JPS6218052Y2 - - Google Patents
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- JPS6218052Y2 JPS6218052Y2 JP19458782U JP19458782U JPS6218052Y2 JP S6218052 Y2 JPS6218052 Y2 JP S6218052Y2 JP 19458782 U JP19458782 U JP 19458782U JP 19458782 U JP19458782 U JP 19458782U JP S6218052 Y2 JPS6218052 Y2 JP S6218052Y2
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-AKLPVKDBSA-N lead-210 Chemical compound [210Pb] WABPQHHGFIMREM-AKLPVKDBSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はリードフレームに回路素子を組み込み
混成集積回路を形成した樹脂封止型モジユールに
関する。
混成集積回路を形成した樹脂封止型モジユールに
関する。
通常、樹脂封止型モジユールはリードフレーム
のタブに半導体素子(チツプ)のみをマウントし
てモールドされていた。一方、混成集積回路は普
通セラミツク基板或いはプリント基板等に形成さ
れていた。しかし、セラミツク基板は高価である
為、製造原価を低減する上で不適当であり、リー
ドフレームに混成集積回路を組み込むことが考え
られた。しかし、リードフレームにチツプ状回路
素子を組み込まれた形状の場合、樹脂モールド時
にリードフレームから回路素子が剥れて不良の発
生する欠点があつた。
のタブに半導体素子(チツプ)のみをマウントし
てモールドされていた。一方、混成集積回路は普
通セラミツク基板或いはプリント基板等に形成さ
れていた。しかし、セラミツク基板は高価である
為、製造原価を低減する上で不適当であり、リー
ドフレームに混成集積回路を組み込むことが考え
られた。しかし、リードフレームにチツプ状回路
素子を組み込まれた形状の場合、樹脂モールド時
にリードフレームから回路素子が剥れて不良の発
生する欠点があつた。
本考案は上述に鑑みなされたものであつて、リ
ードフレームに組み込まれた回路素子が樹脂封止
時に容易に脱落しないようになされた構造を有す
る樹脂封止型モジユールを提供することを目的と
する。
ードフレームに組み込まれた回路素子が樹脂封止
時に容易に脱落しないようになされた構造を有す
る樹脂封止型モジユールを提供することを目的と
する。
更にまた、リードフレームに混成集積回路を形
成して樹脂で封止した安価な樹脂封止型モジユー
ルを提供することを目的とする。
成して樹脂で封止した安価な樹脂封止型モジユー
ルを提供することを目的とする。
以下、本考案の樹脂封止型モジユールに就いて
図面に基づき説明する。第1図は本考案の樹脂封
止型モジユールの斜視図である。1は樹脂封止
体、2はリード、3は樹脂封止体に開口された開
口部、4は高周波コイルである。また、本考案の
樹脂封止型モジユールは樹脂封止体1の開口部3
に高周波コイル4が取り付けられている事から明
らかなようにリードフレームに多用性のある回路
素子を形成するものである。
図面に基づき説明する。第1図は本考案の樹脂封
止型モジユールの斜視図である。1は樹脂封止
体、2はリード、3は樹脂封止体に開口された開
口部、4は高周波コイルである。また、本考案の
樹脂封止型モジユールは樹脂封止体1の開口部3
に高周波コイル4が取り付けられている事から明
らかなようにリードフレームに多用性のある回路
素子を形成するものである。
さて、第2図は回路素子が配列されたリードフ
レームの1例を示す平面図である。リードフレー
ムは外枠5から複数のリード2が延びている。そ
のリード間に架設される如くチツプ状素子が接着
されている。6はタブであり、タブリード7によ
つて支持されている。10はダムであり、リード
2を支持している。11はガイド孔である。樹脂
によつてモールドされる樹脂封止体1の範囲を一
点鎖線で示した。C1〜C8はチツプコンデンサ、
L1は高周波コイル、L2はチツプコイルである。
高周波コイルL1は樹脂封止後に樹脂封止体に形
成された開口部3内に挿入して電極をリード部の
舌片に接続する。
レームの1例を示す平面図である。リードフレー
ムは外枠5から複数のリード2が延びている。そ
のリード間に架設される如くチツプ状素子が接着
されている。6はタブであり、タブリード7によ
つて支持されている。10はダムであり、リード
2を支持している。11はガイド孔である。樹脂
によつてモールドされる樹脂封止体1の範囲を一
点鎖線で示した。C1〜C8はチツプコンデンサ、
L1は高周波コイル、L2はチツプコイルである。
高周波コイルL1は樹脂封止後に樹脂封止体に形
成された開口部3内に挿入して電極をリード部の
舌片に接続する。
先ず、リードフレームのリード21はその舌片
22にチツプコンデンサC1の一電極が接続さ
れ、その先端23がワイヤー8によつてチツプ9
に接続されている。リード24の舌片の一端25
