JPS62167615A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS62167615A JPS62167615A JP850486A JP850486A JPS62167615A JP S62167615 A JPS62167615 A JP S62167615A JP 850486 A JP850486 A JP 850486A JP 850486 A JP850486 A JP 850486A JP S62167615 A JPS62167615 A JP S62167615A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気記録媒体およびその製造方法に関し、さ
らに詳しくは耐久性および耐食性に優れた磁気記録媒体
およびその製造方法に関する。
らに詳しくは耐久性および耐食性に優れた磁気記録媒体
およびその製造方法に関する。
一般に、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、ス
パッタリング等によって基体フィルム上に被着するか、
あるいは磁性粉末を結合剤成分とともに基体フィルム上
に結着してつくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁
気ヘッド等と激しく摺接するため磁性層が摩耗されやす
く、特に真空蒸着等によって形成される強磁性全屈薄膜
層は、高密度記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また
空気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
パッタリング等によって基体フィルム上に被着するか、
あるいは磁性粉末を結合剤成分とともに基体フィルム上
に結着してつくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁
気ヘッド等と激しく摺接するため磁性層が摩耗されやす
く、特に真空蒸着等によって形成される強磁性全屈薄膜
層は、高密度記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また
空気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐久性および耐食性を改善することが行われて
おり、たとえば、フッ素系有機化合物やケイ素系有機化
合物のプラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり(特
開昭58−88828号、特開昭58−60427号)
、さらにはプラズマ重合保護模層上に炭素炭素不飽和基
を有する化合物からなる潤滑剤層を設ける(特開昭59
−154643号)ことが提案されている。
などして耐久性および耐食性を改善することが行われて
おり、たとえば、フッ素系有機化合物やケイ素系有機化
合物のプラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり(特
開昭58−88828号、特開昭58−60427号)
、さらにはプラズマ重合保護模層上に炭素炭素不飽和基
を有する化合物からなる潤滑剤層を設ける(特開昭59
−154643号)ことが提案されている。
ところが、これらのプラズマ重合保護膜層を磁性層上に
設けたもの、さらにはプラズマ重合保護膜層上に炭素炭
素不飽和基を有する化合物からなる潤滑剤層を設けたも
のは、耐久性および、耐食性を改善するものの未だ充分
でなく、磁気ヘッドとの摺動により短期間で摩耗し易く
て、未だ、充分に良好な耐久性が得られないという難点
がある。
設けたもの、さらにはプラズマ重合保護膜層上に炭素炭
素不飽和基を有する化合物からなる潤滑剤層を設けたも
のは、耐久性および、耐食性を改善するものの未だ充分
でなく、磁気ヘッドとの摺動により短期間で摩耗し易く
て、未だ、充分に良好な耐久性が得られないという難点
がある。
C問題点を解決するための手段〕
この発明は、かかる現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果な
されたもので、磁性層上に、少なくとも炭素原子と水素
原子と酸素原子とを含む高分子化合物からなる第1の保
護膜層、あるいはさらにケイ素原子、金属原子等を含む
高分子化合物からなる第1の保護膜層を設け、比較的硬
い有機高分子化合物からなる第1の保護膜層を形成して
耐摩耗性および耐食性を改善するとともに、さらに、こ
の高分子化合物からなる第1の保護膜層上に、水素原子
の一部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸からなる潤滑
性および耐食性に優れた第2の保護膜層を形成すること
によって、耐摩耗性および耐食性をさらに一段と向上さ
せ、耐久性を改善したものである。また、高分子化合物
からなる保護膜層を酸素ガスないし酸素ガスを含むガス
でプラズマ処理して、少なくとも炭素原子と水素原子と
酸素原子とを含みかつ酸素原子の含有量を表面層ほど多
くした有機高分子化合物からなる第1の保護膜層、ある
いはさらにケイ素原子、金属原子等を含む有機高分子化
合物からなる第1の保護膜層を磁性層上に設け、高分子
化合物からなる第1の保護M’ANの特に表面付近をよ
り強固にするとともに、第2の保護膜層との接着性を向
上させて、耐摩耗性および耐食性をさらに一段と向上さ
せ、耐久性を充分に改善したものである。
されたもので、磁性層上に、少なくとも炭素原子と水素
原子と酸素原子とを含む高分子化合物からなる第1の保
護膜層、あるいはさらにケイ素原子、金属原子等を含む
高分子化合物からなる第1の保護膜層を設け、比較的硬
い有機高分子化合物からなる第1の保護膜層を形成して
耐摩耗性および耐食性を改善するとともに、さらに、こ
の高分子化合物からなる第1の保護膜層上に、水素原子
