JPS62165362A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS62165362A JPS62165362A JP623186A JP623186A JPS62165362A JP S62165362 A JPS62165362 A JP S62165362A JP 623186 A JP623186 A JP 623186A JP 623186 A JP623186 A JP 623186A JP S62165362 A JPS62165362 A JP S62165362A
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- Japan
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- diffusion layer
- diffused layer
- metal wiring
- contact part
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に静電気等によ
る高電圧に対する絶縁破壊強度を向上した半導体集積回
路装置に関する。
る高電圧に対する絶縁破壊強度を向上した半導体集積回
路装置に関する。
従来、半導体集積回路装置では静電気等の高電圧に対す
る絶縁破壊強度を向上するために、特にこれらの過電圧
が印加される外部端子の近傍では拡散層や金属配線にレ
イアウト上の工夫がなされている。例えば、第2図のよ
うに半導体基板11に形成した外部端子としての金属配
線12と保護抵抗としての拡散層13とのコンタクト部
14に拡散層端の余裕13aを設けている。またこれに
近接する金属配線15と他の拡散層(例えば■。。
る絶縁破壊強度を向上するために、特にこれらの過電圧
が印加される外部端子の近傍では拡散層や金属配線にレ
イアウト上の工夫がなされている。例えば、第2図のよ
うに半導体基板11に形成した外部端子としての金属配
線12と保護抵抗としての拡散層13とのコンタクト部
14に拡散層端の余裕13aを設けている。またこれに
近接する金属配線15と他の拡散層(例えば■。。
電位)16とのコンタク1〜部17を、前記保護抵抗と
しての拡散層13から十分に離されるように両者の間隔
に十分な余裕を設けている。
しての拡散層13から十分に離されるように両者の間隔
に十分な余裕を設けている。
上述した従来のパターンレイアウトでは、前記した箇所
における夫々の余裕は十分であるが、保護抵抗としての
拡散層13に近接する金属配線15と拡散層16とのコ
ンタクト部17における拡散層端の余裕については特に
考慮されることばなく、他の内部回路と同様に製造上の
最小余裕でパターン構成されている。
における夫々の余裕は十分であるが、保護抵抗としての
拡散層13に近接する金属配線15と拡散層16とのコ
ンタクト部17における拡散層端の余裕については特に
考慮されることばなく、他の内部回路と同様に製造上の
最小余裕でパターン構成されている。
ところで、外部端子としての金属配線12に静電気等に
よる高電圧が印加された場合、この金属配線12に接続
した拡散層13とこれに近接する拡散層16との間に電
流経路が構成されて多大な電流が流れることがある。す
ると、この多大な電流とこれが原因とされる発熱によっ
て金属配線12や15において金属原子のマイグレーシ
ョン現象が引き起こされる。そして、このとき上述のよ
うに拡散層16と金属配線15とのコンタクト部17に
おける拡散層端の余裕が小さいと、このマイグレーショ
ン現象は第3図に示すように半導体基板11とフィール
ド酸化膜18或いは層間絶縁膜19の界面を通して進行
し、ついにはこの部分の絶縁を破壊して半導体基板11
と金属配線15を短絡させてしまうことになる。
よる高電圧が印加された場合、この金属配線12に接続
した拡散層13とこれに近接する拡散層16との間に電
流経路が構成されて多大な電流が流れることがある。す
ると、この多大な電流とこれが原因とされる発熱によっ
て金属配線12や15において金属原子のマイグレーシ
ョン現象が引き起こされる。そして、このとき上述のよ
うに拡散層16と金属配線15とのコンタクト部17に
おける拡散層端の余裕が小さいと、このマイグレーショ
ン現象は第3図に示すように半導体基板11とフィール
ド酸化膜18或いは層間絶縁膜19の界面を通して進行
し、ついにはこの部分の絶縁を破壊して半導体基板11
と金属配線15を短絡させてしまうことになる。
このため、このコンタクト部17における電圧強度が著
しく低下され、これによって半導体集積回路装置全体の
絶縁破壊強度が低下され、その信頼性を低下させる原因
となっている。
しく低下され、これによって半導体集積回路装置全体の
絶縁破壊強度が低下され、その信頼性を低下させる原因
となっている。
本発明の半導体集積回路装置は、外部端子に接続された
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における電圧強度を向上し、半導体集積回路装置全体の
電圧破壊強度の向上及びその信軌性の向上を達成するも
のである。
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における電圧強度を向上し、半導体集積回路装置全体の
電圧破壊強度の向上及びその信軌性の向上を達成するも
のである。
本発明の半導体集積回路装置は、外部端子に接続された
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部
よりも大きく形成する構成としている。
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部
よりも大きく形成する構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示しており、シリコン等の
半導体基板1上には外部端子としての金属配線2を設け
、これを半導体基板1の主面に形成した保護抵抗として
のN型拡散層3にコンタクト部4で接続している。また
、この拡散層3に近接する位置には■。、電位に接続さ
れる金属配線5及びN型拡散層6を配設し、両者をコン
タクト部7において接続している。
半導体基板1上には外部端子としての金属配線2を設け
、これを半導体基板1の主面に形成した保護抵抗として
のN型拡散層3にコンタクト部4で接続している。また
、この拡散層3に近接する位置には■。、電位に接続さ
れる金属配線5及びN型拡散層6を配設し、両者をコン
タクト部7において接続している。
そして、前記コンタクト部4ではこれまでと同様に拡散
層3の端部の余裕3aを十分大きなものに設定するとと
もに、前記コンタクト部7においても拡散層6の端部の
余裕6aを可及的に大きく設定している。特に、この拡
散層6の余裕6aは、内部回路等の他の箇所におけるコ
ンタクト部よりも十分大きな寸法に設定している。
層3の端部の余裕3aを十分大きなものに設定するとと
もに、前記コンタクト部7においても拡散層6の端部の
余裕6aを可及的に大きく設定している。特に、この拡
散層6の余裕6aは、内部回路等の他の箇所におけるコ
ンタクト部よりも十分大きな寸法に設定している。
したがって、この構成によれば外部端子としての金属配
線2に静電気等による高電圧が印加された場合に、上述
したように拡散層3と6との間に電流経路が形成され、
この電流及びこれに伴う発熱が原因となって各金属配線
2と5にマイグレーション現象が引き起こされるが、コ
ンタクト部7には拡散層6の大きな余裕6aを設けてい
