JPS6116028A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は磁気記録媒体およびその製造方法に関し、さ
らに詳しくは、耐食性に優れたωり気配録媒体およびそ
の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

一般に、磁性１′５）末を結合剤成分とともに基体フィ
ルム上に結着させるか、或いは強磁性金属またはそれら
の合金などを真空蒸着等やこよって基体フィルム上に被
着してつくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ベ
ッド等と激しく摺接するため磁性層が摩耗され易く、特
に真空蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体は、高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッド
との摩ｉ！ｆ係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、ま
た空気中で除々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気
特性が劣化するなどの難点がある。

このため、磁性層上に種々の保護膜層を設けて耐久性お
よび耐食４１１を改善することが行われており、近年、
たとえば、テトラメチルシランやオクタメチルツクロチ
Ｆ：）／ロキサン等のケイ素系有機化合物のプラズマ重
合保護膜層を磁性層上に形成することが提案されでいる
。（特開昭５７−８２２２９号、特開昭５８−６０４２
７号）〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、この種のケイ素系有機化合物のプラズマ重合
保護膜層は、潤滑性や耐摩耗性に優れるものの、親水性
の酸素原子や窒素原子を含むため腐食されやすく、未だ
充分に耐食性を改善することができない。

〔問題点を解決するだめの手段〕

この発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果なさ
れたもので、基体上に磁性層を形成した後、この磁性層
を、モノマーガス中にさらしてプラズマ重合を行い、プ
ラズマ重合保護膜層形成後、さらにフッ素系有機化合物
のモノマーガスまたはフッ素系化合物を含む混合モノマ
ーガス中にさらしてプラズマ重合を行うか、あるいは、
フ・７素ガスもしくはフッ素系化合物のガス中にさらし
てプラズマ処理を行うか、もしくは、フッ素ガス中にさ
らしてフッ素化処理を行い、フッ素原子を磁性層側より
表面層側に多く含むプラズマ重合保護膜層を形成するこ
とによって、緻密で硬いプラズマ重合保護膜層を磁性層
上に強固に被着形成し、フッ素原子が示す疎水性により
耐食性を充分に改善させたものである。

この発明において磁性層」−に被着形成されるプラズマ
重合保護膜層は１４反応槽内で、ケイ素系有機化合物の
モノマーガスまたは炭化水素化合物の七ツマーガスもし
くはフッ素系有機化合物の七ツマーガスを、高周波ある
いはマイクロ波等によりプラズマ重合させて磁性層の表
面に被着形成することによって形成される。このプラズ
マ重合保護膜層を形成するのに使用するケイ素系有機化
合物の七ツマーガスとしては、たとえば、テトラメチル
シラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメデルシ
ラン、テトラメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサ
ン、オクタメチルシフロチ１−ラシロキサン、［リメチ
ルシリルアセチレン等の七ツマーガスが好ましく使用さ
れ、炭化水素化合物のモノマーガスとしては、たとえば
、プロパン、エチレン、プロピレン、アセトニトリル、
プロピオニトリル等の七ツマーガスが好ましく使用され
る。またフッ素系有機化合物のモノマーガスとしては、
たとえば、０２Ｆ４、Ｃ３Ｆ６等の七ツマーガスが好ま
しく使用される。

これらの、ケイ素系有機化合物の七ツマーガス、炭化水
素化合物のモノマーガスおよび）、素有機化合物のモノ
マーガスは、高周波によりラジカルが生成され、この生
成されたラジカルが反応し重合して被膜となる。

このようなプラズマ重合を行う場合のガス圧および高周
波やマイクロ波の電力は、ガス圧が高くなるほど被着速
度が速くなる反面モノマーガスが比較的低分子量でプラ
ズマ重合されて硬い保護膜層が得られず、ガス圧を低く
して電力を高（すると被着速度が遅くなる反面高分子化
された比較的硬い保護膜層が得られる。ところが、ガス
圧を低くして電力を高くしすぎると、モノマーガスが粉
末化してしまいプラズマ重合保護膜層が形成されないた
め、ガス圧を０．００１〜３トールの範囲内とし、電力
密度を０．０３〜５　Ｗ　／　ｃａの範囲内とするのが
好ましく、ガス圧を０．００３〜１トールとし、電力密
度を０．０５〜３　Ｗ／ｃＪの範囲内とするのがより好
ましい。

