JPS5990289A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS5990289A JPS5990289A JP57199019A JP19901982A JPS5990289A JP S5990289 A JPS5990289 A JP S5990289A JP 57199019 A JP57199019 A JP 57199019A JP 19901982 A JP19901982 A JP 19901982A JP S5990289 A JPS5990289 A JP S5990289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- pattern
- magnetic
- magnetic bubble
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆｉ＋ 発明の技術分野
本発明は電子計算装置及びその端末機等の記憶装置に用
いられる磁気バブルメモリ素子に関するものである。
いられる磁気バブルメモリ素子に関するものである。
（２） 技術の背景
一般に磁性薄膜は面内方向に磁区の磁化容易軸をもって
いるが、ある種の材料、例えばオルソフェライトや磁性
ガーネット等の単結晶はＣ軸方向にのみ磁化容易軸を有
する一軸異方性をもっている。このような材料の単結晶
薄膜に垂直に適箔な強度のバイアス磁界を加えると、膜
面に垂直な小さな円筒磁区（これをバブルと云う）がで
きる。
いるが、ある種の材料、例えばオルソフェライトや磁性
ガーネット等の単結晶はＣ軸方向にのみ磁化容易軸を有
する一軸異方性をもっている。このような材料の単結晶
薄膜に垂直に適箔な強度のバイアス磁界を加えると、膜
面に垂直な小さな円筒磁区（これをバブルと云う）がで
きる。
このバブルは外部磁界を適描に変化させることにより移
動させることができる。磁気パズルメモリは前記単結晶
の薄膜上にパーマロイによる多数の薄膜微細・ぐターン
を形成してバブルの伝播路となし、この伝播路の微細ｉ
９ターンにおけるパズルの有無を情報のｓｔ １ ｎ
、 ｔｓ Ｏｔｔに対応させてメモリとして使用するも
のである。
動させることができる。磁気パズルメモリは前記単結晶
の薄膜上にパーマロイによる多数の薄膜微細・ぐターン
を形成してバブルの伝播路となし、この伝播路の微細ｉ
９ターンにおけるパズルの有無を情報のｓｔ １ ｎ
、 ｔｓ Ｏｔｔに対応させてメモリとして使用するも
のである。
（３） 従来技術と問題点
このような磁気バブルメモリ素子には、パーマロイパタ
ーンとコンダクタパターンと全組合わせて構成された例
えばバブル発生器とか、トランスファゲートなどのファ
ンクションゲートが設けられている。これらのダート構
成にはコンダクタ・ファースト構成とパーマロイ・ファ
ースト構成とがある。コンダクタ・ファーストとは先ず
コンダツタ・パターンを形成し、その上にノぐ−マロイ
ノぐターンを形成するものであり、ノぐ一マロイ・ファ
ーストはその逆である。
ーンとコンダクタパターンと全組合わせて構成された例
えばバブル発生器とか、トランスファゲートなどのファ
ンクションゲートが設けられている。これらのダート構
成にはコンダクタ・ファースト構成とパーマロイ・ファ
ースト構成とがある。コンダクタ・ファーストとは先ず
コンダツタ・パターンを形成し、その上にノぐ−マロイ
ノぐターンを形成するものであり、ノぐ一マロイ・ファ
ーストはその逆である。
従来は主としてコンダクタファースト構成が用いられて
いるが、この構ＦＪｙ、は、コンダクタ・ノやターンに
よる段差がその上の・や−マロイノｆクーンに段差を与
えないようにレジストリフトオフ法又は樹脂ブレーナ−
法によジ平坦化がはかられてはいるものの、高密度化の
ためノ々ターンサイズ及び・ぐプル径が小さくなってく
るとリフトオフが困難になムあるいは樹脂によってゆる
やかな段差でも特性に影響を与える。特にノぐ一マロイ
ノやターンが微小化するとその体積が小さくなり、従っ
て・ぐフ゛ルを駆動する力も小さくなるため・ぐフ゛ル
結晶との間のスペーサ全薄くする必要があるが、樹脂全
薄くすれば前記の段差の影響が大きくなるという欠点が
ある。
いるが、この構ＦＪｙ、は、コンダクタ・ノやターンに
よる段差がその上の・や−マロイノｆクーンに段差を与
えないようにレジストリフトオフ法又は樹脂ブレーナ−
法によジ平坦化がはかられてはいるものの、高密度化の
ためノ々ターンサイズ及び・ぐプル径が小さくなってく
るとリフトオフが困難になムあるいは樹脂によってゆる
やかな段差でも特性に影響を与える。特にノぐ一マロイ
ノやターンが微小化するとその体積が小さくなり、従っ
て・ぐフ゛ルを駆動する力も小さくなるため・ぐフ゛ル
結晶との間のスペーサ全薄くする必要があるが、樹脂全
薄くすれば前記の段差の影響が大きくなるという欠点が
ある。