にはチツプコンデンサC1の他の電極が接続さ
れ、他端26にチツプコンデンサC2の一電極が
接続される。また、リード27の舌片の一端28
がチツプコンデンサC2の一電極に接続され、他
端29がチツプコンデンサC3の一電極に接続さ
れる。更にまた、リード210の舌片の一端211が
チツプコンデンサC3の他の電極に接続され、リ
ード210の先端212はワイヤー8によつて半導体
集積回路のチツプ9に接続される。このようにチ
ツプ状回路素子がリード間に架設状に接続され
る。他のチツプ状素子が同様にリードフレームに
組み込まれる。
22にチツプコンデンサC1の一電極が接続さ
れ、その先端23がワイヤー8によつてチツプ9
に接続されている。リード24の舌片の一端25
にはチツプコンデンサC1の他の電極が接続さ
れ、他端26にチツプコンデンサC2の一電極が
接続される。また、リード27の舌片の一端28
がチツプコンデンサC2の一電極に接続され、他
端29がチツプコンデンサC3の一電極に接続さ
れる。更にまた、リード210の舌片の一端211が
チツプコンデンサC3の他の電極に接続され、リ
ード210の先端212はワイヤー8によつて半導体
集積回路のチツプ9に接続される。このようにチ
ツプ状回路素子がリード間に架設状に接続され
る。他のチツプ状素子が同様にリードフレームに
組み込まれる。
第3図は架設状に被着されたチツプコンデンサ
の拡大された図である。チツプコンデンサCはリ
ード2の夫々の舌片2aにチツプコンデンサCの
電極が半田或いは導電性ペーストによつて固定さ
れた後、熱硬化性樹脂或いは低融点ガラス13等
の溶融ガラス等によつてチツプコンデンサとそれ
を支持するリードが強固に固設されている。
の拡大された図である。チツプコンデンサCはリ
ード2の夫々の舌片2aにチツプコンデンサCの
電極が半田或いは導電性ペーストによつて固定さ
れた後、熱硬化性樹脂或いは低融点ガラス13等
の溶融ガラス等によつてチツプコンデンサとそれ
を支持するリードが強固に固設されている。
第4図は連続的にチツプ状素子がリード間に架
設状に被着された状態を示す斜視図である。4本
のリード2の夫々に架設状にチツプコンデンサ
C1〜C3が半田等により被着されている。そし
て、第3図に示したように樹脂等によりチツプコ
ンデンサとそれを支持するリードを強固に固着す
る。リード2の一部はワイヤー8によつてチツプ
9に接続されている。
設状に被着された状態を示す斜視図である。4本
のリード2の夫々に架設状にチツプコンデンサ
C1〜C3が半田等により被着されている。そし
て、第3図に示したように樹脂等によりチツプコ
ンデンサとそれを支持するリードを強固に固着す
る。リード2の一部はワイヤー8によつてチツプ
9に接続されている。
本考案の樹脂封止型モジユールはリードフレー
ムにチツプ状素子が半田等によつて接着され、タ
ブ6に半導体集積回路素子9がマウントされワイ
ヤーボンデイングされる。その後、ワイヤー8の
樹脂止時、或いは樹脂の熱膨張により熱応力によ
るワイヤー8の断線防止の為の樹脂被覆を施すと
共に、チツプ状素子とその支持されたリードとを
樹脂或いは低融点ガラス等の被覆材を塗布して強
固に保護する。この工程では半導体集積回路9を
除き、リードフレームに被着された総てのチツプ
状回路素子に同時に樹脂等の被覆材が塗布され
る。そして、チツプ状回路素子とそれらを支持す
るリードが強固に固定される。この工程が終了し
た後に、このリードフレームを所定の金型に装着
して金型内に樹脂が注入され、樹脂封止型モジユ
ールが形成される。樹脂封止工程終了後に可変コ
イルL1が開口部3内に挿入され、開口部3の壁
面から突出したリードの舌片にその電極が半田等
によつて接続され、このようにしてリードフレー
ムに混成集積回路が形成される。無論チツプ状コ
イルL2もチツプコンデンサと同様にリードフレ
ームに固定できる。
ムにチツプ状素子が半田等によつて接着され、タ
ブ6に半導体集積回路素子9がマウントされワイ
ヤーボンデイングされる。その後、ワイヤー8の
樹脂止時、或いは樹脂の熱膨張により熱応力によ
るワイヤー8の断線防止の為の樹脂被覆を施すと
共に、チツプ状素子とその支持されたリードとを
樹脂或いは低融点ガラス等の被覆材を塗布して強
固に保護する。この工程では半導体集積回路9を
除き、リードフレームに被着された総てのチツプ
状回路素子に同時に樹脂等の被覆材が塗布され
る。そして、チツプ状回路素子とそれらを支持す
るリードが強固に固定される。この工程が終了し
た後に、このリードフレームを所定の金型に装着
して金型内に樹脂が注入され、樹脂封止型モジユ
ールが形成される。樹脂封止工程終了後に可変コ
イルL1が開口部3内に挿入され、開口部3の壁
面から突出したリードの舌片にその電極が半田等
によつて接続され、このようにしてリードフレー
ムに混成集積回路が形成される。無論チツプ状コ
イルL2もチツプコンデンサと同様にリードフレ
ームに固定できる。
上述の如く本考案の樹脂封止型モジユールはリ
ードフレームに回路素子或いは部品が形成された
混成集積回路であり、回路素子がリードフレーム
に形成される為に樹脂注入時の圧力に耐え得る程
度に電子部品が強固に固定される必要があり、導
電ペーストにより接着或いは半田付け後に樹脂や