の一部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸からなる潤滑
性および耐食性に優れた第2の保護膜層を形成すること
によって、耐摩耗性および耐食性をさらに一段と向上さ
せ、耐久性を改善したものである。また、高分子化合物
からなる保護膜層を酸素ガスないし酸素ガスを含むガス
でプラズマ処理して、少なくとも炭素原子と水素原子と
酸素原子とを含みかつ酸素原子の含有量を表面層ほど多
くした有機高分子化合物からなる第1の保護膜層、ある
いはさらにケイ素原子、金属原子等を含む有機高分子化
合物からなる第1の保護膜層を磁性層上に設け、高分子
化合物からなる第1の保護M’ANの特に表面付近をよ
り強固にするとともに、第2の保護膜層との接着性を向
上させて、耐摩耗性および耐食性をさらに一段と向上さ
せ、耐久性を充分に改善したものである。
この発明において、磁性層上に被着形成される高分子化
合物からなる第1の保護膜層は、この保護膜層が、プラ
ズマ重合によって形成される場合は、処理槽内で、炭化
水素系化合物、ケイ素系有機化合物および有機金属化合
物等の七ツマーガスを、高周波あるいはマイクロ波等に
よりプラズマ重合させて、磁性層上に被着することによ
って形成される。このプラズマ重合保護膜層を形成する
のに使用するモノマーガスとしては、たとえば、メタン
、プロパン、エチレン、プロピレンなどの炭化水素系化
合物のモノマーガス、テトラメチルシラン、ヘキサメチ
ルジシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシ
ロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなどの
ケイ素系有機化合物のモノマーガス、テトラメチルスズ
、テトラメチルゲルマニウム、フェロセン、ペンタエト
キシタンタル、チタニウムテトライソプロポキサイドな
どの有機金属化合物等が好ましく使用され、これらの有
機化合物のモノマーガスは、高周波あるいはマイクロ波
等によりラジカルが生成され、この生成されたラジカル
が反応し重合して被膜となる。これらの有機化合物の七
ツマーガスは、それぞれ単独で使用する他、混合して使
用してもよく、またこれらの有機化合物のモノマーガス
をプラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘリウムガスお
よび酸素ガス等のキャリアガスを併存させるとモノマー
ガスを単独でプラズマ重合する場合に比べて3〜5倍の
速度で析出されるため、これらのキャリアカニスを併存
させて行うのが好ましい。これらのキャリアガスと併存
させる際、その組成割合はキャリアガス対前記有機化合
物のモノマーガスの比にして1対1〜1対20の範囲内
で併存させるのが好ましく、キャリアガスが少なすぎる
と析出速度が低下し、多すぎるとモノマーガスが少なく
なってプラズマ重合反応に支障をきたす。特に、酸素ガ
スを併存させてプラズマ重合する場合は、全体に酸素原
子を含有したプラズマ重合保護膜層が得られ、保護膜層
の架橋密度が向上するとともに、この上にさらに形成さ
れる第2の保護膜層との接着性が向上される。
合物からなる第1の保護膜層は、この保護膜層が、プラ
ズマ重合によって形成される場合は、処理槽内で、炭化
水素系化合物、ケイ素系有機化合物および有機金属化合
物等の七ツマーガスを、高周波あるいはマイクロ波等に
よりプラズマ重合させて、磁性層上に被着することによ
って形成される。このプラズマ重合保護膜層を形成する
のに使用するモノマーガスとしては、たとえば、メタン
、プロパン、エチレン、プロピレンなどの炭化水素系化
合物のモノマーガス、テトラメチルシラン、ヘキサメチ
ルジシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシ
ロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなどの
ケイ素系有機化合物のモノマーガス、テトラメチルスズ
、テトラメチルゲルマニウム、フェロセン、ペンタエト
キシタンタル、チタニウムテトライソプロポキサイドな
どの有機金属化合物等が好ましく使用され、これらの有
機化合物のモノマーガスは、高周波あるいはマイクロ波
等によりラジカルが生成され、この生成されたラジカル
が反応し重合して被膜となる。これらの有機化合物の七
ツマーガスは、それぞれ単独で使用する他、混合して使
用してもよく、またこれらの有機化合物のモノマーガス
をプラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘリウムガスお
よび酸素ガス等のキャリアガスを併存させるとモノマー
ガスを単独でプラズマ重合する場合に比べて3〜5倍の
速度で析出されるため、これらのキャリアカニスを併存
させて行うのが好ましい。これらのキャリアガスと併存
させる際、その組成割合はキャリアガス対前記有機化合
物のモノマーガスの比にして1対1〜1対20の範囲内
で併存させるのが好ましく、キャリアガスが少なすぎる
と析出速度が低下し、多すぎるとモノマーガスが少なく
なってプラズマ重合反応に支障をきたす。特に、酸素ガ
スを併存させてプラズマ重合する場合は、全体に酸素原
子を含有したプラズマ重合保護膜層が得られ、保護膜層
の架橋密度が向上するとともに、この上にさらに形成さ
れる第2の保護膜層との接着性が向上される。
プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波やマイク
ロ波の電力は、ガス圧が高くなるほど被着速度が速くな
る反面モノマーガスが比較的架橋密度低くプラズマ重合
されて硬い保護膜層が得られず、またガス圧を低くして
高周波電力を高くすると被着速度が遅くなる反面架橋密
度が比較的高くて硬い保護膜層が得られる。ところが、
ガス圧を低くして高周波電力を高くしすぎると、モノマ
ーガスが粉末化してしまいプラズマ重合保護膜層が形成
されないため、ガス圧を0.001〜5トールの範囲内