このようなプラズマ重合によって形成されたプラズマ重
合保護膜層は、次いで、さらにフッ素系有機化合物の七
ツマーガスまたはフッ素系化合物を含む混合モノマーガ
スを用いてプラズマ重合するか、あるいはフッ素ガスま
たはフッ素系化合物のガスを用いてプラズマ処理を行う
か、もしくは、フッ素ガスを用いてフッ素化処理を行う
ことによって、表面層側に磁性層側より多くのフッ素原
子が含有されたプラズマ重合保護膜層が形成される。

フッ累系Ｙ−ｒ　機化合物の′〔ツマ　ガス１７．−は
）・ノ素系化合物を含む混合モノマ　ガスによるプラズ
マ重合は、前記の有機化合物のモノマ　ガスによるプラ
ズマ重合と全く同様にして行われ、フッ素系有機化合物
の七ツマーガスとしては、ＣＦ４．０２Ｆ４．０２Ｆ６
．０３ＦＧ、Ｃ３Ｆ６、ＳＦ６等のモノマーガスが好ま
しく使用される。また、このようなフッ素系有機化合物
のモノマーガスおよびフッ素系化合物を含む混合モノマ
ーガスのプラズマ重合を行う場合の、ガス圧および高周
波やマイクロ波の電力は、前記のケイ素系有機化合物、
炭化水素系化合物およびフッ素系有機化合物のプラズマ
重合を行う場合と同じ理由で、ガス圧を０．００１〜３
トールの範囲内とし、電力密度を０．０３〜５　Ｗ　／
　ｃＡの範囲内とするのが好ましく、ガス圧を０．００
３〜１トールとし、電力密度を０．０５〜３Ｗ／　Ｃａ
の範囲内とするのがより好ましい。

また、フッ素ガスまたはフッ素系化合物のガスによるプ
ラズマ処理は、ケイ素系有機化合物または炭化水素系化
合物のプラズマ重合保護膜層の表面層の水素原子の一部
または大半を、フッ素原子と置換し、フッ素原子をプラ
ズマ重合保護膜層の表面層と結合させて、そのフッ素原
子が示す疎水性によって耐食性を充分に改善することを
目的として行われる。フッ素ガス以外のフッ素系化合物
のガスとしては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ｃ３Ｆｅ、ＳＦ６
等のガスが好ましく使用され、これらのフッ素ガスおよ
びフッ素系化合物のガスは単独で使用される他、ヘリウ
ムガス、アルゴンガス等の希ガスと混合して使用される
。このような希ガスと混合して使用されるとフッ素ガス
が少なくても安定な放電を起こすことができるという利
点がある。これらの希ガスと混合して使用する場合は、
フッ素ガスまたはフッ素系化合物のガス対希ガスの容積
比にして１対２０〜１対１の範囲内で使用するのが好ま
しく、希ガスが多ずぎるとフッ素化の速度がおそくなる
。また、このようなフッ素ガスもしくはフッ素系化合物
のガスのプラズマ処理を行う場合のガスＨＥおよび高置
′６ＪＬヤマイクロ波の電力は、安定な放電を維持し、
フッ素化を速（行うため、ガス圧を０．１〜５トールの
範囲内とし、電力密度を０．１〜２　Ｗ／ｃｎｌの範囲
内とするのが好ましく、ガス圧を０．３〜３トールとし
、電力密度を０．２〜ｌ　Ｗ　／　ｃＪの範囲内とする
のがより好ましい。

