JPS62150355A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS62150355A JPS62150355A JP29086985A JP29086985A JPS62150355A JP S62150355 A JPS62150355 A JP S62150355A JP 29086985 A JP29086985 A JP 29086985A JP 29086985 A JP29086985 A JP 29086985A JP S62150355 A JPS62150355 A JP S62150355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- surface layer
- carbon
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、硬度の改善された表面層を有し、反復使用に
よる画像ぼけを生じない電子写真感光体に関する。
よる画像ぼけを生じない電子写真感光体に関する。
従来の技術
近年、電子写真感光体として、支持体にケイ素を主成分
とする光導電層を設けた構成のものが提案されている。
とする光導電層を設けた構成のものが提案されている。
（別名 アモルファスシリコン）。
このようなケイ素を主成分とする光導電層を設けた感光
体は、従来光導電層として使用されてきた３ｅ、ｔｒ
１−８ｅ、ＺｎＯ，ＣｄＳなどの無機系光導電性材料や
種々の有機系光導電性材料を用いた感光体に比して、機
械的強度、汎色性、長波長感度に浸れた特性を有するも
のであるが、大気中、特に高温高濁下で放置すると、画
像ぼけが生じたり、電子写真プロセスにおける残留トナ
ー除去ブレードあるいは用紙剥離爪等との摩擦に゛よっ
て、表面が変化し、得られた画像に白筋上の欠陥が発生
するという欠点があった。そこで、このような欠点を改
善する目的で、ケイ素を主成分とする感光層の有する硬
さを損なわないような、Ｓｉ：Ｎ、Ｓｉ：０１３ｉ：Ｃ
などの組成を有する各種表面層を設ける提案がなされて
おり、このような表面層を設けることにより、前記の欠
点は改善される。
体は、従来光導電層として使用されてきた３ｅ、ｔｒ
１−８ｅ、ＺｎＯ，ＣｄＳなどの無機系光導電性材料や
種々の有機系光導電性材料を用いた感光体に比して、機
械的強度、汎色性、長波長感度に浸れた特性を有するも
のであるが、大気中、特に高温高濁下で放置すると、画
像ぼけが生じたり、電子写真プロセスにおける残留トナ
ー除去ブレードあるいは用紙剥離爪等との摩擦に゛よっ
て、表面が変化し、得られた画像に白筋上の欠陥が発生
するという欠点があった。そこで、このような欠点を改
善する目的で、ケイ素を主成分とする感光層の有する硬
さを損なわないような、Ｓｉ：Ｎ、Ｓｉ：０１３ｉ：Ｃ
などの組成を有する各種表面層を設ける提案がなされて
おり、このような表面層を設けることにより、前記の欠
点は改善される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のようなＳ！：Ｎ、３ｉ：０、Ｓｉ
：Ｃ，等の組成を有する表面層を設けてなる感光体では
、高温高湿下で長期間にわたり繰返し使用すると、画像
ぼけをし生じてしまい、実用に供することができなかっ
た。
：Ｃ，等の組成を有する表面層を設けてなる感光体では
、高温高湿下で長期間にわたり繰返し使用すると、画像
ぼけをし生じてしまい、実用に供することができなかっ
た。
本発明は、前記感光体の有する欠点にかんがみてなされ
たものである。本発明の目的は、どのような操作条件下
でも画像ぼけめ生じない電子写真感光体を提供すること
、とりわけ高温高湿下において長期間にわたり繰返し使
用しても画像ぼけの生じない電子写真感光体を提供する
ことにある。
たものである。本発明の目的は、どのような操作条件下
でも画像ぼけめ生じない電子写真感光体を提供すること
、とりわけ高温高湿下において長期間にわたり繰返し使
用しても画像ぼけの生じない電子写真感光体を提供する
ことにある。
本発明の更に他の目的は、十分な表面硬度を有する電子
写真感光体を提供することにある。
写真感光体を提供することにある。
問題点を解決するための手段及び作用
本発明の前記目的は、少なくとも支持体、感光り、表面
図からなる電子写真感光体において、表面層が炭素及び
水素を主成分として偶成されている非晶質炭素からなる
ことを特徴とする電子写真感光体によって達成される。
図からなる電子写真感光体において、表面層が炭素及び
水素を主成分として偶成されている非晶質炭素からなる
ことを特徴とする電子写真感光体によって達成される。
本発明の電子写真感光体における炭素及び水素を主成分
として構成されている非晶質炭素からなる表面層は、保
護層としての機械的強度、化学的安定性かつ光学的性質
において優れている。
として構成されている非晶質炭素からなる表面層は、保
護層としての機械的強度、化学的安定性かつ光学的性質
において優れている。
炭素原子は通常その結合配位数が容易に２．３．４と変
化し得る。その結果、プラズマＣＶＤ法によって得られ
る炭素を主成分とする炭素膜は、膜中に黒鉛状炭素を含