とし、平方センチあたりの高周波電力を0.03〜5W
/an!の範囲内とするのが好ましく、ガス圧を0.0
03〜1トールとし、平方センナあたりの高周波電力を
0.05〜3 W/ell!の範囲内とするのがより好
ましい。このようにしてプラズマ重合によって被着形成
される有機化合物のプラズマ重合保護膜層は緻密で摩擦
係数も小さく、従ってこの有機化合物のプラズマ重合保
護B’ANが形成されると耐摩耗性および耐食性が向上
される。このような有機化合物のプラズマ重合保護膜層
の膜厚は、20〜1000人の範囲内であることが好ま
しく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による耐久性の効
果が充分に発揮されず、厚すぎるとスペーシングロスが
大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
ロ波の電力は、ガス圧が高くなるほど被着速度が速くな
る反面モノマーガスが比較的架橋密度低くプラズマ重合
されて硬い保護膜層が得られず、またガス圧を低くして
高周波電力を高くすると被着速度が遅くなる反面架橋密
度が比較的高くて硬い保護膜層が得られる。ところが、
ガス圧を低くして高周波電力を高くしすぎると、モノマ
ーガスが粉末化してしまいプラズマ重合保護膜層が形成
されないため、ガス圧を0.001〜5トールの範囲内
とし、平方センチあたりの高周波電力を0.03〜5W
/an!の範囲内とするのが好ましく、ガス圧を0.0
03〜1トールとし、平方センナあたりの高周波電力を
0.05〜3 W/ell!の範囲内とするのがより好
ましい。このようにしてプラズマ重合によって被着形成
される有機化合物のプラズマ重合保護膜層は緻密で摩擦
係数も小さく、従ってこの有機化合物のプラズマ重合保
護B’ANが形成されると耐摩耗性および耐食性が向上
される。このような有機化合物のプラズマ重合保護膜層
の膜厚は、20〜1000人の範囲内であることが好ま
しく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による耐久性の効
果が充分に発揮されず、厚すぎるとスペーシングロスが
大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
また、高分子化合物からなる第1の保護膜層をスパッタ
リングによって形成する場合は、処理槽内で、耐熱性の
良好な樹脂をアルゴンガス等の存在下で高周波によりス
パッタリングさせて、磁性層上に析出することによって
形成される。このとき保護膜層中に酸素原子を含有させ
る場合は、酸素原子を含有する化学構造の樹脂を用いた
り、アルゴンガスに酸素ガスを混合して行われ、このよ
うに酸素原子が含有されると保護膜層の架橋密度が向上
するとともに、この上にさらに形成される第2の保護膜
層との接着性が向上される。このようなスパッタリング
によって保護膜層を形成するのに使用される樹脂として
は、200℃以上の温度で軟化したり分解することのな
い耐熱性に優れた樹脂が好ましく使用され、たとえば、
イミド系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂、
メラミン系樹脂、ホルマリン系樹脂、尿素系樹脂、フラ
ン系樹脂、エポキシ系樹脂等が好適なものとして使用さ
れる。
リングによって形成する場合は、処理槽内で、耐熱性の
良好な樹脂をアルゴンガス等の存在下で高周波によりス
パッタリングさせて、磁性層上に析出することによって
形成される。このとき保護膜層中に酸素原子を含有させ
る場合は、酸素原子を含有する化学構造の樹脂を用いた
り、アルゴンガスに酸素ガスを混合して行われ、このよ
うに酸素原子が含有されると保護膜層の架橋密度が向上
するとともに、この上にさらに形成される第2の保護膜
層との接着性が向上される。このようなスパッタリング
によって保護膜層を形成するのに使用される樹脂として
は、200℃以上の温度で軟化したり分解することのな
い耐熱性に優れた樹脂が好ましく使用され、たとえば、
イミド系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂、
メラミン系樹脂、ホルマリン系樹脂、尿素系樹脂、フラ
ン系樹脂、エポキシ系樹脂等が好適なものとして使用さ
れる。
スパッタリングを行う場合のアルゴンガス等のガス圧お
よび高周波の電力は、析出速度を良好にしかつ高分子の
分解を防止するため、ガス圧を、0.001〜0.1ト
ールとし、平方センナあたりの高周波電力を0.1〜2
W / ctAの範囲内とするのが好ましい。このよ
うにしてスパッタリングによって析出形成される耐熱性
樹脂からなる保護膜層は緻密で摩擦係数も小さく、従っ
てこの耐熱性樹脂からなる保護膜層が形成されると耐摩
耗性および耐食性が向上される。このような耐熱性樹脂
からなる保護膜層の膜厚は、20〜1000人の範囲内
であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層
による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎるとス
ペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影
響を及ぼす。
よび高周波の電力は、析出速度を良好にしかつ高分子の
分解を防止するため、ガス圧を、0.001〜0.1ト
ールとし、平方センナあたりの高周波電力を0.1〜2
W / ctAの範囲内とするのが好ましい。このよ
うにしてスパッタリングによって析出形成される耐熱性
樹脂からなる保護膜層は緻密で摩擦係数も小さく、従っ
てこの耐熱性樹脂からなる保護膜層が形成されると耐摩
耗性および耐食性が向上される。このような耐熱性樹脂
からなる保護膜層の膜厚は、20〜1000人の範囲内
であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層