さらに、フッ素ガスによるフッ素化処理は、フッ素ガス
を満たした容器中にプラズマ重合保護膜層を放置して行
われ、５〜３０分間放置することによって、プラズマ重
合保護膜層表面のラジカルまたは水素原子の一部または
大半と反応して、プラズマ重合保護膜層表面にフッ素原
子が取り込まれる。

このように、ケイ素系有機化合物または炭化水素化合物
の七ツマーガスもしくはフッ素有機化合物のモノマーガ
スを用いてプラズマ重合をおこない、プラズマ重合保護
膜層形成後、さらにフッ素系有機化合物のモノマーガス
またはフッ素系化合物を含む混合モノマーガスを用いて
プラズマ重合するか、あるいはフッ素ガスまたは）・／
素糸化合物のガスを用いてプラズマ処理を行うか、もし
くは、フッ素ガスを用いてフッ素化処理を行うと、フッ
素原子を磁性層側より表面層例に多く含むプラズマ重合
保護膜層が容易に形成され、フッ素原子が示す疎水性に
よって耐食性が一段と向上される。このようなフッ素原
子を硼Ｐ１尺・１側より表面層側に多く含むプラズマ重
合保護膜層の膜厚は、３０〜１０００人の範囲内である
ことが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による
耐食性の効果が充分に発揮されず、厚すぎるとスペーシ
ングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性にｇ影響を及
ぼす。

このように、フッ素原子を磁性層側より表面層側に多く
含むプラズマ重合保護膜層中に含まれるフッ素原子は、
プラズマ重合保護膜層の表面から１０〜５００人の範囲
の表面層においてケ・イ素原子と炭素原子の合計量、も
しくは炭素原子ｔこ対し原子数比で０．１倍以上含有さ
れていることが好ましく、プラズマ重合保護膜層がｒイ
素系有機化合物のプラズマ重合によって形成されている
場合は、プラズマ重合保護膜層中におけるケイ素原子が
全原子に対して１０〜３０’Ｍ７の範囲内で含有され、
炭素原子は全原子に対して２０〜・４０％の範囲内で含
有されていることが好ましい。

基体上に形成される磁性層は、７Ｆｅ２０３粉末、Ｆｅ
３０４１）末、ＣＯ含有ｒ　　Ｆｅ２０３粉末、Ｃｏ含
有Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｆｅ粉末、ＣＯ粉末、Ｆｅ−Ｎｉ粉
末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等ととも
に基体上に塗布、乾燥するか、或いは、Ｃｏ、Ｎｉ、、
Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｇｏ−Ｃｒ、、Ｇｏ−Ｐ、、Ｃｏ−
Ｎｉ　−Ｐなどの強磁性材を真空蒸着、イオンブレーテ
ィング、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体
上に被着するなどの方法で形成される。

また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。

〔実施例〕

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例１ 厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、ｌＸｌ０−５トールの真空下でコバルトを加熱蒸
発させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００人のコ
バルトからなる強θ）性金属薄膜層を形成した。次いで
、第１図に示すプラズマ重合装置を使用し、この強磁性
金属薄膜層を形成したポリエステルフィルム１を反応槽
２内で原反ロール３から円筒状キャン４の周側面に沿っ
て移動させ、巻き取りロール５に巻き取るようにセット
し、ガス導入管６からテトラメチルシランのモノマーガ
スを５　ｓｅｃｍの流量で導入し、ガス圧０．０１トー
ルで１３．５６Ｍ１ｌｚの高周波を電力密度２　Ｗ　／
　ｃ♂でプラズマ重合を行い、厚さ１５０人のプラズマ
重合保護膜層を形成した。なお、図中８は反応槽２内を
減圧するための排気系であり、９は電極７に高周波を印
加するための高周波電源である。次いで、第２図に示す
プラズマ処理装置を使用し、この強磁性金属薄膜層を形
成し、さらにプラズマ重合保護膜層を形成したポリエス
テルフィルム１を反応槽１０内の上部に配設した基盤１
１の下面にセットした。次ぎに、ガス導入管１２からフ
ッ素ガスとヘリウムガスとの混合ガス（混合容積比１：
１０）を１０１０５ｅ流入し、ガス圧１トールで電極１
３により１３．５６門１１ｚの高周波を電力密度０．５
Ｗ／　ｃａｌで１分間プラズマ処理した。なお、図中１
４は反応槽１０内を減圧するための排気系であり、１５
は電極１３に高周波を印加するだめの高周波電源である
。しかる後、所定の巾に裁断して、第３図に示すような
ポリエステルフィルムｌ上に強磁性金属薄膜層１６およ
びプラズマ重合保護膜層１７を順次に積層形成した磁気
テープＡをつくった。このようにして形成されたプラズ
マ重合保護膜層をＥＳＣＡで分析した結果、プラズマ重
合保護膜層の表面から５０人の深さにおいてフッ素化が
起こっており、表面層におけるケイ素原子は１５％、炭
素原子は３０％、フッ素原子は５０％でケイ素原子と炭
素原子との合計量に対し、フッ素原子は原子数比で１．
１倍含有ささていた。