低融点ガラス等の被覆材によつて固定される。そ
の上で、リードフレームが装着された金型内に樹
脂が注入され樹脂封止された混成集積回路が形成
される。
ードフレームに回路素子或いは部品が形成された
混成集積回路であり、回路素子がリードフレーム
に形成される為に樹脂注入時の圧力に耐え得る程
度に電子部品が強固に固定される必要があり、導
電ペーストにより接着或いは半田付け後に樹脂や
低融点ガラス等の被覆材によつて固定される。そ
の上で、リードフレームが装着された金型内に樹
脂が注入され樹脂封止された混成集積回路が形成
される。
斯種の如く本考案の樹脂封止型モジユールはリ
ードフレームに半田等によつて接着された回路素
子を樹脂等により被覆固定し樹脂で封止した構造
となつており、金型に樹脂を注入するときの回路
素子の剥れ事故を減少させることができる効果を
有する。依つて、リードフレームに信頼性の高い
混成集積回路を組み込むことを可能とし、種々の
樹脂封止型モジユールの形成が可能となつた。
ードフレームに半田等によつて接着された回路素
子を樹脂等により被覆固定し樹脂で封止した構造
となつており、金型に樹脂を注入するときの回路
素子の剥れ事故を減少させることができる効果を
有する。依つて、リードフレームに信頼性の高い
混成集積回路を組み込むことを可能とし、種々の
樹脂封止型モジユールの形成が可能となつた。
第1図は本考案に係る樹脂封止型モジユールの
外観の一実施例を示す斜視図、第2図はリードフ
レームに回路素子等が配置された一例を示す平面
図、第3図はリードフレームにチツプ状部品が取
り付けられた状態を示す斜視図、第4図はチツプ
状部品がリードフレームに取り付けられた状態を
示す一部切欠き斜視図。 1:樹脂体、2:リード、3:開口部、4:高
周波コイル、5:外枠、6:タブ、7:タブリー
ド、8:ワイヤー、9:半導体素子、10:ダ
ム、11:ガイド孔、12:半田、13:樹脂等
の被覆材。
外観の一実施例を示す斜視図、第2図はリードフ
レームに回路素子等が配置された一例を示す平面
図、第3図はリードフレームにチツプ状部品が取
り付けられた状態を示す斜視図、第4図はチツプ
状部品がリードフレームに取り付けられた状態を
示す一部切欠き斜視図。 1:樹脂体、2:リード、3:開口部、4:高
周波コイル、5:外枠、6:タブ、7:タブリー
ド、8:ワイヤー、9:半導体素子、10:ダ
ム、11:ガイド孔、12:半田、13:樹脂等
の被覆材。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) リードフレームに複数の回路素子が組み込ま
れ樹脂封止された混成集積回路からなる樹脂封
止型モジユールに於て、リード間に架設して回
路素子が組み込まれ、該回路素子と該回路素子
を支持するリード部が樹脂或いは溶融ガラス等
の被覆材によつて被覆固定されて樹脂封止され
てなる混成集積回路が形成されたことを特徴と
する樹脂封止型モジユール。 (2) 回路素子の一電極が一つのリードに接続さ
れ、且つ該回路素子の他の電極が別のリードに
接続されて架設状に接続された実用新案登録請
求の範囲第1項記載の樹脂封止型モジユール。 (3) 回路素子がチツプ状のものである実用新案登
録請求の第1項乃至第2項記載の樹脂封止型モ
ジユール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982194587U JPS5998650U (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 樹脂封止型モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982194587U JPS5998650U (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 樹脂封止型モジユ−ル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5998650U JPS5998650U (ja) | 1984-07-04 |
JPS6218052Y2 true JPS6218052Y2 (ja) | 1987-05-09 |
Family
ID=30418200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1982194587U Granted JPS5998650U (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 樹脂封止型モジユ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5998650U (ja) |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP1982194587U patent/JPS5998650U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5998650U (ja) | 1984-07-04 |
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