による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎるとス
ペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影
響を及ぼす。
このようにして形成された高分子化合物からなる保護膜
層は、次いで、処理槽内で、高周波電極で発生させた酸
素ガスや酸素ガスと希ガスとの混合ガスのプラズマ中に
さらすなどの方法でプラズマ処理されると、プラズマ化
した酸素ガスが高エネルギーを有しているため保護膜層
の表面が良好に酸化され、保護膜層の特に表面付近の架
橋密度がより高くなり、摩擦係数が小さく、かつ緻密で
硬い高分子化合物からなる第1の保護膜層が形成されて
、耐摩耗性が一段と向上される。また、この酸化された
保護膜層の表面は親水性が強くて接着性に優れ、この上
にさらに水素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂
肪酸からなる第2の保護膜層を形成すると、この種の水
素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸の分子
の極性基が高分子化合物からなる保護膜層の表面に良好
に被着し、第2の保護膜層が強固に被着されるとともに
、水素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸の
分子が良好に配列されて摩擦係数が充分に低減され、耐
摩耗性がさらに一段と向上される。このような酸素ガス
や酸素ガスと希ガスとの混合ガスのプラズマによる酸化
処理を施して得られる高分子化合物からなる第1の保護
膜層における酸素原子の濃度分布は、保護膜層の特に表
面付近の架橋密度を充分に高くし、かつこの上にさらに
被着形成される第2の保護膜層に対する接着性を充分に
向上させるため、表面から20人の間に5〜70重量%
含有されていることが好ましく、またこの酸素原子は高
分子化合物からなる保護膜層の表面層とともに、全体に
含有されるとさらに良好な効果が得られ、この場合は酸
素原子を表面から20人の間に5〜70重1%含有され
るとともに、全体で5〜50重量%含有されていること
が好ましい。また、このような高分子化合物からなる保
護膜層中における炭素原子および水素原子は、保護膜層
が炭素原子と水素原子と酸素原子、さらにはこれらと金
属原子とからなる場合、炭素原子を10〜50重量%、
水素原子を5〜30重量%含有していることが好ましく
、さらに保護膜層がケイ素原子と炭素原子と水素原子と
酸素原子、さらにはこれらと金属原子とからなる場合は
、炭素原子が原子数比でケイ素原子に対して0.5〜2
.5倍、水素原子が原子数比でケイ素原子に対して5倍
以下であることが好ましい。
層は、次いで、処理槽内で、高周波電極で発生させた酸
素ガスや酸素ガスと希ガスとの混合ガスのプラズマ中に
さらすなどの方法でプラズマ処理されると、プラズマ化
した酸素ガスが高エネルギーを有しているため保護膜層
の表面が良好に酸化され、保護膜層の特に表面付近の架
橋密度がより高くなり、摩擦係数が小さく、かつ緻密で
硬い高分子化合物からなる第1の保護膜層が形成されて
、耐摩耗性が一段と向上される。また、この酸化された
保護膜層の表面は親水性が強くて接着性に優れ、この上
にさらに水素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂
肪酸からなる第2の保護膜層を形成すると、この種の水
素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸の分子
の極性基が高分子化合物からなる保護膜層の表面に良好
に被着し、第2の保護膜層が強固に被着されるとともに
、水素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸の
分子が良好に配列されて摩擦係数が充分に低減され、耐
摩耗性がさらに一段と向上される。このような酸素ガス
や酸素ガスと希ガスとの混合ガスのプラズマによる酸化
処理を施して得られる高分子化合物からなる第1の保護
膜層における酸素原子の濃度分布は、保護膜層の特に表
面付近の架橋密度を充分に高くし、かつこの上にさらに
被着形成される第2の保護膜層に対する接着性を充分に
向上させるため、表面から20人の間に5〜70重量%
含有されていることが好ましく、またこの酸素原子は高
分子化合物からなる保護膜層の表面層とともに、全体に
含有されるとさらに良好な効果が得られ、この場合は酸
素原子を表面から20人の間に5〜70重1%含有され
るとともに、全体で5〜50重量%含有されていること
が好ましい。また、このような高分子化合物からなる保
護膜層中における炭素原子および水素原子は、保護膜層
が炭素原子と水素原子と酸素原子、さらにはこれらと金
属原子とからなる場合、炭素原子を10〜50重量%、
水素原子を5〜30重量%含有していることが好ましく
、さらに保護膜層がケイ素原子と炭素原子と水素原子と
酸素原子、さらにはこれらと金属原子とからなる場合は
、炭素原子が原子数比でケイ素原子に対して0.5〜2
.5倍、水素原子が原子数比でケイ素原子に対して5倍
以下であることが好ましい。
このような酸素ガスないし酸素ガスを含むガスのプラズ
マによる酸化処理は、保護膜層の表面を良好に酸化し、
特に表面付近の架橋密度を充分に高くするとともに、こ
の上にさらに被着形成される第2の保護膜層に対する接
着性を充分に向上させるため、酸素ガスのガス圧を0.
003〜1トールの範囲内とし、平方センナあたりの高
周波電力を0.03〜5 W / caの範囲内として
行うのが好ましく、ガス圧を0.01〜0.5トールと
し、平方センチあたりの高周波電力を0.05〜3 W
/co!の範囲内とするのがより好ましい。
マによる酸化処理は、保護膜層の表面を良好に酸化し、
特に表面付近の架橋密度を充分に高くするとともに、こ
の上にさらに被着形成される第2の保護膜層に対する接
着性を充分に向上させるため、酸素ガスのガス圧を0.