実施例２ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層のプラズマ処理
において、フッ素ガスとヘリウムガスとの混合ガスに代
えてＣＦ４を同量使用した以外は実施例１と同様にして
磁気テープをつくった。このようにして形成されたプラ
ズマ重合保護膜層をＥＳＣＡで分析した結果、プラズマ
重合保護膜層の表面から５０人の深さにおいてフッ素化
が起こっており、表面層におけるケイ素原子は２５％、
炭素原子は４０％、フッ素原子は３０％でケイ素原子と
炭素原子との合計量に対し、フッ素原子は原子数比で０
．４６倍含有されていた。

実施例３ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層のプラズマ処理
に代えて、プラズマ重合保Ｒ５設層を形成したポリエス
テルフィルムをフッ素ガスを満たした容器中に２０分間
放置した以外は実施例１と同様にして磁気テープをつく
った。このようにして形成されたプラズマ重合保護膜１
ｆｉをＥ’ＳＣΔで分析した結果、プラズマ重合保護膜
層の表面から３０人の深さにおいてフッ素化が起こって
おり、表面層におけるケイ素原子は３０％、炭素原子は
５０％、フッ素原子は１５％でケイ素原子と炭素原子と
の合計量に対し、フッ素原子は原子数比で、０．１９侶
含有されていた。

実施例４ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層のプラズマ処理
に代えて、プラズマ重合保護膜層を形成したポリエステ
ルフィルムを再度、反応槽２内で原反ロール３から円筒
状キャン４の周側面に沿って移動させ、巻き取りロール
５に巻き取るようにセットし、ガス導入管６からＣ２Ｆ
４のモノマーガスを５Ｑｓｃｃｍの流量で導入し、ガス
圧０．０２　）　−ルで１３．５６Ｍ１ｌｚＯ高周波を
電力密度０．３Ｗ／ｃ％でプラズマ重合を行い、厚さ２
００人のプラズマ重合保護膜層をさらに積層形成した以
外は実施例１と同様にして磁気テープをつくった。この
ようにして形成されたプラズマ重合保護膜層をＥＳＣＡ
で分析した結果、プラズマ重合保護膜層の表面層におけ
る炭素原子は３０％、フッ素原子は６０％で炭素原子に
対し、フッ素原子は原子数比で２倍含有されていた。