み易く、ダイヤモンド的な性質を示す炭素原子の４面体
型績合配位による炭素膜の十分な硬さと透明性は極く限
られた条件下、（例えば高温）でのみしか獲得できない
ものであり、電子写真感光体の表面層として適用するの
は困難であった。すなわち、イオンビームスパッター、
蒸着などの方法で作成した非晶質炭素は、膜中に未結合
手を多量に含み、又、黒鉛状の多重結合炭素を含み易く
、その結果、耐コロナ性、耐オゾン１１などの化学的安
定性に欠け、可視域の強い吸収の存在により、黒色を呈
し、保護層としての実用に供することができなかった。
化し得る。その結果、プラズマＣＶＤ法によって得られ
る炭素を主成分とする炭素膜は、膜中に黒鉛状炭素を含
み易く、ダイヤモンド的な性質を示す炭素原子の４面体
型績合配位による炭素膜の十分な硬さと透明性は極く限
られた条件下、（例えば高温）でのみしか獲得できない
ものであり、電子写真感光体の表面層として適用するの
は困難であった。すなわち、イオンビームスパッター、
蒸着などの方法で作成した非晶質炭素は、膜中に未結合
手を多量に含み、又、黒鉛状の多重結合炭素を含み易く
、その結果、耐コロナ性、耐オゾン１１などの化学的安
定性に欠け、可視域の強い吸収の存在により、黒色を呈
し、保護層としての実用に供することができなかった。
ところが、本発明者らは、非晶質炭素中に水素を含ませ
ると、膜中の未結合手、黒鉛状の多重結合炭素を減少さ
せることができ、その結果、これら非晶質炭素の欠点を
解決できることを見出だし、前記本発明の電子写真感光
体を得るに至った。
ると、膜中の未結合手、黒鉛状の多重結合炭素を減少さ
せることができ、その結果、これら非晶質炭素の欠点を
解決できることを見出だし、前記本発明の電子写真感光
体を得るに至った。
本発明において、「非晶質炭素」とは、表面層自体が全
体としては非晶質の性質を示すものを意味し、細部構造
においては、結晶質の部分を含むものをも意味する。従
って、本発明においては、表面層自体が仝休として非晶
質の性質を示すものであれば、表面層の炭素は、非晶質
層あるいは結晶質−非晶質炭素のいずれの形態をとるも
のでおってもよい。第４図は、結晶質−非晶買混（目の
モデルを示すもので必って、図面に示されるごとく、結
晶質−非晶質混相の場合には、結晶領域Ａを水素が取り
囲み、その周囲に非晶領域Ｂが存在するような構成をと
っている。
体としては非晶質の性質を示すものを意味し、細部構造
においては、結晶質の部分を含むものをも意味する。従
って、本発明においては、表面層自体が仝休として非晶
質の性質を示すものであれば、表面層の炭素は、非晶質
層あるいは結晶質−非晶質炭素のいずれの形態をとるも
のでおってもよい。第４図は、結晶質−非晶買混（目の
モデルを示すもので必って、図面に示されるごとく、結
晶質−非晶質混相の場合には、結晶領域Ａを水素が取り
囲み、その周囲に非晶領域Ｂが存在するような構成をと
っている。
以下、図面にしたがって、本発明の電子写真感光体につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図に示される子写真感光体は、支持体１、感光層２
及び表面層３から構成されている。
及び表面層３から構成されている。
支持体１としては、導電性、絶縁性のどちらのものも用
いることができる。導電性支持体としては、ステンレス
スチール、アルミニウムなどの金属あるいは合金が用い
られる。又、電気絶縁性支持体としては、ポリエステル
、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リアミドなどの合成樹脂フィルム又はシート、ガラス、
セラミック紙などが用いられるが、支持体として電気絶
縁性のものを用いる場合には、少なくとも他の暖と接触
する面が導電処理されていることが必要である。これら
導電性迫理は、導電性支持体に用いられる金属を蒸着、
スパッタリング、ラミネート処理などの処理をすること
によって行うことができる。支持体は、円筒状、ベルト
状、板状など任怠の形状をとりうる。又、支持体は多層
＠造のものでおってもよい。支持体の厚さは、必要とさ
れる感光体に応じて、適宜選択されるか、通常１０μｍ
以上のものが適している。
いることができる。導電性支持体としては、ステンレス
スチール、アルミニウムなどの金属あるいは合金が用い
られる。又、電気絶縁性支持体としては、ポリエステル
、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リアミドなどの合成樹脂フィルム又はシート、ガラス、
セラミック紙などが用いられるが、支持体として電気絶
縁性のものを用いる場合には、少なくとも他の暖と接触
する面が導電処理されていることが必要である。これら
導電性迫理は、導電性支持体に用いられる金属を蒸着、
スパッタリング、ラミネート処理などの処理をすること
によって行うことができる。支持体は、円筒状、ベルト
状、板状など任怠の形状をとりうる。又、支持体は多層
＠造のものでおってもよい。支持体の厚さは、必要とさ
れる感光体に応じて、適宜選択されるか、通常１０μｍ
以上のものが適している。
感光層２としては、ケイ素を主成分として構成されてい
