎｉ真空排気作用のいずれか、および所望
の排気速度を簡単に得ることができるため、処理を適正
比することができるとともに、処理シーケンス設計等を
簡ｔｎ化することができる。

（５）吸引側に遠心圧縮ポンプ段を、排気側に円周流圧
縮ポンプ膜流圧縮ポンプ段をそれぞれ配設し、遠心圧縮
ポンプ段の回転体を複数個の後退羽根を有するオープン
形羽根車により構成するとともに、その固定体を外径部
における羽根の向きが回転方向に対して内向きである羽
根を前記羽根車の裏面に対向するように複数個取付けら
れた固定円板から構成してオイルフリ真空ポンプを構成
することにより、通常の真空排気作用から高真空排気作
用までを一系統で、かつ、回転数の制御によって実現す
ることができる構造簡単な真空ポンプを具体的に得るこ
とができる。

（６）　　オイルフリ真空ポンプをモータにより回転駆
動されるように構成するとともに、モータの回転数をイ
ンパークによって制御されるように構成することにより
、回転制御を簡単で精密かつ効率よく実行することがで
きるため、処理を一１’ｉｉ適正化することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、オイルフリ真空ポンプは前記遠心圧縮ポンプ段
と円周流圧縮ポンプ段との組み合わせにより構成するに
限らず、遠心圧縮ポンプと、メカニカルブーネタポンプ
、ロータリーボンフ゛、スクリューポンプ、スクロール
ポンプとの組み合わせや、スクロールポンプ同士の組み
合わせ、スクロールポンプとメカニカルブースタポンプ
等の組み合わせ等によって構成してもよい。要は、オイ
ル等吸引媒体を使用せずに回転によって高真空排気作用
を行うポンプと、同しく回転によって通常の真空排気作
用を行うポンプとを組み合わせればよい。

真空ポンプはモータにより回転駆動するように構成する
に限らないし、インバータにより回転数を制御するよう
に構成するに限らない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である減圧ＣＶＤ装置に通
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、エピタキシャル装置、スパッタリング装置、
イオン打ち込み装置、蔑着装置、拡散装置、ドライエツ
チング装置、アフンヤーを含むドライ洗浄装置等に通用
することができ、また、半導体装置を製造するものに限
らない。本発明は少なくとも、高真空排気される処理室
を有する処理装置全般に通用することができる。

Ｃ発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

処理室を真空排気する真空排気装置に吸引媒体を用いな
いオイルフリの真空ポンプを設備することにより、高真
空に排気された処理室へのオイルのバックディフュージ
ョン現象を防止することができるため、処理並びに製品
の品質および信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である減圧ＣＶＤ装置を示す
模式図、 第２図はそれに使用されるオイルフリ真空ポンプの全体
構造を示す縦断面図、 第３図（ａｌは第２図の遠心圧縮ポンプ段の詳細を示す
縦断面図、 同図中）および（Ｃ１は第３図（ａｌのｍｂ矢視図およ
びｍｃ矢視図、 第４図（ａｌは第２図の円周流圧縮ポンプ段の詳細を示
す縦断面図、 同図（ｂｌおよび（Ｃ１は第４図（ａｌのＩｔ／ｂ矢視
図および■ＣＣ同図 第５図は作用を説明するための線図である。 ｌ・・・プロセスチューブ（処理室）、２・・・処理室
、３・・・ヒータ、４・・・炉口、５・・・キャンプ、
６・・・ガス供給口、７・・・ガス供給装置、８・・・
処理ガス源、９・・・窒素ガス（不活性ガス）源、１２
・・・排気口、１３・・・真空排気装置、１４・・・オ
イルフリ真空ポンプ、１５・・・モータ、１６・・・イ
ンバー夕、１７・・・トラップ、１８・・・エアバルブ
、１９・・・真空計、２０・・・コントローラ、２１・
・・ハウジング、２１Ａ・・・吸気口、２１Ｂ・・・排
気口、２２・・・回転軸、２３・・・遠心圧縮ポンプ段
、２３Ａ・・・オープン形羽根車、２３Ｂ・・・固定円
板、２４・・・円周流圧縮ポンプ段、２４Ａ・・・羽根
車、２４Ｂ・・・固定円板、２６．２７．２８・・・羽
根、３１・・・ウェハ（被処理物）、３２・・・ボート
。 第　　２　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、処理室と、処理室に処理ガスを供給するガス供給装
   置と、処理室を真空排気する真空排気装置と、処理室の
   圧力を測定する圧力測定装置とを備えている処理装置で
   あって、前記真空排気装置がオイルフリ真空ポンプを備
   えているとともに、前記ガス供給装置によるガス供給時
   に前記圧力測定装置に基づいて前記真空ポンプの回転数
   を制御されることにより排気能力を切り換えられるよう
   に構成されていることを特徴とする処理装置。 ２、オイルフリ真空ポンプが、粘性流領域の真空排気作
   用と中間流ないしは分子流領域の高真空排気作用との切
   換、および各領域における排気速度の増減を回転数の増
   減によって制御されるように構成されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、オイルフリ真空ポンプが、吸気口側に遠心圧縮ポン
   プ段を、排気口側に円周流圧縮ポンプ段をそれぞれ備え
   ており、前記遠心圧縮ポンプ段の回転体が複数個の後退
   羽根を有するオープン形羽根車から構成されており、固
   定体が外径部における羽根の向きが回転方向に対して内
   向きである羽根を前記羽根車の裏面に対向するように複
   数個取付られている固定円板から構成されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ４、オイルフリ真空ポンプが、モータにより回転駆動さ
   れるように構成されているとともに、インバータにより
   モータの回転数を制御されるように構成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ５、前記処理室と前記オイルフリ真空ポンプとの間の排
   気経路は１本の配管により行われていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ６、前記処理ガスは、液体に接触することなく前記処理
   室から前記真空排気装置により排気されることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の処理装置。