003〜1トールの範囲内とし、平方センナあたりの高
周波電力を0.03〜5 W / caの範囲内として
行うのが好ましく、ガス圧を0.01〜0.5トールと
し、平方センチあたりの高周波電力を0.05〜3 W
/co!の範囲内とするのがより好ましい。
このようにして、磁性層上に形成した前記の高分子化合
物からなる第1の保護膜層、さらには表面を酸素ガスな
いし酸素ガスを含むガスでプラズマ処理した高分子化合
物からなる第1の保護膜層上に、さらに、水素原子の一
部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸からなる第2の保
護膜層が形成されると、耐摩耗性および耐食性がさらに
一段と向上される。このような水素原子の一部もしくは
全部をフ・ノ素化した脂肪酸としては、ラウリン酸、ミ
リスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸等
の、炭素原子数が11以上の脂肪酸の水素原子の一部も
しくは全部がフッ素置換されたものが好適なものとして
使用され、たとえば、Cy F15 (CH2
) 10 C0OH,C3F7 (CI(
2)+5COOIl、CF3 (CH2)+5COO
F等の分子式で表されるものが好ましく使用される。
物からなる第1の保護膜層、さらには表面を酸素ガスな
いし酸素ガスを含むガスでプラズマ処理した高分子化合
物からなる第1の保護膜層上に、さらに、水素原子の一
部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸からなる第2の保
護膜層が形成されると、耐摩耗性および耐食性がさらに
一段と向上される。このような水素原子の一部もしくは
全部をフ・ノ素化した脂肪酸としては、ラウリン酸、ミ
リスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸等
の、炭素原子数が11以上の脂肪酸の水素原子の一部も
しくは全部がフッ素置換されたものが好適なものとして
使用され、たとえば、Cy F15 (CH2
) 10 C0OH,C3F7 (CI(
2)+5COOIl、CF3 (CH2)+5COO
F等の分子式で表されるものが好ましく使用される。
使用に際しては、その1種または2種以上を、例えば、
クロロホルム、メチルイソブチルケトン、メチルエチル
ケトン、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン
、フレオン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、テトラヒ
ドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の適
当な溶剤に溶解し、溶解によって得られた溶液中に高分
子化合物からなる第1の保護膜層を浸漬するが、或いは
上記溶液を予め形成された高分子化合物からなる第1の
保護膜層上に塗布または噴霧するなどの方法で被着され
る。また水素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂
肪酸を真空蒸着等によって高分子化合物からなる第1の
保護膜層上に被着する方法でも被着される。被着量は、
高分子化合物からなる第1の保護膜層上に20〜200
人の被膜が形成される範囲内で被着させるのが好ましく
、20人より膜厚が薄いと所期の効果が得られず、20
0人より膜厚が厚いとスペーシングロスが大きくなりす
ぎて電気的特性に悪影響を及ぼす。
クロロホルム、メチルイソブチルケトン、メチルエチル
ケトン、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン
、フレオン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、テトラヒ
ドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の適
当な溶剤に溶解し、溶解によって得られた溶液中に高分
子化合物からなる第1の保護膜層を浸漬するが、或いは
上記溶液を予め形成された高分子化合物からなる第1の
保護膜層上に塗布または噴霧するなどの方法で被着され
る。また水素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂
肪酸を真空蒸着等によって高分子化合物からなる第1の
保護膜層上に被着する方法でも被着される。被着量は、
高分子化合物からなる第1の保護膜層上に20〜200
人の被膜が形成される範囲内で被着させるのが好ましく
、20人より膜厚が薄いと所期の効果が得られず、20
0人より膜厚が厚いとスペーシングロスが大きくなりす
ぎて電気的特性に悪影響を及ぼす。
このように、磁性層上に高分子化合物からなる保護膜層
を形成し、この保護膜層の表面を酸素ガスないし酸素ガ
スを含むガスでプラズマ処理すると、耐久性および耐食
性が向上され、さらに酸素ガスないし酸素ガスを含むガ
スでプラズマ処理後、水素原子の一部もしくは全部をフ
ッ素化した脂肪酸の第2の保護膜層を形成すると耐久性
がさらに一段と向上されるが、これらの保護膜層を形成
する前に、例えば、コバルトを主成分として含む強磁性
金属″a膜層を、少なくとも酸素と水分の存在下におい
て熱処理し、強磁性金属薄膜層の表面に主にアモルファ
スの3価コバルトの含水1化物を生成するなどして、磁
性層の表面を緩やかに酸化すると、耐久性がさらに向上
される。
を形成し、この保護膜層の表面を酸素ガスないし酸素ガ
スを含むガスでプラズマ処理すると、耐久性および耐食
性が向上され、さらに酸素ガスないし酸素ガスを含むガ
スでプラズマ処理後、水素原子の一部もしくは全部をフ
ッ素化した脂肪酸の第2の保護膜層を形成すると耐久性
がさらに一段と向上されるが、これらの保護膜層を形成
する前に、例えば、コバルトを主成分として含む強磁性
金属″a膜層を、少なくとも酸素と水分の存在下におい
て熱処理し、強磁性金属薄膜層の表面に主にアモルファ
スの3価コバルトの含水1化物を生成するなどして、磁
性層の表面を緩やかに酸化すると、耐久性がさらに向上
される。
基体上に形成される磁性層は、γ−Fe203粉末、F
e3O4粉末、CO含有r−Fe203粉末、Co含有
Fe3O4粉末、Fe粉末、CO粉末、Fe−Ni粉末
などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等とともに
基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、Co、Fe、N
i、、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co−P合金
、Co−N1−P合金などの強磁性材を、真空蒸着、イ
オンブレーティング、スパッタリング、メッキ等の手段
によって基体上に被着するなどの方法で形成される。
e3O4粉末、CO含有r−Fe203粉末、Co含有
