JPS6216516A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS6216516A
JPS6216516A JP60156582A JP15658285A JPS6216516A JP S6216516 A JPS6216516 A JP S6216516A JP 60156582 A JP60156582 A JP 60156582A JP 15658285 A JP15658285 A JP 15658285A JP S6216516 A JPS6216516 A JP S6216516A
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JP
Japan
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film
protrusions
silicon wafer
substrate
semiconductor substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP60156582A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Hirayama
誠 平山
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体基板に半導体装置を製造するための
半導体製造装置に関し、特に、半導体基板上に被膜を形
成するための縦型の加熱炉を備えた半導体製造装置の改
良に関する。
［従来の技術］ 従来より、半導体装置を形成するためのシリコン基板な
どに、酸化膜、窒化膜またはポリシリコン膜その他の躾
を形成するための、各種の半導体製造装置が知られてい
る。このような半導体製造装置としては、各種の酸化装
置やＣＶＤ　（化学堆積法）装置が用いられる。
ところで、このような半導体製造装置には、横型の加熱
炉を備えたものと縦型の加熱炉を備えたものがある。被
膜の形成にあたって、横型の加熱炉では、複数の半導体
基板をほぼ垂直に立てて設置するのに対し、縦型の加熱
炉では、半導体基板を所定の間隔ごとに上下方向に並べ
て設置する。
第３図は従来の縦型炉においてシリコンウェハの保持に
用いられる保持具の概念を示す図である。
この保持具の材料としては、たとえば石英、炭化珪素ま
たはポリシリコンが用いられる。第３図において、保持
具７の３本の支柱８には、シリコンウェハ１を挿入する
ための溝９が所定間隔ごとに上下方向に設けられる。シ
リコンウェハ１は１枚ずつ溝９に挿入され、半導体製造
装置の縦型の加熱炉内に設置されて加熱される。そして
、この縦型の加熱炉内にはシリコンウェハ１上に被膜を
形成させるための原料ガスが導入される。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の半導体製造装置において、シリコンウェハの保持
具は、以上のように構成されているので、シリコンウェ
ハを保持具の溝に挿入すると、溝に挾まれたシリコンウ
ェハの一部はいわば支柱の一部によって覆われる構造に
なる。この部分には、ｌ！ＩＷｉ４を形成するための原
料ガスが十分に行き届かないために、形成する被膜が均
一に成長せず、シリコンウェハ表面には膜厚の差による
むらが生じるという問題があった。
また、シリコンウェハを溝に挿入する際に、誤ってシリ
コンウェハの一部を溝の縁に接触させることにより、そ
の部分を汚染させるという問題があった。
それゆえに、この発明は、上述のような問題点を解消す
るためになされたもので、半導体基板表面に形成する被
膜の膜厚の均一性を飛躍的に向上させるとともに、半導
体基板の挿入の際に発生する表面の汚染を防ぐことので
きるような半導体製造装置を提供することを目的とする
。
［問題点を解決するための手段］ この発明にかかる半導体製造装置は、半導体基板上に被
膜を形成するための加熱炉において半導体基板を保持す
る保持手段に、上下方向に所定間隔ごとに半導体基板の
底面の少なくとも一部を保持するための突起部を設けた
ものである。
［作用］ この発明における半導体製造装置の保持手段は、保持す
る半導体基板表面を全く遮蔽しないので、原料ガスが均
一に半導体基板表面を流れるために、均等な厚みを有す
る被膜が得られる。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明の一実施例の半導体製造装置に用い
られる半導体基板の保持具を示す図である。第１図には
図示していないが、この保持具はたとえば３本の支柱を
備える。第１図において、この保持具のそれぞれの支柱
２には上下方向に所定間隔を隔てて、突起部３が設けら
れ、半導体基板たとえばシリコンウェハ１はこの突起部
３上にほぼ水平に設置される。ここで、シリコンウェハ
１を完全に水平方向に支持するように突起部３を設けて
もよいが、この場合には被膜形成中にシリコンウェハ１
が回転運動を起こすことがあるので、これを防止するた
めに、シリコンウェハ１を多少傾斜した状態で支持する
ように、突起部３を設けてもよい。また、上下方向に隣
接する突起部３の間隔は、シリコンウェハ１の表面１１
上に形成されるべき被膜の原料ガスが支障なく流れるよ
うな間隔である。
この発明では、従来の溝の代わりに上述のような突起部
によって半導体基板をその底面から支持するので、半導
体基板上には原料ガスが均一に流れるために、均等な厚
みを有する被膜を形成することができる。
第２図はこの発明の他の実施例を示す図である。
第２図において、保持具の支柱４には第１図に示す突起
部３よりも長く突出した突起部５が設けられる。突起部
５には段差部６が設けられており、シリコンウェハ１は
この段差部６に落し込んだ状態で設置される。支柱４間
における突起部５の位置関係および突起部５の間隔は第
１図に示した実施例と同様である。すなわち、突起部５
はシリコンウェハ１を水平ないし少し傾斜させた状態で
保持することができ、かつ原料ガスがシリコンウェハ上
を均一に流れるような間隔に配置される。
第２図に示す保持具は第１図に示す保持具に比べて、シ
リコンウェハ１が支柱から離れて設置されるので、原料
ガスの流れはより均一になる。
なお、第１図および第２図に示す保持具の材料としては
、石英、炭化珪素またはポリシリコンなどが通常用いら
れるが、これに限定されるものではない。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、半導体製造装置にお
ける半導体基板の保持手段に上下方向に所定のＩ！ｌＩ
ｌ？ｉを隔てて、半導体基板を底面から支持する突起部
を設けているので、被膜の形成されるべき半導体基板表
面は全く遮蔽されないために、半導体基板上には極めて
均一な被膜が形成される。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の半導体基板の保持具を示
す図である。第２図はこの発明の他の一実施例の半導体
基板の保持具を示す図である。第３図は従来の保持具を
示す図である。 図にＪ３いて、１はシリコンウェハ、２および４は支柱
、３および５は突起部、６は段差部を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　複数の半導体基板をそれぞれ上下方向に所定の間隔を
    隔てて保持するための保持手段を含み、各半導体基板上
    に被膜を形成するための加熱炉を有する半導体製造装置
    であつて、 前記保持手段は、前記所定間隔ごとに、各半導体基板の
    底面の少なくとも一部を保持するための突起部を備え、 前記半導体基板は、それぞれ前記突起部によつて支持さ
    れることを特徴とする半導体製造装置。
JP60156582A 1985-07-15 1985-07-15 半導体製造装置 Pending JPS6216516A (ja)

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JP60156582A JPS6216516A (ja) 1985-07-15 1985-07-15 半導体製造装置
DE19863620223 DE3620223A1 (de) 1985-07-15 1986-06-16 Einrichtung zum herstellen einer halbleitervorrichtung
US07/083,020 US4802842A (en) 1985-07-15 1987-08-04 Apparatus for manufacturing semiconductor device

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DE3620223A1 (de) 1987-01-22
DE3620223C2 (ja) 1990-02-15

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