このためパーマロイ・ファースト構成を用いようとする
と、この構成では、コンタ゛クタ・ノやターンツキ−パ
ー効果のため、コンダクタに流す電流値を大きくしなけ
ればならないという欠点が生ずる。
と、この構成では、コンタ゛クタ・ノやターンツキ−パ
ー効果のため、コンダクタに流す電流値を大きくしなけ
ればならないという欠点が生ずる。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、動作特性の良い磁気バ
ブルメモリ素子を提供すること全目的とするものである
。
ブルメモリ素子を提供すること全目的とするものである
。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気パズル結晶の上
に、軟磁性材料により形成された薄膜・ぐターンと、導
体材料によシ形成された薄膜パターンと′ｆ３：組合わ
せて構成されたゲート部を具備した磁気バブルメモリ素
子において、前記ケ゛−ト部は導体パターンを下にし軟
磁性・ぐターンを上にした構成と、軟磁性パターンを下
にし導体パターンを上にした構成の２種類のケ゛−トを
有することを特徴とする磁気バブルメモリ素子を提供す
ることによって達成される。
に、軟磁性材料により形成された薄膜・ぐターンと、導
体材料によシ形成された薄膜パターンと′ｆ３：組合わ
せて構成されたゲート部を具備した磁気バブルメモリ素
子において、前記ケ゛−ト部は導体パターンを下にし軟
磁性・ぐターンを上にした構成と、軟磁性パターンを下
にし導体パターンを上にした構成の２種類のケ゛−トを
有することを特徴とする磁気バブルメモリ素子を提供す
ることによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第１図乃至第７図は本発明による磁気バブルメモリ素子
全説明するための図である。同図において、１は結晶基
板、２はスペーサ、４及び８は導体ノリーン、６は軟磁
性の／ｅ−マロイ／々ターン、５．７は絶縁層、９は保
護膜をそれぞれ示づ一０本実施例は第７図に示す如く、
導体／、ｏターン４の上に樹脂絶縁層５を介してノ々−
マロイノＲター７６全形成したコンダクタ−ファースト
構成のゲート部ト、バーマロイノやターン６の上に樹月
旨絶縁層７を介して導体ノリーン８を形成した・ぐ−マ
ロイ・ファースト構成のケ゛、−ト部とを同一基板上に
形成したものである。
全説明するための図である。同図において、１は結晶基
板、２はスペーサ、４及び８は導体ノリーン、６は軟磁
性の／ｅ−マロイ／々ターン、５．７は絶縁層、９は保
護膜をそれぞれ示づ一０本実施例は第７図に示す如く、
導体／、ｏターン４の上に樹脂絶縁層５を介してノ々−
マロイノＲター７６全形成したコンダクタ−ファースト
構成のゲート部ト、バーマロイノやターン６の上に樹月
旨絶縁層７を介して導体ノリーン８を形成した・ぐ−マ
ロイ・ファースト構成のケ゛、−ト部とを同一基板上に
形成したものである。
このように形成するには、先ず第１図の９口＜結晶基板
ｌの上にス硬−サ２として５ｉＯ２ｋｌｌ）００Ａの厚
さにス／ぐツタし、続いてＡｔ−Ｃｕ 等の導体３２
４ｏｏｏＡの厚さに蒸着する。次に第２図の如く導体膜
の上にホトレソストヲ塗布し、コンダクタ・ファースト
で形成するケ゛−ト音ＩＸのみノぐターンをつ〈シ、続
いてイオンミリングで導体をエツチングして導体／ｆ、
Ｊ−ン４を形成し、その後レジストを剥離する。次いで
第３図のクロくシＩ）コン系樹脂全塗布し、硬化して絶
縁層５を形成する。
ｌの上にス硬−サ２として５ｉＯ２ｋｌｌ）００Ａの厚
さにス／ぐツタし、続いてＡｔ−Ｃｕ 等の導体３２
４ｏｏｏＡの厚さに蒸着する。次に第２図の如く導体膜
の上にホトレソストヲ塗布し、コンダクタ・ファースト
で形成するケ゛−ト音ＩＸのみノぐターンをつ〈シ、続
いてイオンミリングで導体をエツチングして導体／ｆ、
Ｊ−ン４を形成し、その後レジストを剥離する。次いで
第３図のクロくシＩ）コン系樹脂全塗布し、硬化して絶
縁層５を形成する。
次に第４図の如く軟磁性材料であるｉＲ−マロイを４０
０ ＯＡ蒸着Ｌ、ホトレソストヲ用いてノ９ターニング
しバーマロイノ？ターン６を形成する。この時に、マイ
ナー・ループのノぐ一マロイ＊）ｊターンも形成すると
、ス被−サーが薄くなシ駆動力の点で有利である。次に
第５図の如くシリコン系樹月旨を塗布し、硬化して絶縁
層７を形成する。次に第６図の如（、ｋＡ−Ｃｕ等の導
体を４００’ＯＡ蒸着し、第２図と同様にして）ぐ−マ
ロイ・ファーストで形成するケ゛−ト部にパターン８を
形成する。最後に第７図の如くシリコン系樹脂にて保護
膜９を形成して本発明の磁気・ぐプルメモリ素子を得る
ことカニできる。
０ ＯＡ蒸着Ｌ、ホトレソストヲ用いてノ９ターニング
しバーマロイノ？ターン６を形成する。この時に、マイ
ナー・ループのノぐ一マロイ＊）ｊターンも形成すると
、ス被−サーが薄くなシ駆動力の点で有利である。次に