Fe3O4粉末、Fe粉末、CO粉末、Fe−Ni粉末
などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等とともに
基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、Co、Fe、N
i、、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co−P合金
、Co−N1−P合金などの強磁性材を、真空蒸着、イ
オンブレーティング、スパッタリング、メッキ等の手段
によって基体上に被着するなどの方法で形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1
厚さ10μmのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に
装填し、lXl0’トールの真空下でコバルトを加熱蒸
発させてポリエステルフィルム上に厚さ1000人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、
第1図に示すプラズマ処理装置を使用し、強磁性金属薄
膜層を形成したポリエステルフィルムlを処理槽2内で
供給ロール3からガイドロール4および5を介して巻き
取りロール6に巻き取るようにセットし、た。次ぎに、
処理槽2に取りつけたガス導入管7からメタンのモノマ
ーガスを100secmの流量で導入し、ガス圧0.0
5 トール、処理槽2内下部に配設した下部電極8の高
周波電力密度0.5W/cJでプラズマ重合を行い、厚
さ50人のプラズマ重合保護膜層を形成した。次いでこ
れをCy F15 (CH2) t。
装填し、lXl0’トールの真空下でコバルトを加熱蒸
発させてポリエステルフィルム上に厚さ1000人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、
第1図に示すプラズマ処理装置を使用し、強磁性金属薄
膜層を形成したポリエステルフィルムlを処理槽2内で
供給ロール3からガイドロール4および5を介して巻き
取りロール6に巻き取るようにセットし、た。次ぎに、
処理槽2に取りつけたガス導入管7からメタンのモノマ
ーガスを100secmの流量で導入し、ガス圧0.0
5 トール、処理槽2内下部に配設した下部電極8の高
周波電力密度0.5W/cJでプラズマ重合を行い、厚
さ50人のプラズマ重合保護膜層を形成した。次いでこ
れをCy F15 (CH2) t。
C0OHの0.1重量%クロロホルム溶液中に浸漬し、
乾燥して、厚さが50人のフッ素化脂肪酸からなる第2
の保護膜層を形成した。しかる後、所定の巾に裁断して
第2図に示すようなポリエステルフィルム1上に強磁性
金属薄膜層12、プラズマ重合保護膜層13およびフッ
素化脂肪酸からなる第2の保護膜層14を順次に積層形
成した磁気テープAをつくった。なお、第1図中9はガ
イドロール4および5間を移動するポリエステルフィル
ム1の直上に配設した上部電極であり、10は処理槽2
内を減圧するための排気系、11は下部電極8に高周波
を印加するだめの高周波電源である。
乾燥して、厚さが50人のフッ素化脂肪酸からなる第2
の保護膜層を形成した。しかる後、所定の巾に裁断して
第2図に示すようなポリエステルフィルム1上に強磁性
金属薄膜層12、プラズマ重合保護膜層13およびフッ
素化脂肪酸からなる第2の保護膜層14を順次に積層形
成した磁気テープAをつくった。なお、第1図中9はガ
イドロール4および5間を移動するポリエステルフィル
ム1の直上に配設した上部電極であり、10は処理槽2
内を減圧するための排気系、11は下部電極8に高周波
を印加するだめの高周波電源である。
実施例2
実施例1におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、プラズマ重合に引続き、処理槽2に取りつけたガス導
入管7から酸素ガスを200secmの流量で導入し、
ガス圧0’、06トール、下部電極8の高周波電力密度
0.5W/c+dでプラズマ処理を行った以外は、実施
例1と同様にしてプラズマ重合保護膜層を形成し、磁気
テープAをつくった。
、プラズマ重合に引続き、処理槽2に取りつけたガス導
入管7から酸素ガスを200secmの流量で導入し、
ガス圧0’、06トール、下部電極8の高周波電力密度
0.5W/c+dでプラズマ処理を行った以外は、実施
例1と同様にしてプラズマ重合保護膜層を形成し、磁気
テープAをつくった。
実施例3
実施例1におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、ガス導入管7からメタンの七ツマーガスに代えて、テ
トラメチルシランのモノマーガスを100secmの流
量で導入して、ガス圧を0.07 )−ルとした以外は
実施例1と同様にしてプラズマ重合保護膜層を形成し、
磁気テープAをつくった。このときのプラズマ重合保護
膜層の層厚は100人であった。
、ガス導入管7からメタンの七ツマーガスに代えて、テ
トラメチルシランのモノマーガスを100secmの流
量で導入して、ガス圧を0.07 )−ルとした以外は
実施例1と同様にしてプラズマ重合保護膜層を形成し、
磁気テープAをつくった。このときのプラズマ重合保護
膜層の層厚は100人であった。
実施例4
実施例1におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、メタンの七ツマーガスに代えて、テトラメチルスズの
モノマーガスを5Qsccmの流量で導入し、ガス圧を
0.03 )−ルとした以外は、実施例1と同様にして
プラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テープAをつくっ
た。このときのプラズマ重合保護膜層の層厚は30人で
あった。
、メタンの七ツマーガスに代えて、テトラメチルスズの
モノマーガスを5Qsccmの流量で導入し、ガス圧を
0.03 )−ルとした以外は、実施例1と同様にして
プラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テープAをつくっ
た。このときのプラズマ重合保護膜層の層厚は30人で
あった。
実施例5
実施例1におけるプラズマ重合保護膜層の形成に代えて
、処理槽2内の下部電極8上にカプトンをターゲットと
してセットし、ガス導入管7からアルゴンガスを200
secmの流量で真空槽2内に導入し、アルゴンガスの
ガス圧3XIQ’l−−ルで、下部電極8の高周波電力
密度を0 、8 W / CIAとしてスパッタリング
を行い、厚さ50人の第1の保護膜層を形成した以外は
、実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
、処理槽2内の下部電極8上にカプトンをターゲットと
してセットし、ガス導入管7からアルゴンガスを200
secmの流量で真空槽2内に導入し、アルゴンガスの
ガス圧3XIQ’l−−ルで、下部電極8の高周波電力