るものが好ましく用いられる。この様なケイ素を主成分
として構成される感光層は、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンプランテーション法、真空蒸着法等によ
り支持体上に形成することができる。これらの膜形成方
法は、目的に応じて適宜選択されるがプラズマＣＶＤ法
によりシラン（ＳＩＨ４）ガスをグロー放電分解する方
法（グロー放電法）が好ましく、この方法によれば、膜
中に適量の水素を含有した比較的暗抵抗か高く、かつ光
感度も高い。電子写真等の感光体として好適な特性を有
する感光層を得ることかできる。以下、プラズマＣＶＤ
法を例にあげて説明する。
るものが好ましく用いられる。この様なケイ素を主成分
として構成される感光層は、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンプランテーション法、真空蒸着法等によ
り支持体上に形成することができる。これらの膜形成方
法は、目的に応じて適宜選択されるがプラズマＣＶＤ法
によりシラン（ＳＩＨ４）ガスをグロー放電分解する方
法（グロー放電法）が好ましく、この方法によれば、膜
中に適量の水素を含有した比較的暗抵抗か高く、かつ光
感度も高い。電子写真等の感光体として好適な特性を有
する感光層を得ることかできる。以下、プラズマＣＶＤ
法を例にあげて説明する。
ケイ素を主成分とする感光層を作成するための原料とし
ては、シラン、ジシランをはじめとするシラン類、ある
いは、シリコン結晶がある。又、感光層を形成する際、
必要に応じて各種混合カス、例えば、水素、ヘリウム、
アルゴン、ネオン等のキャリヤガスを用いることも可能
でおる。又、感光層の暗抵抗の制御、あるいは帯電極性
の制御を目的として、更に上記のガス中にジボラン（Ｂ
２Ｈ６）ガス、ボスフィン（ＰＨ３〉カス等のトーパン
］・カスを混入させ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）お
るいはリン（Ｐ）等の不純物元素の添加（ドーピング）
をおこなうこともできる。又、ざらには、暗抵抗の増加
、光感度の増加、あるいは帯電能（単位膜厚光たりの帯
電能力あるいは帯電電位〉の増加を目的として、感光層
中にハロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子など
を含有してもよい。ざらに又、長波長域感度の増加を目
的として、感光層中にゲルマニウム（Ｇｅ）等の元素を
添加することも可能でおる。特に、感光層は、ケイ素を
主成分とし、少量の元素周期律表第１ＩＩＢ族元素（好
ましくはホウ素）を添加してなるｉ形半導体層であるの
が好ましい。上記様々の元素を感光層中に添加含有させ
るためには、プラズマＣＶＤ装置内に、主原料であるシ
ランガスとともにそれらの元素を含む物質のガス化物を
導入してグロー放電分解を行えばよい。
ては、シラン、ジシランをはじめとするシラン類、ある
いは、シリコン結晶がある。又、感光層を形成する際、
必要に応じて各種混合カス、例えば、水素、ヘリウム、
アルゴン、ネオン等のキャリヤガスを用いることも可能
でおる。又、感光層の暗抵抗の制御、あるいは帯電極性
の制御を目的として、更に上記のガス中にジボラン（Ｂ
２Ｈ６）ガス、ボスフィン（ＰＨ３〉カス等のトーパン
］・カスを混入させ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）お
るいはリン（Ｐ）等の不純物元素の添加（ドーピング）
をおこなうこともできる。又、ざらには、暗抵抗の増加
、光感度の増加、あるいは帯電能（単位膜厚光たりの帯
電能力あるいは帯電電位〉の増加を目的として、感光層
中にハロゲン原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子など
を含有してもよい。ざらに又、長波長域感度の増加を目
的として、感光層中にゲルマニウム（Ｇｅ）等の元素を
添加することも可能でおる。特に、感光層は、ケイ素を
主成分とし、少量の元素周期律表第１ＩＩＢ族元素（好
ましくはホウ素）を添加してなるｉ形半導体層であるの
が好ましい。上記様々の元素を感光層中に添加含有させ
るためには、プラズマＣＶＤ装置内に、主原料であるシ
ランガスとともにそれらの元素を含む物質のガス化物を
導入してグロー放電分解を行えばよい。
上記ケイ素を主成分とする感光層の膜厚は、任意に設定
できるが、１μｍ〜２００μｍ１特に５μｍ〜１００μ
ｍの範囲に設定するのが望ましい。
できるが、１μｍ〜２００μｍ１特に５μｍ〜１００μ
ｍの範囲に設定するのが望ましい。
又、本発明の電子写真感光体は、必要に応じて蒸気ケイ
素を主成分とする感光層の上部あるいは下部に隣接して
、他の層を形成してもよい。これらの層としては、例え
ば次のものがあげられる。
素を主成分とする感光層の上部あるいは下部に隣接して
、他の層を形成してもよい。これらの層としては、例え
ば次のものがあげられる。
電荷注入阻止層として、例えばアモルファスシリコンに
元素周期律表第■族元素あるいはＶ族元素を添加してな
るｎ形半導体層、ｎ形半導体層、おるいは絶縁層が、ま