第５図の如くシリコン系樹月旨を塗布し、硬化して絶縁
層７を形成する。次に第６図の如（、ｋＡ−Ｃｕ等の導
体を４００’ＯＡ蒸着し、第２図と同様にして）ぐ−マ
ロイ・ファーストで形成するケ゛−ト部にパターン８を
形成する。最後に第７図の如くシリコン系樹脂にて保護
膜９を形成して本発明の磁気・ぐプルメモリ素子を得る
ことカニできる。
このように構成される本実施例は、電流のあまシ袈しな
いところ、例えばレプリケータにはノぐ一マロイ・ファ
ース）Ｉｌ［ｋ用いて）９−マロイノ母ターンに段差を
与えないようにし、電流値の高いところ、例えばスワツ
ゾグートには従来通シコンダクタ・ファーストの構成を
用いることにより動作特性は良好となる。
いところ、例えばレプリケータにはノぐ一マロイ・ファ
ース）Ｉｌ［ｋ用いて）９−マロイノ母ターンに段差を
与えないようにし、電流値の高いところ、例えばスワツ
ゾグートには従来通シコンダクタ・ファーストの構成を
用いることにより動作特性は良好となる。
（７） 発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の磁気バブルメモＶ
素子はり゛−ト電流値とり゛−ト部のパターン形状から
パーマロイ・ファースト構成としても動作するケ゛−ト
部のみパーマロイファースト構成とし、他のり゛−ト部
はコンダクタ・ファースト構成とすることによｐ良好な
動作特性が得られるといった効果大なるものである。
素子はり゛−ト電流値とり゛−ト部のパターン形状から
パーマロイ・ファースト構成としても動作するケ゛−ト
部のみパーマロイファースト構成とし、他のり゛−ト部
はコンダクタ・ファースト構成とすることによｐ良好な
動作特性が得られるといった効果大なるものである。
第１図乃至第６図は本発明による磁気パズルメモリ素子
の製造工程全説明するための図、第７図はその完成品の
断面を示す図である。 図面において、１は結晶基板、２はスペーサ、４及び８
は導体パターン、５及び７は樹脂絶縁層、６はパーマロ
イ・母ターく９は保穫膜をそれぞれ示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
の製造工程全説明するための図、第７図はその完成品の
断面を示す図である。 図面において、１は結晶基板、２はスペーサ、４及び８
は導体パターン、５及び７は樹脂絶縁層、６はパーマロ
イ・母ターく９は保穫膜をそれぞれ示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １、 磁気バブル結晶の上に、軟磁性拐料によｐ形成さ
れた薄膜パターンと、導体材料により形成された＃膜パ
ターンとを組合わせて構成されたケ゛−ト部金具偏した
磁気バブルメモリ素子において、前記ゲート部は、導体
パターンを下にし軟磁性パターンを上にした構成と、軟
磁性ノ？ターンを下にし導体パターンを上にした構成の
２＠類のｒ−）を有することを特徴とする磁気バブルメ
モリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199019A JPS5990289A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199019A JPS5990289A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990289A true JPS5990289A (ja) | 1984-05-24 |
Family
ID=16400765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199019A Pending JPS5990289A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990289A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2594252A1 (fr) * | 1986-02-07 | 1987-08-14 | Hitachi Ltd | Dispositif de memoire a bulle magnetique. |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57199019A patent/JPS5990289A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2594252A1 (fr) * | 1986-02-07 | 1987-08-14 | Hitachi Ltd | Dispositif de memoire a bulle magnetique. |
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