密度を0 、8 W / CIAとしてスパッタリング
を行い、厚さ50人の第1の保護膜層を形成した以外は
、実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
実施例6
実施例1におけるフッ素化脂肪酸からなる潤滑剤層の形
成において、C7F+s (CI2 ) +o C0
OHの0.1重量%クロロホルム溶液に代えて、C3F
、(CH2)+eCOOHの0.1重量%クロロホルム
溶液を使用した以外は、実施例1と同様にして厚さ60
人のフ・7素化脂肪酸からなる第2の保護膜層を形成し
、磁気テープAをつくった。
成において、C7F+s (CI2 ) +o C0
OHの0.1重量%クロロホルム溶液に代えて、C3F
、(CH2)+eCOOHの0.1重量%クロロホルム
溶液を使用した以外は、実施例1と同様にして厚さ60
人のフ・7素化脂肪酸からなる第2の保護膜層を形成し
、磁気テープAをつくった。
実施例7
α−Fe磁性粉末 600重量部エスレソ
クCN(漬水化学工業 80〃社製、塩化ビニル−酢
酸ビニ ル共重合体) バンデックスT−5250(大 30〃ロ本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー) コロネートしく日本ボリウレタ 10〃ン工業社製、
三官能性低分子 量インシアネート化合物) メチルイソブチルケトン 400〃トルエン
400〃この組成物をボールミル中
で72時間混合分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗
料を厚さ10μmのポリエステルフィルム上に乾燥厚が
4μmとなるように塗布、乾燥して磁性層を形成した。
クCN(漬水化学工業 80〃社製、塩化ビニル−酢
酸ビニ ル共重合体) バンデックスT−5250(大 30〃ロ本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー) コロネートしく日本ボリウレタ 10〃ン工業社製、
三官能性低分子 量インシアネート化合物) メチルイソブチルケトン 400〃トルエン
400〃この組成物をボールミル中
で72時間混合分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗
料を厚さ10μmのポリエステルフィルム上に乾燥厚が
4μmとなるように塗布、乾燥して磁性層を形成した。
次いで、これに実施例1と同様にしてプラズマ重合保護
膜層およびフッ素化脂肪酸からなる第2の保護膜層を形
成し、磁気テープをつくった。
膜層およびフッ素化脂肪酸からなる第2の保護膜層を形
成し、磁気テープをつくった。
実施例8
実施例1において、コバルトからなる強磁性全屈薄膜層
を形成した後、これを真空蒸着装置から取り出し、大気
圧に保たれた熱処理槽において処理温度60℃、相対湿
度30%で、3時間加熱処理した以外は、実施例1と同
様にしてプラズマ重合保護膜層およびフッ素化脂肪酸か
らなる第2の保護膜層を形成し、磁気テープAをつくっ
た。
を形成した後、これを真空蒸着装置から取り出し、大気
圧に保たれた熱処理槽において処理温度60℃、相対湿
度30%で、3時間加熱処理した以外は、実施例1と同
様にしてプラズマ重合保護膜層およびフッ素化脂肪酸か
らなる第2の保護膜層を形成し、磁気テープAをつくっ
た。
比較例1
実施例1において、プラズマ重合保護膜層の形成および
フッ素化脂肪酸からなる第2の保護膜層の形成を省いた
以外は、実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
フッ素化脂肪酸からなる第2の保護膜層の形成を省いた
以外は、実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
比較例2
実施例1において、フッ素化脂肪酸からなる第2の保護
膜層の形成を省いた以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープをつくった。
膜層の形成を省いた以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
摩擦係数を測定し、耐久性および耐食性を試験した。耐
久性試験は磁気テープを摺動試験し、プラズマ重合保護
膜層もしくは磁性層に傷がつくまでの摺動回数を測定し
て行った。また、耐食性試験は、得られた磁気テープを
60°C190%RI−1の条件下に7日間放置して最
大磁束密度を測定し、放置前の磁気テープの最大磁束密
度を100%としてこれと比較した値でその劣化率を調
べて行った。
摩擦係数を測定し、耐久性および耐食性を試験した。耐
久性試験は磁気テープを摺動試験し、プラズマ重合保護
膜層もしくは磁性層に傷がつくまでの摺動回数を測定し
て行った。また、耐食性試験は、得られた磁気テープを
60°C190%RI−1の条件下に7日間放置して最
大磁束密度を測定し、放置前の磁気テープの最大磁束密
度を100%としてこれと比較した値でその劣化率を調
べて行った。
下表はその結果である。
上表から明らかなように、この発明で得られた磁気テー
プ(実施例1ないし8)は、いずれも比較例1および2
で得られた磁気テープに比し、摩擦係数が小さく、また
摺動回数が多くて劣化率が小さく、このことからこの発
明によって得られる磁気記録媒体は、一段と耐久性およ
び耐食性に優れていることがわかる。
プ(実施例1ないし8)は、いずれも比較例1および2
で得られた磁気テープに比し、摩擦係数が小さく、また
摺動回数が多くて劣化率が小さく、このことからこの発
明によって得られる磁気記録媒体は、一段と耐久性およ
び耐食性に優れていることがわかる。
第1図はプラズマ重合保護膜層を形成する際に使用する
プラズマ処理装置の1例を示す概略断面図、第2図はこ
の発明の製造方法によって得られた磁気テープの部分拡
大断面図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、12・・・強
磁性金属薄膜M(磁性層)、13・・・プラズマ重合保
護膜層(有機高分子化合物からなる第1の保護膜層)、
14・・・フッ素化脂肪酸からなる第2の保護膜層、A
・・・磁気テープ(磁気記録媒体)特許出願人 日立
マクセル株式会社 第1図
プラズマ処理装置の1例を示す概略断面図、第2図はこ
の発明の製造方法によって得られた磁気テープの部分拡
大断面図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、12・・・強
磁性金属薄膜M(磁性層)、13・・・プラズマ重合保
護膜層(有機高分子化合物からなる第1の保護膜層)、
14・・・フッ素化脂肪酸からなる第2の保護膜層、A
・・・磁気テープ(磁気記録媒体)特許出願人 日立
マクセル株式会社 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基体上に磁性層を形成し、この磁性層上に少なくと
も炭素原子と水素原子と酸素原子とを含む高分子化合物