るために、第3図に示したような界面を通してのマイグ
レーションの進行が生ずることはなく、半導体基板1と
金属配線5等との短絡を防止してその絶縁破壊の強度を
向上できる。
線2に静電気等による高電圧が印加された場合に、上述
したように拡散層3と6との間に電流経路が形成され、
この電流及びこれに伴う発熱が原因となって各金属配線
2と5にマイグレーション現象が引き起こされるが、コ
ンタクト部7には拡散層6の大きな余裕6aを設けてい
るために、第3図に示したような界面を通してのマイグ
レーションの進行が生ずることはなく、半導体基板1と
金属配線5等との短絡を防止してその絶縁破壊の強度を
向上できる。
因に、本発明者の測定によれば、余裕が0.5μmでは
破壊電圧が200vであったものが、余裕を1.5μm
にすることにより破壊電圧を400■に改善できた。
破壊電圧が200vであったものが、余裕を1.5μm
にすることにより破壊電圧を400■に改善できた。
なお、第1図では拡散層6の幅寸法を一様に増大してコ
ンタクト部7における余裕6aを大きくしているが、拡
散層3において設けた余裕と同様に、拡散層6のコンタ
クト部7における幅のみを大きくした構成にしても十分
本発明の目的を達成することができる。
ンタクト部7における余裕6aを大きくしているが、拡
散層3において設けた余裕と同様に、拡散層6のコンタ
クト部7における幅のみを大きくした構成にしても十分
本発明の目的を達成することができる。
また、前記実施例ではN型拡散層で例示したがP型拡散
層でも同じであり、また近接している拡散層が■。。電
位でな(GNDやその他の電位でも同様に適用すること
ができる。
層でも同じであり、また近接している拡散層が■。。電
位でな(GNDやその他の電位でも同様に適用すること
ができる。
以上説明したように本発明は、外部端子に接続された拡
散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部に
おける拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部よ
りも大きく形成しているので、外部端子に接続された拡
散層から通流される電流によって起こるマイグレーショ
ン現象からコンタクト部における絶縁破壊を有効に防止
でき、これにより半導体集積回路装置全体の高電圧に対
する破壊強度を向上しかつその信頼性を向上できる。
散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部に
おける拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部よ
りも大きく形成しているので、外部端子に接続された拡
散層から通流される電流によって起こるマイグレーショ
ン現象からコンタクト部における絶縁破壊を有効に防止
でき、これにより半導体集積回路装置全体の高電圧に対
する破壊強度を向上しかつその信頼性を向上できる。
第1図は本発明の一実施例の要部の平面図、第2図は従
来構造の平面図、第3図は第2図のAAての金属配線、
3.13・・・拡散層、3a・・・余裕、 −4,
14・・・コンタクト部、5,15・・・VCC電位の
城金属配線、6.16・・・近接された拡散層、
6a・・・余裕、7,17・・・コンタクト部、18・
・・フィールド酸化膜、19・・・層間絶縁膜。
来構造の平面図、第3図は第2図のAAての金属配線、
3.13・・・拡散層、3a・・・余裕、 −4,
14・・・コンタクト部、5,15・・・VCC電位の
城金属配線、6.16・・・近接された拡散層、
6a・・・余裕、7,17・・・コンタクト部、18・
・・フィールド酸化膜、19・・・層間絶縁膜。
Claims (2)
- (1)半導体基板上に、外部端子としての金属配線及び
これに接続された拡散層と、この拡散層に近接された金
属配線及びこれに接続された拡散層とを備える半導体集
積回路装置において、前記外部端子に接続された拡散層
に近接される前記金属配線及び拡散層のコンタクト部に
おける拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部よ
りも大きく形成したことを特徴とする半導体集積回路装
置。 - (2)コンタクト部における拡散層端の余裕を半導体集
積回路の製造上の最小余裕よりも大きくしてなる特許請
求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP623186A JPS62165362A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP623186A JPS62165362A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62165362A true JPS62165362A (ja) | 1987-07-21 |
Family
ID=11632740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP623186A Pending JPS62165362A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62165362A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63197366A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPH0329361A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH0341770A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH05347382A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS513182A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Nippon Electric Co | Handotaishusekikairosochi |
JPS56124266A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP623186A patent/JPS62165362A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS513182A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Nippon Electric Co | Handotaishusekikairosochi |
JPS56124266A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63197366A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPH0329361A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH0341770A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH05347382A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
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