た増感層として、例えばアモルファスシリコンに微結晶
ゲルマニウム、錫を添加してなる層が、更に又、接着層
としてアモルファスシリコンに窒素、炭素、酸素などを
添加してなる層、その他、元素周期律表第１Ｂ族元素、
Ｖ族元素を同時に含む層など、感光体の電気的及び画像
的特性を制御できる層があげられる。 これら各層の膜
厚は任意に決定できるが、通常０．０１μｍ〜１０μｍ
の範囲に設定して用いられる。
元素周期律表第■族元素あるいはＶ族元素を添加してな
るｎ形半導体層、ｎ形半導体層、おるいは絶縁層が、ま
た増感層として、例えばアモルファスシリコンに微結晶
ゲルマニウム、錫を添加してなる層が、更に又、接着層
としてアモルファスシリコンに窒素、炭素、酸素などを
添加してなる層、その他、元素周期律表第１Ｂ族元素、
Ｖ族元素を同時に含む層など、感光体の電気的及び画像
的特性を制御できる層があげられる。 これら各層の膜
厚は任意に決定できるが、通常０．０１μｍ〜１０μｍ
の範囲に設定して用いられる。
本発明の電子写真感光体において、感光層の上部あるい
は下部に隣接して、他の層が形成された場合については
、第２図及び第３図にその一態様が示されている。すな
わち、第２図に記載の場合においては、感光層２と支持
体１との間に電荷注入阻止層４か設けられており、又第
３図に記載の場合においては、感光層２と支持体１との
間に電荷注入阻止層４が設けられ、更に感光層２と表面
層３との間に周期律表第１ＩＩＢ族元素及び／又は第Ｖ
Ｂ族元素を含む溜めるいは表面層の構成成分と感光層の
構成成分の両者が混和した両者の中間的な組成を有する
層５が設けられている。
は下部に隣接して、他の層が形成された場合については
、第２図及び第３図にその一態様が示されている。すな
わち、第２図に記載の場合においては、感光層２と支持
体１との間に電荷注入阻止層４か設けられており、又第
３図に記載の場合においては、感光層２と支持体１との
間に電荷注入阻止層４が設けられ、更に感光層２と表面
層３との間に周期律表第１ＩＩＢ族元素及び／又は第Ｖ
Ｂ族元素を含む溜めるいは表面層の構成成分と感光層の
構成成分の両者が混和した両者の中間的な組成を有する
層５が設けられている。
上記の感光層及びその仙の層は、プラズマＣＶＤ法によ
り形成することかできるが、上記不純物元素が添加され
た感光層は、上記不純物元素を含む物質のカス化物をシ
ランガスと共にプラスマＣＶＤ装置内に導入してグロー
放電分解を行って形成する。このプラズマＣＶＤ法によ
りシラン（ｓ ｒ Ｈ４）ガスがグロー放電分解される
。ケイ素を主成分とする感光層の上部下部に隣接して設
けられる各層の膜形成においては、交流放電及び直流放
電のいずれにおいても、有効な膜形成手段として採用す
ることかできるが、交流放電の場合を例にとると、次の
通りである。すなわち、周波数は、通常０．１〜３０Ｍ
Ｈｚ、好適には５〜２０Ｍ ＨＺ 、放電時の真空度は
０．１〜５Ｔｏｒｒ（１３，３〜６６．７Ｐａ）、’基
板加熱温度は１００〜４００℃である。
り形成することかできるが、上記不純物元素が添加され
た感光層は、上記不純物元素を含む物質のカス化物をシ
ランガスと共にプラスマＣＶＤ装置内に導入してグロー
放電分解を行って形成する。このプラズマＣＶＤ法によ
りシラン（ｓ ｒ Ｈ４）ガスがグロー放電分解される
。ケイ素を主成分とする感光層の上部下部に隣接して設
けられる各層の膜形成においては、交流放電及び直流放
電のいずれにおいても、有効な膜形成手段として採用す
ることかできるが、交流放電の場合を例にとると、次の
通りである。すなわち、周波数は、通常０．１〜３０Ｍ
Ｈｚ、好適には５〜２０Ｍ ＨＺ 、放電時の真空度は
０．１〜５Ｔｏｒｒ（１３，３〜６６．７Ｐａ）、’基
板加熱温度は１００〜４００℃である。
次に、本発明において特徴をなす表面層３について説明
する。表面層３は、炭素及び水素を主成分として構成さ
れている非晶質炭素からなることを特徴とするもので、
膜中の水素は、前記のような効果を有するものであるが
多量の水素は、膜中に鎖状の一〇Ｈ２−結合や−ＣＨ３
結合を増加させ、結果として、膜の硬度が損なわれるた
め、膜中の水素の量は５０原子％以下であることが必要
で必る。表面層は、水素が共存している雰囲気でのグロ
ー放電法、スパッタリング法、イオンプランテーション
、真空蒸着等の方法によって形成することができる。中
でも、プラズマＣＶＤ法により炭化水素化合物のガス又
はガス化物を分解して形成した炭素及び水素を主成分と
して１溝成される表面層を有する場合、本発明の目的を
達成し得るので好ましい。
する。表面層３は、炭素及び水素を主成分として構成さ
れている非晶質炭素からなることを特徴とするもので、
膜中の水素は、前記のような効果を有するものであるが
多量の水素は、膜中に鎖状の一〇Ｈ２−結合や−ＣＨ３
結合を増加させ、結果として、膜の硬度が損なわれるた
め、膜中の水素の量は５０原子％以下であることが必要
で必る。表面層は、水素が共存している雰囲気でのグロ
ー放電法、スパッタリング法、イオンプランテーション
、真空蒸着等の方法によって形成することができる。中
でも、プラズマＣＶＤ法により炭化水素化合物のガス又