からなる第1の保護膜層を設け、さらにこの高分子化合
物からなる第1の保護膜層上に、水素原子の一部もしく
は全部をフッ素化した脂肪酸からなる第2の保護膜層を
設けたことを特徴とする磁気記録媒体 2、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の保
護膜層中に含まれる酸素原子の含有量を表面層ほど多く
した特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体 3、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の保
護膜層中にさらにケイ素原子を含む特許請求の範囲第1
項および第2項記載の磁気記録媒体 4、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の保
護膜層中にさらに金属原子を含む特許請求の範囲第1項
ないし第3項記載の磁気記録媒体 5、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性層上に
少なくとも炭素原子と水素原子と酸素原子とを含む有機
化合物のモノマーガスをプラズマ重合させて、少なくと
も炭素原子と水素原子と酸素原子とを含む高分子化合物
からなる第1の保護膜層を形成し、さらにこの高分子化
合物からなる第1の保護膜層上に、水素原子の一部もし
くは全部をフッ素化した脂肪酸からなる第2の保護膜層
を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法 6、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の保
護膜層中にさらにケイ素原子を含む特許請求の範囲第5
項記載の磁気記録媒体の製造方法 7、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の保
護膜層中にさらに金属原子を含む特許請求の範囲第5項
および第6項記載の磁気記録媒体の製造方法 8、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性層上に
少なくとも炭素原子と水素原子と酸素原子とを含む高分
子化合物をスパッタリングして、少なくとも炭素原子と
水素原子と酸素原子とを含む高分子化合物からなる第1
の保護膜層を形成し、さらにこの高分子化合物からなる
第1の保護膜層上に、水素原子の一部もしくは全部をフ
ッ素化した脂肪酸からなる第2の保護膜層を形成するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法 9、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の保
護膜層中にさらにケイ素原子を含む特許請求の範囲第8
項記載の磁気記録媒体の製造方法 10、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の
保護膜層中にさらに金属原子を含む特許請求の範囲第8
項および第9項記載の磁気記録媒体の製造方法 11、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性層上
に少なくとも炭素原子と水素原子とを含む有機化合物の
モノマーガスをプラズマ重合させて、少なくとも炭素原
子と水素原子とを含む高分子化合物からなる保護膜層を
形成し、しかる後、この高分子化合物からなる保護膜層
を酸素ガスないし酸素ガスを含むガスでプラズマ処理し
て、少なくとも炭素原子と水素原子と酸素原子とを含み
かつ酸素原子の含有量を表面層ほど多くした高分子化合
物からなる第1の保護膜層を形成し、さらにその上に、
水素原子の一部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸から
なる第2の保護膜層を形成することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法 12、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の
保護膜層中にさらにケイ素原子を含む特許請求の範囲第
11項記載の磁気記録媒体の製造方法 13、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の
保護膜層中にさらに金属原子を含む特許請求の範囲第1
1項および第12項記載の磁気記録媒体の製造方法 14、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性層上
に少なくとも炭素原子と水素原子とを含む高分子化合物
をスパッタリングして、少なくとも炭素原子と水素原子
とを含む高分子化合物からなる保護膜層を形成し、しか
る後、この高分子化合物からなる保護膜層を酸素ガスな
いし酸素ガスを含むガスでプラズマ処理して、少なくと
も炭素原子と水素原子と酸素原子とを含みかつ酸素原子
の含有量を表面層ほど多くした高分子化合物からなる第
1の保護膜層を形成し、さらにその上に、水素原子の一
部もしくは全部をフッ素化した脂肪酸からなる第2の保
護膜層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法 15、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の
保護膜層中にさらにケイ素原子を含む特許請求の範囲第
14項記載の磁気記録媒体の製造方法 16、磁性層上に形成した高分子化合物からなる第1の
保護膜層中にさらに金属原子を含む特許請求の範囲第1
4項および第15項記載の磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP850486A JPS62167615A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP850486A JPS62167615A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62167615A true JPS62167615A (ja) | 1987-07-24 |
Family
ID=11694946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP850486A Pending JPS62167615A (ja) | 1986-01-18 | 1986-01-18 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62167615A (ja) |
-
1986
- 1986-01-18 JP JP850486A patent/JPS62167615A/ja active Pending
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