実施例５ 実施例１におけるプラズマ重合保護膜層のプラズマ処理
に代えて、プラズマ重合保護膜層を形成したポリエステ
ルフィルムを再度、反応槽２内で原反ロール３から円筒
状キャン４の周側面に沿って移動させ、巻き取りロール
５に巻き敗イ）よ・うにセットし、ガス導入管６からテ
トラメチルシランのモノマーガスを３０ｓｅｃｍの流冷
で、またＣＦ４ガスを１０１０５ｅの流量で導入し、ガ
ス圧０．０２１・−ルで１３．５６１１１２の高周波を
電力密度０．５Ｗ／ｃＡでプラズマ重合を行い、厚さ２
００人のプラズマ重合保護膜層をさらに積層形成した以
外は実施例１゛と同様にして磁気テープをつくった。こ
のようにして形成されたプラズマ重合保護膜１行をＥＳ
ＣＡで分析した結果、プラズマ重合Ｏｉ￥護膜層の表面
層における炭素原子は５５％、ケイ素原子は２０％、フ
ッ素原子は２０％で炭素原子とケイ素原子との合計量に
対し、フッ素原子は原子数比で０．２７倍含有されてい
た。

実施例６ ｏｔ−ＦｅＶｌ、性粉末　　　　　　　６００重量部エ
スレノクＣＮ（積木化学工業８０〃 社製、塩化ビニル−酢酸ビニ ル共重合体） バンデノクスＴ−５２５０（大　　３０μ日本インキ社
製、ウレタンエ ラス１７−） コロネート１．・（日本ボリウレタ　　１０・ｔン工業
社製、二官能性低分子 量ンソシアネ　１化合物） メチルイソブチルケトン　　　　４００〃Ｉ−ルエン　
　　　　　　　　　　４００１１この組成物をボールミ
ル中で７２時間混合分散して何す性塗料を凋製し、この
磁性塗料を厚さ１０μのポリエステルフィルム上に乾燥
厚が４μとなるように塗布、乾燥して磁性層を形成した
。次いで、これに実施例１と同様にしてプラズマ重合保
護膜層を形成し、プラズマ処理を行って磁気テープをつ
くった。

実施例７ 厚さ５０μのポリイミドフィルムを真空蒸着装置に装填
し、ポリイミドフィルムを３００℃に加熱しな力＜４３
Ｘ１０−’トールの真空下でコハルト−クロム合金を加
熱蒸発させて、ポリ・イ、ミドフ・イルム上に厚さ３５
００人のコハル１−　クロム合金（モル比８２：１８）
からなる強磁性金属薄Ｒ’Ａ層を形成した。次いで、こ
れに実施例１と同様にしてプラズマ重合保護膜層を形成
し、磁気テープをつ（った。

比較例１ 実施例１において、プラズマ処理を省いた以外は、実施
例１と同様にして磁気テープをつくった。このようにし
て形成されたプラズマ重合保護膜層をＥＳＣＡで分析し
た結果、プラズマ重合保護膜層の表面層におけるケイ素
原子は３５％、炭素原子は４０％であった。

比較例２ 実施例１において、プラズマ重合保護膜層の形成および
プラズマ処理を省いた以外は実施例１と同様にして磁気
テープをつくった。

各実施例および各比較例で得られた磁性テープについて
耐食性を試験した。耐食性試験は、ｆ−１られた磁気テ
ープを６０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に７日間放置して
最大磁束密度を測定し、放置前の磁気テープの最大磁束
密度を１００％としてこれと比較した値でその劣化率を
調べて行った。また耐食性試験とともに各磁気テープの
表面を肉眼で観察したところ、比較例２で得られた磁気
テープでは黒い点食が多数認められたが、各実施例およ
び比較例１でｆ４られた磁気テープは表面の光沢などに
異常は認められなかった。