はガス化物を分解して形成した炭素及び水素を主成分と
して１溝成される表面層を有する場合、本発明の目的を
達成し得るので好ましい。
本発明における表面層を形成するのに利用される原料と
しては、次のものがめげられる。主体となる炭素の原料
としてはメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン
等の一般式Ｃｎ Ｈ２゜＋２で示されるパラフィン系炭
化水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等
の一般式０ｎＨ２ｎで示されるオレフィン系炭化水素、
アセチレン、アリレン、ブチン等の一般式Ｃｎ Ｈ２ｎ
−２で示されるアセチレン系炭化水素などの脂肪族炭化
水素、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン
、シクロヘキサン、シクロへブタン、シクロブテン、シ
クロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセ
ン等の芳香族化合物あるいはそれらの有機置換物があげ
られる。これらの原料化合物は、枝分れ構造があっても
よくハロゲン置換物であってもよい。例えば、四塩化炭
素、クロロホルム、四フッ化炭素トリフルオルメタン、
クロロトリフルオルメタン、ジクロロジフルオルメタン
、ブロモトリフルオルメタン、パーフロロエタン、パー
フロロプロパン等のハロゲン化炭化水素を用いることが
できる。
しては、次のものがめげられる。主体となる炭素の原料
としてはメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン
等の一般式Ｃｎ Ｈ２゜＋２で示されるパラフィン系炭
化水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等
の一般式０ｎＨ２ｎで示されるオレフィン系炭化水素、
アセチレン、アリレン、ブチン等の一般式Ｃｎ Ｈ２ｎ
−２で示されるアセチレン系炭化水素などの脂肪族炭化
水素、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン
、シクロヘキサン、シクロへブタン、シクロブテン、シ
クロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセ
ン等の芳香族化合物あるいはそれらの有機置換物があげ
られる。これらの原料化合物は、枝分れ構造があっても
よくハロゲン置換物であってもよい。例えば、四塩化炭
素、クロロホルム、四フッ化炭素トリフルオルメタン、
クロロトリフルオルメタン、ジクロロジフルオルメタン
、ブロモトリフルオルメタン、パーフロロエタン、パー
フロロプロパン等のハロゲン化炭化水素を用いることが
できる。
以上、列記した表面層の主体となる炭素の原料は、常温
でガス状であっても、固体状あるいは液状であってもよ
く、固体状あるいは液状である場合には、気化して用い
る。表面層形成に際しては、上記原料群から選択された
一以上のガス状原料を減圧容器内に導入し、グロー放電
を生起させ、感光層上に炭素及び水素を主成分として構
成される非晶質炭素からなる表面層を形成する。表面層
形成に際しては、必要に応じ、これらガス状原料と異な
る第３のガス状物質をガス状原料と共に用いてもよい。
でガス状であっても、固体状あるいは液状であってもよ
く、固体状あるいは液状である場合には、気化して用い
る。表面層形成に際しては、上記原料群から選択された
一以上のガス状原料を減圧容器内に導入し、グロー放電
を生起させ、感光層上に炭素及び水素を主成分として構
成される非晶質炭素からなる表面層を形成する。表面層
形成に際しては、必要に応じ、これらガス状原料と異な
る第３のガス状物質をガス状原料と共に用いてもよい。
これら第３のガス状物質としては、水素、ヘリウム、ア
ルゴン、ネオン等のキャリヤガスがあげられる。又、表
面層の抵抗値、その他、緒特性を改善する目的で、ジボ
ラン、３フツ化ホウ素、３塩化ホウ素、等のホウ素化合
物、フォスフイン、シフオスフィン、５フツ化リン、３
塩化リン、５塩化リンなどのリン化合物など元素周期律
表第■族元素あるいは第■族元素を含むガス状若しくは
ガス化し得る物質を用いて、表面層中にホウ素、あるい
はリンなどの不純物元素の添加を行うこともできる。又
、表面層は、光導電性を有するものであってもよい。
ルゴン、ネオン等のキャリヤガスがあげられる。又、表
面層の抵抗値、その他、緒特性を改善する目的で、ジボ
ラン、３フツ化ホウ素、３塩化ホウ素、等のホウ素化合
物、フォスフイン、シフオスフィン、５フツ化リン、３
塩化リン、５塩化リンなどのリン化合物など元素周期律
表第■族元素あるいは第■族元素を含むガス状若しくは
ガス化し得る物質を用いて、表面層中にホウ素、あるい
はリンなどの不純物元素の添加を行うこともできる。又
、表面層は、光導電性を有するものであってもよい。
プラズマＣＶＤ法による上記各種原料のグロー放電分解
は、直流及び交流放電のいずれを採用する場合でも可能
であり、そして膜形成の生成条件として、周波数はＯ〜
３０ＭＨ２，好適には５〜２０ＭＨ７である。又、放電
時の真空度は０．１〜５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．
７Ｐａ）、Ｍ仮加熱温度は１００〜４００°Ｃである。
は、直流及び交流放電のいずれを採用する場合でも可能
であり、そして膜形成の生成条件として、周波数はＯ〜
３０ＭＨ２，好適には５〜２０ＭＨ７である。又、放電
時の真空度は０．１〜５Ｔｏｒｒ （１３，３〜６６．
７Ｐａ）、Ｍ仮加熱温度は１００〜４００°Ｃである。
表面層の膜は任意に設定されるが０．０１〜１０μｍ、
好ましくけ０．２〜５μｍである。
好ましくけ０．２〜５μｍである。
発明の効果
本発明の電子写真感光体は、その表面層が水素及び炭素
を主成分として構成されている非晶質炭素からなること
を特徴とするものであって、この様な、構成成分よりな
る表面層は非常に高い表面硬度を有しているため、本発
明の電子写真感光体は、使用に際して、クリーニングブ
レード、紙判離爪その他による傷の発生も起り難くなり
、又どのような操作条件下でも、画像ぼけを生じること
がないという利点を有する。特に、高温高湿下において
、長期間繰返し使用しても画像ぼけや画像濃度の低下が
ないから、実用的価値が高い。
を主成分として構成されている非晶質炭素からなること
を特徴とするものであって、この様な、構成成分よりな
る表面層は非常に高い表面硬度を有しているため、本発
明の電子写真感光体は、使用に際して、クリーニングブ
レード、紙判離爪その他による傷の発生も起り難くなり
、又どのような操作条件下でも、画像ぼけを生じること
がないという利点を有する。特に、高温高湿下において
、長期間繰返し使用しても画像ぼけや画像濃度の低下が
ないから、実用的価値が高い。
実施例
以下、本発明の実施例を示す。
実施例１
円筒状基板上へのアモルファスシリコン膜の精製が可能
な容量結合型プラズマＣＵＤ装置を用いてシラン（Ｓｉ
Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガスをグ
ロー放電分解することにより円筒状Δｇ基板上にＯ１２
μｍ厚を有し、５ｐｐｍのホウ素（Ｂ）を含むｐ型の非
晶質シリコン層を設け、続いて２０μｍの厚さを有し、
５１）ｐｍのホウ素（Ｂ）を含む、いわゆるｉ型の非晶
質シリコン層を形成し、感光層とした。引き続き、装置
を真空排気した後、メタン（ＣＨ４）ガスを毎分２００
ｃｃ、水素ガスを毎分１００ＣＧ流入させ、反応層内を
１．０Ｔｏｒｒの内圧に維持した状態でグロー放電を生
起し、０．５μｍを有する主として非晶質炭素からなり
、水素を含む表面層を形成した。
な容量結合型プラズマＣＵＤ装置を用いてシラン（Ｓｉ
Ｈ４）ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスの混合ガスをグ
ロー放電分解することにより円筒状Δｇ基板上にＯ１２
μｍ厚を有し、５ｐｐｍのホウ素（Ｂ）を含むｐ型の非
晶質シリコン層を設け、続いて２０μｍの厚さを有し、
５１）ｐｍのホウ素（Ｂ）を含む、いわゆるｉ型の非晶
質シリコン層を形成し、感光層とした。引き続き、装置
を真空排気した後、メタン（ＣＨ４）ガスを毎分２００
ｃｃ、水素ガスを毎分１００ＣＧ流入させ、反応層内を
１．０Ｔｏｒｒの内圧に維持した状態でグロー放電を生
起し、０．５μｍを有する主として非晶質炭素からなり
、水素を含む表面層を形成した。
この表面層について赤外吸収強度による分析を行ったと
ころ、水素濃度は２５原子％であった。
ころ、水素濃度は２５原子％であった。
又その表面層のビッカース硬度は１２００にΩ／Ｃｍ２
であり、非常に硬いものでめった。
であり、非常に硬いものでめった。
このようにして得られた電子写真感光体を複写機にいれ
、正のコロナ帯電方式で画質を評価した。
、正のコロナ帯電方式で画質を評価した。
画質評価は、複写を５万回繰り返した後、温度３５°Ｃ
１湿度８５％ＲＨの環境下と温度５°Ｃ１湿度１５％Ｒ
Ｈの環境下で行ったが、画像ぼけ、画像濃度の低下はな
く、クリーニングブレードや紙判離爪による傷もまった
く見られなかった。
１湿度８５％ＲＨの環境下と温度５°Ｃ１湿度１５％Ｒ
Ｈの環境下で行ったが、画像ぼけ、画像濃度の低下はな
く、クリーニングブレードや紙判離爪による傷もまった
く見られなかった。
実施例２
円筒上へρ基板上に、実施例１におけると同一の条件下
、同一の方法で感光層を形成した。引き続き、装置を真
空排気した後エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガスを毎分１００Ｃ
Ｇ、水素ガスを毎分１００ＣＣ流入させ、反応層内をＱ
、５１ｏｒｒの内圧に維持した状態でグロー放電を生起
し、０．５μｍ厚を有する主として非晶質炭素からなり
、水素を含む表面層を形成した。
、同一の方法で感光層を形成した。引き続き、装置を真
空排気した後エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガスを毎分１００Ｃ
Ｇ、水素ガスを毎分１００ＣＣ流入させ、反応層内をＱ
、５１ｏｒｒの内圧に維持した状態でグロー放電を生起
し、０．５μｍ厚を有する主として非晶質炭素からなり