下表はその結果である。

〔発明の効果〕 −Ｆ表から明らかなように、この発明で青られた磁気テ
ープ（実施例１〜７）は、いずれも従来の磁気テープ（
比較例１および２）に比し、劣化率が小さく、また表面
を肉眼で観察した結果では表面の光沢などに異常が認め
られず、このことからこの発明によって得られる磁気記
録媒体は、耐食性が一段と改善されていることがわかる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はプラズマ重合保護膜層を形成する際に使用する
プラズマ重合装置の１例を示す概略断面図、第２図はプ
ラズマ重合保護膜層の表面をフッ素化処理する際に使用
するプラズマ処理装置の１例を示す概略断面図、第３図
はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面
図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、１６・・・強
磁性金属薄膜層＜Ｖｔ性層）、１７・・・プラズマ重合
保護膜層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）特許出
願人　　日立マクセル株式会社 手続ネｌｉ正凹：（自発） １．事件の表示 ゛　　昭和５９年特許願第１３５５２８冗２、発明の名
称 磁気記録媒体およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　大阪府茨木市別寅−・Ｔ目１番８８５シ名　称
　（５８１）日立マクセル株式会社代表者　永　井　　
厚 ４、代理人 住　所　大阪市東区博労町２丁目４１番地明細書の「発
明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）　　明細書第５ページ、第１１行目の「炭化水素
化合物」を「炭化水素系化合物」と補正する。 （２）明細書第６ページ、第２行目の「炭化水素化合物
」を１炭化水素系化合物」と補正する。 （３）明細書第６ページ、第１０行目の「炭化水素化合
物」を１炭化水素系化合物」と補正する。 （４）明細８第６ページ、第１０行目から第１１行目に
かｉ−１での「フッ素有機化合物」を「フッ素糸有機化
合物Ｊ、！：？ｉｌｉ正する。 （５）明細書第１０ベ　ジ、第９行目から第１０行「１
にかけての「炭化水素化合物Ｊを「炭化水素系化合物」
と補正する。 （６）明細書第１０ページ、第１０行目から第１１行目
にかけての「フッ素有機化合物」を「フッ素系有機化合
物Ｊと補正する。 （７）明細書第１１ページ、下から第４行目の、［−全
原子に対して１０〜３０％の範囲内で」を、「全原子に
対して５〜３０％の範囲内で」と補正する。 （８）明細宕第１１ページ、下から第３行目の、「全原
子に対して２０〜４０％の範囲Ｊを１全原子に対して１
０〜４０％の範囲」と補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に磁性層を形成し、この磁性層上に、フッ素
   原子を磁性層側より表面層側に多く含むプラズマ重合保
   護膜層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体 ２、プラズマ重合保護膜層が、ケイ素原子と炭素原子、
   もしくは炭素原子を主成分として含み、かつ表面から１
   ０〜５００Åの表面層においてフッ素原子をケイ素原子
   と炭素原子の合計量、もしくは炭素原子に対し原子数比
   で０．１倍以上含んでなる特許請求の範囲第１項記載の
   磁気記録媒体３、プラズマ重合保護膜層が、ケイ素原子
   と炭素原子、もしくは炭素原子を主成分として含むプラ
   ズマ重合保護膜層と、さらにこの上に積層形成したケイ
   素原子と炭素原子とフッ素原子を含むプラズマ重合保護
   膜層とからなる特許請求の範囲第１項または第２項記載
   の磁気記録媒体 ４、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性層を、
   モノマーガス中にさらしてプラズマ重合を行い、プラズ
   マ重合保護膜層形成後、さらにフッ素系有機化合物のモ
   ノマーガスまたはフッ素系化合物を含む混合モノマーガ
   ス中にさらしてプラズマ重合を行い、フッ素原子を磁性
   層側より表面層側に多く含むプラズマ重合保護膜層を設
   けることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法 ５、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性層を、
   モノマーガス中にさらしてプラズマ重合を行い、プラズ
   マ重合保護膜層形成後、さらにフッ素ガスもしくはフッ
   素系化合物のガス中にさらしてプラズマ処理を行い、フ
   ッ素原子を磁性層側より表面層側に多く含むプラズマ重
   合保護膜層を設けることを特徴とする磁気記録媒体の製
   造方法６、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性
   層を、モノマーガス中にさらしてプラズマ重合を行い、
   プラズマ重合保護膜層形成後、さらにフッ素ガス中にさ
   らしてフッ素化処理を行い、フッ素原子を磁性層側より
   表面層側に多く含むプラズマ重合保護膜層を設けること
   を特徴とする磁気記録媒体の製造方法