、水素を含む表面層を形成した。
この表面層について赤外吸収強度による分析を行ったと
ころ、水素濃度は３０原子％であった。
ころ、水素濃度は３０原子％であった。
又ビッカース硬度は６５０ｋＱ／ｃｒｎ”でおり、非常
に硬いものであった。
に硬いものであった。
このようにして得られた電子写真感光体をもらいて、実
施例１におけると同様な方法および条件下で画質の評価
を行ったところ、複写を５万回繰り返した後も画像ぼけ
や画像濃度の低下はなく、クリーニングブレードヤ紙剥
離爪による傷もまったく見られなかった。
施例１におけると同様な方法および条件下で画質の評価
を行ったところ、複写を５万回繰り返した後も画像ぼけ
や画像濃度の低下はなく、クリーニングブレードヤ紙剥
離爪による傷もまったく見られなかった。
実施例３
円筒上、Ａｄ基板上に、実施例１におけると同一の条件
下、同一の方法で感光層を形成した。引き続き、装置を
真空排気した後、４フツ化炭素（ＣＦ４）ガスを毎分１
００ｃｃ、水素ガスを毎分１００ｃｃ流入させ、反応層
内をＱ、５１ｏｒｒの内圧に維持した状態でグロー放電
を生起し、０．５μｍ厚を有する主として非晶質炭素か
らなり、水素を含む表面層を形成した。
下、同一の方法で感光層を形成した。引き続き、装置を
真空排気した後、４フツ化炭素（ＣＦ４）ガスを毎分１
００ｃｃ、水素ガスを毎分１００ｃｃ流入させ、反応層
内をＱ、５１ｏｒｒの内圧に維持した状態でグロー放電
を生起し、０．５μｍ厚を有する主として非晶質炭素か
らなり、水素を含む表面層を形成した。
この表面層について赤外吸収強度による分析を行ったと
ころ、水素濃度は３０原子％で必った。
ころ、水素濃度は３０原子％で必った。
又ビッカース硬度は５００ｋｇ／ｃｒｒ＋２でおり、非
常に硬いものであった。
常に硬いものであった。
このようにして得られた電子写真感光体をもちいて、実
施例１におけると同様な方法および条件下で画質の評価
を行ったところ、複写を５万回繰り返した後も画像ぼけ
や画像濃度の低下はなく、クリーニングブレードや紙判
離爪による傷もまったく見られなかった。
施例１におけると同様な方法および条件下で画質の評価
を行ったところ、複写を５万回繰り返した後も画像ぼけ
や画像濃度の低下はなく、クリーニングブレードや紙判
離爪による傷もまったく見られなかった。
実施例４
円筒上１１基板上に、実施例１にあけると同一の条件下
、同一の方法で感光層を形成した。引き続き、装置を真
空排気した後、４フツ化炭素（ＣＦ４）ガス及びメタン
（ＣＨ４）ガスをそれぞれ毎分１００ｃｃ、水素ガスを
毎分１００ＣＧ流入ざゼ、反応層内を０．５Ｔｏｒｒの
内圧に維持した状態でグロー放電を生起し、０．５μｍ
厚を有する主として非晶質炭素からなり、水素を含む表
面層を形成した。
、同一の方法で感光層を形成した。引き続き、装置を真
空排気した後、４フツ化炭素（ＣＦ４）ガス及びメタン
（ＣＨ４）ガスをそれぞれ毎分１００ｃｃ、水素ガスを
毎分１００ＣＧ流入ざゼ、反応層内を０．５Ｔｏｒｒの
内圧に維持した状態でグロー放電を生起し、０．５μｍ
厚を有する主として非晶質炭素からなり、水素を含む表
面層を形成した。
この表面層について赤外吸収強度による分析を行ったと
ころ、水素濃度は３０原子％であった。
ころ、水素濃度は３０原子％であった。
又ビッカース硬度は８００ｋＱ／ｃｍ２であり、非常に
硬いものであった。
硬いものであった。
このようにして得られた電子写真感光体をもちいて、実
施例１におけると同様な方法および条件下で画質の評価
を行ったところ、複写を５万回繰り返した後も画像ぼけ
や画像濃度の低下はなく、クリーニングブレードや紙判
離爪による傷もまったく見られなかった。
施例１におけると同様な方法および条件下で画質の評価
を行ったところ、複写を５万回繰り返した後も画像ぼけ
や画像濃度の低下はなく、クリーニングブレードや紙判
離爪による傷もまったく見られなかった。
第１図は、本発明の電子写真感光体の基本構造を示す模
式図であり、第２図及び第３図は、本発明の電子写真感
光体の他の態様の模式図であり、第４図は、結晶質−非
晶質混相のモデルを示す模式図である。 １・・・支持体、２・・・感光層、３・・・表面層、Ａ
・・・結晶領域、Ｂ・・・非晶領域。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社 代理人 弁理士 眼部 剛 ・水素原子 第４図
式図であり、第２図及び第３図は、本発明の電子写真感
光体の他の態様の模式図であり、第４図は、結晶質−非
晶質混相のモデルを示す模式図である。 １・・・支持体、２・・・感光層、３・・・表面層、Ａ
・・・結晶領域、Ｂ・・・非晶領域。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社 代理人 弁理士 眼部 剛 ・水素原子 第４図
Claims (4)
- （１）少なくとも、支持体、感光層、表面層からなる電
子写真感光体において、該表面層が炭素及び水素を主成
分として構成されている非晶質炭素からなることを特徴
とする電子写真感光体。 - （２）表面層がプラズマＣＶＤ法によって生成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
光体。 - （３）感光層の主成分がケイ素であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （４）感光層がｉ型半導体層であることを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29086985A JPS62150355A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 電子写真感光体 |
| US06/945,541 US4755444A (en) | 1985-12-25 | 1986-12-23 | Electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29086985A JPS62150355A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150355A true JPS62150355A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17761552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29086985A Pending JPS62150355A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150355A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191858A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-01 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用の感光体とその製造方法 |
| JPH0566617A (ja) * | 1991-04-15 | 1993-03-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS6061761A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS60225163A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Tdk Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6194056A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | アモルフアス・シリコン感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61219961A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61250655A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61275859A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29086985A patent/JPS62150355A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
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| JPS60225163A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Tdk Corp | 電子写真感光体 |
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| JPS61219961A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61250655A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61275859A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (2)
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| JPH01191858A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-01 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用の感光体とその製造方法 |
| JPH0566617A (ja) * | 1991-04-15 | 1993-03-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真法 |
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